太阳能电池片制绒制程

太阳能硅片制绒制程

清洗制程说明

1.目的

确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态

2.使用范围

适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序

3.责任

本工艺说明由技术部负责

4.硅片检验

4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；

4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二)

4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内，作统一处理。

5.装片（见附图三）

5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。

5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅

片，需更换手套。

5.3 操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。

6.上料（见附图四）

6.1 硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。

6.2 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之

间有适当的间隔。

7化学腐蚀液的配制

7.1 准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。

7.2 配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水，按照“7.3”比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。

7.4 配制溶液要求：

7.4.1 配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。

7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。

7.4.2 时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待10分钟之后硅酸钠、氢

氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求

之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅

片。

7.4.3 异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入1#槽

之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。

8.各化学药品规格及要求

8.1 氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度≥98%。

8.2 异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度≥99.9%，密度0.78克/毫升。

8.3 硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。

8.4 盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%～38%，密度1.18克/毫升。

8.5 氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度≥49%，密度1.13克/毫升。

9.工艺过程化学药品的补加（见下表）

11.清洗腐蚀工艺参数的设置（见下表）

11.1 小片盒放置硅片

11.1.1 使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（见下表）

注意：使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。

11.2 大片盒放置硅片（同11.2.2表）

11.2.1 使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置

1～11#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同

11.2.212～14#

11.3返工硅片腐蚀工艺参数的设置（同11.3.2表）

11.3.1根据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后的硅片进行表面检查，重量、厚度检验和

绒面质量分类。检验不合格的硅片，根据其厚度，按“11.1.1”选择相应的清洗腐蚀工艺。

11.3.2 不合格的硅片，厚度≤200µm直接转至扩散工序；200µm＜厚度≤230µm，按下表工艺返工：

12.运行

12.1 根据《一次清洗设备操作规程》，在手动工作状态下，按照“11 清洗腐蚀工艺参数的

设置”，设定各槽时间，及相关的温度；

12.2 根据《一次清洗设备操作规程》，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗

腐蚀。

13 工艺安全及注意事项

13.1 13.1工艺安全：盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化

学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。

13.2 硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一

次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类沾污硅片。

13.3 硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。

14 引用文件

一次清洗设备操作规程：S F／QD-设备-01

一次清洗检验工艺规程：S F／QD–工艺-12

硅片检验

1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；

2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；

3 将不合格品放置规定碎片盒子内，作统一处理。

附图一

针孔

附图二

油污崩边、缺角

片盒保持干净，每盒插25片硅片。

禁止手与片盒、硅片直接接触，须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作，每插100片硅片，需更换手套。

工作服不能与硅片和片盒接触

片盒底部需垫海绵

插片

附图三

硅片插完后，取掉片盒底部的海绵，扣好压条。

上料

附图四

二次清洗工艺说明

1.目的

确保硅片等离子刻蚀后的清洗工艺处于受控状态

称重

称量NaOH 重量需使用电子称，保证在工艺要求范围内，误差不超过10克。

附图五

附图六

补加异丙醇

补加异丙醇时，需使用塑料管或漏斗将异丙醇补加到制绒槽底部