学生用材料科学基础第3章

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材料科学基础(第3章)

材料科学基础(第3章)
溶剂中时,由于与溶剂的原子半径相差较 大,无法形成置换固溶体,但如果这些原 子尺寸接近溶剂晶体中某些间隙的大小时 ,则可处于间隙位置,形成间隙固溶体。 • 由于间隙的数量是有限的,所以,间隙固 溶体都是有限固溶体。
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• 溶质原子进入点阵间隙处,若不使点阵发 生过大的点阵畸变就要求具备下列两个条 件:
• 此外,当两种原子价不同的组元形成固溶体 时,彼此间的溶解能力与相对价效应有关。 通常低价组元在高价组元之中的溶解度远小 于相反情况下的溶解度。例如,在Cu-Si合金 2中021/5,/17 Cu(1价)在Si(4价)中的溶解度<2%
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• 3、间隙固溶体 • 有些元素的原子半径比较小,它们加入到
• (2)原子尺寸因素
• 组元原子间的相对尺寸大小是决定溶解度 的以个重要因素,在其它条件相近的情况 下,溶质与溶剂原子半径相对差
△r(△r=|rB-rA|/rA)越大,其溶解度越小

• 研究表明,当△r>15%时,只能形成溶解
度很小的固溶体。尺寸因素是决定固溶度 的一个必要条件,而不是充分条件。
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二、固溶体
• 固溶体是溶质原子溶入溶剂中所形成的均一的 合金相,其晶体结构仍保持溶剂原子的晶体结 构。
• 1、固溶体的分类 • 固溶体的分类方法很多: • (1)按溶质原子的固溶能力划分 • a、无限固溶体(连续固溶体)‒‒两组元在固
态呈现无限互溶时所形成的固溶体。
• B、有限固溶体(端际固溶体)‒‒两组元在固 态2021呈/5/17 现部分溶解时所形成的固溶体。
• 2价镉 3价铟
4价锡 5价锑
• 42%Cd
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20%In

材料学基础第三章

材料学基础第三章

材料学基础
二、半导体材料的能带理论 1.半导体的基本概念 C、Si、Ge、Sn这几个元素都是ⅣA族元素。
外加电场ε Si Si Si 空穴 共价键 Si Si Si Si Si Si Si Si
Si
Si
自由电子
Si
Si
Si
Si
Si
硅的原子键结构 (a):完整的硅晶体共价键结构;(b):在外电场作用下形成自由电子和空穴
解:(1)I=1210W/220V=5.5A
(2)R=220V/5.5A=40Ω
由于尺寸变化小,所以有:R20/R870=ρ20/ρ870
所以: R20 R870 0 (1 yT 20 ) 40 (1 0.0004 20 ) 30 (1 0.0004 870 ) 0 (1 yT 870 )
所以,本征半导体的电导率:
热激发到导带 中的电子 Ec
Ef Ev 留在价带中 的空穴
本征半导体的受热激发
E f EV Eg nq( e h ) q( e h ) A exp 0 exp kT 2 kT
材料学基础
电子能量水平随主量子数和次量子数的变化情况
材料学基础
§2.2 固体的能带理论
一、电子轨道与能带 1.电子能级的分裂 电子能量处于不同的能级 电子能量的变化需要从低能态激发到高能态,基态→激发态 当原子相互靠近时,会产生电子云重叠,引起能级分裂 规律: 两个原子距离越近,能级的分裂作用也越强 半径较大的电子轨道对应的能级,其能级的分裂也相应较大
所以:I20=220/30=7.3A 即启动时通过7.3A的电流,加热后随着温度的上升,必须对电流进行补偿,降 低电流强度以保护元件。

材料科学基础(第03章原子结构与结合键)

材料科学基础(第03章原子结构与结合键)
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3.2 原子间的键合类型
3.2.2 离子键 ① 离子键:以离子而不是以原子为结合单元。 离子键:以离子而不是以原子为结合单元。 ② 离子键的特点是与正离子相邻的是负离子,与负离子 离子键的特点是与正离子相邻的是负离子, 相邻的是正离子,其大小在离子周围各个方向上都是 相邻的是正离子, 相同的,所以,无方向性。 相同的,所以,无方向性。 ③ 离子晶体中正负离子静电引力较强,结合牢固。因此。 离子晶体中正负离子静电引力较强,结合牢固。因此。 其熔点和硬度均较高。 其熔点和硬度均较高。
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3.2 原子间的键合
3.2.3 共价键 ④ 共价形成的材料一般是绝缘体,其导电性能差。 共价形成的材料一般是绝缘体,其导电性能差。 ⑤ 共价键在亚金属(碳、硅、锡、锗等)、聚合物和无 共价键在亚金属( 锗等)、聚合物和无 )、 机非金属材料中均占有重要地位。 机非金属材料中均占有重要地位。
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3.1 原子结构
3.1.3 原子的电子结构 2. 多电子的原子中,核外电子的排布规律遵循三原则, 多电子的原子中,核外电子的排布规律遵循三原则, 即能量最低原理、Pauli不相容原理和Hund规则。 不相容原理和Hund规则 规则。 即能量最低原理、Pauli不相容原理和 ① 能量最低原理:电子的排布总是尽可能使体系的能量 能量最低原理: 最低。 最低。 ② Pauli不相容原理:一个原子不能有四个量子数都相同 Pauli不相容原理 不相容原理: 的两个电子。 的两个电子。 ③ Hund规则:在同一亚层的电子尽可能占据不同的能级, Hund规则 在同一亚层的电子尽可能占据不同的能级, 规则: 且自旋方向相同。 且自旋方向相同。

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

T:绝对温度
n exp( G f )
N
2kT
一对正负离子空位形成能(J)
玻尔兹曼常数K=1.38x10-23
n exp( G f )
N
2RT
一摩尔正负离子空位形成能(J)
气体常数 R=8.314
结论:缺陷浓度与缺陷形成能△Gf、温度T密切相关。
思考
单质晶体、MX型晶体的弗伦克尔缺陷缺陷浓度:1ev=1.6x10-19J
例:MgO形成肖特基缺陷 0 VM'' g VO..
浓度
定义:晶格热振动时,正常结点上的原子(离子)跳入间隙, 形成间隙原子;原来位置形成空位。
特点:空位与间隙原子成对出现;体积不发生变化
例:AgBr形成弗伦克尔缺陷 Ag Ag Ag.i VA' g
一般规律:
当晶体中剩余空隙比较小,如NaCl型 结构,容易形成肖特基缺陷;当晶体中剩 余空隙比较大时,如萤石CaF2型结构等, 容易产生弗仑克尔缺陷。
点缺陷(零维缺陷)--原子尺度的偏离.
按 缺
例:空位、间隙原子、杂质原子等
陷 线缺陷(一维缺陷)--原子行列的偏离.

例:位错等
几 何
面缺陷(二维缺陷)--表面、界面处原子排列混乱.

例:表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等
态 体缺陷(三维缺陷)--局部的三维空间偏离理想晶体的周期性
例:异相夹杂物、孔洞、亚结构等
电荷缺陷
导带
F色心
e,
n型半导体
施主能级 ( e,导电 )
受主能级
V色心
p型半导体 ( h• 导电 )
h•
价带
负离子空位形成正电中心,吸引自由电子,形成F色心 正离子空位形成负电中心,吸引电子孔穴,形成V色心

材料科学基础 第三章_晶体缺陷

材料科学基础 第三章_晶体缺陷
2019/2/27 《材料科学基础》CAI课件-李克 14
各种位错的柏氏矢量
2019/2/27
《材料科学基础》CAI课件-李克
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2、柏氏矢量的物理意义
1、反映位错周围点阵畸变的总积累(包括强度和方向)
2、该矢量的方向表示位错运动导致晶体滑移的方向, 而该矢量的模表示畸变的程度称为位错的强度。 (strength of dislocation)
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《材料科学基础》CAI课件-李克
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b. 螺型位错 screw dislocation
位错线bb’:已滑移区和未滑移区的边界线
特征:
1)无额外半原子面, 原子错排是轴对称的 2)分左螺旋位错,符合左手法则;右螺旋位错 ,符合右手法则 3)位错线与滑移矢量平行,且为直线,位错线的运动方向与滑移矢量垂直 4)凡是以螺型位错线为晶带轴的晶带 所有晶面都可以为滑移面。 5) 点阵畸变引起平行于位错线的切应变,无正应变。 6)螺型位错是包含几个原子宽度的线缺陷。
4
*点缺陷分类:
肖脱基缺陷——原子迁移到表面——仅在晶体内部形成空位 弗兰克缺陷——原子迁移到间隙中——形成空位-间隙对 杂质或溶质原子——间隙式(小原子)或置换式(大原子)
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《材料科学基础》CAI课件-李克
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*点缺陷的形成原因: 1. 由于热起伏,形成热力学稳定的缺陷: 产生与消亡达致平衡 2. 过饱和空位: 高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照
《材料科学基础》CAI课件-李克
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• 主要增殖机制:Frank-Read 位错源
刃位错AB的两端A和B被位错用结点钉扎住 m,n两处同属纯螺型位错,但位错性质恰好相 反,两者相遇时,彼此便会抵消,这使原来 整根位错线断开成两部分,外面为封闭的位 错环,里面为一段连接A和B的位错线,在线 张力作用下变直恢复到原始状态。 在外力的继续作用下,它将重复上述过程,每 重复一次就产生一个位错环,从而造成位错的 增殖,并使晶体产生可观的滑移量。

材料科学基础第三章.ppt

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第三章材料的相结构与相图
同济大学材料科学与工程学院 无机非金属材料研究所
• 3.1 材料的相结构
基本概念:
(1)组元:组成材料的最基本的、独立的物质。
组元可以是纯元素:Cu、Ni、Fe等;
也可以是非金属元素:C、N、B、O等;
或者是化合物
:Al2O3、SiO2、ZrO2等
(2)材料可以是单组元构成:
关键词:聚集状态(冰+水:二相) 晶体结构(不同的相具有不同的晶
体结构)
存在相界面 (理论上各相之间是可以分离的)
• 材料的性能与各组成相的性质、形态、数量 有很大的关系:
• 实例1:
微晶玻璃—— 由玻璃相+微晶相组成
铁碳合金 ——随着铁中碳含量的变化源自通常在0.0218%-6.69%之间),可 以形成各种不同的结晶态物质,如铁素体、 渗碳体、奥氏体等,这些相的形态、数量对 钢材的性能有很大的影响。
各组元质点分布分别按照各自的布拉维点阵进 行排列,整个固溶体就是由各组元的分点阵组成 的复杂点阵,也称超点阵或超结构。
• 3.1.1.1置换型固溶体
• 在理论的指导下,通过对实践经验的积累 总结,针对置换型固溶体的情况,提出了 一些重要的影响因素:
• (1)晶体结构类型 • (2)质点尺寸因素 • (3)化学电负性(化学亲和力) • (4)电价因素
合金组元间的电负性差越大,则倾向于生 成化合物而不利于形成固溶体;生成的化 合物越稳定,则固溶体的溶解度就越小。
只有电负性相近的元素才可能具有较大的溶 解度,有利于形成固溶体。
(通常以以 0.4 作为边界条件)
• (4)电价因素(电子浓度)
定义:电子浓度是指合金中各组成元素的价 电子数总和与原子总数的比值:e/a

材料科学基础第三章典型晶体结构

材料科学基础第三章典型晶体结构晶体是由原子、离子或分子组成的周期性排列的固体结构。

它们的结构对于材料的性质和应用影响深远。

本章将介绍一些典型的晶体结构,包括金属晶体结构、离子晶体结构和共价晶体结构。

金属晶体是由金属原子组成的。

金属晶体结构可以用球状原子模型来描述。

金属原子可以看作是球形的,它们通过共享电子形成金属键。

金属晶体中的原子排列成规律的三维结构。

最简单的金属晶体结构是体心立方结构和面心立方结构。

体心立方结构中,每个原子位于一个正方体的体心位置,而面心立方结构中,每个原子位于一个正方体的顶点和中心位置。

这两种结构有着较高的密度和较强的力学性能。

离子晶体是由阴离子和阳离子组成的。

它们的结构可以用离子球模型来描述。

在离子晶体中,阴离子和阳离子以静电引力相互吸引,并形成离子键。

离子晶体的结构可以是简单立方结构、体心立方结构或面心立方结构。

简单立方结构中,离子只在顶点处相互接触;体心立方结构中,每个离子位于正方体的顶点和体心位置;面心立方结构中,每个离子位于正方体的顶点、体心和面心位置。

离子晶体通常具有较高的熔点和硬度,且易于形成晶体缺陷。

共价晶体是由非金属原子组成的。

共价晶体的结构可以用化学键模型来描述。

共价键是由原子间的共享电子形成的。

共价晶体通常由原子通过共价键相互连接而成。

最简单的共价晶体结构是简单立方结构和面心立方结构。

简单立方结构中,每个原子通过共价键与六个邻近原子相连;面心立方结构中,每个原子通过共价键与六个邻近原子相连,并且每个原子还与另外三个与之共面的原子形成三键。

共价晶体通常具有较高的硬度和熔点,且具有较强的化学惰性。

在材料科学中,典型晶体结构对于探索材料性质和设计材料应用至关重要。

不同的晶体结构决定了材料的物理性质、化学稳定性和机械性能。

通过研究晶体结构,科学家们可以为特定应用设计和制造材料,以满足不同领域的需求。

总之,本章介绍了一些典型的晶体结构,包括金属晶体结构、离子晶体结构和共价晶体结构。

材料科学基础 第三章 晶体缺陷00


二.本章重点及难点
1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、
交割 4、关于位错的应力场可作为一般了解 5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂”之
美更深入人心
处处留心皆学问
4
图 晶体中的点缺陷(a) 肖特基空位 (b) 弗仑克尔空位
空位的两种类型: 离位原子迁移到晶体的表面上,这样形成的空位通常称为肖 特基缺陷; 可迁移到晶体点阵的间隙中,这样的空位称弗仑克尔缺陷。
§3.1.2 点缺陷的运动及平衡浓度
1.点缺陷的平衡浓度
a. 晶体中点缺陷的存在,一方面造成点阵畸变,使晶 体的内能升高,增大了晶体的热力学不稳定性;另一 方面,由于增大了原子排列的混乱程度,并改变了其 周围原子的振动频率,又使晶体的熵值增大。熵值越 大,晶体便越稳定。
b. 由于存在着这两个互为矛盾的因素,晶体中的点 缺陷在一定温度下有一定的平衡数目,这时点缺陷的 浓度就称为它们在该温度下的热力学平衡浓度。
c. 在一定温度下有一定的热力学平衡浓度,这是点缺 陷区别于其它类型晶体缺陷的重要特点。
图 空位-体系能量曲线
1.形成缺陷带来晶格应变,内能U增加,一个缺陷带来的内能
面缺陷(planar defect):特征是在一个方面上 尺寸很小,另外两个方面上很大,又称二维缺陷,包 括表面、晶界、亚晶界、相界、孪晶界等。
第一节 点缺陷
§3.1.1 点缺陷的类型及形成
点缺陷的定义 点缺陷:在三维方向上尺寸都很小(远小于晶体或晶粒的 线度)的缺陷。 1.点缺陷的类型 常见的基本点缺陷有空位、间隙原子和置换(杂质)原子 。 1.空位:正常结点位置出现的原子或离子的空缺;

第三章材料科学基础武汉理工大学陆佩文

第三章材料科学基础武汉理工大学陆佩文第三章熔体与玻璃体内容提要:本章主要叙述1、硅酸盐熔体的结构——聚合物理论。

2、熔体的性质:粘度和表面张力。

3、玻璃的四个通性。

4、玻璃形成的动力学手段——3T图(时间-温度-转变)的绘制和形成玻璃的结晶化学条件。

5、玻璃的结构:晶子假说和无规则网络假说的主要实验依据和论点。

硅酸盐玻璃和硼酸盐玻璃结构与性质。

重点:熔体的性质玻璃的结构难点:熔体的结构——聚合物理论§3-1熔体的结构——聚合物理论一、聚合物的形成聚合物:由单个、两个、三个或n个[SiO4]4-四面体构成的络阴离子团。

如:[SiO7]6-、[Si3O10]8-、[Si n O3n+1]2(n+1) 低聚物:聚合物中含[SiO4]4-四面体较少的络阴离子团。

高聚物:聚合物中含[SiO4]4-四面体较多的络阴离子团。

硅酸盐熔体聚合物的形成可以分为三个阶段:1、熔融石英的分化:初期由于Si—O键具有高键能、方向性和低配位等特点,当石英晶体受碱作用而分化,随O/Si比增加,使部分桥氧断裂成非桥氧,从而使高聚体石英分化为三维碎片、高聚物、低聚物和单体;2、中期各类聚合物缩聚并伴随变形;3、后期在一定时间和温度下,聚合解聚达到平衡。

产物中有低聚物[Si3O10]8-、高聚物[Sin O13+n])1(2+n、三维碎片[SiO2]n、(MO)。

因而熔体是不同聚合程度的各种聚合物的混合物。

聚合物的种类、大小和数量随熔体的组成和温度而变化。

多种聚合物同时并存而不是一种独存是构成熔体结构近程有序而远程无序的必然结果,是熔体结构远程无序的实质。

二、影响聚合物聚合程度的因素1、当熔体组成不变时,各种聚合物的浓度与温度有关T↑, 低聚物浓度↑; T↓, 低聚物浓度↓, 高聚物浓度↑.2、当熔体温度不变时,各种聚合程度的聚合物的浓度与熔体的组成有关R↑,碱金属氧化物↑,低聚物浓度↑;R↓, 碱金属氧化物↓,高聚物浓度↑.§3-2熔体的性质一、粘度1、定义:熔体流动的特点是在切向力作用下,产生的剪切速度dxdv与剪切应力σ成正比。

无机材料科学基础三章讲解


R=3
R↑, 低聚物浓度 ↑
[SiO4] (%)
2
R=2.3 0
87 65 4 321
负离子含[SiO4]数
[SiO4]四面体在各种聚合物中的分布 与R的关系
6. 聚合物理论总结
1)聚合物的形成阶段: 初期:主要是石英颗粒的分化; 中期:缩聚反应并伴随聚合物的变形; 后期:在一定温度(高温)和一定时间(足够长)下 达到聚合 解聚平衡。
2) 最终熔体组成:
聚合程度不同的各种聚合体的混合物,包括低 聚物、高聚物、 三维碎片、游离碱、吸附物。
3.1.1.2 过冷熔体——玻璃的结构
为了表示玻璃和较低温度下熔体的网络结构 特征,引入四个基本参数:
X= 每个多面体中平均非桥氧 (百分数)
Y= 每个多面体中平均桥氧数(百分数)
Z = 每个多面体中氧离子平均总数(一般硅酸盐和磷 酸盐玻璃中为4,硼酸盐玻璃中为3)
100
Si
η(P)
80
60
Mg
Zn
40
Ni Ca Mn
Cu
Ca Sr
Ba
Cd
Pb
20
0
0.50
1.00
1.50
二价阳离子对硅酸盐熔体粘度的影响
(f) 混合碱效应
熔体中同时引入一种以上的R2O或 RO时,粘度比等量的一 种R2O或RO高,称为“混合碱效应”,这可能和离子的半径、配 位等结晶化学条件不同而相互制约有关。
外,在网络中还对→Si-O-Si←键有反极化作用,减弱了上 述键力。Li+离子半径最小,电场强度最强,反极化作用最大,
故它降低粘度的作用最大。
2)当熔体中R2O含量较高时,熔体中硅氧负离子团接近最简单的 [SiO4]形式,同时熔体中有大量O2-存在,[SiO4]四面体之间主 要依靠R-O键力连接,这时作用力矩最大的Li+就具有较大的粘 度。在这种情况下,R2O对粘度影响的次序是Li+<Na+<K+ 。
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第3章 晶体缺陷
按缺陷的几何形态分为三类:

点缺陷(零维缺陷):三个方向上的尺寸都很小,相 当于原子的尺寸。包括:晶格空位、间隙原子、杂质 和溶质原子。 线缺陷(一维缺陷):两个方向上的尺寸很小,另一 个方向上的尺寸相对很大。如各类位错。


面缺陷(二维缺陷):在一个方向上的尺寸很小,另 外两个方向上的尺寸很大。如晶界和亚晶界等。
ξ 刃型 ξ ξ 螺型 ξ ξ 混合型
2.柏氏矢量的特性
(1)柏氏矢量是一个反映位错周围点阵畸变总累 积的物理量。该矢量的方向表示位错的性质与位错 的取向,即位错运动导致晶体滑移的方向 ;而该 矢量的模|b|表示了畸变的程度,称为位错的强度。
(2)柏氏矢量与回路起点及其具体途径无关。柏 氏矢量是唯一的,这就是柏氏矢量的守恒性。
(5)位错的连续性 :位错在晶体中存在的形态可形成一个 闭合的位错环,或连接于其他位错(交于位错结点),或终止 在晶界,或露头于晶体表面,但不能中断于晶体内部。这种 性质称为位错的连续性。
一根位错线不能终止于晶体内部, 而只能中止在晶体的表面或晶界上。
若它终止于晶体内部,则形成位错环 或者三维位错网络。
3.2.2 柏氏矢量
1.柏氏矢量的确定

先确定位错线的方向:规定位错线垂直纸面时,由纸面向 外为正向。 做柏氏回路:按右手法则右手大拇指指位错线正向,回路 方向按右手螺旋方向确定。 实际晶体中:从实际晶体中任一原子M出发,避开位错附 近的严重畸变区(原则)作一闭合回路MNOPQ,回路每 一步连接相邻原子。
螺型位错的特征:
1) 螺型位错无额外半原子面,原子错排是呈轴对称的。 2)根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不同,螺型位错 可分为右旋和左旋螺型位错。通常用拇指代表螺旋的前进方向,而以 其余四指代表螺旋的旋转方向。凡符合右手法则的称为右螺型位错, 符合左手法则的称为左螺型位错。 3)螺型位错线与晶体滑移方向平行;位错线移动的方向与晶体滑移 方向相垂直(与刃型位错不同) 4)纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位错线的平面都 可以作为它的滑移面。位错线与滑移矢量互相平行,但实际上,滑移 通常是在那些原子密排面上进行。 5)螺型位错线周围的点阵也发生了弹性畸变,但是,只有切应变而无 正应变,且在垂直于位错线的平面投影上,看不到原子的位移,看不 出有缺陷。 6) 螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少,故 它也是包含几个原子宽度的线缺陷。
五、热平衡缺陷
点缺陷可以由热起伏形成: 热平衡缺陷:由于热起伏促使原子脱离点阵位 臵而形成的点缺陷。 点缺陷还可以由其它方式形成: 过饱和的点缺陷:通过高温淬火、冷变形加工 和高能粒子的辐照效应等形成。
3.1.2 点缺陷的平衡浓度
点阵畸变使晶体内能提高 降低了晶体的热力学稳定性
矛盾
晶体中的点缺陷在一定温度 下有一定的平衡浓度
螺型位错柏氏矢量的确定
a)实际晶体的柏氏回路 b)完整晶体的相应回路


刃型位错的一个重要特征:刃型位错的柏氏矢 量与位错线垂直。 刃型位错的正、负,可用右手法则来确定。即 用右手的姆指、食指和中指构成直角坐标,以 食指指向位错线的方向,中指指向柏氏矢量的 方向,则拇指的指向代表多余半原子面的位向, 且规定拇指向上者为正刃型位错;反之为负刃 型位错。
2) 3) 位错线为晶体中已滑移区和未滑移区的边界线。它不一定是直线,也可以 是折线或曲线,但它必与滑移方向相垂直。 滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面,在其他面上不能滑移。 由于在刃型位错中,位错线与滑移矢量互相垂直,因此,由它们所构成的 平面只有一个。 晶体中存在刃型位错之后,位错周围的点阵发生弹性畸变,既有切应变, 又有正应变。就正刃型位错而言,位错上部原子间距密,下部疏,原子间 距离出现疏密不均匀现象,滑移面上方点阵受到压应力,下方点阵受到拉 应力;负刃型位错与此相反。 在位错线周围的过渡区(畸变区)每个原子具有较大的平均能量。但该区 只有几个原子间距宽,畸变区是狭长的管道,所以刃型位错是线缺陷。
3.1 点缺陷
概 念:在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的
正常排列的一种缺陷。
3.1.1 点缺陷的形成
一、空位:原子脱离原来的平衡位置迁移到别处, 在原位出现的空结点就是空位。
离开平衡位置的原子的三个去处: •迁移到晶体表面(或内表面)的正常结点位臵;
•迁移到晶格的间隙中;
•迁移到其它空位处。
4)
5)
2.螺型位错
设立方晶体右侧受到切 应力的作用,其右侧上 下两部分晶体沿滑移面 ABCD发生了错动,如图 所示。这时已滑移区和 未滑移区的边界线 bb´(位错线)不是垂直而 是平行于滑移方向。
F
C D
B
A
E

鉴于原子排列的这种特点,此种晶格缺陷被称为螺型位错。 根据旋进方向,螺型位错分为左旋与右旋。
原子排列混乱程度增加,使晶体熵值 增大,增加了晶体的热力学稳定性
在某一温度下.热缺陷的数目可以用热力学中自由能的最小原理来进行计算。
3.1.3 点缺陷的运动
空位:
一方面 周围原子可以与空位换位,使空位移动一个原子间距, 如果周围原子不断与空位换位,就造成空位的运动;
另一方面 空位迁移至晶体表面或与间隙原子相遇而消失, 但在其它地方又会有新的空位形成。———复合 间隙原子: • 从一个间隙位臵迁移到另一个间隙位臵 • 复合 •综上所述,由于原子的热运动,空位和间隙原子将不断 产生,不停地由一处向另一处迁移,同时也将发生点缺 陷的复合,在一定温度下存在平衡浓度。
刃型位错的正负号的确定方法——右手法则
位错线方向: 指向纸外 拇指(刃型位错正负)
b
b
中指(柏氏矢量方向)
食指(位错线方向)


刃型位错正负号与柏氏矢量和位错线方向间的关系

因为多出的半原子面在滑移面上边,所以此图 为正刃型位错,记为"┻";
拇指(刃型位错正负)
中指(柏氏矢量方向)
食指(位错线方向)
螺型位错的确定方法
•螺型位错的一个重要特征:螺型位错的柏氏矢量与位错 线平行。 •规定柏氏矢量与位错线正向平行者为右螺旋位错,柏氏 矢量与位错线反向平行者为左螺旋位错。如图所示。
左螺旋位错
总结:螺型位错的正负号的确定方法
1、通常用拇指代表螺旋的前进方向,而以其 余四指代表螺旋的旋转方向。凡符合右手法则 的称为右螺型位错,符合左手法则的称为左螺 型位错。
N
N′
N‘
N′
Nቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
b'
21步
事先规定位错线的正向,并按右螺旋法则确定回路方向。
( 3)一根位错线具有唯一的柏氏矢量。
一根不分岔的位错线,不论其形状如何变化(直线、 曲折线或闭合的环状),也不管位错线上各处的位错类型 是否相同,其各部位的柏氏矢量都相同;而且当位错在 晶体中运动或者改变方向时,其柏氏矢量不变,即一根 位错线具有唯一的柏氏矢量。
混和位错
晶体中的位错环
(4)若一个柏氏矢量为b的位错可以分解为柏氏矢量分别为 b1,b2…bn的n个位错,则分解后各位错柏氏矢量之和等于原 位错的柏氏矢量, 即b=
若有数根位错线相交于一点,则指向结点的各位错线的 柏氏矢量之和应等于离开结点的各位错线的柏氏矢量之和。
如果各位错线的方向都是朝向结点或都是离开 结点的,则柏氏矢量之和恒为零。
总结:刃型位错的正负号的确定方法 1、额外半原子面在滑移面上边的称为正刃型位错, 记为“┻”; 而把多出在下边的称为负刃型位错,记为“┳”。 2、右手法则:可用右手法则来确定。拇指的指向 代表多余半原子面的位向,且规定拇指向上者为 正刃型位错;反之为负刃型位错。
根据位错线方向和正负位错判断柏氏矢量方向
刃型位错
a. 位错中心附近的原子移动小于一个原子间距的距离。 b. 位错在滑移面上向左移动了一个原子间距。 c. 当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体时,就会在晶体表面沿 柏氏矢量方向产生宽度为一个柏氏矢量大小的台阶。 d. 刃型位错的运动方向始终垂直位错线而平行柏氏矢量。 e. 刃型位错的滑移面就是由位错线与柏氏矢量所构成的平面, 因此刃型位错的滑移限于单一的滑移面上
从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面上去继续滑移, 这一过程称为交滑移。 如果交滑移后的位错再转回和原滑移面平行的滑移面上继 续运动,则称为双交滑移。
Schottky defect Frenkel defect


对于弗伦克尔缺陷,间隙原子和空格点是 成对产生,晶体的体积不发生改变;而肖 特基缺陷使晶体体积增加。 在晶体中,几种缺陷可以同时存在,但通 常有一种是主要的。一般说,正负离子半 径相差不大时,肖特基缺陷是主要的。两 种离子半径相差大时弗伦克尔缺陷是主要 的。
•柏氏矢量的模→位错的强度 •柏式矢量可以用矢量加法运算
a 2 b u v 2 w2 n
a 1 1 2 2 1 3
a 3 3 2 2 0 3
3.2.3 位错的运动
位错运动方式:滑移 攀移
1.位错的滑移
位错的滑移是在外加切应力的作用下,通过位错中心附近 的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移(小于 一个原子间距)而逐步实现的。
晶体中的位错环
晶体中的位错网络
3.柏氏矢量的表示法
•柏氏矢量的大小和方向可用与它同向的 晶向指数来表示。
[
a a a [2 2 2 ]
]
a [1 1 1] 2
例如:
在体心立方中, 柏氏矢量等于从体心 立方晶体的原点到体 心的矢量。
b=
a [1 1 1] 2
a •一般立方晶系中柏氏矢量可表示为b= n <u v w>

在一定温度下,晶体中达到统计平衡的空位和间 隙原子的数目是一定的,而且晶体中的点缺陷并 不是固定不动的,而是处于不断的运动过程中。 发生复合时,由于能量起伏,在其他地方可能又 会出现新的空位和间隙原子,以保持在该温度下 的平衡浓度不变。
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