%A4%9A晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种
单晶硅的合成原理
单晶硅的合成原理单晶硅的合成原理可以分为两个主要步骤：硅的提取和硅的晶体生长。
硅的提取:硅是地壳中第二丰富的元素，广泛存在于许多矿石和岩石中。
然而，由于硅的晶体结构特殊，使其不易提取为高纯度的单晶硅。
目前，常用的提取方法是通过高温还原二氧化硅（SiO2）。
1. 准备原料：将含有二氧化硅的矿石或矿石中提取得到的二氧化硅粉末作为原料。
这些原料经过破碎、筛分、洗涤等处理，去除掉杂质。
2. 熔炼过程：将清洁的二氧化硅与还原剂（如木炭或焦炭）混合，放入特殊的电炉中。
通过加热和控制气氛，使木炭或焦炭与二氧化硅发生反应。
在高温下，还原剂与二氧化硅发生反应生成硅，并且挥发的其他杂质会被除去。
3. 净化过程：将得到的硅坯进行净化处理，去除其中的杂质。
常见的净化方法包括熔炼净化、化学净化和气相净化等。
这些净化方法主要通过重力分离、化学反应或高温高压条件下的蒸发和凝结等过程，将杂质与硅分离。
4. 快速凝固：将得到的纯化硅液在低温条件下快速凝固，使硅原子排列成结晶态。
通常使用自动铸铁和坩埚等方法进行快速凝固，以获得较高质量的硅单晶。
硅的晶体生长:通过减少晶体中的缺陷和控制硅原子的排列，可以实现单晶硅的生长。
常用的方法有Czochralski法和区域熔融法。
1. Czochralski法：这是一种常用的单晶硅生长方法。
将熔化的硅注入铂制坩埚中，并通过旋转和下降坩埚的方式，使硅液逐渐凝固并形成单晶。
通过控制坩埚和硅液的温度，结晶速度和加热器的位置，可以获得高纯度和大尺寸的单晶硅。
2. 区域熔融法：区域熔融法是一种通过局部加热和快速冷却的方法来生长单晶硅。
该方法主要包括悬浮区域法、池堆积法和气相传递法等。
悬浮区域法：首先在硅单晶上方放置硅粉末或其他硅材料，在适当的温度下进行加热，使硅材料部分熔化并形成一定的悬浮区域。
然后通过快速降温，使悬浮区域快速凝固并形成单晶。
池堆积法：将硅圆片放置在加热坩埚中，利用坩埚底部加热使硅圆片熔化，然后通过减小加热功率或移动坩埚，使液态硅熔点下降并在不均匀晶化的条件下迅速凝固，从而生长出单晶硅。
《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程+试题库
一、填空题（30分=1分*30）10题/章晶圆制备1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。
2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。
3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。
4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。
5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。
6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。
7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。
影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。
8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。
9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。
氧化10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。
11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。
12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。
13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。
14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。
15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。
16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。
17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。
单晶硅生长条件(二)
单晶硅生长条件(二)
单晶硅生长条件
概述
•单晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光伏等领域。
•单晶硅生长是指将硅熔体中的硅原子有序排列成一个完整的晶格结构的过程。
生长方法
•Czochralski法：将硅熔体注入高纯度的石英坩埚中，通过转动坩埚和引下棒的运动，形成一个尖锥形的硅熔体。
•遇到硅熔体表面时，将引下棒缓慢向上拉出，使硅熔体逐渐凝固形成单晶硅柱。
生长条件
•温度：单晶硅生长需要在高温环境中进行，一般在1400°C至1500°C之间。
•气氛：通常使用惰性气氛，如氩气或氩气与氩气的混合气体，以避免氧化。
•施加的拉速：拉出速度对单晶硅的质量有重要影响，需要控制在适当范围内。
硅熔体纯度
•单晶硅的纯度要求非常高，通常要达到9N（%）以上。
•硅熔体的纯化主要通过多次熔炼、结晶和过滤等工艺来实现。
结论
•单晶硅生长的条件包括温度、气氛和施加的拉速等。
•硅熔体的纯度对单晶硅的质量起着关键作用。
•单晶硅生长技术的不断改进和创新，为半导体和光伏产业的发展提供了重要支持。
•这些条件的合理控制和优化，对于获得高质量的单晶硅材料至关重要。
长晶炉工作原理
长晶炉工作原理长晶炉是一种用于生产单晶硅棒的设备，它是半导体行业中非常重要的一环。
单晶硅棒是制造集成电路和太阳能电池的关键材料，其质量直接影响到最终产品的性能和成本。
长晶炉的工作原理是通过高温熔炼和凝固过程，将多晶硅材料转化为单晶硅棒。
本文将详细介绍长晶炉的工作原理及其关键步骤。
1. 材料准备长晶炉的工作原理首先需要准备多晶硅材料。
多晶硅是一种晶体结构不规则的硅材料，含有大量的晶界和杂质，不适合直接用于制造集成电路和太阳能电池。
因此，首先需要将多晶硅材料加工成适合长晶炉生产的形状和尺寸。
通常采用切割、打磨等工艺，将多晶硅材料制成柱状坯料，以便后续的熔炼和凝固过程。
2. 熔炼过程长晶炉的熔炼过程是将多晶硅坯料加热至高温，使其熔化成液态硅。
熔炼过程需要在惰性气氛下进行，以防止硅材料与空气中的氧气发生反应。
通常采用石墨坩埚作为熔炼容器，石墨具有良好的耐高温性能和化学稳定性，能够有效地保护硅材料不受氧化。
熔炼过程需要严格控制温度和气氛，以确保硅材料的纯度和均匀性。
3. 凝固过程在熔炼过程中，需要逐渐降低温度，使液态硅逐渐凝固成为单晶硅。
凝固过程需要控制凝固速度和温度梯度，以避免产生晶界和杂质。
通常采用拉棒法进行凝固，即在熔融的硅表面悬挂一根细长的晶种棒，通过缓慢提拉晶种棒，使硅材料逐渐凝固成为单晶硅。
在凝固过程中，需要通过加热器和冷却器来控制温度梯度，以确保单晶硅的质量和晶格结构。
4. 晶棒拉出当硅材料完全凝固后，即可通过拉出机构将单晶硅棒从炉内取出。
拉出过程需要精确控制拉速和拉力，以避免产生晶界和晶体缺陷。
同时，还需要对单晶硅棒进行在线监测和质量检验，以确保其符合生产要求。
通过以上步骤，长晶炉可以将多晶硅材料转化为高质量的单晶硅棒。
长晶炉的工作原理是基于熔炼和凝固的物理原理，通过精密的温度控制和气氛控制，实现硅材料的晶格重组，从而获得单晶硅棒。
长晶炉在半导体和光伏产业中具有重要的应用价值，是现代工业生产中不可或缺的关键设备。
单晶硅的制备
把高纯度晶硅原料放入高纯石英坩埚中，然后把硅料熔 化为液体硅，然后人为地用一根籽晶（单晶）进行引晶， 并通过控制温度和生长速度的方法人为的控制单晶棒直
径，来达到我们所需要的单晶棒。
生长单晶的条件比较严格，要在保护气体（一般是氩气） 下进行，对真空度有严格要求，单晶炉如果漏水或漏气 也会对拉晶造成非常严重的影响，另外拉单晶这对单晶 炉的机械性能及操作人员的技术能力有很高的要求。
引晶：引晶是整个拉晶的基础，能不能引出高质量 的单晶是能不能拉出高质量单晶的关键。引晶最关 键的是要如何找出引晶的温度并预判温度的大致变 化，学会根据引晶情况来调节温度对单晶生产来说 是至关重要的。 放肩：放肩是引晶和等径之间的一个步骤，其目的 是为了使晶体在直径上最大，达到我们的要求直径， 生产出合格的晶体。放肩通常是通过降低熔硅温度 和降低生长速度来实现的。在放肩过程中，切记不 要频繁地调节温度，以免造成液面温度的剧烈变化 而坏苞，最好在引晶过程完成后根据炉内的温度情 况一次性降温。
转肩：转肩的过程与放肩的过程有点相反，它是晶体直 径达到一定要求后，通过人为地提升拉速和升温来限制 晶体直径的继续长大，达到我们所要求的直径。转肩的 关键是转肩技术提升多少速度？升多少温度？直径如何 恰到好处？都是比较关键的技术。 等径：等径是拉晶的一部分，我们是拉晶的主体，我们 所做的一切工作都是为了拉出符合直径要求的晶棒，也 就是等径部分才是我们的主要产品。在等径过程中，要 时刻观察炉内直径的变化情况和晶体的生长情况，以免 意外发生。在等径过程中，最常发生的事故是直径失控 和温度突变，最常见的是掉苞。如果发生掉苞，要根据 实际情况处理。如果已拉出的晶棒已经很长，可以有一 定的产量产出，就要视情况把晶棒取出，余料再拉一根 单晶。如果坏苞时已拉出的晶体很小或根本不能出产量， 就回熔。总之掉苞的情况各种各样、问题不一，处理办 法也不是千篇一律。
CZ硅晶生长理论
CZ硅晶生长理论.tx t爱一个人很难，恨一个人更难，又爱又恨的人最难。
爱情永远不可能是天平，想在爱情里幸福就要舍得伤心！有些烦恼是我们凭空虚构的，而我们却把它当成真实去承受。
一. CZ法晶体生长设计CZ生长炉的组成元件可以分成4部分：（1）炉体：包括石英锅，石墨三瓣锅，加热器，绝热元件，炉壁。
（2）晶棒及坩锅拉升上抬旋转机械：包括籽晶卡头，钢吊绳，拉升上抬旋转元件。
（3）气体压力控制：包括气体流量控制，真空系统，压力控制阀。
（4）控制系统：包括侦测感应器，电脑控制。
但是按照我们通熟的讲法可以认为是：（1）炉体：包括控制晶体升降旋转的电机（限位，用于控制晶体升降的极限位置），副炉室（钢吊绳，重锤），隔离板，主炉室（倒流桶，大盖板，上保温罩，主保温罩，加热器，三瓣锅，托盘，托杆，六角外螺纹石墨螺丝，内螺纹石墨螺丝，石英罩，电极，底盘），传动机械（底盘下面的）。
（2）电柜（加热，真空，球阀，温控仪，计算机，计算机风扇，真空计开关，触摸屏，液压传动开关以及各种电器电子元件）。
（3）电控机（楼下的）单晶硅的密度固态密度 2.33克/c m3 液态密度2.5克/c m3 凝固结晶的驱动力在溶液长晶过程里，随着溶液温度的下降，将产生由液态转换成固态的相变化。
为什么温度下降，会导致相变化的产生？这个问题一般我们可以用热力学的观点来解释。
对于发生在等温等压的相变化，不同相之间的相对稳定性可由自由能（G）来决定。
G = H－T×SG：自由能H：焓T：绝对温度S：乱度一个平衡系统将具有最低自由能,假如一个系统的自由能△G高于最低值,它将设法降低△G以达到平衡状态。
单晶硅的原材料
单晶硅的原材料
单晶硅，也称为硅单晶，是在高温高压条件下从硅熔体中生长而成的一种单晶体。
因其具有优异的电学、光学、热学和机械性能，被广泛应用于半导体制造、太阳能电池等领域。
那么单晶硅的原材料是什么呢？
单晶硅的原材料主要是硅石，也称为石英砂。
硅石是一种自然矿物，主要成分是SiO2。
硅石通常采自河流、海岸线、沙漠等自然界的地质环境，也可以人工合成。
在工业上，硅石经过研磨、破碎等工艺处理后，可以被用于制备单晶硅。
制备单晶硅主要有两种方法：Czochralski法和区熔法。
Czochralski法是一种常用的单晶硅生长技术，它利用一根可控的晶体电炉将纯化后的硅材料熔化，然后通过降温过程控制晶体的生长。
具体过程是将硅材料加热至高温，然后将石英的单晶体放入熔池中。
此时，石英单晶体露出的一小部分在硅熔池表面形成液滴，在晶体电炉的控制下，这个液滴逐渐被提起并拉伸成为一条细丝。
同时，晶体电炉的拉制速度和降温速度都会慢慢降低，直到硅晶体在炉子里完全形成，然后继续升温烘烤，晶体内的杂质将被剔除出炉子，这样得到的晶体就是纯的单晶硅。
这个过程需要高温、高纯度的工具和耐心，技术要求非常高。
区熔法和Czochralski法类似，但它采用的是纯化后的硅在高温下在另一个硅材料上形成固态熔池，再逐步降温形成单晶。
这种方法主要适用于生长大尺寸的单晶硅。
总之，生产单晶硅的原材料要求很高，需要使用纯度很高的硅材料，并采用高温高压的技术来制备。
作为一种重要的半导体材料，它具有广泛的应用前景，在军事、通信、航天、电子、新能源等领域都有广泛应用。
单晶硅和多晶硅的制备方法
单晶硅和多晶硅的制备方法单晶硅和多晶硅是制备半导体材料中常用的两种形式。
本文将分别介绍单晶硅和多晶硅的制备方法。
一、单晶硅的制备方法单晶硅是指硅材料中晶体结构完全一致的晶格。
单晶硅的制备方法主要包括Czochralski法和浮区法。
1. Czochralski法（CZ法）Czochralski法是单晶硅制备中最常用的方法之一。
其基本步骤如下：（1）准备单晶硅种子：将高纯度硅材料熔化，然后用特殊方式拉制成细长的单晶硅棒，作为种子晶体。
（2）准备熔融硅熔液：将高纯度硅材料加入石英坩埚中，加热至高温使其熔化。
（3）拉晶：将单晶硅种子缓缓浸入熔融硅熔液中并旋转，使其逐渐生长成大尺寸的单晶硅棒。
（4）降温：控制冷却速度，使单晶硅棒逐渐冷却并形成完整的单晶结构。
2. 浮区法（FZ法）浮区法也是一种制备单晶硅的方法，其基本步骤如下：（1）准备硅棒：将高纯度硅材料熔化，然后将其注入特殊形状的石英坩埚中，形成硅棒。
（2）形成浮区：在石英坩埚中施加电磁感应加热，使硅棒的一部分熔化，然后控制温度和电磁场的变化，使熔化硅在硅棒上形成浮区。
（3）拉晶：通过控制石英坩埚的运动，逐渐拉长浮区，使其逐渐变窄，最终形成单晶硅棒。
（4）切割和清洗：将形成的单晶硅棒切割成晶圆，并进行清洗和表面处理，以便后续的半导体工艺加工。
二、多晶硅的制备方法多晶硅是指硅材料中晶体结构不完全一致，由多个晶粒组成的材料。
多晶硅的制备方法主要包括气相沉积法和溶液法。
1. 气相沉积法（CVD法）气相沉积法是制备多晶硅的常用方法之一。
其基本步骤如下：（1）准备反应物气体：将硅源气体、载气体和掺杂气体按照一定比例混合。
（2）反应室反应：将混合气体引入反应室中，在一定的温度和压力下，反应气体在衬底表面沉积形成多晶硅薄膜。
（3）后处理：对沉积得到的多晶硅薄膜进行退火、清洗等后处理步骤，以提高薄膜的质量和电学性能。
2. 溶液法（溶胶-凝胶法）溶液法是另一种制备多晶硅的方法，其基本步骤如下：（1）溶胶制备：将硅源、溶剂和催化剂混合，形成均匀的溶胶。
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多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：
CZ（Czochralski）法
FZ（Float-Zone Technique）法
目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由
浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长
出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主
要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大
尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法
CZ法主要设备：CZ生长炉
CZ法生长炉的组成元件可分成四部分
（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁
（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件
（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀
（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统
加工工艺：
加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长
（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂
质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使
之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多
晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体
场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长
是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长
轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大
小。
（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在
正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。
（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶
棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一
尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取
出，即完成一次生长周期。
单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片
加工流程：
单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片
倒角→研磨 腐蚀--抛光→清洗→包装
切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设
备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
切断的设备：内园切割机或外园切割机
切断用主要进口材料：刀片
外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格
大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。
外径滚磨的设备：磨床
平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。
处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。
切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
切片的设备：内园切割机或线切割机
倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊
晶层及光阻层的平坦度。
倒角的主要设备：倒角机
研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、
平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
研磨的设备：研磨机（双面研磨）
主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。
腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学
腐蚀去除。
腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），
及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。
（B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。
抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。
抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。
抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；
精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下
主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛
浆和精抛浆。
清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。
清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。
清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。
主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL
（3）损耗产生的原因
A.多晶硅--单晶硅棒
多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成
冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档
次的硅产品，此部分应按边角料征税。
重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻
的N或P型）放入石英坩埚内溶化而成的料。
重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。
损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。
单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。
单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶
片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10％-13％。
例：
4英寸 5英寸
标称直径 100mm 125mm
拉晶直径 106mm 131mm
磨削损耗 12.36% 9.83%
拉制参考损耗 0.7% 0.8%
合计损耗 13.06% 10.63%
此外，由于单晶硅的电阻率范围、电阻率均匀性、杂质种类、缺陷状态等参数在不同客户的
要求下，都会对成品的实收率有影响，即使是同一规格的产品，不同厂家生产该产品的合格
率也会不同。一般来讲，由于晶体质量原因造成的损耗率为7．5％。
从多晶硅--单晶硅棒总损耗率：4英寸约为45．3％
5英寸约为43．8％
B、单晶硅棒--单晶硅抛光片
单晶硅棒加工成单晶硅抛光片过程中损耗主要在切片工序，如采用内园切割机在切割过程中
由于刀片的研磨及切片过程中刀片的摆动造成。此间的损耗约34％-35％。如采用线切割机
则损耗较小。
例：
4英寸 5英寸
切片刀厚 310+25 380+25
硅片厚度 650 750
损耗率 34% 35%
其他工序的净损耗从切片到最终抛光，此间损耗约16.67%-19.23%。
例：
4英寸 5英寸
切片厚度 650 750
抛光厚度 525 625
损耗率 19.23% 16.67%
从单晶硅棒到抛光片的损耗还包括切片过程中的崩边、裂缝，磨片过程中的碎片和缺口，碱
腐蚀过程中的沾污、花斑，抛光等过程中的碎片划伤造成的损耗，具体如下：切片5％、倒
角1％、磨片5％、腐蚀2％、退火2％、抛光5％、清洗2％，此间损耗率约20％
从单晶硅棒--单晶硅抛光片的总损耗率：4英寸约为57．4％
5英寸约为56.7％