模拟电子技术基础第十章信号处理与信号产生电路

模拟电子技术基础(第四版)22模电第十章PPT课件

10.3.1 Bridge Rectifier and Capacitance
Filter Circuit 电容
电容
充电
放电
D4
D1
+
~
u
D3
D2
C
RL
+
uo= uc
uO u
2U 2U
o
2
t
O
2
t
10.3.1 Bridge Rectifier and Capacitance
Filter Circuit 电容
Transformer Rectifier Filter Regulator
AC Power
Load
u
u
u
u
u
O
tO
tO
tO
tO
t
Chapter 10 DC Power Supply
10.1 Block Diagram of DC Power Supply 10.2 Rectifier Circuit 10.3 Filter Circuit
1
U
ID(AV)
2IO(AV)
0.45 RL
Peak inverse voltage of Diode
IF
1.1 IO(AV ) 2
UDRmax 2U
UR 1.1 2U
Brachylogy of Bridge Rectifier
+
D4
~
u
D3
D1
io
+
RL uo
D2
+
~
u
io
+ RL uo
整流桥堆
10.2 Rectifier Circuit

模电康华光第六版

2.4.1 求差电路 2.4.2 仪用放大器 2.4.3 求和电路 2.4.4 积分电路和微分电路
第十九页，共28页。
2.4.1 求差电路
从结构上看，它是反相输入和同相输入相结合的放大电路。
vi2＋
R2 P
R3
i2 vp ip ＋ i3
vi2－vi1
vo
根据虚短、虚断和N、P点
vn in －
的KCL得：
2.1 集成电路运算放大器
当Avo(vP－vN) V＋时 vO＝ V＋
当Avo(vP－vN) V-时 vO＝ V-
电压传输特性 vO＝ f (vP－vN)
线性范围内 vO＝Avo(vP－vN) Avo——斜率
第七页，共28页。
2.2 理想运算放大器
1. vo的饱和极限值等于运放的电源电压V＋和V－
▪ 输出电阻 ro 100Ω （很小）
vO＝Avo(vP－vN)
（ V－＜ vO ＜V＋）
注意输入输出的相位关系
第五页，共28页。
2.1 集成电路运算放大器
当Avo(vP－vN) V＋时 vO＝ V＋
当Avo(vP－vN) V-时 vO＝ V-
电压传输特性 vO＝ f (vP－vN)
第六页，共28页。
2. 运放的开环电压增益很高
若（vp－vn）＞0 则 vo= +Vom=V＋若（vp－vn）＜0 则 vo= –Vom=V－
3. 若V－< vo <V＋则（vp－vn）0
4. 输入电阻ri的阻值很高使 ip≈ 0、in≈ 0
5. 输出电阻很小， ro ≈ 0
理想：
ri≈∞ ro≈0 Avo→∞ vo＝Avo(vp－vn)

模拟电子技术第十章正弦波振荡器

•判断下面电路是否能产生正弦波振荡：
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•选频网络无法实现选频模拟电子技术第十章正弦波振荡器
•判断下面电路是否能产生正弦波振荡：
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•可以产生正弦波振荡模拟电子技术第十章正弦波振荡器
•根据选频网络不同，振荡器的分类： •（1）RC振荡器 •（2）LC振荡器 •（3）石英晶体振荡器
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•图3.31 晶体的形状及横断面 • (a)晶体外形；(b)横断面
模拟电子技术第十章正弦波振荡器
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•图10.29 石英谐振器的结构
模拟电子技术第十章正弦波振荡器
1）具有正反压电效应正压电效应是指在晶体片两个侧面上施加压力时，
晶体片就会产生机械变形，与此同时，在它的表面上还会产生异性电荷。
•
稳幅过程：UO↑负反馈电流↑
T ↑ R1↑、 Rf↓负反馈↑ UO↓
• Rf和R1引入的电压串联负反馈有助于改善波形减小失真。
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模拟电子技术第十章正弦波振荡器
文氏电桥振荡器信号波形质量和稳定性好，故得到了广泛的应用。
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模拟电子技术第十章正弦波振荡器
•例：电路中V1和V2的作用是什么？为使电路起振R1、R2和R3应满足什么条件？
•令：
•图10.20 RC串并联网络
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模拟电子技术第十章正弦波振荡器
幅频特性和相频特性表达式为
•其中
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模拟电子技术第十章正弦波振荡器
根据以上两式可画出相应的频率特性曲线
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•图3.21 RC串并联网络的频率特性曲线
模拟电子技术第十章正弦波振荡器

精品课件-模拟电子技术-第10章

(10-11)
因为无论正半周还是负半周, 均是一管截止, 而另一管导通, 故变压器次级两个绕组的电压全部加至截止二极管的两端。选管时应满足
UR 2 2U2
(10-12)
第十章直流电源
10.1.3 单相桥式整流
1. 电路与工作原理桥式整流电路只用一个无中心抽头的次级绕组同样可达到全波整流的目的。桥式整流电路如图10-4(a)、(b) 所示,电路中采用了四只二极管,接成桥式。电路也可画成如图10-4(c) 所示的简化形式。
第十章直流电源
图10 – 4 桥式整流电路
–
第十章直流电源
图 10 5 桥式整流电路波形图
第十章直流电源
2. 直流电压UO和直流电流IO的计算
UO 0.9U2
IO
0.9 U25U2 RL
3. 脉动系数S
S=0.67
(10-13) (10-14) (10-15)
时, u2 2U2 ,电容电压也达到最大值。之后u2下降,由于
电容电压不能突变,VD1～VD4均反向偏置,故电容C通过RL放电。由于RL较大,故放电时间常数RLC较大。放电过程直至下一个周期u2上升到和电容上电压uC相等的t2时刻,u2通过VD3、VD4对 C充电,直至t=t3,二极管又截止,电容再次放电。如此循环,形成周期性的电容器充放电过程。
第十章直流电源
第十章直流电源
10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6
单相整流电路滤波电路倍压整流稳压电路集成稳压电路开关型稳压电路
第十章直流电源
10.1 单相整流电路
图10 – 1 直流电源的组成方框图
第十章直流电源

《模拟电子技术基础》第十章

2U 2 πRL
U R > 1.1 2U 2
u2 正半周时：A点电位最高，B点正半周时：点电位最高点电位最高，点电位最低，导通，电位最低， D1 、 D3 导通， D2 、 D4 截止， uo =u2;
u2 负半周时：A点电位最低，B点电位最高， D2、D4导负半周时：点电位最低点电位最低，点电位最高点电位最高，截止，通，D1、D3截止， uo =-u2。
Next
Home
2
' R1 + R2' 输出电压 U0 = 1+ UZ ' R3 + R2 R1 R1 + R2 U0min = 1+ UZ U0max = 1+ R + R UZ R3 2 3
2. 集成稳压器
1 输入端
W7800
2 输出端 3 公共端 2 输出端 3 调整端
Home
1 1. 半波整流
D
ui
2U 2 O
RL
π
uo
~220V 50Hz
+ u2 -
2π
3π 4π ω t
+ uo -
工作原理
利用二极管的单向导电性。利用二极管的单向导电性。
2U 2 O
π
uD
2π
3π 4π ω t
1 π 2U 2 U o(AV) = ∫0 2 U 2 sin ωt dωt 2π Uom U2 / 2 U o(AV) 0.45U 2 = ≈1.57 S= 2U 2 I o(AV) = ≈ = ≈ 0.45U 2 Uo(AV) 2U2 /π RL RL
主要参数
O
π 2π 3π 4π

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

华中科技大学 -模电PPT

＋
v－id －
vi －
R2
vn
R1
vo
＋
vi
vp
ip →
＋
vid=0
－
→in
＋－
－
Avo(vp－vn)
＋
vo
－
iR R2
vn= vi R1
iR

vn R1

vi R1
（a）电路图
（b）小信号电路模型
11
华中科技大学张林
2.3.1 同相放大电路
2. 几项技术指标的近似计算
（1）电压增益Av
根据虚短和虚断的概念有
电压传输特性 vO＝ f (vP－vN)
7
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2.1 集成电路运算放大器
当Avo(vP－vN) V＋时 vO＝ V＋
当Avo(vP－vN) V-时 vO＝ V-
电压传输特性 vO＝ f (vP－vN)
线性范围内 vO＝Avo(vP－vN) Avo——斜率
8
华中科技大学张林
2.2 理想运算放大器
根据虚短和虚断的概念有 vn≈ vp＝ 0 ， ii＝0
vi
i1
R1
ii
vn＋ii －
vo
所以 i1＝i2
vp
＋
即 vi vn vn vo
R1
R2
Av

vo vi

R2 R1
（可作为公式直接使用）
17
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2.3.2 反相放大电路
2. 几项技术指标的近似计算
（2）输入电阻Ri
4
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2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元符号

数字电路课件：第10章脉冲信号的产生和处理-教学

vI
vO
tW
4〉触摸、声控双功能延时灯
VDD （+6V）
1N4004
C1
A
R7 1M
R6 10k
R4 4.7M
R3 20k
R5 4.7M
T2 9014
C5 0.022μ
T1 9013
R2 1M 8 4
7
6 NE 555
D
C3 220μ
2
3
15
C4
C
47μ
0.01μ
0.56μ/400V
DW 2CW13
TR
uC
21 5 C
2VCC /3 VCC /3
0
t1 t2 t3
t
一旦 uC 充至稳态值 , uo
即 TH = TR > 2VCC /3 , 立即
uo = 0 , 同时555内的管 T
t
导通,电容 C 经 R2 7# T
0 T1 T2
1# 放电, 一直至VCC /3 , 使得uo 回到 1 , 进入循环 ...
T = T1 + T2 = 0.7 ( R1 + 2R2 ) C
(3). 多谐振荡器: 简易电子琴电路
简易电子琴就是通过改变R2 的阻值来改变输出方波的周期 , 使外接的喇叭发出不同的音调。
S8 R28
R1 48
7
电路工作的SR影121响。555 3
6 21 5
C
VCC
uo
简易电子琴电路图
（4）简易温控报警器
2VCC /3 VCC /3
t
设电容C 原先未充电, 故 TH = TR < VCC /3 , 此
0
uo