2常用元器件认知
【教学设计】3-2 电路基本元器件及其作用认知
学生发言时，教师实时地进行补充，并针对重点和难点可进一步地提问，最后总结。
教师：在实训过程中（工作任务完成的过程中）遇到了哪些问题、最难解决的是哪个问题、以及分别怎么解决这些问题的？
学生发言时，教师提醒解决问题的“关键”在哪儿。
教师：本次工作任务中，你在小组当中完成了哪些工作？小组中谁给你的帮助最大以及为什么是他(她)？
（1）认真听讲和观看老师对重点操作步骤的示范操作，并做好记录。
（2）到老师指定工位进行任务操作。
小组长：以确保组内成员都能进行完整的操作训练为原则，根据老师指导或者根据组员实际情况灵活确定小组成员的操作训练顺序；监督每位成员的操作，及时进行指导或者遇到无法解决的问题时请老师指导；根据小组分工，监督每个组员的职责落实到位。
（4）按照时间规划，汇总小组PPT，进行完整版本PPT的检查→修改→定稿。
（5）汇报前的演讲演练。
其他小组成员：
明确PPT完成的时间要求、质量要求、各自负责的内容，并按时完成内容。
成果展示与评价（40分钟）
1.督促各组准备PPT及辅助汇报资料。
2.听取汇报，并记录。
3.点评各组汇报，对完成优秀的小组给予激励，对完成良好及以下的小组给出个性化的辅导。
7.检修结束，引导学生进行“7S”现场管理。（如需进行下一步骤中的拓展实训，则此处未进行此操作）
课前预习时，通过“任务导入”主动做好预习；课堂上，认真听讲，做好操作记录和笔记。
1.认真听取安全操作规程。
2.明确要记录的操作步骤的内容。
3.明确工单表中的要点。
4.领取设备及工具。
5.到指定工位检修。
6.进行检修，听取老师指导。
2.培养安全意识和团队协作精神；
常用电子元器件的认识
常用电子元器件的认识电子元器件可以说是电子设备中最基本的组成部分之一，可以通过它们来控制电信号和电能的流动。
在工程领域中，我们需要了解电子元器件的种类和功能，以便选择合适的元件并正确地进行设计、维护和故障排除。
在本文中，我们将介绍一些常见的电子元器件，并对它们的主要特征进行分析和说明。
1. 电阻器电阻器是一种能够限制电流流过范围的电子元件，它是通过将电流导体中的电比较好地转化为热量来实现的。
在实际应用中，我们常常需要用电阻器来控制电路的电流和电压，以便实现特定的电路功能，比如控制LED亮度，实现制冷系统温度控制等等。
2. 电容器电容器能够储存静电能量，可用来控制电流和电压。
它有两个电极板和一个电介质，当电容器接入电路时，会在两个电极板之间形成等电势线。
电容器的容量是储存的静电能量密度，通常以法拉(F)为单位，这也意味着电容器具有储存电能的能力，可以在电路中用来平衡电压或稳定电流。
除此之外，它还可以用来生成谐振电路以实现特定的滤波器和振荡器。
3. 晶体管晶体管是一种半导体器件，它可以控制电流的流动而没有机械运动，通常用来放大电路信号。
晶体管最常见的类型是二极管，由两个PN结组成，其中一个剥掉的半导体层就被称为基极。
当施加电压时，电场将使电荷在基极和发射极之间流动，并将集电极中的电流变大。
4. 电感器电感器是一种设备，它可以储存磁场能量，通常用来控制电流或电压。
电感器由线圈和磁芯组成，当电流通过线圈时，磁芯被激活并储存能量。
电感器的置换效应使得电压和电流呈正比例或反正比例的变化。
实际使用中，电感器可以用于过滤电流脉冲或形成谐振电路，还可以在发电机或变压器中用来调节电感。
5. 二极管二极管是一种电子器件，它由两个半导体层（一正一负）组成，可控制电流的一个方向。
当施加电压时，电子从一层流向另一层，这就是二极管的正向导通，不同于之前的电阻器，它是一种有源元件，可以用于电路中的整流、开关或振荡。
当电子流从高电位电极流向低电位电极时，二极管发生反向击穿，进入负向导通状态，此时它可以用作负向偏置的保护器件。
常用电子元器件认知与检测讲课文档
大小 精密 测量 高功率
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简称
阻 位
碳 金 氧 线
小 精 量 高
符号
R W
T J Y X
X J L G
(1) 电阻值
文字符号
R K M G T
单位 及进位关系
Ω(100) KΩ(103) MΩ(106) GΩ(109) TΩ(1012)
名称
欧姆 千欧 兆欧 吉欧 太欧
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3 金属玻璃铀电阻器
将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基 板上。
特点：耐潮湿，高温，温度系数小
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高压玻璃铀电阻
耐冲击型玻璃釉膜功率电阻器
高压片状玻璃釉膜电阻器
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1. 文字称号直标法
在电阻器表面将电阻器的材料类型和主要参
数直接标出。第一个字母R表示电阻，第二个字母
表示导体材料，第三个字母表示形状性能。
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现在三十八页，总共二百三十八页。
顺序 第一个
字母 第二个
字母
类别 主称
导体材料
第三个 形状性能
字母
等
名称
电阻器 电位器
碳膜 金属膜 金属氧化膜
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1.3 参数 ➢ 主要参数：标称阻值、允许偏差和额定功率。
➢ 其它参数：噪声电动势，电阻温度系数，最高工作电 压，绝缘电阻，绝缘耐压，老化系数，电压系数，高频 特性。
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1. 标称阻值：
常用电子元器件及使用常识
常用电子元器件及使用常识电子元器件是电子产品中不可或缺的组成部分，它们具有不同的功能和特性，用途广泛，涵盖了电源、传感器、模拟器件、数字器件等多个领域。
下面是一些常用的电子元器件及其使用常识。
1. 电源模块：电子产品通常需要稳定的直流电源供电，电源模块可以将交流电转换为稳定的直流电。
常见的电源模块有稳压二极管（Zener diode）、稳压管（Voltage regulator）、开关电源（Switching power supply）等。
2. 传感器：传感器可将物理量转换为电信号，常用于测量温度、光强、压力、湿度等。
常见的传感器包括温度传感器（Thermistor）、光敏电阻（Photoresistor）、压力传感器（Pressure sensor）等。
3. 模拟器件：模拟器件可以处理模拟信号，常用于放大、滤波、调节信号等。
常见的模拟器件有运算放大器（Operational amplifier）、二极管（Diode）、三极管（Transistor）等。
4. 数字器件：数字器件用于处理数字信号，常用于逻辑运算、计数、存储等。
常见的数字器件包括逻辑门（Logic gate）、触发器（Flip-flop）、计数器（Counter）等。
5. 存储器件：存储器件用于存储数据，分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）等。
常见的存储器件有动态随机存取存储器（DRAM）、静态随机存取存储器（SRAM）、闪存（Flash memory）等。
6. 开关器件：开关器件用于控制电路的开关状态。
常见的开关器件有继电器（Relay）、场效应管（Field effect transistor）、双极型晶体管（Bipolar junction transistor）等。
7. 接口器件：接口器件用于连接电路之间的信号传递和数据交流。
常见的接口器件有USB接口、串行通信接口（UART）、并行通信接口（Parallel interface）等。
常用电子元器件基础知识课件
态碳氢化合物在高温和真空中分解，碳沉
积在瓷棒或 者瓷管上，形成一层结晶碳膜。
改变碳膜厚度和用刻槽 的方法变更碳膜的
长度，可以得到不同的阻值。
优点 ：制作简单，成本低；
缺点 ：稳定性差，噪音大、误差大。
碳膜电阻器
金属氧化膜电阻器 （RJ）
随着电子设备的发展其构成的零件
亦趋向小 型化、轻型化及耐用化等趋
势。在真空中加热合金，合金蒸发，
使瓷棒表面形成一层导电金属膜。刻
槽和改变金属膜厚度可以控制阻值。
优点：体积小、精度高、稳定性好、
噪音小、电感量小；
缺点：成本高。
金属氧化膜电阻器
绕线电阻器
把碳黑、树脂、粘土等混合物压制后经
过热处理制成。在电阻上用色环表示它的
阻值。这种电阻成本低，阻值范围宽，但
（RJ）、线绕电阻（RX）、电位器（RP）
其它还有合成碳膜电阻（RH） 、有机实芯电阻
（RS） 、无机实芯电阻（RN） 、氧化膜电阻、
沉积膜电阻、敏感电阻（光敏和热敏）等。
❖
按安装方式分：贴片式和插接式
❖
按功能分：负载电阻，采样电阻，分流电阻，保
护电阻等
碳膜电阻器（RT）
碳膜电阻器是一种应用最早、最广泛的
电位器的阻值变化连续、分辨率高、 阻值范围宽、
成本低。但对温度和湿度的适应性差，使用寿命
短。
4．多圈电位器
多圈电位器属于精密电位器。它分有带指针、
不带指针等形式，调整圈数有5圈、10圈等数种。
该电位器除具有线绕电位器的相同特点外，还具
有线性优良，能进行精细调整等优点，可广泛应
用于对电阻实行精密调整的场合。
常用电子元器件的认识
电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成,因此,要了解开关电源的原理,学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)(a)国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Ω),千欧(KΩ) 和兆欧(MΩ).1MΩΩ3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻,绕线电阻,贴片电阻,可调电阻,水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power Rating Curve (Figure 1)(3)电阻温度系数(4). 工作温度范围Carbon Film :-55℃----+155℃Metal Film :-55℃----+155℃Metal Oxide Film :-55℃----+200℃Chip Film :-55℃----+125℃5.标注方法:(1)直标法(2)色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中,色标颜色表示数字如下:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -1 -2 四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.例1:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银,则阻值为:10X10 ±10%(Ω)6.误差代码Tolerance ±1%±2%±2.5%±3%±5%±10%±20% Symbols F G H I J K M7.电阻的分类(1). 碳膜电阻(2). 金属膜电阻（保险丝电阻）(3). 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5). 保险丝二:电容器英文Capacitor1.电路符号(a)(b)(a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U=ΣS/4πd,单位法拉(F).3.种类电容器可分为:陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=P耗/P总P耗为充放电损耗功率, P总为充放电总能量.(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF6. 多层陶瓷电容器电介质分类NPO（COG）﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒X7R(2X1) : 二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.Y5V(2F4) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感.7. Plastic Film Capacitors(1).Polystyrene Film Capacitor (聚苯乙烯膜電容器)High precision of capacitance.Low dissipation factor and low ESR.High insulation resistanceHigh stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.(2) Polyester Film Capacitor (聚乙烯膜電容器)High moisture resistanceGood solderabilityAvailable on tape and reel for automatic insertionESR is minimized.(3) Metallized Polyester Film Capacitor (金屬化聚乙烯膜電容器)High moisture resistance.Good solderability.Non-inductive construction and sell-healing property.(4) Polypropylene Film Capacitor (聚丙烯膜電容器)Low dissipation factor and high insulation resistance.High stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.Low equivalent series resistance.Non-inductive construction8.X電容9.Y電容三.电感器(英文Choke 即线圈)1.电路符号(普通电感无极性)2.主要参数(1)电感量及允许偏差(2)品质因子(Q值)感抗x L=W L=2πfL Q=2πfL/R Q即为品质因子3.种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器四.半导体二极管 (英文 Diode)DIODE Test # Description1 VF Forward voltage2 IR Reverse current leakage3 BVR Breakdown voltage1.电路符号2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个N型半导体构成,组成一个PN结,PN结具有单向导电性.4.种类(1)普通二极管 (2)发光二极管 (3)稳压二极管 (4)变容二极管 (6)肖特基二极管5.主要参数(1)最大平均整流电流I F:表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过I F,否则二极管将会烧坏.(2)最大反向工作电压V R(3)反向电流I R:是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4)工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管ZENER Test # Description1 V F Forward voltage2 BV Z Minimum Zener voltage.(Use test #5)3 BV Z Maximum Zener voltage.(Use test #5)4 I R Reverse current leakage5 BV Z BVz with programmable soak6 ZZ1.电路符号(图一2.稳压原理从(图二)稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2)稳定电流:稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差 些. (3)额定功率损耗 (4)电压温度系数 (5)动态电阻六.半导体三极管(又称晶体三极管) TRANSISTOR Test # Description1h FEForward-current transfer ratio2 V BE Base emitter voltage(see also Appendix F)3 I EBO Emitter to base cutoff current4 V CESAT Saturation voltage5 I CBO Collector to base cutoff current6 I CEO Collector to emiter cutoff current I CER, with base to emiter load,I CEX, reverse bias,orI CES short(see also Appendix F)7 BV CEO Breakdown voltage,collector to emitter, BV CER with base to emiter load, BV CEX reverse bias,or BV CES short(see also Appendix F)8 BV CBO Breakdown voltage,collector to base 9 BV EBO Breakdown voltage,emitter to base10V BESATBase emitter saturation voltage1.电路符号(b)PNPNPN(b) PNP结构如上图.三极管是由三块半导体组成,构成两个PN结,即集电结和发射结,基结3个电极,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic,基极电流Ib,发射极电流Ie,Ie=Ib+Ic Ic=βIb, β为三极管电流放大倍数.(1)NPN (2) PNP (3)共发射极输出特性曲线(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1>E2,即 NPN型三极管V c>V b>V e, PNP型三极管V c<V b<V e.三极管处于放大状态.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)(2)截止Ib≦0的区域称截止区,U BE时,三极开始截止,为了截止可靠,常使U BE≦0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3)饱和区当V CE<V BE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区. 饱和压降U CE(sat),小功率硅管U CE(sat)≒0.3V,锗管U CE(sat)≒4.主要参数(1)共发射极直流电流放大系数β,即H fe,β=I C/I B(2)共发射极交流电流放大系数β. β=ΔI C/ΔI B(3)集电极,基极反向饱和电流I CBO(4)集电极,发射极反向饱和电流I CEO,即穿透电流(5)集电极最大允许功耗P CM(6)集电极最大允许电流I CM(7)集电极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR,也叫晶闸管)SCR Test # Description1 I GT Gate-trigger current2 I GKO Reverse gate current5 V GT Gate-trigger voltage6 BV GKO Reverse gaet breakdown voltage7 I DRM Forward Blocking current8 I RRM Reverse Blocking current9 I L Latching current11 I H Holding current(see also Appendix F)13 VTM Forward on voltage15 V DRM Forward blocking voltage16 V RRM Reverse blocking voltage1.电路符号A K阳极 G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳,阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压.(3)导通后,U AK(4)要使导通的可控硅截止,得降低 U AK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路,使可控硅导通所对应的峰值电压(2)通态平均电压U F,约为(3)擎住电流Ica-----—由断态至通态的临界电流.(4)维持电流I H:从通态至断态的临界电流(5)控制极触发电压U G,一般1~5V(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.八.变压器变压器是变换电压的器件1.电路符号. .L1 L2(a)(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号,它有两组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.1.结构构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成.为了防潮,绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的. 3.工作原理当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场,这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样.初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.4.主要参数(1)变匝比:变压器初级匝数为N1,次级匝数为N2,在初级上加信号电压为U1,次级上的电压为U2,则有下式成立:U2/U1=N2/N1=N N为变压器的变压比(2)效率是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值,即η=P o/P i*100%(3)电压,电流的关系若η=100%,则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此有:U2/U1=I1/I2=N2/N1=N九.光电藕合器 (英文 PHOTO COUPLE)OPTOCOUPLER Test #(Requires Opto Adapter) 1 LCOFF Collector to emitter darkcurrent2 LCBO Collector to base dark current3 BVCEO Breakdown voltage,collector to emitter4 BVCBO Breakdown voltage,collector to base5 HFE Forward current transfer ratio,transistor6 VCESAT Saturation voltage,base driven7 IR Reverse current8 VF Forward voltage9 CTR Current transfer ratio,coupled10 VSAT Saturation voltage,coupled光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光敏器件,它可以是光电池,光敏三极管,光敏单向可控硅等器件.1.电路符号2.工作原理当有电流流过LED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度,此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LED正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.I FI C/I F=CTR十.场效应管JEFT Test # Description1 VGSOFF Gate to source cutoff voltage.2 lDss Zero gate voltage drain current.3 BVDGO Drain to gate breakdown voltage.4 IGSS Gate reverse current.5 IDGO Drain to gate leakage.6 IDOFF Drain cut-off current.7 BVGSS Gate to source breakdown voltage.8 VDSON Drain to source on-state voltage.场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管,是电压控制器件,输入电阻非常高.场效应管分为:结型场效应管(JFET)和绝缘珊场效应管(IGFET)两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下结型场效应管有三极:珊极g g 源极 N型漏极二.工作原理结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当d,s极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U DS(off),当U DS等于某一个定值(10v),使Id等于某一个微小电流(如50uA)时, 源极间所加的U GS即为夹断电压.U DS(off)一般为1~10V2.饱和漏极电流I DS:当U GS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻R GS4.低频跨导GM5.漏源击穿电压U(BR)DS6.珊源击穿电压U(BR)GS7.最大耗散功率P DM绝缘珊场效应管MOSFET Test # Description1 V GSTH Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain current.lDSx with gate to Source reverse bias.3 BVDss Drain to Source breakdown voltage.4 VDSON Drain to Source on-state voltage.5 IGSSF Gate to Source leakage current forward.6 IGSSR Gate to Source leakage current reverse.7 VF Diode forward voltage.8 VGSF Gate to Source voltage (forward)required for specified In at specified Vos.(see SISQ Appendix F) 9 VGSR Gate to Source voltage (reverse)required for specified ID at specified VDS.(see also Appendix F) 10 VDSON On-state drain current11 VGSON On-state gate voltage一.结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成,故称为MOSFET,简称MOS 管,其工作原理类似于结型场效应管. 符号和极性(1)增强型 NMOS (2)增强型 PMOS(3)耗尽型 NMOS (4)耗尽型PMOS二.主要参数-+1.漏源击穿电压BV DS2.最大漏极电流I DMSX3.阀值电压V GS (开启电压)4.导通电阻R ON5.跨导(互导) (GM)6.最高工作濒率7.导通时间TON 和关断时间十一.集成电路 (英文 Integraed Circuit 缩写为IC)集成电路按引脚分别为:单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成 电路,四列集成电路,反向分布集成电路. 下列介绍几种IC(一).TL431 它是一个基准电压稳压器电路,电路符号如图:阴极(K)参考输入端®(a) 阳极(A)TL431内部结构如图(b),其内部有一个的基准电压,当U R 时, K,A 极处于导通状态,当U R 时,K,A 极截止. A (b)(二).PWM 开关电源的集成电路(IC)片共16 Pin,各Pin 功能如下:1). CS 此脚做为电流模式控制,当此脚电压超过时,IC 失去作用 2). GND 电源地3).DRIVE 驱动MOSFET 管的输出(方波输出) 4).VCC 电源5).UREF +5V参考电压6).RT/CT 此脚接RT到Pin5接CT到地,从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM 接电容到地,则会影响振荡频率,并且减少传导与辐射的电磁干扰,街地则无此功能.8).COMP 内部此脚接到电流比较器上,外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT 此脚电压超过2.5V,则IC失去作用,一般此脚作保护作用.11).BROWN OUT 此脚用来感应BULK CAPACTIOR上电压,若电压小于则IC失去作用.12).REX 此脚接一个电阻到地,用来作为电流产生器.13).ADC 此脚用来限制占空比,当此脚电压高于时,占空比控比例开始减少.当时,占空比减少到最大占空比的65%.14).POCP 接一个电容到地,将提供OCP功能,当此脚有一连串臃冲时,此IC失去功能.15)CSLOPE 此脚为振荡电路做电压补偿.160. GND 信号地.(1)UC3842有8个Pin,其各Pin功能如下:1).内部误差放大器输出端2).反馈电压输入端3).电压供电端,当该脚电压超过1V时,6脚无臃冲输出4).接KT,CT产生f=1/RTG的振荡信号5).GND6).Drive,驱动臃冲输出7).Vcc8).+5v参考电压,由IC的内部产生(2)使UC3842输出端关闭的方法有三:1).关掉Vcc2).将3脚电压升至1V以上3).将1脚电压降至1V以下UC3843的7脚为电压输入端,其激活电压范围为16V~34V,若电源起动时Vcc<16V,则8脚无+5V基准电压.TL494有16Pin,各Pin功能如下:1)采样电压2)从14脚分压得标准电压3)接阻容电路,作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高,死区时间达到最大,使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RT7)GND8)Drire 驱动脉冲输出9)Drire 驱动脉冲输出10)Drire 驱动脉冲输出11) Drire 驱动脉冲输出12)Vcc13)输出方式控制,该脚接地,内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端17)16Pin通常作回授用(三)UC3854ANUC3854是功率因子校正器(PFC)的集成电路,它有16个Pin,其各脚功能如下:1)GND 接地端2)PKLMT 峰值限制端,接电流检测电阻的电压负端,当电流峰值过高时,电路将被关闭.3)CAOUT 电流放大器CA输出端4)ISENSE 电刘检测端,内部接CA输入负端,外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mult Out 乘法器输出端,即电流检测另一端,内部接乘法/除法器输出端和CA输入正端,外端经电阻接电流检测电阻的电压负端6)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)UA Out 电压放大器UA输出端,内部接乘法/除法器输入端,外部接RC反馈网络.8)URMS 有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用,URMS的数值范围为9)REF 基准电压端,产生基准电压10)ENA 起动端,通过逻辑电路控制基准电压,振荡器,软起动等11)USENSE 输出电压检测端,接电压放大器UA的输入负端12)RSET 外接电阻RSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出13)SS 软起动端14)CT 外接电容CT端,CT为振荡器定时电容,使产生振荡频率为f=1.25/RSET*CT15)Vcc 集成电路的供电电压Vcc,额定值22V16)GTDRV 门极驱动端,通过电阻接功率MOS开关管门极,该端电位钳在15V(四)DNA 1002 CP共16Pin,该IC有OUP,UVP功能,其各Pin功能如下:1)LATCH 当过电压欠电压时,此脚为高电平,此脚为低电平表示输出正常.2)COM 信号地3)PG 正常工作时此脚为高电平PG信号输出.4)TDON 接个电容到地,产生PG延时.5)REMOTE REMOTE ON/OFF端,为低则ON,为高则Pin1高6)TDOFF 接个电容到地,起到延迟关机作用,产生PF7)DUV 接个电容到地,这样在电容充电电压小于参考电压时,不做欠电压检测,而当充电电压大于参考电压时,欠电压检测恢复.8)BSENSE 在IC内部,此Pin是电压供应比较器的同相输入,当此Pin 电压低于时,则Pin3与Pin7会变低.9)V5 检测+5V的过电压与欠电压,其UUP点4.0~4.24V,OVP点为10)V12 检测+12V的过电压与欠电压,其UUP点为9.4~9.99V,OVP点为11)V-12 检测-12V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,失去此功能12)V3.3 检测的过电压与欠电压,此脚接Vcc,则失去此功能,其UUP点为1.09~1.16V,OVP点为13)V-5 检测-5V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,则失去此功能14)RCRNT 接个电阻到地,从而产生内部恒流参考电压输出16)Vcc IC电源。
电子元器件识2
电子元器件识别
《二》电容
1定义
电容（或电容量，Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C，国际单位是法拉（F）。
一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷
1法拉=144焦耳
2识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）/mju:/、纳法（nF）、皮法（pF）。
其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。
三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
2。
电子元器件认识及基础电路分析
电子元器件认识及基础电路分析常见的电子元器件有电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管等。
下面对这些元器件进行一些基础的介绍：1. 电阻（Resistor）：电阻用来限制电流通过的大小，通常以欧姆（Ω）为单位表示。
电阻的值越大，通过的电流越小。
2. 电容（Capacitor）：电容储存电荷，在电路中可以用来储存能量、滤波、延迟电压等。
电容的单位是法拉（F），常见的单位还有微法（μF）、纳法（nF）等。
3. 电感（Inductor）：电感以线圈的形式存在，可以存储磁能，在电路中可以用来储存能量、滤波、产生振荡等。
电感的单位是亨利（H），常见的单位还有毫亨（mH）等。
4. 二极管（Diode）：二极管只允许电流在一个方向上通过，可用于整流和保护电路。
常见的二极管有普通二极管、肖特基二极管等。
5. 三极管（Transistor）：三极管是一种具有放大作用的电子器件，通常用来放大电流、开关电路等。
常见的三极管有双极型晶体管（BJT）和场效应管（FET）。
了解以上元器件后，我们可以进行基础电路分析。
基本电路分析的核心是欧姆定律、基尔霍夫定律和电压分压原理。
1. 欧姆定律（Ohm's Law）：欧姆定律描述了电流、电压和电阻之间的关系，即电流等于电压除以电阻。
表示为I=V/R，其中I是电流（安培），V是电压（伏特），R是电阻（欧姆）。
2. 基尔霍夫定律（Kirchhoff's Laws）：基尔霍夫定律包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。
基尔霍夫电流定律指出在电路中流入节点的电流等于流出该节点的电流的代数和；基尔霍夫电压定律指出电路中沿着任意闭合回路的电压代数和等于零。
3.电压分压原理：电压分压是指在一个电阻网络中，电压分布按比例分布到各个电阻上。
电压分压可以通过串联连接的电阻实现。
例如，两个电阻R1和R2串联连接，输入电压为V，那么在R1上的电压为V1=V*(R1/(R1+R2))，在R2上的电压为V2=V*(R2/(R1+R2))。
常用电子元器件知识
常用电子元器件知识在现代电子技术的领域中，电子元器件是构建各种电子设备的基础。
无论是我们日常使用的手机、电脑，还是工业生产中的复杂控制系统，都离不开各种各样的电子元器件。
了解常用电子元器件的知识，对于电子爱好者、工程师以及相关专业的学生来说，都是非常重要的。
首先，让我们来认识一下电阻。
电阻是电子电路中最常见的元件之一，它的主要作用是限制电流的流动，从而控制电路中的电压和功率。
电阻的单位是欧姆（Ω），其阻值可以通过色环标识或者直接标注在电阻上。
在实际应用中，根据电阻的精度和功率需求，我们会选择不同类型的电阻，比如碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等。
电容也是不可或缺的电子元器件。
它的作用是储存电荷和电能，在电路中常用于滤波、耦合、旁路等。
电容的单位是法拉（F），但通常我们见到的电容单位是微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）。
电容的种类繁多，有电解电容、陶瓷电容、钽电容等。
电解电容具有较大的电容量，但极性不能接反；陶瓷电容体积小、稳定性好，常用于高频电路；钽电容则具有较高的可靠性和稳定性。
电感在电子电路中的应用也很广泛。
它的主要特性是通过电流时会产生磁场，从而储存能量。
电感的单位是亨利（H），通常使用的单位还有毫亨（mH）和微亨（μH）。
电感在滤波、振荡等电路中发挥着重要作用。
常见的电感有空心电感、磁芯电感等。
二极管是一种具有单向导电性的电子元件。
它允许电流从一个方向通过，而阻止电流从相反方向通过。
二极管在整流、稳压、检波等电路中有着重要的应用。
常见的二极管有普通二极管、稳压二极管、发光二极管等。
发光二极管可以发出各种颜色的光，广泛应用于指示灯、显示屏等领域。
三极管是一种具有放大作用的电子元件。
它可以将微弱的电信号放大成较大的电信号。
三极管分为 NPN 型和 PNP 型，在电路中的应用非常灵活，可以构成放大器、开关电路等。
集成电路（IC）则是将多个电子元器件集成在一个芯片上，实现特定的功能。
集成电路的出现极大地推动了电子技术的发展，使得电子设备变得更加小型化和智能化。
常用的电子元器件介绍
常用的电子元器件介绍电子元器件是指在电子设备中起到特定功能的部件，广泛应用于各种电子设备和电路中。
下面是一些常用的电子元器件的介绍：1. 电阻器（Resistor）：电阻器是一种用于限制电流流动的电子元件。
它通常由导体材料制成，具有一定的电阻值。
电阻器的作用是降低电流强度，控制电路中的电压和电流。
2. 电容器（Capacitor）：电容器是一种能够储存电荷和能量的元件。
它由导体和介质构成，通过存储电荷来储存能量。
电容器的作用包括储存能量、滤波、耦合和调节电压。
3. 电感器（Inductor）：电感器是一种用于存储磁能和电能的元件。
它由导体线圈构成，通过储存磁场来存储能量。
电感器的作用包括储存能量、滤波、耦合和调节电流。
4. 二极管（Diode）：二极管是一种具有单向导电性的元件。
它由PN结构组成，具有正向导通和反向截止的特性。
二极管的作用包括整流、保护和信号调制等。
5. 三极管（Transistor）：三极管是一种具有放大和开关功能的元件。
它由PNP或NPN结构构成，通过电流控制来放大信号。
三极管的作用包括放大信号、开关控制和逻辑门实现等。
6. 集成电路（Integrated Circuit，IC）：集成电路是将许多电子元器件集成在一块芯片上的元件。
它由多个晶体管、电阻器和电容器等元器件组成。
集成电路的作用包括放大、计算、存储和控制等。
7. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种具有放大和开关功能的元件。
它由半导体材料构成，通过电流控制来放大信号。
晶体管的作用包括放大信号、开关控制和逻辑门实现等。
8. 操作放大器（Operational Amplifier，Op-Amp）：操作放大器是一种高增益、差分输入的电子元件。
它主要用于放大信号和进行数学运算。
操作放大器的作用包括放大、过滤、整形和比较等。
9. 变压器（Transformer）：变压器是一种用于改变交流电压和电流的元件。
它由两个或多个线圈构成，通过电磁感应来改变电压和电流。