PV800硅片线痕分析
硅片检验论文总结范文

摘要:随着半导体产业的快速发展,硅片作为半导体器件的核心材料,其质量直接影响到器件的性能和可靠性。
本文针对硅片质量检验技术进行了深入研究,分析了现有硅片质量检验方法的优缺点,并探讨了新型硅片质量检验技术的应用前景。
通过对硅片质量检验技术的总结,为我国半导体产业提供了一定的理论依据和技术支持。
一、引言硅片作为半导体器件的基础材料,其质量对器件的性能和可靠性具有重要影响。
因此,硅片的质量检验技术一直是国内外研究的热点。
本文通过对硅片质量检验技术的总结,旨在为我国半导体产业提供一定的理论依据和技术支持。
二、硅片质量检验方法及优缺点分析1. 传统硅片质量检验方法(1)目视检验:通过肉眼观察硅片表面,判断其是否存在划痕、裂纹、杂质等缺陷。
优点是操作简单、成本低;缺点是检验效率低、主观性强。
(2)显微镜检验:利用显微镜观察硅片表面,检测其微观缺陷。
优点是检验精度高、可检测微小缺陷;缺点是设备成本高、检验周期长。
(3)X射线衍射检验:通过X射线照射硅片,分析其晶体结构,检测硅片内部的缺陷。
优点是可检测深层次缺陷;缺点是设备成本高、检验周期长。
2. 新型硅片质量检验方法(1)光学检测技术:利用光学显微镜、干涉仪等设备,对硅片表面进行检测。
优点是检验速度快、成本低;缺点是检验精度相对较低。
(2)激光检测技术:利用激光照射硅片,检测其表面缺陷。
优点是检验速度快、可检测微小缺陷;缺点是设备成本较高。
(3)电子束检测技术:利用电子束照射硅片,检测其表面和内部缺陷。
优点是检测精度高、可检测深层次缺陷;缺点是设备成本高、检验周期长。
三、硅片质量检验技术的应用前景1. 提高硅片质量:通过硅片质量检验技术,可以有效筛选出不合格的硅片,提高硅片的整体质量。
2. 降低生产成本:通过提高硅片质量,降低因硅片缺陷导致的器件故障率,从而降低生产成本。
3. 推动半导体产业发展:硅片质量检验技术的进步,将有助于我国半导体产业的快速发展。
四、结论本文对硅片质量检验技术进行了总结,分析了现有硅片质量检验方法的优缺点,并探讨了新型硅片质量检验技术的应用前景。
光伏硅片加切和卡线的原因

光伏硅片加切和卡线的原因1.引言1.1 概述概述部分的内容:太阳能光伏技术作为可再生能源的重要组成部分,已经得到了广泛的应用和关注。
其中,光伏硅片的制作和加切以及卡线技术是光伏电池制造过程中的重要环节。
本文旨在探讨光伏硅片加切和卡线的原因,并分析它们对光伏电池性能的影响。
光伏硅片加切指的是在光伏硅片的制造过程中,将硅片切割成理想尺寸的小块,常见的形状有正方形和圆形等。
加切的目的是为了提高光伏硅片的利用率和效能,使得太阳能光伏电池能够更好地吸收和转化太阳光能。
此外,加切还可以降低制造成本,提高产能,并方便后续的工艺处理。
卡线是指在光伏电池制造中,通过微小的铝线将光伏电池组件相连,形成电流传输的路径。
卡线的作用是实现光伏电池内部电流的导通和分流,从而提高电池的效能和稳定性。
卡线的合理设计和布局能够最大限度地减小电阻损耗,提高光伏电池的光电转换效率,从而提高整个太阳能光伏系统的发电量。
总之,光伏硅片加切和卡线是光伏电池制造中不可或缺的环节。
加切可以提高光伏硅片的利用率和效能,降低制造成本,并方便后续工艺处理;而卡线则能够提高光伏电池的效能和稳定性,提高光电转换效率。
因此,加深对光伏硅片加切和卡线的原因和作用的理解,对于光伏电池的制造和应用有着重要的意义。
1.2文章结构文章结构的设计遵循了以下的次序和逻辑关系,以确保读者能够清晰地理解光伏硅片加切和卡线的原因。
在文章开始的引言部分中,我们首先进行了概述,简要介绍了光伏硅片加切和卡线的主题内容。
接着,我们明确了文章的结构,以便读者知道将在接下来的章节中讨论的具体内容。
最后,我们明确了文章的目的,即为了深入探讨光伏硅片加切和卡线的原因,以及它们在光伏电池制造中的重要性和影响。
在正文部分,我们将分为两个主要章节来详细说明光伏硅片加切和卡线的原因。
在第2.1节中,我们将重点讨论光伏硅片加切的原因。
首先,我们将介绍光伏硅片的制作过程,包括原材料的选择、硅片的生长、切割和加工等步骤。
单晶硅片的晶格缺陷和应力分析

单晶硅片的晶格缺陷和应力分析单晶硅片是目前最常见的半导体材料之一,被广泛应用于电子设备制造和太阳能光伏系统等领域。
在单晶硅片的生产和使用过程中,晶格缺陷和应力是两个重要的问题,它们对硅片的性能和可靠性都有着至关重要的影响。
晶格缺陷是指单晶硅片中晶格排列不完美的部分,主要包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。
点缺陷是指晶格中的原子位置发生位错,例如空位缺陷和杂质原子的存在。
线缺陷是指晶格中形成的线状缺陷,例如晶格错位和位错线。
面缺陷是指晶格中的平面缺陷,例如晶界和薄膜的存在。
晶格缺陷对单晶硅片的性能和可靠性有着重要的影响。
首先,晶格缺陷会影响材料的导电性能。
因为晶格缺陷会改变原子的排列方式,从而影响电子的传导和散射。
其次,晶格缺陷会导致材料的非均匀性增加。
晶格缺陷的存在会引起局部应力分布的不均匀,导致一些区域的应力过大,从而影响材料的机械性能和可靠性。
应力是指单晶硅片中存在的内部或外部力引起的应变效应。
在单晶硅片的制备和使用过程中,应力是不可避免的。
内部应力是指硅片内部原子之间的相互作用力引起的应力,例如晶格缺陷和材料的生长过程中的温度差异等因素会产生内部应力。
外部应力是指单晶硅片与外界施加的力或热应力引起的应力,例如材料在加工和封装过程中受到的力和温度变化等。
应力会影响单晶硅片的性能和可靠性。
首先,应力会影响材料的机械性能。
应力过大会导致材料的强度降低和脆性增加,从而降低了硅片的可靠性和耐久性。
其次,应力会影响材料的光学性能。
应力会引起材料的光学常数发生变化,从而影响光学器件的性能和效率。
最后,应力还会导致材料的失效和损坏。
应力过大会引起晶格缺陷的扩散和演化,最终导致材料的失效和损坏。
为了解决单晶硅片的晶格缺陷和应力问题,需要采取一系列的措施。
首先,可以使用高质量的单晶硅片进行制备,减少晶格缺陷的产生。
此外,可以通过调控材料的生长条件和参数来控制晶格缺陷的形成和演化。
其次,可以采用合适的工艺和技术来降低晶格缺陷和应力的影响。
各种硅片不良的解决方案

断线善后处理首先做好断线记录(断线时间、机台号、部位、切深)留好线头一.查明断线原因及断线情况.二.急时上报,未经同意,不得私自处理。
三.处理流程:1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割.2.切深≦60mm中部或进线端断线,以30mm/min直接升起,迅速布线,8000流量砂浆冲洗,冲片时在线网上铺上无尘纸,冲开粘在一起的片子后,迅速把晶棒降到距线网2mm处,然后以10mm/min的进给认真仔细的“认刀”。
3.中部或进线端断线,切深在50mm---80mm之间的,以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,,停止。
线速调到2m/s,以2%走线1cm,以调平线网,停止。
打开砂浆8000流量均匀冲片子。
把晶棒两侧的线网小心的剪掉(剪时要用手捏着),留出3-4厘米的线头,另一端不剪.(进线端有线网的一定要保留该部分线网,以便重新布线.剪两侧线网时一定要用手或其他夹紧物,夹紧预留的线网头.)布线网,重新切割。
4进线端或中部断线切深超过80mm的视情况能认刀的就认刀否则就反切或直接拉线正向切割。
4.进线端断线,第一次断线,切深在80mm.1换掉放线轮,用一个空的收线轮来代替。
以低于原2N(左19和右21)的张力,切割线方向改为:右,其他参数不变,手动2m/s的线速走1m,不要开砂浆。
2把晶棒提升至30---40mm处,重新对接焊线,焊线时要焊接均匀,焊接点的点径要和线径相同。
经15N的线速走线300——400米,改张力为自动切割的张力,每秒1米,不开沙浆,走到出线端5米时,把张力改为15N,待线头在收线轮上绕2——3圈,改回原来的张力。
把晶棒压到断线位置误差在0.05mm,打开砂浆。
以1m/s 速度的20%,走上1m,经班长确认无误后进行切割。
5.经上环节中必须处理好线网(其中包括,碎片、胶条、沙浆颗粒)在升晶棒前,把胶条去掉,上升速度为每分钟10mm,上升过程中如夹线,不可用手去摸,只能用手动轻微探摁一下,把线网走平。
硅片知识

硅片等级标准一、优等品1:硅片表面光滑洁净。
2:TV:220±20μm。
3:几何尺寸:边长125±ffice:smarttags" /><?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com[img][/img]0.5mm;对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm;边长103±0.5mm、对角135±0.5mm;边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度:任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度:任意两边的夹角:90°±0.3。
二、合格品一级品:1:表面有少许污渍、轻微线痕。
2:220±20μm ≤TV≤220±30μm。
3:几何尺寸:边长125±0.5mm;对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm;边长103±0.5mm、对角135±0.5mm;边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度:任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度:任意两边的夹角:90°±0.5。
二级品:1:表面有少许污渍、线痕、凹痕,轻微崩边。
2:220±30μm ≤TV≤220±40μm。
3:凹痕:硅片表面凹痕之和≤30μm。
4:崩边范围:崩边口不是三角形状,崩边口长度≤1mm,深度≤0.5mm5:几何尺寸:边长125±0.52mm;对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm;边长103±0.52mm、对角135±0.52mm;边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。
各种硅片不良的解决方案

各种硅片不良的解决方案(光伏行业)(2009-06-30 23:49:43)转载标签:硅片光伏行业粘胶线网砂浆杂谈分类:百科学科各种硅片不良的解决方案一。
断线:如何让预防断线;断线后如何处理(M&B。
NTC HCT)把损失降低到最少二。
硅片崩边。
线式崩边点式崩边倒角崩边三。
厚薄不均:一个角偏薄,厚薄不均四。
线痕:密集线痕亮线线痕五。
花污片:脱胶造成的花污片清洗造成的花污片在太阳能光伏、OLED、LED、TFT、LCD、光电光学行业、化工、电子、电镀、玻璃等领域,东莞恒田水处理设备公司拥有多年的太阳能光伏、、OLED 、LED、LCD、光电光学行业、化工、电子、电镀、玻璃等行业脱盐水和超纯水设备的设计、安装、调试和售后服务的成功经验。
接下来我将对以上五种关键不良做从5M1E6个方面做详细的分析预防善后等具体是什么参数比如0.10钢线要求瞬间破断力多少?1200# 1500# 2000#碳化硅的颗粒圆形度粒径大小要求黏度张力要求多少等大家去按照这个方向去找对策做计划(P),做好可量化的点检表(D),主管亲自抓班长去督导(C),总结检查的结果进行处理,成功的经验加以肯定并适当推广、标准化;失败的教训加以总结,以免重现,未解决的问题放到下一个PDCA循环(A)。
这个虽然写的是M&B264的原因分析,但是从标准化管理角度来说,应该还是具有普遍意义的哦断线善后处理首先做好断线记录(断线时间、机台号、部位、切深)留好线头1.查明断线原因及断线情况.2.及时上报,未经同意,不得私自处理。
3.处理流程:1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割.2.切深≦60mm中部或进线端断线,以30mm/min直接升起,迅速布线,8000流量砂浆冲洗,冲片时在线网上铺上无尘纸,冲开粘在一起的片子后,迅速把晶棒降到距线网2mm处,然后以10mm/min的进给认真仔细的“认刀”。
3.中部或进线端断线,切深在50mm---80mm之间的,以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,,停止。
PV800切片机培训PPT精选文档

锁紧专用
松开专用
2、开始更换
① 剪断钢线,用小螺丝固定住轴承底座
② 用“L”型扳手松开固定螺栓
④ 将轴承底座清洁干净并确认转动顺畅
③ 取出固定螺栓,将废工字轮取下
⑤ 操作机械吊臂将新准备的钢线吊起来放入轴 承底座 需注意的是要让定位销对准定位孔才能放下
布织线网(二)
3. 用布线胶带等距黏贴住线网
4. 设定手动走线速度为5m/min,点击「<」 按钮进行缓慢绕线
5. 当线结走到接近导轮的时候,停止走线,
将线结按顺时针转动2~3圈后再次慢走线
让线结进入线网
导轮要擦出原绿色
6. 当线结进入线网2~3圈后将张力改为23N
7. 设定手动走线速度为360m/min,设置合 适的跑线距离,点击「<」按钮进行快 速绕线
观察窗
二:检查线网
1.待热机结束后,打开防护门, 检查线网是否有跳线,
2、用布线胶带排掉线网上所有 的跳线、交叉线
3、排完跳线后继续按照热机流程 热机直到线网无跳线、交叉线为止
自动切割
热机完成后再次确认准备状况,如无异常按“自动启动”按钮进行自动切
割
填写切片工序相关表单:随工单、切割记录表、巡检记录表
现场6S
一、6S简介
在做现场6S之前必须要了解什么是6S!
整理、整顿、清扫、清洁、素养、安全
✓ 整理:工作现场,区别要与不要的东西,只保留有用的东西,撤除不需要的 东西; ✓ 整顿:把要用的东西,按规定位置摆放整齐,并做好标识进行管理; ✓ 清扫:将不需要的东西清除掉,保持工作现场无垃圾,无污秽状态; ✓ 清洁:维持以上整理、整顿、清扫后的局面,使工作人员觉得整洁、卫生; ✓ 修养:通过进行上述4S 的活动,让每个员工都自觉遵守各项规章制度,养 成良好的工作习惯,做到“以厂为家、以厂为荣”的地步。
硅片的等级标准

硅片的检测1:硅片表面光滑洁净2:TV:220±20um 。
3:几何尺寸:边长:125±0.5mm;对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm;边长:103±0.5mm、对角:135±0.5mm;边长:150±0.5mm、156±0.5mm、对角:203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度:任意两个弧的弦长之差≤1mm垂直度:任意两边的夹角:90°±0.3二、合格品一级品:垂直度:任意两边的夹角:90°±0.5二级品:1:表面有少许污渍、线痕。
凹痕、轻微崩边。
2:220±30um ≤TV≤220±40um。
3:凹痕:硅片表面凹痕之和≤30um4:崩边范围:崩边口不是三角形,崩边口长度≤1mm ,深度≤0.5mm 5:几何尺寸:边长:125±0.52mm;对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm;边长:103±0.52mm、对角:135±0.52mm;边长:150±0.52mm、156±0.52mm、对角:203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度:任意两个弧的弦长之差≤1.5mm垂直度:任意两边的夹角:90°±0.8三级品:1:表面有油污但硅片颜色不发黑,有线痕和硅洛现象。
2:220±40um ≤TV≤220±60um。
3:硅落:整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品严重线痕、厚薄片:TV>220±60um。
崩边片:有缺陷但可以改¢103的硅片气孔片:硅片中间有气孔外形片:切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片(同心度):任意两个弧的弦长之差>1.5mm菱形片:(垂直度):任意两边的夹角>90°±0.8凹痕片:硅片两面凹痕之和>30um脏片:硅片表面有严重污渍且发黄发黑尺寸偏差片:几何尺寸超过二级片的范围。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
PV800.硅片线痕分析分类:线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。
各种线痕产生的原因如下:1、杂质线痕:由多晶硅锭内杂质引起,在切片过程中无法完全去除,导致硅片上产生相关线痕。
表现形式:(1)线痕上有可见黑点,即杂质点。
(2)无可见杂质黑点,但相邻两硅片线痕成对,即一片中凹入,一片凸起,并处同一位置。
(3)以上两种特征都有。
(4)一般情况下,杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。
改善方法:(1)改善原材料或铸锭工艺,改善IPQC检测手段。
(2)改善切片工艺,采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。
其它相关:硅锭杂质除会产生杂质线痕外,还会导致切片过程中出现“切不动”现象。
如未及时发现处理,可导致断线而产生更大的损失。
2、划伤线痕:由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。
切割过程中,SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间,无法溢出,造成线痕。
表现形式:包括整条线痕和半截线痕,内凹,线痕发亮,较其它线痕更加窄细。
改善方法:(1)针对大颗粒SIC(2.5~3D50),加强IQC检测;使用部门对同一批次SIC先进行试用,然后再进行正常使用。
(2)导致砂浆结块的原因有:砂浆搅拌时间不够;SIC水分含量超标,砂浆配制前没有进行烘烤;PEG水分含量超标(重量百分比<0.5%);SIC成分中游离C(<0.03%)以及<2μm微粉超标。
其它相关:SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等,各项性能对于切片都有很大的影响。
3、密布线痕(密集型线痕):由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题,造成硅片上出现密集线痕区域。
表现形式:(1)硅片整面密集线痕。
(2)硅片出线口端半片面积密集线痕。
(3)硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。
(4)部分不规则区域密集线痕。
(5)硅块头部区域密布线痕。
改善方法:(1)硅片整面密集线痕,原因为砂浆本身切割能力严重不足引起,包括SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等,可针对性解决。
(2)硅片出线口端半片面积密集线痕。
原因为砂浆切割能力不够,回收砂浆易出现此类情况,通过改善回收工艺解决。
(3)硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。
原因为切片机台内砂浆循环系统问题,如砂浆喷嘴堵塞。
在清洗时用美工刀将喷嘴内赃物划向两边。
(4)部分不规则区域密集线痕。
原因为多晶硅锭硬度不均匀,部分区域硬度过高。
改善铸锭工艺解决此问题。
(5)硅块头部区域密布线痕。
切片机内引流杆问题。
4、错位线痕:由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水,造成液压装置与托板不能完全夹紧,以及托板螺丝松动,而产生的线痕。
表现形式:改善方法:规范粘胶操作,加强切片前检查工作,定期清洗机床。
5、边缘线痕:由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。
表现形式:一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处,贯穿整片硅片。
改善方法:规范粘胶操作,加强检查和监督。
二、TTV(Total Thickness Variety)TTV不良,都是由于各种问题导致线网抖动而产生的硅片不良,包括设备精度问题、工作台问题、导轮问题、导向条粘胶问题等。
1、设备精度:导轮径向跳动<40μm,轴向跳动<20μm。
改善方法:校准设备。
2、工作台问题:工作台的不稳定性会导致大量TTV不良的产生。
改善方法:维修工作台。
3、导轮问题:因导轮问题而产生的TTV不良,一般出现在新导轮和导轮磨损很大的时候。
改善方法:更换导轮。
4、导向条粘胶问题:当导向条下的胶水涂抹不均匀,出现部分空隙,在空隙位置的硅片,易出现TTV 不良问题。
改善方法:规范粘胶操作。
三、台阶台阶的出现,是由切片过程中的钢线跳线引起,而导致钢线跳线的原因,包括设备、工艺、物料等各方面的问题,部分如下:1、砂浆问题:砂浆内含杂质过多,没有经过充分过滤,造成钢线跳线。
改善方法:规范砂浆配制、更换,延长切片的热机时间和次数。
2、硅块杂质问题:硅块的大颗粒杂质会引起跳线而产生台阶。
改善方法:改善原材料或铸锭工艺,改善IPQC检测手段。
3、单晶停机、切起工艺问题:单晶相对多晶硬度较大,在异常停机并重新切起的过程中,采用违规操作产生的钢线跳线。
改善方法:严格遵循工艺操作。
4、线、砂工艺匹配问题:钢线、砂浆型号不匹配造成切片跳线,此种情况很少出现。
太阳能硅片切割技术太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线,从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区,在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。
在整个切割过程中,对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。
一、切割液(PEG)的粘度由于在整个切割过程中,碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的,所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。
1、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。
由于不同的机器开发设计的系统思维不同,因而对砂浆的粘度也不同,即要求切割液的粘度也有不同。
例如瑞士线切割机要求切割液的粘度不低于55,而NTC要求22-25,安永则低至18。
只有符合机器要求的切割标准的粘度,才能在切割的过程中保证碳化硅微粉的均匀悬浮分布以及砂浆稳定地通过砂浆管道随钢线进入切割区。
2、由于带着砂浆的钢线在切割硅料的过程中,会因为摩擦发生高温,所以切割液的粘度又对冷却起着重要作用。
如果粘度不达标,就会导致液的流动性差,不能将温度降下来而造成灼伤片或者出现断线,因此切割液的粘度又确保了整个过程的温度控制。
二、碳化硅微粉的粒型及粒度太阳能硅片的切割其实是钢线带着碳化硅微粉在切,所以微粉的粒型及粒度是硅片表片的光洁程度和切割能力的关键。
粒型规则,切出来的硅片表明就会光洁度很好;粒度分布均匀,就会提高硅片的切割能力。
三、砂浆的粘度线切割机对硅片切割能力的强弱,与砂浆的粘度有着不可分割的关系。
而砂浆的粘度又取决于硅片切割液的粘度、硅片切割液与碳化硅微粉的适配性、硅片切割液与碳化硅微粉的配比比例、砂浆密度等。
只有达到机器要求标准的砂浆粘度(如NTC机器要求250左右)才能在切割过程中,提高切割效率,提高成品率。
四、砂浆的流量钢线在高速运动中,要完成对硅料的切割,必须由砂浆泵将砂浆从储料箱中打到喷砂咀,再由喷砂咀喷到钢线上。
砂浆的流量是否均匀、流量能否达到切割的要求,都对切割能力和切割效率起着很关键的作用。
如果流量跟不上,就会出现切割能力严重下降,导致线痕片、断线、甚至是机器报警。
五、钢线的速度由于线切割机可以根据用户的要求进行单向走线和双向走线,因而两种情况下对线速的要求也不同。
单向走线时,钢线始终保持一个速度运行(MB和HCT 可以根据切割情况在不同时间作出手动调整),这样相对来说比较容易控制。
目前单向走线的操作越来越少,仅限于MB和HCT机器。
双向走线时,钢线速度开始由零点沿一个方向用2-3秒的时间加速到规定速度,运行一段时间后,再沿原方向慢慢降低到零点,在零点停顿0.2秒后再慢慢地反向加速到规定的速度,再沿反方向慢慢降低到零点的周期切割过程。
在双向切割的过程中,线切割机的切割能力在一定范围内随着钢线的速度提高而提高,但不能低于或超过砂浆的切割能力。
如果低于砂浆的切割能力,就会出现线痕片甚至断线;反之,如果超出砂浆的切割能力,就可能导致砂浆流量跟不上,从而出现厚薄片甚至线痕片等。
目前MB的平均线速可以达到13米/秒,NTC达10.5-11米/秒。
六、钢线的张力:钢线的张力是硅片切割工艺中相当核心的要素之一。
张力控制不好是产生线痕片、崩边、甚至短线的重要原因。
1、钢线的张力过小,将会导致钢线弯曲度增大,带砂能力下降,切割能力降低。
从而出现线痕片等。
2、钢线张力过大,悬浮在钢线上的碳化硅微粉就会难以进入锯缝,切割效率降低,出现线痕片等,并且断线的几率很大。
3、如果当切到胶条的时候,有时候会因为张力使用时间过长引起偏离零点的变化,出现崩边等情况。
MB、NTC等线切割机一般的张力控制在送线和收线相差不到1,只有安永的相差7.5。
七、工件的进给速度工件的进给速度与钢线速度、砂浆的切割能力以及工件形状在进给的不同位置等有关。
工件进给速度在整个切割过程中,是由以上的相关因素决定的,也是最没有定量的一个要素。
但控制不好,也可能会出现线痕片等不良效果,影响切割质量和成品率。
总之,太阳能硅片线切割机的操作,是一个经验大于技术流程与标准的精细活。
只有在实际操作中,不断总结与探讨,才能对机器的驾驭游刃有余。
断线处理方法断线分为收线端断线,线网断线和进线端断线三种。
其中线网断线最具挑战性.一.收线端断线处理很简单,把主辊上的压线抽掉,用胶带把线头粘贴好,接下来把收线轮上的线引到主辊的收线端,用拧麻花的方式把两个线头拧在一起,然后用烙铁把线头焊好,检查导轮,完好后直接按启动按钮。
在过程中应注意下列几点:1.整个过程中不要停止砂浆的循环;2.不要走线网,防止出现线痕,3.抽完主辊上的压线后要注意调整收线端导轮架的位置,4.换掉收线端的前三个导轮,因为断线后钢线变形,把导轮槽拉伤,当然换几个导轮以自己而定,本人经常只换前三个。
二.进线端断线处理其实也很简单,处理方法有两种:1.抽线,抽好后用激光焊接机直接焊好,开切。
2.反切,叫技术员改程序,自己改也行,只要你会,此时收放线轮互换,收线轮做放线轮,放线轮做收线轮。
接好线后,开切.整个过程中应注意一下几点:第一,焊线的人的技术要好,不然在跑线过程中线头很容易开,那样造成的后果的不可估计的。
再就是把进线端的导轮架调整好。
第二,反切时一定要保证你的收线轮上的线是没有断过的,并且线够切,放线轮上的线的多少。
如果还够切一刀,换掉线轮,以免造成浪费。
第三,换掉进线端的前三个导轮。
三。
线网断线是最难处理的,也是对片子质量影响最为严重的。
1.当切割深度<40MM时,我们可以剪掉破线网,重新布线,直接任线,整个过程可以在50分钟内完成。
2.当切割深度>40MM时,以10MM/min的速度提料,然后用水洗,一定要洗干净,以免在任线的时候造成不必要的麻烦,洗干净后,然后用气管吹干,片子看上去一片一片的就OK了,重新布线网任线。
第二种方法就是:把线网剪掉后,用塑料纸铺在碎料盒上,给里面到上酒精,把片子泡在里面,大约60分钟后,把料提起来,此时的片子在酒精里面已经完全分开,酒精完全挥发后,就可以任线了,这样免去了用气管吹干的过程,这个方法对片子的质量影响很小,建议用这个。
在用水洗的时候不要将水开的太大,气开的太大,以免损伤片子!第二种方法中的酒精也可以换成切割液。
好有在洗的时候一定要将气帘气压开大一倍。
防止再洗的时候对机器造成伤害。
线切割机线痕处理1.原料--硅块本身就存在缺陷如杂质等,造成硅块密度不一致或者说分布不均匀,容易造成线痕;2.辅料--辅料质量不佳,如材质不对、杂质等,另外也有可能是辅料重复使用次数过多;3.设备--设备机台各项参数不应该版本统一,应该因机而各异;4.人为--可能性最大因数,有意无意或者消极工作导致. 但是目前线痕是多数公司存在的普遍现象主要看线痕比率体现线切水平和成片率 .可以从多方面考虑降低线痕: 一.原料从开方后检测下手,控制可能导致线痕的硅块流入线切工序二.辅料控制辅料质量和使用次数, 避免辅料造成的损失,得不偿失;三.设备完善的保养机制独有的工艺配方四.人员从积极方面考虑降低线痕率如奖励机制替代处罚机制主要是人员工作积极性毕竟人在生产中起主导作用五.完善的制程控制完善的制程检验过程, 及时发现并纠正不当操作六.完准的数据和反舞弊制度如各大数据程序支持和反舞弊制度说到底关键在人工艺设备操作数据等等都需要靠人完成密布线痕: 密布线痕是砂浆的问题,砂浆的切割能力低,要解决这个问题可以将切割速度调整慢一点,还要在浆料问题上做的更加细致。