电感的型号、规格及命名

电感的型号、规格及命名
电感的型号、规格及命名

电感的型号、规格及命名

5.1 片状电感

电感量:10NH~1MH

材料:铁氧体绕线型陶瓷叠层

精度:J=±5% K=±10% M=±20%

尺寸: 0402 0603 0805 1008 1206 1210 1812 1008=2.5mm*2.0mm 1210=3. 2mm*2.5mm

5.2 功率电感

电感量:1NH~20MH

带屏蔽、不带屏蔽

尺寸:SMD43、SMD54、SMD73、SMD75、SMD104、SMD105;RH73/RH74/RH104 R/RH105R/RH124;CD43/54/73/75/104/105;

5.3 片状磁珠

种类:CBG(普通型)阻抗:5Ω~3KΩ

CBH(大电流)阻抗:30Ω~120Ω

CBY(尖峰型)阻抗:5Ω~2KΩ

规格:0402/0603/0805/1206/1210/1806(贴片磁珠)

规格:SMB302520/SMB403025/SMB853025(贴片大电流磁珠)

5.4 插件磁珠

规格:RH3.5

5.5 色环电感

电感量:0.1uH~22MH

尺寸:0204、0307、0410、0512

豆形电感:0.1uH~22MH

尺寸:0405、0606、0607、0909、0910

精度:J=±5% K=±10% M=±20%

精度:J=±5% K=±10% M=±20%

插件的色环电感

读法:同色环电阻的标示

5.6 立式电感

电感量:0.1uH~3MH

规格:PK0455/PK0608/PK0810/PK0912 5.7轴向滤波电感

规格:LGC0410/LGC0513/LGC0616/LGC1019电感量:0.1uH-10mH。

额定电流:65mA~10A。

Q值高,价位一般较低,自谐振频率高。

5.8 磁环电感

规格:TC3026/TC3726/TC4426/TC5026

尺寸(单位mm):3.25~15.88

5.9 空气芯电感

空气芯电感为了取得较大的电感值,往往要用较多的漆包线绕成,而为了减少电感本身的线路电阻对直流电流的影响,要采用线径较粗的漆包线。但在一些体积较少的产品中,采用很重很大的空气芯电感不太现实,不但增加成本,而且限制了产品的体积。为了提高电感值而保持较轻的重量,我们可以在空气芯电感中插入磁心、铁心,提高电感的自感能力,借此提高电感值。目前,在计算机中,绝大部分是磁心电感。

常用电子元器件型号命名法及主要技术参数

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一.电阻器、电容器、电感器和变压器

二.半导体管 三.其它电气图形符号

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一.电阻器和电位器 1.电阻器和电位器的型号命名方法 示例: (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器)

2.电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率,如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值范围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准,常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3.电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω,2K7表示2.7kΩ, 表5

例如: RJ71-0.125-5k1-II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为5.1kΩ,允许误差为±10%。 (2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。例如,色环为棕黑红,表示10?102=1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如,色环为棕绿橙金表示15?103=15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如,色环为红紫绿黄棕表示275?104=2.75MΩ±1%的电阻器。

贴篇电容的精度表示方法

本贴说贴片电容(chip)的精度表示方法: 电容的型号命名: 1)各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成: 第一部分:用字母表示名称,电容器为C。 第二部分:用字母表示材料。 第三部分:用数字表示分类。 第四部分:用数字表示序号。 2)电容的标志方法: (1)直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2)文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1pF,C——±0.2pF,D——±0.5pF,F——±1pF。 (3)色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示: 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V6.3V10V16V25V32V40V50V63V (4)进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成。 第一项:用字母表示类别: 第二项:用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项:温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如下表所示: 序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1A金+100R黄-220 2B灰+30S绿-330 3C黑0T蓝-470 4G±30U紫-750 5H棕-30±60V-1000 6J±120W-1500 7K±250X-2200 8L红-80±500Y-3300 9M±1000Z-4700 10N±2500SL+350~-1000 11P橙-150YN-800~-5800 备注:温度系数的单位10e-;允许偏差是%。 第四项:用数字和字母表示耐压,字母代表有效数值,数字代表被乘数的10的幂。 第五项:标称容量,用三位数字表示,前两位为有效数值,第三为是10的幂。当有小数时,用R或P表示。普通电容器的单位是pF,电解电容器的单位是uF。 第六项:允许偏差。用一个字母表示,意义和国产电容器的相同。 也有用色标法的,意义和国产电容器的标志方法相同。 3.电容的主要特性参数: (1)容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级:I级±5%,II级±10%,III级±20%。在有些情况下,还有0级,误差为±20%。 精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。 常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005级——±0.5%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。

电阻、电容、电感规格、封装、尺寸、功率识别

公制长(L) 宽(W) 高(t) a

0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 常规贴片电阻(部分) 常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表:英制(mil) 公制(mm) 额定功率(W)@ 70°C 0201 0603 1/20 0402 1005 1/16 0603 1608 1/10 0805 2012 1/8 1206 3216 1/4 1210 3225 1/3 1812 4832 1/2 2010 5025 3/4 2512 6432 1 国内贴片电阻的命名方法:

2、1%精度的命名:RS-05K1002FT R -表示电阻 S -表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。 05 -表示尺寸(英寸):02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。 K -表示温度系数为100PPM, 102-5%精度阻值表示法:前两位表示有效数字,第三位表示有多少个零,基本单位是Ω,102=10000Ω=1KΩ。1002是1%阻值表示法:前三位表示有效数字,第四位表示有多少个零,基本单位是Ω,1002=100000Ω=10KΩ。 J -表示精度为5%、F-表示精度为1%。 T -表示编带包装 1:0402(1/16W) 2:0603(1/10W) 3:0805(1/8W) 4:1206(1/4W) 5:1210(1/3W) 6:2010(1/2W) 7:2512(1W) 1206 20欧1/4 *4 5欧1w 120 贴片电阻各参数说明 国内贴片电阻的命名方法: 1、5%精度的命名:RS-05K102JT

国产电容器的型号命名法

国产电容器的型号命名法 国产电容器型号命名由四部分组成,各部分的含义见:表11。 第一部分用字母“C”表示主称为电容器。 第二部分用字母表示电容器的介质材料。 第三部分用数字或字母表示电容器的类别。 第四部分用数字表示序号。 电容器的主要参数有标称容量(简称容量)、允许偏差、额定电压、漏电流、绝缘电阻、损耗因数、温度系数、频率特性等。 (一)标称容量 标称容量是指标注在电容器上的电容量。 电容量的基本单位是法拉(简称法),用字母“F”表示。比法拉小的单位还在毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF),它们之间的换算关系是: 1F=1000mF 1mF=1000μF 1μF=1000nF 1nF=1000pF 其中,微法(μF)和皮法(pF)两单位最常用。 文字符号法 文字符号法是采用数字或字母数字混膈的方法来标注电容器的主要参数。

1.数字标注法数字标注法一般是用3位数字表示电容器的容量。其中前两位数字为有效值数字,第三位数字为倍乘数(即表示有效值后有多少个0)。例如: 102表示10×102pF=1000pF 104表示10×104pF=0.1μF 105表示10×105pF=1μF 2.字母与数字混合标注法此标注方法是用2~4位数字表示有效值,用P、n、M、μ、 G、m等字母表示有效数后面的量级。进口电容器在标注数值时不用小数点,而是将整数部分写在字母之前,将小数部分写在字母后面。例如: 4p7表示4.7pF 8n2表示8200pF M1表示0.1μF 3m3表示3300μF G1表示100μF 在实际应用时,电容量在1万皮法以上电容量,通常用微法作单位,例如:0.047μF、0.1μF、2.2μF、47μF、330μF、4700μF等等。 电容量在1万皮法以下的电容器,通常用皮法作单位,例如:2pF、68 pF、100 pF、680 pF、5600 pF等等。 标称容量的标注方法有直标法、文字符号标注法和色标法等,具体的识别方法将在以后的内容中作详细介绍。 (二)允许偏差 允许偏差是指电容器的标称容量与实际容量之间的允许最大偏差范围。 电容器的容量偏差与电容器介质材料及容量大小有关。电解电容器的容量较大,误差范围大于±10%;而云母电容器、玻璃釉电容器、瓷介电容器及各种无极性高频在机薄膜介质电容器(如涤纶电容器、聚苯乙烯电容器、聚丙烯电容器等)的容量相对较小,误差范围小于±20%。

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体:具有良好导电性能的物质,如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体:导电能力很差或不导电的物质,如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比,半导体具有三个显著特点: (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大,如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼,硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm,变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如:温度每升高8℃时,纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时,电阻率只增加4%左右。

电容的型号命名

电容的型号命名 1)各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成: 第一部分:用字母表示名称,电容器为C。 第二部分:用字母表示材料。 第三部分:用数字表示分类。 第四部分:用数字表示序号。 2)电容的标志方法: (1)直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2)文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1pF,C——±0.2pF,D——±0.5pF,F——±1pF。 (3)色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示: 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V 15)安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级(IEC664) X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV —— 16)安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘<150V Y电容的电容量必须受到限制,从而达到控制在额定频率及额定电压作用下,流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外,还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量,避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象,Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义 安规电容的参数选择 X电容,聚苯乙烯(薄膜乙烯)电容,从上面的贴子里也可以看到,聚苯乙烯的耐电压较高,适合EMI 电路的高压脉冲吸收作用。 2.容量计算:一般两级X电容,前一级用0.47uF,第二基用0.1uF;单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。(电容容量的大小和电源的功率无直接关系) 电容的型号命名:

常用元器件的型号命名方法

一、常用元器件的型号命名方法 1.电阻器、电容器、电位器型号命名方法 根据国家标准GB2470-81《电子设备用电阻器、电容器型号命名方法》的规定?电阻器、电容器产品型号一般由以下四部份组成: (1)第一部份用一字母表示产品的主称 (2)第二部份用字母表示产品的材料(电阻的导电材料?电容器的介质材料) (3)第三部份一般用数字表示分类?个别类型用字母表示 (4)第四部份用数字表示序号?以区分外形尺寸和性能指针 (5)举例 R J 7 1 型精密金属膜电阻器 C C G 1 型瓶形高功率瓷介电容器 1) 2) 3) 4) 1) 2) 3) 4) 注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号 2.敏感电阻器型号命名方法 根据标准SJ1150-82《敏感组件型号命名方法》的规定?热敏电阻器、光敏电阻器、压敏电阻器、湿敏电阻器、磁敏电阻器、力敏电阻器和气敏电阻器?这些敏感电阻器的产品型号按下面所述的方法命名。 产品型号由下列四部份组成: 第一部份: 主称(用字母表示) 第二部份: 类别(用字母表示) 第三部份: 用途和特征(用字母或数字表示) 第四部份: 序号(用数字表示) 第五部份:应用举例 M F 4 1 A 普通旁热式负温度系数热敏电阻器 1) 2) 3) 4) 区别代号 注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号 3.电感器型号命名方法 这里介绍的是一些习惯上使用的命名方法?仅供参考 ●电感线圈的型号命名方法 电感线圈的字母组成的型号、代号及其意义如下: 第一部份: 主称?用字母表示(其中L表示线圈?ZL表示高频或低频阻流圈) 第二部份: 特征?用字母表示(其中G表示高频) 第三部份: 型式?用字母表示(其中X表示小型) 第四部份: 区别代号?用字母表示 ●变压器型号的命名方法 它由三部份组成: 第一部份: 主称?用字母表示 第二部份: 功率?用数字表示?计量单位用VA或W标志?但RB型变压器除外 第三部份: 序号?用数字表示 例如: DB-60-2 表示为60VA电源变压器

AllegroPCB设计pad封装和元器件封装命名规范

基本术语 SMD:Surface Mount Devices/表面贴装元件。 RA:Resistor Arrays/排阻。 MELF:Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件. SOT:Small outline transistor/小外形晶体管。 SOD:Small outline diode/小外形二极管。 SOIC:Small outline Integrated Circuits/小外形集成电路. SSOIC:Shrink Small Outline Integrated Circuits/缩小外形集成电路. SOP:Small Outline Package Integrated Circuits/小外形封装集成电路. SSOP:Shrink Small Outline Package Integrated Circuits/缩小外形封装集成电路. TSOP:Thin Small Outline Package/薄小外形封装. TSSOP:Thin Shrink Small Outline Package/薄缩小外形封装. CFP:Ceramic Flat Packs/陶瓷扁平封装. SOJ:Small outline Integrated Circuits with J Leads/“J”形引脚小外形集成电路. PQFP:Plastic Quad Flat Pack/塑料方形扁平封装。 SQFP:Shrink Quad Flat Pack/缩小方形扁平封装。 CQFP:Ceramic Quad Flat Pack/陶瓷方形扁平封装。 PLCC:Plastic leaded chip carriers/塑料封装有引线芯片载体。 LCC:Leadless ceramic chip carriers/无引线陶瓷芯片载体。 DIP:Dual-In-Line components/双列引脚元件。 PBGA:Plastic Ball Grid Array/塑封球栅阵列器件。 1使用说明 外形尺寸:指元件的最大外型尺寸。 主体尺寸:指元件的塑封体的尺寸=长度X宽度。 尺寸单位:英制单位为mil,公制单位为mm。 小数点的表示:在命名中用“p”代表小数点。例如:1.0表示为1p0。 注:当不同物料的封装图形名称相同时,且描述的内容不同时,可在名称后面加-1,-2等后缀加以区分。 作者:wugehao

电容大小识别大全

电容大小识别 上图举出了一些例子。其中,电解电容有正负之分,其他都没有。 电容的容量单位为:法(F)、微法(uf),皮法(pf)。一般我们不用法做单位,因为它太大了。各单位之间的换算关系为: 1F =1000mF=1000×1000uF 1uF=1000nF =1000×1000pF 电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 电容的使用,都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品,就因为使用了耐压不足的电容而引起故障(常见电容爆裂)。 电容的容量标识的几种方法: 一、直接标识:如上图的电解电容,容量47uf,电容耐压25v。 二、使用单位nF: 如上图的涤纶电容,标称4n7=4.7nF=4700pF。 还有的例如:10n=0.01uF;33n=0.033uF。后面的63是指电容耐压63v. 三、数学计数法: 如上图瓷介电容,标值104,容量就是:10X10000pF=0.1uF. 如果标值473,即为47X1000pF=0.047uF。(后面的4、3,都表示10的多少次方)。 又如:332=33X100pF=3300pF 102=10×102pF=1000pF 224=22×104pF=0.22 uF 四、电容容量误差表: 符号 F G J K L M

电容器规格型号的标注

电容器规格型号的标注 1 引言 电容器的型号和规格一般应按国家有关标准来标注。根据目前市场供应情况也有按国外型号标注的,在标注顺序上略有不同。本公司按下述方法标注。 2 电容器规格型号的标注 2.1 标注顺序 电容器一般按下述顺序标注 “型号 -(尺寸代号)-(温度系数或特性)- 额定电压 - 标称容量 - 允许偏差 -(其他)” 其中有些项可能省略。 国外电容器的标注顺序各不相同,例如额定电压在允许偏差后面。 2.2型号 国产电容器的型号命名按“GB/T 2470-1995 电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法”规定。例如 ——CC4表示1类多层(独石)瓷介电容器 ——CT4表示2类多层(独石)瓷介电容器 ——CC41表示片状1类多层(独石)瓷介电容器 ——CT41表示片状2类多层(独石)瓷介电容器 ——CA45表示片状固体钽电解电容器 电容器的具体型号和技术参数可参考有关手册。 注意,不同厂家生产的同型号电容器在尺寸和性能指标略有差别。若有影响,需加限制条件。 市场上有国外型号的电容器,若要选用需说明其所属的国家和厂家。 2.3 尺寸代号 片状电容器的尺寸代号常用“0603”、“0805”、“1206”等表示,这是按英寸(0.01in)计的表示法,片状瓷介电容器用此法表示。 还有用EIA代码如“2012”、“3216”等表示,这是按毫米(0.1mm)计的表示法,片状钽电解电容器用此法表示。绘制印制板图时应注意它们尺寸的区别。 带引出线的电容器的尺寸代号不同的厂家不统一,不好标注。一种办法是按生产厂手册标注,但必须同时注明生产厂。另一种办法是不标注尺寸代号,适用于对外型尺寸无严格要求场合,若有要求可以在“其他”项标注对外形尺寸的限制要求,例如限高、限引线间距等。

(整理)元器件封装命名规则ds.

精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则

常用贴片元件封装尺寸

常用贴片元件封装 1 电阻: 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类 1)贴片电阻的封装与尺寸如下表: 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2)贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表: 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200

1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200 2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3)贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度, J -表示精度为5%、 F-表示精度为1%。 T -表示编带包装 阻值范围从0R-100M 2电容: 1)贴片电容可分为无极性和有极性两种,容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见,即0805、0603; 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00

电容大小规格定义

电容器标称电容值 E24 E12 E6 E24 E12 E6 1.0 1.0 1.0 3.3 3.3 3.3 1.1 3.6 1.2 1.2 3.9 3.9 1.3 4.3 1.5 1.5 1.5 4.7 4.7 4.7 1.6 5.1 1.8 1.8 5.6 5.6 2.0 6.2 2.2 2.2 2.2 6.8 6.8 6.8 2.4 7.5 2.7 2.7 8.2 8.2 3.0 9.1 注:用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量,n为正或负整数。 主要参数的意义:标称容量以及允许偏差:目前我国采用的固定式标称容量系列是:E24,E12,E6系列。他们分别使用的允许 偏差是+-5% +-10% +-20%。 现在较为通用的容值代码表示方法为三位代码“XXY”表示法,前两位数字表示乘系数,后一位表示乘指数,单位为pF。其中一般前两位的取值范围为上述E6和E12系列,后一位数字表示乘指数10 n。当Y= 9时,对应前述n = -1;当Y= 8时,对应前述n = -2;当Y= 0,1,2,3,4,5,6,7时,Y就等于n。 示例如下: 0.5pF容值代码表示为508; 68pF容值代码表示为680; 1 pF容值代码表示为109; 120pF容值代码表示为121; 4.7pF容值代码表示为479; 2200pF容值代码表示为222;10pF容值代码表示为100; 100000pF容值代码表示为104(0.1μF); 47μF容值代码表示为476; 330μF容值代码表示为337 //-------------------------------------------------- 【单位pF】 39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P 100 P 120 P 150 P 180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P 360 P 390 P

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:

贴片电感主要参数详解 电感器规格

贴片电感主要参数详解电感器规格 除固定电感器和部分阻流圈为通用元件(只要规格相同,各种电子整机上均可使用)外,其余的均为电视机、收音机等专用元件。专用元件一般都是一个型号对应一种机型(代用除外),购买及使用时应以元件型号为主要依据,具体参数大都不需考虑,若需了解,可查相应产品手册或有关资料,这里不可能一一示例。下面谈谈固定电感器及阻流圈的主要参数及识别。 1.电感量L 电感量L也称作自感系数,是表示电感元件自感应能力的一种物理量。当通过一个线圈的磁通(即通过某一面积的磁力线数)发生变化时,线圈中便会产生电势,这是电磁感应现象。所产生的电势称感应电势,电势大小正比于磁通变化的速度和线圈匝数。当线圈中通过变化的电流时,线圈产生的磁通也要变化,

磁通掠过线圈,线圈两端便产生感应电势,这便是自感应现象。自感电势的方向总是阻止电流变化的,犹如线圈具有惯性,这种电磁惯性的大小就用电感量L 来表示。L 的大小与线圈匝数、尺寸和导磁材料均有关,采用硅钢片或铁氧体作线圈铁芯,可以较小的匝数得到较大的电感量。L的基本单位为H(亨),实际用得较多的单位为mH(毫亨)和IxH(微亨),三者的换算关系如下:1H=103mH=106 μH。 2.感抗XL 感抗XL在电感元件参数表上一般查不到,但它与电感量、电感元件的分类品质因数Q等参数密切相关,在分析电路中也经常需要用到,故这里专门作些介绍。前已述及,由于电感线圈的自感电势总是阻止线圈中电流变化,故线圈对交流电有阻力作用,阻力大小就用感抗XL来表示。XL与线圈电感量L和交流电频率f成正比,计算公式为:XL (Ω)=2лf(Hz)L(H)。不难看出,线圈通过低频电流时XL小。通过直流电时XL为零,仅线圈的直流电阻起阻力作用,因电阻:—般很小,所以近似短路。通过高频电流时XL大,若L也大,则近似开路。线圈的此种特性正好与电容相反,所以利用电感元件和电容器就可以组成各种高频、中频和低频滤波器,以及调谐回路、选频回路和阻流圈电路等等。 3.品质因数Q

贴片电容规格及尺寸对照

HOW TO ORDER Technical Data: All technical data relate to an ambient temperature of +25°C Capacitance Range:0.1 μF to 2200 μF Capacitance Tolerance:±10%; ±20% Rated Voltage (V R )?+85°C: 2.54 6.3101620253550Category Voltage (V C )?+125°C: 1.7 2.7 4 71013172333Surge Voltage (V S )?+85°C: 3.3 5.28132026324665Surge Voltage (V S )?+125°C: 2.2 3.45813162028 40 Temperature Range:-55°C to +125°C Reliability:1% per 1000 hours at 85°C, V R with 0.1Ω/V series impedance, 60% confidence level Qualification:CECC 30801 - 005 issue 2EIA 535BAAC Termination Finished: Sn Plating (standard), Gold and SnPb Plating upon request TECHNICAL SPECIFICATIONS CASE DIMENSIONS: millimeters (inches) For part marking see page 127 TAJ Type C Case Size See table above 106 Capacitance Code pF code: 1st two digits represent significant figures 3rd digit represents multiplier (number of zeros to follow) M T olerance K=±10%M=±20% 035 Rated DC Voltage 002=2.5Vdc 004=4Vdc 006=6.3Vdc 010=10Vdc 016=16Vdc 020=20Vdc 025=25Vdc 035=35Vdc 050=50Vdc R Packaging R = 7" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) S = 13" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) A = Gold Plating 7" Reel B = Gold Plating 13" Reel H = Tin Lead 7" Reel K = Tin Lead 13" Reel NJ Specification Suffix NJ = Standard Suffix — Additional characters may be added for special requirements V = Dry pack Option (selected codes only) ? Generic SMT chip tantalum series ? 6 case sizes available ? Low profile options available COMPONENT

PCB元件库SCH元件库命名规则

PCB元件库命名规则 2.1 集成电路(直插) 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路(贴片) 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装,体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如:SO-16N表示的是体宽150mil,引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装,体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号 如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距 如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径 如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装,其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装,其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装,另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装,AT26,AT38为圆柱封装,数字表规格尺寸 如:AT26表示外径为2mm,长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如:0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管

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