二极管测试方法

二极管测试方法
二极管测试方法

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

一、二极管的工作原理

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。

二、二极管的类型

二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。

面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。

平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。

三、二极管的导电特性

二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1.正向特性

在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0. 6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0. 7V),称为二极管的“正向压降”。

2.反向特性

在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。

四、二极管的主要参数

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。

1、最大整流电流IF

是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。

2、额定正向工作电流

是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。

3、最高反向工作电压

加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。反向击穿电压VBR指管子反向击穿时的电压值。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。

4、反向电流IR

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,管子末击穿时流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大一倍。由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。

5、极间电容CJ:二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同。

二极管的参数是正确使用二极管的依据,一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压,否则将容易损坏管子。

五、测试二极管的好坏

初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1K档位(注意不要使用RX1档,以免电流过大烧坏二极管),再将红、黑两根表笔短路,进行欧姆调零。

1、正向特性测试

把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极,红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间,这时的阻值就是二极管的正向电阻,一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值,说明管芯短路损坏,若正向电阻接近无穷大值,说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。

2、反向特性测试

把万且表的红表笔搭触二极管的正极,黑表笔搭触二极管的负极,若表针指在无穷大值或接近无穷大值,管子就是合格的。

六、二极管的应用

1、整流二极管

利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。

2、开关元件

二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。

3、限幅元件

二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。

4、继流二极管

在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。

5、检波二极管

在收音机中起检波作用。

6、变容二极管

使用于电视机的高频头中。

二极管的测试方法

(一)普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。

1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。

2.单负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。

若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。

3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V(BR)”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。

也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。

(二)稳压二极管的检测

1.正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。

若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大,则说明该二极管已击穿或开路损坏。

2.稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源,对于13V以下的稳压二极管,可将稳压电源的输出电压调至15V,将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接,电源负极与稳压二极管的正极相接,再用万用表测量稳压二极管两端的电压值,所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V,则应将稳压电源调至20V以上。

也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是:将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接,兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后,按规定匀速摇动兆欧表手柄,同时用万用表监测稳压二极管两端电压值(万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定),待万用表的指示电压指示稳定时,此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。

若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低,则说明该二极管的性不稳定。

(三)双向触发二极管的检测

1.正、反向电阻值的测量用万用表R×1k或R×10k档,测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管已击穿损坏。

2.测量转折电压测量双向触发二极管的转折电压有三种方法。

第一种方法是:将兆欧表的正极(E)和负极(L)分别接双向触发二极管的两端,用兆欧表提供击穿电压,同时用万用表的直流电压档测量出电压值,将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差(一般为3~6V)。此偏差值越小,说明此二极管的性能越好。

第二种方法是:先用万用表测出市电电压U,然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后,接入市电电压,读出电压值U1,再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。

若U1与U2的电压值相同,但与U的电压值不同,则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时,则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时,则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V,则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。

第三种方法是:用0~50V连续可调直流电源,将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接,将电源的负极串接万用表电流档(将其置于1mA档)后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压,当电流表指针有较明显摆动时(几十微安以上),则说明此双向触发二极管已导通,此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。

(四)发光二极管的检测

1.正、负极的判别将发光二极管放在一个光源下,观察两个金属片的大小,通常金属片大的一端为负极,金属片小的一端为正极。

2.性能好坏的判断

用万用表R×10k档,测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为1 0~20kΩ,反向电阻值为250kΩ~∞(无穷大)。较高灵敏度的发光二极管,在测量正向电阻值时,管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值,则会发现其正、反向电阻值均接近∞(无穷大),这是因为发光二极管的正向压降大于1.6V(高于万用表R×1k档内电池的电压值1.5V)的缘故。

(一)普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。

1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。

2.单负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。

若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。

3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V(BR)”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。

也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。

(二)稳压二极管的检测

1.正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。

若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大,则说明该二极管已击穿或开路损坏。

2.稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源,对于13V以下的稳压二极管,可将稳压电源的输出电压调至15V,将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接,电源负极与稳压二极管的正极相接,再用万用表测量稳压二极管两端的电压值,所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V,则应将稳压电源调至20V以上。

也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是:将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接,兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后,按规定匀速摇动兆欧表手柄,同时用万用表监测稳压二极管两端电压值(万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定),待万用表的指示电压指示稳定时,此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。

若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低,则说明该二极管的性不稳定。

(三)双向触发二极管的检测

1.正、反向电阻值的测量用万用表R×1k或R×10k档,测量双向触发二极管正、反向电阻值。正

常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管已击穿损坏。

2.测量转折电压测量双向触发二极管的转折电压有三种方法。

第一种方法是:将兆欧表的正极(E)和负极(L)分别接双向触发二极管的两端,用兆欧表提供击穿电压,同时用万用表的直流电压档测量出电压值,将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差(一般为3~6V)。此偏差值越小,说明此二极管的性能越好。

第二种方法是:先用万用表测出市电电压U,然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后,接入市电电压,读出电压值U1,再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。

若U1与U2的电压值相同,但与U的电压值不同,则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时,则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时,则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V,则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。

第三种方法是:用0~50V连续可调直流电源,将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接,将电源的负极串接万用表电流档(将其置于1mA档)后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压,当电流表指针有较明显摆动时(几十微安以上),则说明此双向触发二极管已导通,此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。

(四)发光二极管的检测

1.正、负极的判别将发光二极管放在一个光源下,观察两个金属片的大小,通常金属片大的一端为负极,金属片小的一端为正极。

2.性能好坏的判断

用万用表R×10k档,测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为10~20kΩ,反向电阻值为250kΩ~∞(无穷大)。较高灵敏度的发光二极管,在测量正向电阻值时,管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值,则会发现其正、反向电阻值均接近∞(无穷大),这是因为发光二极管的正向压降大于1.6V(高于万用表R×1k档内电池的电压值1.5V)的缘故。

用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电(黑表笔接电容器正极,红表笔接电容器负极),再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极,若发光二极管有很亮的闪光,则说明该发光二极管完好。

也可用3V直流电源,在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极,将电源的负极接发光二极管的负极(见图4-74),正常的发光二极管应发光。或将1节1.5V电池串接在万用表的黑表笔(将万用表置于R×10或R×100档,黑表笔接电池负极,等于与表内的1.5V电池串联),将电池的正极接发光二极管的正极,红表笔接发光二极管的负极,正常的发光二极管应发光。

再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源,然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时,正、反向电阻值均应变小,阻值变化越大,说明该光敏二极管的灵敏度越高。

2.电压测量法将万用表置于1V直流电压档,黑表笔接光敏二极管的负极,红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有0.2~0.4V电压(其电压与光照强度成正比)。

3.电流测量法将万用表置于50μA或500μA电流档,红表笔接正极,黑表笔接负极,正常的光敏二极管在白炽灯光下,随着光照强度的增加,其电流从几微安增大至几百微安。

(五)激光二极管的检测

1.阻值测量法拆下激光二极管,用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为20~40kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正向电阻值已超过50kΩ,则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ,则说明该二极管已严重老化,不能再使用了。

2.电流测量法用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降,再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值,当电流超过100mA时,若调节激光功率电位器,而电流无明显的变化,则可判断激

光二极管严重老化。若电流剧增而失控,则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。

(六)变容二极管的检测

1.正、负极的判别有的变容二极管的一端涂有黑色标记,这一端即是负极,而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环,红色环的一端为正极,黄色环的一端为负极。

也可以用数字万用表的二极管档,通过测量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管,在测量其正向电压降时,表的读数为0.58~0.65V;测量其反向电压降时,表的读数显示为溢出符号“1”。在测量正向电压降时,红表笔接的是变容二极管的正极,黑表笔接的是变容二极管的负极。2.性能好坏的判断用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管的正、反向电阻值。正常的变容二极管,其正、反向电阻值均为∞(无穷大)。若被测变容二极管的正、反向电阻值均有一定阻值或均为0,则是该二极管漏电或击穿损坏。

(七)桥堆的检测

1.全桥的检测大多数的整流全桥上,均标注有“+”、“-”、“~”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极,“-”为输出电压的负极,“~”为交流电压输入端),很容易确定出各电极。

检测时,可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常,即可判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该二极管已击穿或开路损坏。

2.半桥的检测半桥是由两只整流二极管组成,通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常,即可判断出该半桥是否正常。

(八)肖特基二极管的检测

二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时,其正向电阻值(黑表笔接正极)为2.5~3. 5Ω,投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0,则说明该二极管已开路或击穿损坏。

三端型肖特基二极管应先测出其公共端,判别出共阴对管,还是共阳对管,然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。

晶体二极管测量方法

2007-08-09 19:21:09 晶体二极管

一、二极管的特性

二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示,

图1、二极管的伏安特性曲线

1、正向特性

当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。

2、反向特性

二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。

3、击穿特性

当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。

4、频率特性

由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。

二、二极管的简易测试方法

二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表一

三、二极管的主要参数 1、正向电流IF

在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 2、正向电压降VF

二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 3、最大整流电流(平均值)IOM

在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 4、反向击穿电压VB

二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 5、正向反向峰值电压VRM

二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM 为VP 的三分之二或略小一些。 6、反向电流IR

在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 7、结电容C

结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 8、最高工作频率fm

二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 四、常用晶体二极管 1、整流二极管

将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,它是面结合型的功率器件,因结电容大,故工作频率低。

通常,IF 在1安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF 在1安以下的采用全塑料封装(见图2)由于近代工艺技术不断提高,国外出现了不少较大功率的管子,也采用塑封形式。

(a)全密封金属结构

(b )塑料封装

图2 二极管封装

2、检波二极管

检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

3、开关二极管

在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF<500毫安的硅开关二极管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装,如图三所示,引脚较长的一端为正极。

图3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装

4、稳压二极管

稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二极管(简称稳压管)其图形符号见图4

图4、稳压二极管的图形符号

稳压管的伏安特性曲线如图5所示,当反向电压达到Vz时,即使电压有一微小的增加,反向电流亦会猛增(反向击穿曲线很徒直)这时,二极管处于击穿状态,如果把击穿电流限制在一定的范围内,管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

图5、硅稳压管伏安特性曲线

5、变容二极管

变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被广泛地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中,变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系,并提高Q值以适合应用。

变容二极管的结构与普通二极管相似,其符号如图6所示,几种常用变容二极管的型号参数见表一

图6、变容二极管图形符号

图7(a)是利用变容管的变容特性来调谐本机振荡的频率(电视接收机调谐器中作本机振荡)。图7(b)是一个调谐信号源,用变容管和单结晶体管与恒流二极管组成的锯齿振荡器,利用输出信号进行调频,由于变容管大多数在反偏压下工作,所以应加恒流保护,以防止击穿。

图7、变容二极管的容压特性及等效电路

图8(a)是利用变容管的变容特性来调谐本机振荡的频率(电视接收机调谐器中作本机振荡),图8(b)是一个调谐信号源,用变容管和单结晶体管与恒流二极管组成的锯齿波振荡器,利用输出信号进行调频,由于变容管大多数在反偏压下工作,所以应加恒流保护,以防止击穿。

图8、变容管应用实例

6、阶跃恢复二极管

阶跃恢复二极管是一种特殊的变容管,也称作电荷储存二极管,简称阶跃管,它具有高度非线性的电抗,应用于倍频器时代独有的特点,利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波,可获得高效率的高次倍频,它是微波领域中优良的倍频元件。

阶跃管的特性是建立在PN结杂质的特殊分布上,和变容管相似,阶跃管的符号如图9所示,它的

直流伏安特性与一般PN结构相同。

图9、阶跃恢复二极管的图形符号

阶段管的特点是:当处于导通状态的二极管突然加上反向电压时,瞬间反向电流立即达到最值IR,并维持一定的时间ts,接差又立即恢复到零,电流和时间的关系见图10所示

图10、阶跃管电流与时间的关系

阶跃管主要用于倍频电路和超高速脉冲整形和发生电路,图11(a)是一个曲型的高次频器,利用阶跃管,很容易做到高达20次倍频而仍保持高效率。图11(b)是利用阶跃管的脉冲整形电路,图11(c)是整形前后的波形比较。

图11、阶跃恢复二极管的典型应用

一、二极管的特性

二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示,

图1、二极管的伏安特性曲线

1、正向特性

当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。

2、反向特性

二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1

微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性

3、击穿特性

当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。

4、频率特性

由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。

二、二极管的简易测试方法

二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表一

三、二极管的主要参数

1、正向电流IF

在额定功率下,允许通过二极管的电流值。

2、正向电压降VF

二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。

3、最大整流电流(平均值)IOM

在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。

4、反向击穿电压VB

二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。

5、正向反向峰值电压VRM

二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。

6、反向电流IR

在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值

7、结电容C

结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。

8、最高工作频率fm

二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

四、常用晶体二极管

将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,它是面结合型的功率器件,因结电容大,故工作频率低。

通常,IF在1安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF在1安以下的采用全塑料封装(见图2)由于近代工艺技术不断提高,国外出现了不少较大功率的管子,也采用塑封形式。

(a)全密封金属结构

(b)塑料封装图2 二极管封装

2、检波二极管

检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

3、开关二极管

在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF<500毫安的硅开关二极管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装,如图三所示,引脚较长的一端为正极。

图3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装

4、稳压二极管

稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二极管(简称稳压管)其图形符号见图

4

图4、稳压二极管的图形符号

稳压管的伏安特性曲线如图5所示,当反向电压达到Vz时,即使电压有一微小的增加,反向电流亦会猛增(反向击穿曲线很徒直)这时,二极管处于击穿状态,如果把击穿电流限制在一定的范围内,管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

图5、硅稳压管伏安特性曲线

5、变容二极管

变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被广泛地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中,变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系,并提高Q值以适合应用。

变容二极管的结构与普通二极管相似,其符号如图6所示,几种常用变容二极管的型号参数见表一

图6、变容二极管图形符号

图7(a)是利用变容管的变容特性来调谐本机振荡的频率(电视接收机调谐器中作本机振荡)。图7(b)是一个调谐信号源,用变容管和单结晶体管与恒流二极管组成的锯齿振荡器,利用输出信号进行调频,由于变容管大多数在反偏压下工作,所以应加恒流保护,以防止击穿。

图7、变容二极管的容压特性及等效电路

图8(a)是利用变容管的变容特性来调谐本机振荡的频率(电视接收机调谐器中作本机振荡),图8(b)是一个调谐信号源,用变容管和单结晶体管与恒流二极管组成的锯齿波振荡器,利用输出信号进行调频,由于变容管大多数在反偏压下工作,所以应加恒流保护,以防止击穿。

图8、变容管应用实例

6、阶跃恢复二极管

阶跃恢复二极管是一种特殊的变容管,也称作电荷储存二极管,简称阶跃管,它具有高度非线性的电抗,应用于倍频器时代独有的特点,利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波,可获得高效率的高次倍频,它是微波领域中优良的倍频元件。

阶跃管的特性是建立在PN结杂质的特殊分布上,和变容管相似,阶跃管的符号如图9所示,它的直流伏安特性与一般PN结构相同。

图9、阶跃恢复二极管的图形符号

阶段管的特点是:当处于导通状态的二极管突然加上反向电压时,瞬间反向电流立即达到最值IR,并维持一定的时间ts,接差又立即恢复到零,电流和时间的关系见图10所示

图10、阶跃管电流与时间的关系

阶跃管主要用于倍频电路和超高速脉冲整形和发生电路,图11(a)是一个曲型的高次频器,利用阶跃管,很容易做到高达20次倍频而仍保持高效率。图11(b)是利用阶跃管的脉冲整形电路,图11(c)是整形前后的波形比较。

图11、阶跃恢复二极管的典型应用

LED发光二极管检测方法

1.发光二极管的特点 ? 发光二极管LED(Light-Emitting Diode)是能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件。其主要特点是: (1)在低电压(~)、小电流(5~30mA)的条件下工作,即可获得足够高的亮度。 (2)发光响应速度快(10-7~10-9 s),高频特性好,能显示脉冲信息。 (3)单色性好,常见颜色有红、绿、黄、橙等。 (4)体积小。发光面形状分圆形、长方形、异形(三角形等)。其中圆形管子的外径有φ1、φ2、φ3、φ4、φ5、φ8、φ10、φ12、φ15、φ20(mm)等规格,直径1 mm的属于超微型LED。 (5)防震动及抗冲击穿性能好,功耗低,寿命长。由于LED的PN结工作在正向导通状态,本射功耗低,只要加必要的限流措施,即可长期使用,寿命在10万小时以上,甚至可达100万小时。 (6)使用灵活,根据需要可制成数码管、字符管、电平显示器、点阵显示器、固体发光板、LED平极型电视屏等。 (7)容易与数字集成电路匹配。 2.发光二极管的原理 发光二极管内部是具有发光特性的PN结。当PN结导通时,依靠少数载流子的注入以及随后的复合而辐射发光。普通发光二极管的外形、符号及伏安特性如图1所示。LED正向伏安特性曲线比较陡,在正向导通之前几乎有电流。当电压超过开启电压时,电流就急剧上升。因此,LED属于电流控制型半导体器件,其发光亮度L(单位cd/m2,读作坎[德拉]每平方米)与正向电流IF近似成正双,有公式 L =K IFm 式中,K为比例系数,在小电流范围内(IF=1~10mA),m=~。当IF>10mA时,m=1,式()简化成 ?????? L =K IF 即亮度与正向电流成正比。以磷砷化镓黄色LED为例,相对发光强度与正向电流的关系如图2所示。LED的正向电压则与正向电流以及管芯的半导体材料有关。使用时应根据所要求的显示亮度来选取合适的IF值(一般选10mA左右,对于高亮度LED可选1~2mA),既保证亮度适中,也不会损坏LED。若电流过大,就会烧毁LED的PN结。此外,LED的使用寿命将缩短。 由于发光二极管的功耗低、体积小,色彩鲜艳、响应速度快、寿命长,所以常用作收录机、收音机和电子仪器的电平指示器、调谐指示器、电源指示器等。发光二极管在正向导通时有一定稳压作用,还可作直流稳压器中的稳压二极管,提供基准电压,兼作电源指示灯。目前市场上还有一种带反射腔及固定装置的发光二要管(例如BT104-B2、BT102-F),很容易固定在仪器面板上。

LED发光二极管工作原理及检测方法

LED发光二极管工作原理及检测方法 发光二极管LED(Light-EmittingDiode)是能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件。 1、发光二极管LED主要特点 (1)在低电压(1.5~2.5V)、小电流(5~30mA)的条件下工作,即可获得足够高的亮度。 (2)发光响应速度快(10-7~10-9 s),高频特性好,能显示脉冲信息。 (3)单色性好,常见颜色有红、绿、黄、橙等。 (4)体积小。发光面形状分圆形、长方形、异形(三角形等)。其中圆形管子的外径有φ1、φ2、φ3、φ4、φ5、φ8、φ10、φ12、φ15、φ20(mm)等规格,直径1mm的属于超微型LED。 (5)防震动及抗冲击穿性能好,功耗低,寿命长。由于LED的PN结工作在正向导通状态,本射功耗低,只要加必要的限流措施,即可长期使用,寿命在10万小时以上,甚至可达100万小时。 (6)使用灵活,根据需要可制成数码管、字符管、电平显示器、点阵显示器、固体发光板、LED 平极型电视屏等。 (7)容易与数字集成电路匹配。 2.发光二极管的原理 发光二极管内部是具有发光特性的PN结。当PN结导通时,依靠少数载流子的注入以及随后的复合而辐射发光。普通发光二极管的外形、符号及伏安特性如图1 所示。LED正向伏安特性曲线比较陡,在正向导通之前几乎有电流。当电压超过开启电压时,电流就急剧上升。因此,LED属于电流控制型半导体器件,其发光亮度L(单位cd/m2,读作坎德拉每平方米)与正向电流IF近似成正双,有公式L =K IFm 式中,K为比例系数,在小电流范围内(IF=1~10mA),m=1.3~1.5。当IF>10mA时,m=1,式(L =K IF 即亮度与正向电流成正比。以磷砷化镓黄色LED为例,相对发光强度与正向电流的关系如图2所示。LED的正向电压则与正向电流以及管芯的半导体材料有关。使用时应根据所要求的显示亮度来选取合适的IF值(一般选10mA左右,对于高亮度LED可选1~2mA),既保证亮度适中,也不会损坏LED。若电流过大,会烧毁LED的PN结。此外,LED的使用寿命将缩短。 由于发光二极管的功耗低、体积小,色彩鲜艳、响应速度快、寿命长,所以常用作收录机、收音

TVS瞬态抑制二极管阵列SP1003

Description Applications Zener diodes fabricated in a proprietary silicon avalanche technology protect each I/O pin to provide a high level of protection for electronic equipment that may experience destructive electrostatic discharges (ESD). These robust diodes can safely absorb repetitive ESD strikes at ±30kV (contact discharge, IEC 61000-4-2) without performance degradation. Additionally, each diode can safely dissipate 7A of 8/20μs surge current (IEC61000-4-5) with very low clamping voltages. Features ? ESD, IEC61000-4-2, ±30kV contact, ±30kV air ? EFT , IEC61000-4-4, 40A (5/50ns) ? Lightning, IEC61000-4-5, 7A (8/20μs) ? Low leakage current of 100nA (MAX) at 5V ? Tiny SOD723/ SOD882 (JEDEC MO-236) package saves board space ? Fits solder footprint of industry standard 0402 (1005) devices ? A EC-Q101 qualified (SOD882 package) ? Mobile phones ? Smart phones ? PDAs ? Portable navigation devices ? Digital cameras ? Portable medical devices Pinout Functional Block Diagram Life Support Note: Not Intended for Use in Life Support or Life Saving Applications The products shown herein are not designed for use in life sustaining or life saving applications unless otherwise expressly indicated.Application Example Signal I/O port B1Ground B2B3B4 1 2 SOD882 (AEC-Q101 qualified)

测试LED的电特性

LED的测试方法 LED测试标准的制定 解决方案: 测试LED的电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性 半导体发光二极管(LED)已经被广泛应用于指示灯、信号灯、仪表显示、手机背光、车载光源等场合,尤其是白光LED技术的发展,LED在照明领域的应用也越来越广泛。但是过去对于LED的测试没有较全面的国家标准和行业标准,在生产实践中只能以相对参数为依据,不同的厂家、用户、研究机构对此争议很大,导致国内LED产业的发展受到严重影响。因此,半导体发光二极管测试方法国家标准应运而生。 LED测试方法 基于LED各个应用领域的实际需求,LED的测试需要包含多方面的内容,包括:电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等。 1、电特性 LED是一个由半导体无机材料构成的单极性PN结二极管,它是半导体PN 结二极管中的一种,其电压-电流之间的关系称为伏安特性。由图1可知,LED电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流和反向电压,LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。通过LED电特性的测试可以获得LED的最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流,此外也可以测定LED的最佳工作电功率。 LED电特性的测试一般利用相应的恒流恒压源供电下利用电压电流表进行测试。 2、光特性 类似于其它光源,LED光特性的测试主要包括光通量和发光效率、辐射通量和辐射效率、光强和光强分布特性和光谱参数等。 (1)光通量和光效

有两种方法可以用于光通量的测试,积分球法和变角光度计法。变角光度计法是测试光通量的最精确的方法,但是由于其耗时较长,所以一般采用积分球法测试光通量。如图2所示,现有的积分球法测LED光通量中有两种测试结构,一种是将被测LED放置在球心,另外一种是放在球壁。 图2 积分球法测LED光通量 此外,由于积分球法测试光通量时光源对光的自吸收会对测试结果造成影响,因此,往往引入辅助灯,如图3所示。 图3 辅助灯法消除自吸收影响 在测得光通量之后,配合电参数测试仪可以测得LED的发光效率。而辐射通量和辐射效率的测试方法类似于光通量和发光效率的测试。 (2)光强和光强分布特性 图4 LED光强测试中的问题 如图4所示,点光源光强在空间各方向均匀分布,在不同距离处用不同接收孔径的探测器接收得到的测试结果都不会改变,但是LED由于其光强分布的不一致使得测试结果随测试距离和探测器孔径变化。因此,CIE-127提出了两种推荐测试条件使得各LED在同一条件下进行光强测试与评价,目前CIE-127条件已经被各LED制造商和检测机构引用。 图5 CIE-127推荐LED光强测试条件(3)光谱参数 LED的光谱特性参数主要包括峰值发射波长、光谱辐射带宽和光谱功率分布等。单色LED的光谱为单一波峰,特性以峰值波长和带宽表示,而白光LED的光谱由多种单色光谱合成。所有LED的光谱特性都可由光谱功率分布表示,而由LED的光谱功率分布还可计算得到色度参数。 光谱功率分布的测试需要通过分光进行,将各色光从混合的光中区分出来进行测定,一般可以采用棱镜和光栅实现分光测定。 图6 白光LED光谱功率分布

蔡司光电二极管阵列光谱仪模块(diodearrayspectromete

蔡司光电二极管阵列光谱仪模块(diode array spectrometer module) 发展外况 由于光学技术、材料技术、电子技术、计算机技术的迅速发展,蔡司于十年已开始光电二极管阵列光谱仪模块的生产及应用推广。现今这类产品已成为测量和分析的基本单元。只要在进行系统设计的基础上,配以相应的辅助部件、电路、计算机、软件等,能够研制出满足各种需求的精密仪器设备。 以光電二极管阵列光谱仪模块为核心的设备能够测量的参数:发光辐射度、荧光发射度、波长测量、颜色测量、膜层厚度测量、温度测量、浓度测量、气体成分测量等;能够测量的光谱达到的范围:紫外、可见、近红外和红外波段;能够测量的对象:激光、照明光源、发光管、液体、织物、宝石等;模块广泛应用于环境监测、工业分析、缺陷检测、化学分析、食品品质检测、材料分析、医学诊断、临床检验、航空航天、遥感等领域。 模块结构 光電二极管阵列光谱仪模块,具有一个设计极佳的结构组成,主体机壳全封闭式的将传送光的光纤(OPTICAL FIBRE)、光纤截面转换器(CROSS SECTION CONVERTER)、凹面成像光栅(CONCAVE GRATING)、二极管阵列紧凑(DIODE ARRAY)、永久的粘在一起,并有相应的电路(CIRCUIT BOARD),构成尽可能小的单元模块。两种模块形式如图1、图2所示。 模块的集成和微型是随着光纤技术、光栅技术、二极管阵列检测技术、电子元器件技术、材料技术的进步和发展而来,更多地成为现场检测和实时监控仪器的首选单元。 图1 光電二极管阵列光谱仪模块(微型,内置控制电路和前置放大器)

图2 光电二极管阵列光谱仪模块(分辨率高,外置控制电路和前置放大器) 产品特点 1.工艺先进:紧凑的机械结构;全封闭;光学部件永久定位;没有机械调整;具有对机 械冲击高度的非敏感性;从而导致非常高的可靠性。 2.仅需要成像光栅,省掉了常规光谱仪中的透镜、凹面镜、平面镜等多个部件。 3.体积小;结构完全免维护;不需重新校正;结实耐用;热稳定性好。 4.可以选择较宽的动态范围和波长范围。 5.高感旋光性;高光谱分辨率;高灵敏度;高效率。 6.良好的波长重复性和波长准确性,结果完全可信。 7.用于各种测量目的,同时多波长测量;完整的多成分分析;测量简单可靠。 8.技术先进:能够连续、稳定、快速的采集光谱数据;测量速度之快,可以用于在线 分析。 单元模块 单元模块的大小是由光纤狭缝、成像光栅、检测器件等部件尺寸决定的。参见图1、图2。从物理光学的角度看,部件尺寸仅由所需要的分辨率决定。由于在许多应用中只需很高的重现性,因此在满足一定分辨率的情况下,采用尽量小的部件。 光电二极管阵列光谱仪模块系列的设计理念是:在硬件上尽量简化光、机结构设计,在尽量减少部件数量的同时,不同型号的模块中尽量使用相同部件。 模块主体 在光电二极管阵列光谱仪模块内部,主体是由UBK7玻璃制成,成像光栅直接贴在玻璃体上,这样光栅是完全固定的,能够理想地防止灰尘和气体的侵蚀。使用高光学密度的材料以及更大的光学孔径,可以使用很小的光栅,从而达到更小的失真。 为了达到更好的传输效果,对于紫外波段的模块,固体玻璃主体被换为中空主体并与

万用表检测发光二极管的方法

万用表检测发光二极管的方法 1.用万用表检测普通发光二极管 A.用指针式万用表R×10k档,测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为几十至200kΩ,反向电阻值为∞(无穷大)。在测量正向电阻值时,较高灵敏度的发光二极管,管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值,则会发现其正、反向电阻值均接近∞(无穷大),这是因为发光二极管的正向压降约在2V左右(部分发光二极管压降在3V左右,如白色发光二极管等),而万用表R×1k档内电池的电压值为1.5V,故不能使发光二极管正向导通。 B、用指针式万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电(黑表笔接电容器正极,红表笔接电容器负极),再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极,若发光二极管有很亮的闪光,则说明该发光二极管完好。 C、用3V直流电源,在电源的正极串接1只47Ω电阻后接发光二极管的正极,将电源的负极接发光二极管的负极,正常的发光二极管应发光。或将1节1.5V 电池串接在万用表的黑表笔(将万用表置于R×10或R×100档,黑表笔接电池负极,等于与表内的1.5V电池串联),将电池的正极接发光二极管的正极,红表笔接发光二极管的负极,正常的发光二极管应发光。 D、如果有两块指针万用表(最好同型号)。用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。余下的“-”笔接被测发光管的正极(P区),余下的“+”笔接被测发光管的负极(N区)。两块万用表均置×1 0Ω挡。正常情况下,接通后发光二极管就能正常发光。若亮度很低,甚至不发光,可将两块万用表均拨至×1Ω若,若仍很暗,甚至不发光,则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意,不能一开始测量就将两块万用表置于×1Ω,以免电流过大,损坏发光二极管。 2、万用表检测红外发光二极管 红外发光二极管的正向压降一般为1.3~2.5V,可用指针式万用表R×10k档测量红外发光管的正、反向电阻。正常时,正向电阻值约为15~40kΩ(此值越小越好);反向电阻大于500kΩ。若测得正、反向电阻值均接近零,则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大,则说明该

二极管封装大全

二极管封装大全 篇一:贴片二极管型号、参数 贴片二极管型号.参数查询 1、肖特基二极管SMA(DO214AC) 2010-2-2 16:39:35 标准封装: SMA 2010 SMB 2114 SMC 3220 SOD123 1206 SOD323 0805 SOD523 0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206 篇二:常见贴片二极管三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 二极管: 名称尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称 SMC SMB SMA SOD-106 SC-77A SC-76/SC-90A SC-79 三极管: LDPAK

DPAK SC-63 SOT-223 SC-73 TO-243/SC-62/UPAK/MPT3 SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3 SOT-323 SC-70/CMPAK/UMT3 SOT-523 SC-75A/EMT3 SOT-623 SC-89/MFPAK SOT-723 SOT-923 VMT3 篇三:常用二极管的识别及ic封装技术 常用晶体二极管的识别 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长

二级管在光伏阵列中的作用及原理分析

本设计主要阐述了分析二极管在光伏阵列的作用。根据太阳电池的仿真模型,建立光伏阵列的仿真模型,分析计算二极管在阵列中的作用。得出二极管在光伏阵列中的作用是:1防夜间蓄电池给太阳能组件反充,2防蓄电池反接负载。 关键字二极管光伏矩阵太阳能组件防反冲反接负载

摘要 (2) 绪言 (4) 一.光伏阵列 (5) 1.1二极管阵列检测器 (5) 1.2二级管阵列检测器的工作原理 (6) 1.3二级管阵列检测器优缺点 (6) 二.光伏阵列中二极管的种类及作用 (6) 三.光伏阵列中二极管作用及原理分析 (8) 四.光伏阵列在未来的发展 (9) 参考文献10

随着全球气候变暖、污染问题日益严重,从传统能源向可再生能源的转变势在必行。太阳能光伏技术(Photovoltaic)是将太阳能转化为电力的技术,其核心是可释放电子的半导体物质。最常用的半导体材料是硅。地壳硅储量丰富,可以说是取之不尽、用之不竭。太阳能光伏电池有两层半导体,一层为正极,一层为负极。阳光照射在半导体上时,两极交界处产生电流。阳光强度越大,电流就越强。太阳能光伏系统不仅只在强烈阳光下运作,在阴天也能发电。其优点有:燃料免费、没有会磨损、毁坏或需替换的活动部件、保持系统运转仅需很少的维护、系统为组件,可在任何地方快速安装、无噪声、无有害排放和污染气体等。其中太阳能作为可再生能源的重要部分,最近几年已经得到了很广泛的应用,如何提高太阳能的利用效率成为研究热点之一。本文首先从晶体硅太阳电池的等效电路图入手,根据电路分析的知识求解出等效电路伏安特性的数学表达式,建立光伏组件和阵列仿真模型,分析二极管在太阳电池、组件及阵列中的作用,及其导通电压的大小对光伏应用效果的影响,其分析结果具有较好的实践价值。

新手必知:发光二极管的五种主流封装

新手必知:发光二极管的五种主流封装 在现代化的绿色照明中,发光二极管已经成为照明设备不可或缺的组成部分。由此可见发光二极管的重要性。但是往往发光二极管的封装方式成为决定LED 照明质量和效率的决定性因素,这也要求设计者们对封装方式和设计加以重视。在智能照明设计过程中LED 芯片的封装形式有很多,针对不同使用要 求和不同的光电特性要求,有各种不同的封装形式,归纳起来有如下几种常见的形式。软封装 芯片直接粘结在特定的PCB 印制板上,通过焊接线连接成特定的字符或陈列形式,并将LED 芯片和焊线用透明树脂保护,组装在特定的外壳中。这种钦 封装常用于数码显示、字符显示或点陈显示的产品中。引脚式封装图1 常见的有将LED 芯片固定在2000 系列引线框架上,焊好电极引线后,用环氧树脂包封成一定的透明形状,成为单个LED 器件。这种引脚或封装按外型尺寸的不同可以分成φ3、φ5 直径的封装。这类封装的特点是控制芯片到出光面的距离,可以获得各种不同的出光角度: 15°、30°、45°、60°、90°、120°等,也可以获得侧发光的要求,比较易于自动化生产。贴片封装将LED 芯片粘结在微小型的 引线框架上,焊好电极引线后,经注塑成型,出光面一般用环氧树脂包封。双列直插式封装用类似IC 封装的铜质引线框架固定芯片,并焊接电极引线后用 透明环氧包封,常见的有各种不同底腔的食人鱼式封装和超级食人鱼式封装,这种封装芯片热散失较好,热阻低,LED 的输入功率可达0.1W~0.5W 大于引脚式器件,但成本较高。功率型封装功率LED 的封装形式也很多,它的特点 是粘结芯片的底腔较大,且具有镜面反射能力,导热系数要高,并且有足够低的热阻,以使芯片中的热量被快速地引到器件外,使芯片与环境温度保持较低

万用表测试二极管的方法

测试二极管的方法 二极管参数的测试可用晶体管图示仪QT-2,或其它仪器进行测试。 在没有仪器的情况下也可用万用表来简单检查二极管的好坏,但这种检测方法不能测量二极管的参数。 初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1k档位(注意不要使用RX1档,以免电流过大烧坏二极管),再将红、黑两根表笔短路,进行欧姆调零。 1、正向特性测试 把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极,,红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间,这时的阻值就是二极管的正向电阻,一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值,说明管芯短路损坏,若正向电阻接近无穷大值,说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 2、反向特性测试 把万用表的红表笔搭触二极管的正极,黑表笔搭触二极管的负极,若表针指在无穷大值或接近无穷大值,管子就是合格的。

(一)普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二 1.极性的判别将万用表置于 R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极 管的两个电极,测出一个结果后,对调两表 笔,再测出一个结果。两次测量的结果中, 有一次测量出的阻值较大(为反向电阻), 一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在 阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极 管的正极,红表笔接的是二极管的负极。 2.单向导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300 kΩ左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。 (二)稳压二极管的检测 1.正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。 若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大,则说明该二极管已击穿或开路损坏。 2.稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源,对于13V以下的稳压

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印

二极管是电子电路中常用的元件之一,其在电子电路中可以作为整流、检波、钳位保护等用途。本文介绍一下电子爱好者搞电子制作时经常用到的一些二极管的主要电参数及封装丝印。 1、常用的整流二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N4001整流二极管 1N4001整流二极管是1N40xx系列中常用的管子,其耐压值为50V,整流电流为1A,在一些低压稳压电源中很常见。对于直插的1N4001二极管,带有白色色环的那一端为负极(其它型号的直插二极管亦然)。贴片封装的1N4001的丝印为M1,其参数与直插的1N4001的参数一样。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片1N4001二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N4007整流二极管 1N4007二极管可以说是1N40xx系列中最常用的二极管,该管耐压值为1000V,整流电流为1A,其广泛用于电子镇流器、LED驱动器中作为低频高压整流。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 贴片1N4007二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5408整流二极管

1N40xx系列二极管的整流电流为1A,若需要大电流整流,可以选用整流电流为3A的1N54xx 的整流二极管。其中1N5408是该系列中最常用的二极管。该管的耐压值可达1000V。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 6A10整流二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 10A10整流二极管 若需要更大电流的整流二极管,可以选用6A10及10A10,它们的耐压值皆为1000V,整流电流分别为6A和10A。 2、常用的肖特基二极管 肖特基二极管高频性能良好,正向压降小,多用于开关电源及逆变器中作高频整流。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5819肖特基二极管 1N5819肖特基二极管高频性能良好,正向压降低(在左右),在一些输出电流1A以下的锂电池充电器中很常见。1N5819的耐压值为40V,整流电流为1A。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片封装的1N5819肖特基二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N5822肖特基二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片封装的1N5822肖特基二极管

发光二极管测试方法(精)

https://www.360docs.net/doc/b2257615.html, 电子发烧友 https://www.360docs.net/doc/b2257615.html, 电子技术论坛 发光二极管测试方法 摘要 系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求。 1 前言 半导体发光二极管是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员 会)TC2-34小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997文件. 中国光学光电子行业协会光电器件专业分会根据国内及行业内部的实际情况,初步制定了行业标准"发光二极管测试方法",2002年起在行业内部试行.本文叙述了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求,以期收到抛砖引玉之效果. 本文涉及的测试方法适用于紫外/可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测试可以参照进行。 2 术语和定义 2.1发光二极管 LED 除半导体激光器外,当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲,术语LED应该仅应用于发射可见光的二极管;发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管(IRED,Infrared Emitting Diode);发射峰值波长在可见光短波限附近,由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管;但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。 2.2光轴 Optical axis 最大发光(或辐射)强度方向中心线。 2.3正向电压VF Forward voltage 通过发光二极管的正向电流为确定值时,在两极间产生的电压降。 2.4反向电流IR Reverse current 加在发光二极管两端的反向电压为确定值时,流过发光二极管的电流。 2.5反向电压VR Reverse voltage 被测LED器件通过的反向电流为确定值时,在两极间所产生的电压降。 2.6总电容C Capacitance 在规定正向偏压和规定频率下,发光二极管两端的电容。 2.7开关时间 Switching time 涉及以下概念的最低和最高规定值是10%和90%,除非特别注明。 2.7.1开启延迟时间td(on) Turn-on delay time

二极管的检测方法与经验

二极管的检测方法与经验 四、二极管的检测方法与经验 检测小功率晶体二极管 判别正、负电极 观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。 观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。 (c)以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。 检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。另外,也可以用万用表R×1k 挡进行测试,一般正向电阻小于的多为高频管。 检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 检测玻封硅高速开关二极管 检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是,这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为~,反向电阻值为无穷大。 检测快恢复、超快恢复二极管 用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为左右,反向电阻为无穷大;再用R×1挡复测一次,一般正向电阻为几,反向电阻仍为无穷大。 检测双向触发二极管 将万用表置于R×1k挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。 瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测 用万用表R×1k挡测量管子的好坏 对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。 对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否则,说明管子性能不良或已经损坏。 高频变阻二极管的检测 识别正、负极 高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环的一端为正极。 测量正、反向电阻来判断其好坏 具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同,当使用500型万用表R×1k挡测量时,正常的高频变阻二极管的正向电阻为~,反向电阻为无穷大。 变容二极管的检测 将万用表置于R×10k挡,无论红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障,用万用表是无法检测判别的。必要时,可用替换法进行检查判断。 单色发光二极管的检测

常见二极管封装

二极管常用封装 (2013.9.22 Wu Edited.) 目录 一、常用二极管封装概述 (3) 二、常用二极管封装尺寸 (5) 1、表面安装模压型 (5) 1.1、SOD-723 (5) 1.2、SOD-523 (6) 1.3、SOD-323 (7) 1.4、SOD-123 (8) 1.5、DO-213AA (LL-34,Mini-Melf) (9) 1.6、SOD-106 (12) 1.7、DO-214AC(SMA) ........................................................................ 错误!未定义书签。 1.8、DO-213AB(Melf) (13) 1.9、SMAJ (17) 1.10、DO-214AA(SMB) (18) 1.11、DO-214AB(SMC) (20) 2、管脚式 (21) 2.1、DO-34 (21) 2.2、DO-35 (22) 2.3、DO-41Mini (23) 2.4、A-405 (24) 2.5、DO-15 (25) 2.6、DO-27 (26) 2.7、DO-204AR (27) 2.8、DO-41 (28) 2.9、R-1 (29) 2.10、R-3 (30)

2.11、R-6 (31) 3、直插式 (32) 3.1、TO-220AC (32)

一、常用二极管封装概述 1、表面安装模压型 英制公制封装系列封装管脚数0402 1006 VMD2 2 1406 SOD-723 2 0603 1608 EMD2 SOD-523 2 0603 1608 EMD3 SOT-416 3 0603 1608 EMD4 4 0805 2012 UMD2 SOD-323 2 0805 2012 UMD3 SOT-323 3 0805 2012 UMD4 SOT-343 4 0805 2012 UMD5 SOT-353 5 0805 2012 UMD6 SOT-363 6 2913 SSD3 SOT-23 3 2916 SMD3 SOT-346 3 2916 SMD4 SC-61A 4 2916 SMD5 SC-74A 5 2916 SMD6 SOT-457 6 1206 3216 PMPU SOD-123 2 3516 Mini-Melf DO-213AA(LL-34) 2 4526 PMDS SOD-106 2 2010 5025 SMA DO-214AC 2 2010 5025 Melf DO-213AB 2 5426 DO-214 2 5626 SMAJ 2 2114 5436 SMB DO-214AA 2 3220 8250 SMC DO-214AB 2 2、管脚式 英制公制封装系列封装管脚数2718 MSD DO-34 2 3718 GSD DO-35 2 3025 MSR DO-41Mini 2 5025 A-405 2 6333 DO-15 2 8952 DO-27 2 9363 DO-204AR 2 5126 DO-41 2 3025 R-1 2 3939 R-3 2 8988 R-6 2

LED发光二极管检测方法

1.发光二极管的特点 发光二极管LED(Light-Emitting Diode)是能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件。其主要特点是: (1)在低电压(~)、小电流(5~30mA)的条件下工作,即可获得足够高的亮度。 (2)发光响应速度快(10-7~10-9 s),高频特性好,能显示脉冲信息。 (3)单色性好,常见颜色有红、绿、黄、橙等。 (4)体积小。发光面形状分圆形、长方形、异形(三角形等)。其中圆形管子的外径有φ1、φ2、φ3、φ4、φ5、φ8、φ10、φ12、φ15、φ20(mm)等规格,直径1 mm的属于超微型LED。 (5)防震动及抗冲击穿性能好,功耗低,寿命长。由于LED的PN结工作在正向导通状态,本射功耗低,只要加必要的限流措施,即可长期使用,寿命在10万小时以上,甚至可达100万小时。 (6)使用灵活,根据需要可制成数码管、字符管、电平显示器、点阵显示器、固体发光板、LED平极型电视屏等。 (7)容易与数字集成电路匹配。 2.发光二极管的原理 发光二极管内部是具有发光特性的PN结。当PN结导通时,依靠少数载流子的注入以及随后的复合而辐射发光。普通发光二极管的外形、符号及伏安特性如图1所示。LED正向伏安特性曲线比较陡,在正向导通之前几乎有电流。当电压超过开启电压时,电流就急剧上升。因此,LED属于电流控制型半导体器件,其发光亮度L(单位cd/m2,读作坎[德拉]每平方米)与正向电流IF近似成正双,有公式L =K IFm

式中,K为比例系数,在小电流范围内(IF=1~10mA),m=~。当IF>10mA时,m=1,式()简化成 L =K IF 即亮度与正向电流成正比。以磷砷化镓黄色LED为例,相对发光强度与正向电流的关系如图2所示。LED的正向电压则与正向电流以及管芯的半导体材料有关。使用时应根据所要求的显示亮度来选取合适的IF值(一般选10mA左右,对于高亮度LED可选1~2mA),既保证亮度适中,也不会损坏 LED。若电流过大,就会烧毁LED的PN结。此外,LED的使用寿命将缩短。 由于发光二极管的功耗低、体积小,色彩鲜艳、响应速度快、寿命长,所以常用作收录机、收音机和电子仪器的电平指示器、调谐指示器、电源指示器等。发光二极管在正向导通时有一定稳压作用,还可作直流稳压器中的稳压二极管,提供基准电压,兼作电源指示灯。目前市场上还有一种带反射腔及固定装置的发光二要管(例如BT104-B2、BT102-F),很容易固定在仪器面板上。 LED的输出光谱决定其发光颜色及光辐射纯度,也反映出半导体材料的特性。常见管芯材料有磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAsP)、磷砷化镓(GaAlAs)、砷铝化镓(GaN)氮化镓可发蓝光。 3.使用注意事项 (1)管子极性不得接反,一般讲引线较长的为正极,引线较短的是负极。 (2)使用中各项参数不得超过规定极限值。正向电流IF不允许超过极限工作电流IFM值,并且随着环境温度的升高,必须作降额使用。长期使用温度不宜超过75℃。 (3)焊接时间应尽量短,焊点不能在管脚根部。焊接时应使用镊子夹住管脚根部散热,宜用中性助焊剂(松香)或选用松香焊锡丝。 (4)严禁用有机溶液浸泡或清洗。 (5)LED的驱动电路必须加限流电阻,一般可取一百欧至几百欧,视电源电压而定。

常用电子元器件检测方法与技巧

民常用电子元器件检测方法与技巧元器件的检测是家电维修的一项基本功,如何准确有效地检测元器件的相关参数,判断元器件的是否正常,不是一件千篇一律的事,必须根据不同的元器件采用不同的方法,从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说,熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要,以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验: 1 固定 1 固定电容器的检测 A 检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。B 检测10PF~0 01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。C 对于0 01μF以上的固定电容,可用万用表的 R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 2 电解电容器的检测 A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B 将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。 C 对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是

二极管如何测量_各种二极管测量方法

二极管如何测量_各种二极管测量方法 一.二极管测量方法—普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由 一个pn结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别岀二极管的电极,还可估测 岀二极管是否损坏。 1极性的判别将万用表置于r x 100档或r x 1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测岀一个结果。两次测量的结果中,有一次测量岀的阻值较大(为反向电阻),一次测量岀的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较 小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。 2. 单负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1k 左右,反向电阻值为300左右。硅材料二 极管的电阻值为5k 左右,反向电阻值为无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反 向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。 3. 反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)廿用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将 测试表的“ npn/pnp "选择键设置为npn状态,再将被测二极管的正极接测试表的“c”插孔内,负极倉入测试表的“ e"插孔, || …,_ _____________________________ 一 . 魅后按下“ v (br)”键,测试表帥可指示岀二极管的反向击穿电压值。 也£_兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与 兆欧表的负极椿连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应 由慢仝工加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。 图4?71用兆跌袁和万用衣测 I 二.二极管测量方法—稳压二极管的检测 1?正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体

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