第三章光电检测技术常用器件及应用3教材

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光电检测技术与应用

光电检测技术与应用

光电传感器是基于光电效应将光电信号转换为电信号的一种传感器光学系统的基本模型光发射机-> 光学信道一>光接收机光学系统通常分为:主动式,被动式。

主动式:光发射机主要由光源和调制器构成。

被动式:光发射机为被检测物体的热辐射。

光学信道:主要由大气,空间,水下和光纤。

光接收机是用于收集入射的光信号并加以处理,恢复光载波的信息。

光接收机分为:功率(直接)检测器,外差接收机。

光电检测技术特点:1. 高精度:是各种检测技术中精度最高的一种:激光测距法测地球与月亮的距离分辨率达1m2. 高速度:光是各种物质中传播速度最快的。

3. 远距离,程量:光是最便于远距离传播的介质4. 非接触性:光照到被测物体上可以认为是没有测量力,因此无摩擦。

5. 寿命长:光波是永不磨损的。

6. 具有很强的信息处理和运算能力,可将复杂信息并行处理。

光电传感器:1•直射型2反射型3辐射型光电检测的基本方法有:1•直接作用法.2.差动测量法3补偿测量法4•脉冲测量法直接作用法:收被测物理控制的光通量,经光电转换后有检测机构直接得到所求被测物理量。

差动测量法:利用被测量与某一标准量相比较,所得差或数值比克反应被测量的大小。

光电检测技术的发展趋势:1. 发展纳米,亚纳米高精度的光电测量新技术。

2. 发展小型的,快速的微型光,机,电检测系统。

3. 非接触,快速在线测量。

4. 发展闭环控制的光电检测系统。

5. 向微空间或大空间三维技术发展。

6. 向人们无法触及的领域发展。

7. 发展光电跟踪与光电扫描技术。

在物质受到辐射光的照射后,材料的电学性质发生了变化的现象称为光电效应光电效应分为:外光电效应和内光电效应光电导效应是一种内光电效应。

光电导效应也分为本征型和非本征型两类光电导效应是非平衡载流子效应,因此存在一定的|弛豫现象|:光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流需要一定能的时间。

弛豫现象也叫惰性。

光生伏特效应:与光照相联系的是|少数载流子|的行为。

光电子器件_第三章光电阴极与光电倍增管

光电子器件_第三章光电阴极与光电倍增管
第三章 光电阴极与光电倍增管
3.1、光电管及其基本特性
光窗
Uo
(a)结构
(b)测量电路
利用物质在光的照射下发射电子的外光电效应而制 成的光电器件,一般都是真空的或充气的光电器件, 如光电管和光电倍增管。
1. 结构与工作原理
光电管有真空光电管和充气 光电管或称电子光电管和离子光 电管两类。两者结构相似,如图。 它们由一个阴极和一个阳极构成, 并且密封在一只真空玻璃管内。 阴极装在玻璃管内壁上,其上涂 有光电发射材料。阳极通常用金 属丝弯曲成矩形或圆形,置于玻 璃管的中央。
光电 倍增 管的 光照 特性
6、光电倍增管工作原理
UOUT RL A K D D D3 D 4 1 IA 2 R1 R2 R3 R4 R5
光电倍增管及其基本特性
由阴极、次阴极(倍增电极)、阳极组成阴极由半导体光电材料锑铯做成, 次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料形成。次阴极可达30级。通常为 12~14级。 使用时在各个倍增电极上均加上电压,阴极电位最低,以后依次升高, 阳极最高。相邻两个倍增电极之间有电位差,因此存在加速电场。
二、光电倍增管及其基本特性
当入射光很微弱时,普通光电管产生的光电流很小, 只有零点几μA,很不容易探测。这时常用光电倍增管对 电流进行放大,下图为其内部结构示意图。
1. 结构和工作原理
由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三部分组成。光阴极是由半 导体光电材料锑铯做成;次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯 材料而形成的,次阴极多的可达30级;阳极是最后用来收集电子 的,收集到的电子数是阴极 光电阴极 阳极 发射电子数的105~106倍。即 光电倍增管的放大倍数可达 几万倍到几百万倍。光电倍 增管的灵敏度就比普通光电 管高几万倍到几百万倍。因 第一倍增极 第三倍增极 此在很微弱的光照时,它就 能产生很大的光电流。 入射光

光电检测应用中的基础知识

光电检测应用中的基础知识

业,第一是光子产业,第二是信息通信 产业……”。 我国:
政府十分重视光电子技术和产业的发展, 已将它列入国民经济优先发展的领域, 把光电子产业列为国家重点发展计划, 继1986年3月王大恒等四位专家倡导的 “863计划”之后,在此基础上开始了 “973计划”,这两个高科技计划的
重点是光电子产业。据国家统计资料显 示,世纪具有代表意义的主导产业,第 一是光子产业,第二是信息通信产 业……”。
的定义
dS cosd
d 2 LdS cosd
d d d A
d
dS
d
dA r2
rd r sind sindd
r2
d 2 LdS cos sindd
2
d LdS 2 cos sind d
0
0
根据辐出度的定义
LdS
M
d dS
LdS
dS
L
3. 漫反射面 ----把入射光向各个方向
均匀的散射的各种表面
价带 性
本征激发
2)掺5族元素时------N型半导体的能级

处于共价键之外


导带
杂质能级 禁带
价带


被激发至导带


导带

杂质能级

禁带
价带
导带
施主能级 禁带
价带
本征激发+杂质激发
3)掺3族元素时-----P型半导体
低 温 下
B
导带
杂质能级
价带

导带


杂质能级
价带



B
导带
受主能级
价带
杂质激发+本征激发

《 光电检测技术 》教学大纲

《 光电检测技术 》教学大纲

《光电检测技术》教学大纲课程代码:课程中文名:光电检测技术课程英文名:课程类别:专业技术科适用专业:光伏材料应用、光伏发电应用、电子技术等专业课程学时: 48学时课程学分: 3学分一、课程的专业性质、地位和作用(目的)1、性质:必修2、地位:光电检测技术是光学与电子学技术相结合而产生的一门新型检测技术,它是利用电子技术对光学信息进行检测,并进一步传递、存储、控制、计算和显示。

光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法之一。

3、作用:通过本课程的教学,使学生了解和掌握各种光电器件的结构、工作原理、工作过程、工作特性及其基本的应用,培养学生通过了解器件的性能特点来搭建检测系统的能力,培养学生学习的能力和综合运用知识的能力,培养学生理论联系实际的学风和科学态度,提高学生的分析处理实际问题的能力,为以后的工作和学习打下基础。

二、教学内容、学时分配和教学的基本要求第一章光电检测应用中的基础知识6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0 学时1.1 辐射度学和光度学基本概念1.2 半导体基础知识1.3 基本概念1.4 光电探测器的噪声和特性参数重点:辐射度学和光度学基本概念难点:光电探测器的噪声和特性参数教学要求:本章介绍了光电检测应用中的基础知识,要求学生对基本概念有理解,进而掌握光电探测器的噪声及特性参数第二章光电检测中的常用光源3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时2.1 光源的特性参数2.2 热辐射源2.3 气体放电光源2.4 固体发光光源2.5 激光器重点:光源的特性参数难点:气体、固体发光光源和激光器的工作原理教学要求:本章要求学生掌握各种固体发光的工作原理及其应用第三章结型光电器件 6 学时,理论教学6 学时,实践或其他教学0学时3.1 结型光电器件工作原理3.2 硅光电池3.3 硅光电二极管和硅光电三极管3.4 结型光电器件的放大电路3.5 特殊结型光电二极管3.6 结型光电器件的应用举例——光电耦合器件重点:结型光电器件的工作原理;硅光电池的工作原理及特性;硅光电二极管和硅光电三极管的性能比较难点:结型光电器件的放大电路及应用举例——光电耦合器件教学要求:要求学生掌握硅光电池的工作原理;硅光电二极管和硅光电三极管的性能比较及结型光电器件的放大电路及应用——光电耦合器件第四章光电导器件6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时4.1光敏电阻的工作原理4.2 光敏电阻的主要性能参数4.3 光敏电阻的偏置电路和噪声4.4 光敏电阻的特点和应用重点:光敏电阻的工作原理和特性参数难点:光敏电阻的应用教学要求:要求学生掌握光敏电阻的工作原理及性能参数及光敏电阻的应用第五章真空光电器件3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时5.1 光电阴极5.2 光电管与光电倍增管5.3 光电倍增管的主要特性参数5.4 光电倍增管的供电和信号输出电路5.5 微通道板光电倍增管5.6 光电倍增管的应用重点:光电管与光电倍增管的工作原理、特性参数难点:光电倍增管的供电和信号输出电路及应用教学要求:要求学生掌握光电管与光电倍增管的工作原理、特性参数及实际应用第六章真空成像器件3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时6.1像管6.2常见像管6.3摄像管6.4光导靶和存储靶6.5摄像管的特性参数6.6摄像管的发展方向重点:像管与摄像管的工作原理难点:光导靶和存储靶的原理及摄像管的特性参数教学要求:要求学生掌握像管与摄像管的工作原理及特性参数第七章固体成像器6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时7.1 电荷耦合器件7.2 电荷耦合器件的分类7.3 CCD摄像机分类7.4 CCD的特性参数7.5 自扫描光电二极管阵列7.6 固体摄像器件的发展现状和应用重点:电荷耦合器件的工作原理;CCD的特性参数难点:自扫描光电二极管阵列教学要求:要求学生掌握CCD固体成像器件的工作原理第八章红外辐射与红外探测器6学时其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时8.1 红外辐射的基础知识8.2 红外探测器8.3 红外探测器的性能参数及使用中应注意的事项8.4 红外测温8.5 红外成像8.6 红外无损检测8.7 红外探测技术在军事上的应用重点:红外探测器的工作原理、性能参数及使用中应注意的事项难点:红外探测器的具体应用教学要求:要求学生掌握红外辐射的基础知识,并掌握红外探测器的各种具体应用第九章光导纤维与光纤传感器6学时其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时9.1 光导纤维基础知识9.2 光导纤维的应用9.3 光纤传感器的分类及构成9.4 功能型光纤传感器9.5 非功能型光纤传感器重点:光导纤维的基础知识及功能型光纤传感器的工作原理难点:非功能型光纤传感器的工作原理教学要求:要求学生掌握光导纤维的基础知识,并掌握光纤传感器的工作原理第十章太赫兹波的产生与检测3学时其中理论教学 3 学时,实践或其他教学0学时10.1 概述10.2 THz辐射光谱学10.3 THz辐射成像重点:THz辐射成像的原理难点:THz辐射成像的原理教学要求:要求学生掌握THz辐射成像的原理三、各章节教学课时分配表本课程各部分教学内容计划学时数分配如下:四、课程的考核办法和成绩评定:1、考试 2.笔试(闭卷)3.平时成绩比重:平时成绩(包括考勤、作业、答疑、课堂练习、课外实验、等)占30%4.期末成绩比重:卷面考试占70%。

《光电检测技术》课件

《光电检测技术》课件

生物医学
光电检测技术在生物医学领域的 应用包括光谱分析、荧光成像、 激光共聚焦显微镜等,有助于疾 病的诊断和治疗。
工业生产
光电检测技术在工业生产中的应 用包括产品质量检测、生产线自 动化控制等,可以提高生产效率 和产品质量。
光电检测技术的发展趋势
智能化
随着人工智能技术的发展,光电检测技术 将逐渐实现智能化,能够自动识别和分类
目标,提高检测精度和效率。
微型化
随着微纳加工技术的发展,光电检测器件 将逐渐微型化,能够应用于更广泛的领域
,如生物医疗、环境监测等。
高光谱成像
高光谱成像技术能够获取目标的多光谱信 息,有助于更准确地分析物质成分和状态 ,是光电检测技术的重要发展方向。
多模态融合
将多种光电检测技术进行融合,实现多模 态信息获取和分析,能够提高检测的准确 性和可靠性。
利用光电检测技术快速读取条形码的设备
详细描述
光电式条形码阅读器通过发射光源和接收装置,快速扫描条形码并将光信号转 换成电信号,实现快速、准确地读取条形码信息。广泛应用于超市、图书馆、 物流等领域,提高信息录入效率和准确性。
光电式指纹识别系统
总结词
利用光电检测技术进行指纹识别的系统
详细描述
光电式指纹识别系统通过发射光源和图像传感器,获取指纹的反射光信号,再转换成电信号进行处理。系统能够 实现高精度、高速度的指纹识别,广泛应用于身份认证、门禁控制等领域,提高安全到探测器表面时,光子与材料中的电子相 互作用,使电子从束缚状态跃迁到导带,形成光生电压或电流,从而实现对光 信号的探测。
03
常见的光伏探测器有硅、锗等。
光子探测器
光子探测器是利用光子效应制成的探测器,主要应用于紫外、可见和近红外波段的探测。

第三章光电检测技术常用器件及应用1

第三章光电检测技术常用器件及应用1
光电检测器件分为两大类:
– 光子(光电子)检测器件---------光电效应 – 热电检测器件-------光热效应
不同之处:对光信号的响应无波长选择性
第二页,共一百一十六页。
光电检测器件
光子器件
热电器件
真空器件
光电管
光电倍增管 真空摄像管 变像管
像增强管
固体器件
光敏电阻
光电池
光电二极管 光电三极管
1、光电子发射:物体受光照后向外发射电 子.
有光电子从表面 逸出
光电管、光电倍增管
第十页,共一百一十六页。
2、光电导效应:半导体受光照后,内部产
生光生载流子,使半导体中载流子数显著增 加而电阻减少.
光敏电阻
3、光生伏特效应:光照在半导体PN结或
金属—半导体接触面上时,会在PN结或金 属—半导体接触的两侧产生光生电动势。
光电探测器常见的噪声
热噪声 散粒噪声 产生-复合噪声 1/f噪声
第二十二页,共一百一十六页。
1、热噪声
或称约翰逊噪声,即载流子无规则的热运动造成的 噪声。
导体或半导体中每一电子都携带着电子电量作随机 运动(相当于微电脉冲),尽管其平均值为零,但瞬 时电流扰动在导体两端会产生一个均方根电压, 称为热噪声电压。
第十三页,共一百一十六页。
电压响应率
光电探测器件输出电压与入射光功率之比
电流响应率
SV
Vo Pi
光电探测器件输出电流与入射光功率之比
SI

Io Pi
第十四页,共一百一十六页。
响应度是随入射光波长变化而变化的
2.光谱响应度:即单色灵敏度 探测器在波
长为λ的单色光照射下,输出电压或电流与
入射的单色光功率之比.

光电技术 第4-3节 半导体结型光电器件

光电技术 第4-3节 半导体结型光电器件

3、光电导器件的光电效应主要依赖于 非平衡载流子中多数载流子的产生与复合 运动,驰豫时间大,响应速度慢,频率响 应性能较差。而光伏器件主要依赖于结区 非平衡载流子中少数载流子的漂移运动, 驰豫时间短,频率特性好。 4、有些器件如APD(雪崩二极管)、 光电三极管等具有很大的内增益,不仅灵 敏度高,还可以通过较大的电流。 基于上述特点,PV探测器应用非常广 泛,多用于光度测量、光开关、图象识别、 自动控制等方面。
1、光电池的结构特点
光电池核心部分是一个PN结,一般作成 面积大的薄片状,来接收更多的入射光。 在N型硅片上扩散P型杂质(如硼),受 光面是P型层 或在P型硅片上扩散N型杂质(如磷), 受光面是N型层
受光面有二氧化硅抗反射膜,起到增透作 用和保护作用。
上电极做成栅状,便于更多的光入射。 由于光子入射深度有限,为使光照到PN 结上,实际使用的光电池制成薄P型或薄N型。
§3半导体结型光电器件
半导体结型光电器件是利用半导体PN结光生伏特效应来工作的光电探测器, 简称PV(photovoltall)探测器。按照对 光的敏感“结”的种类不同,又可分为 pn结型,PIN型,金属一半导体结型(肖 特基势垒型)和异质结型,最常用的光伏 探测器有光电池、光电二极管、光电三极 管、PIN管,雪崩光电二极管等。
开关测量(开路电压输出)。
线性检测(短路电流输出)
随着负载RL的增大,线性范围将越来越小。 因此,在要求输出电流与光照度成线性关系时, 负载电阻在条件许可的情况下越小越好,并限 制在适当的光照范围内使用。
4、光电池的应用
(1)光电探测器件
利用光电池做探测器有频率响应高,光电
流随光照度线性变化等特点。
一、结型光电器件工作原理
1、平衡下的P-N结 由半导体理论可得: ①势垒高度

光电技术及应用作业指导书

光电技术及应用作业指导书

光电技术及应用作业指导书第一章光电技术基础理论 (2)1.1 光的基本性质 (2)1.2 光电效应 (2)1.3 光电检测技术 (3)第二章光电器件原理与应用 (3)2.1 光电二极管 (3)2.2 光电三极管 (4)2.3 光电探测器 (4)第三章激光技术及其应用 (4)3.1 激光原理 (4)3.2 激光器类型 (5)3.3 激光应用领域 (5)第四章光纤通信技术 (5)4.1 光纤的基本特性 (5)4.2 光纤通信系统 (6)4.3 光纤通信设备 (6)第五章光电显示技术 (7)5.1 液晶显示技术 (7)5.2 发光二极管显示技术 (7)5.3 激光投影技术 (7)第六章光电检测与测量技术 (8)6.1 光电检测原理 (8)6.2 光电测量仪器 (8)6.3 光电测量应用 (9)第七章光电传感器及应用 (9)7.1 光电传感器原理 (9)7.2 光电传感器类型 (9)7.3 光电传感器应用 (10)第八章光电信息处理技术 (10)8.1 光电信息处理原理 (10)8.2 光电信息处理技术 (11)8.3 光电信息处理应用 (11)第九章光电技术在生物医学领域的应用 (11)9.1 光电成像技术 (11)9.2 光电治疗技术 (12)9.3 光电检测技术 (12)第十章光电技术在工业领域的应用 (13)10.1 光电检测与控制 (13)10.1.1 概述 (13)10.1.2 应用原理 (13)10.1.3 应用方法 (13)10.1.4 应用实践 (14)10.2 光电加工技术 (14)10.2.1 概述 (14)10.2.2 应用原理 (14)10.2.3 应用方法 (14)10.2.4 应用实践 (14)10.3 光电自动化设备 (15)10.3.1 概述 (15)10.3.2 应用原理 (15)10.3.3 应用方法 (15)10.3.4 应用实践 (15)第一章光电技术基础理论1.1 光的基本性质光电技术的研究与应用,离不开对光的基本性质的理解。

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为了提高PN结硅光电二极管的时间响应,消除在PN结外 光生载流子的扩散运动时间,常采用在P区与N区之间生成 I型层。
在反向电压作用下, i层的 存在,提高了击穿电压。耗 尽层较无i层时要大得多,从 而使结电容下降,则RC延迟 时间τ RC减小,在ns左右。 提高了dr 响应速度;
由于耗尽层变宽,增加了吸收层厚度,改善了对长 波光的吸收,提高了灵敏度,增大了长波响应率。
高度 测量
三维尺寸 检测
光幕应用(续)
木材外形截面积检测
光幕应用(续)
光幕可 检测出带材 在卷曲过程 中的偏移, 经控制器和 执行机构使 带材向正确 的方向运动 (纠偏)。
纠偏
光幕应用(续)
光幕用于 自动收费系统的
车辆检测
光幕应用(续)
锻压机床的 安全区域设置 及入侵报警
光幕应用(续)
安全区示警
1. 工作原理
光电三极管的工作分为两过程: 一是光电转换;二是光电流放大。
集电极输出的电流为
透明度测量、控制
质量检测
光电开关应用(续)
加工控制
光电开关应用(续)
机械手定位
光电开关应用(续)
商标方向检测
光电断续器的应用(续)
当工件 经过光电断 续器时,接 收器即产生 一个计数脉 冲。
光电传感器的其他用途(续)
电梯自动运行 条件判断
光电计数电路举例
光电三极管
光电三极管与普通半导体三极管一样有两种基本结 构,NPN结构与PNP结构。用N型硅材料为衬底制作的 NPN 结构,称为 3DU型;用P型硅材料为衬底制作的称为PNP 结构,称为3CU型。
光电二极管 根据基底不同可 分为以P型硅为衬 底的2DU型与以N 型硅为衬底的2CU 型两种结构形式。 如图示为2DU型光 电二极管的原理 结构图。
工作在反向电压下
光电二极管的伏安特性
由光电二极 管的全电流 方程可以得 到该图
大反偏压的施加,增加了耗尽层的宽度和结电场,电 子—空穴在耗尽层复合机会少,提高光敏二极管的灵敏度。 增加了耗尽层的宽度,结电容减小,提高器件的频响特性。 但是,为了提高灵敏度及频响特性,却不能无限地加大反 向偏压,因为它还受到PN结反向击穿电压等因素的限制。
两个柱
形结构相对而 立,每隔数十 毫米安装一对 发光二极管和 光敏接收管, 形成光幕,当 有物体遮挡住 光线时,传感 器发出报警信
号。
光幕
接收器
当有物体遮
挡住光线时,传 感器发出报警信 号,起保护、预 警等作用。
光幕应用
光线被遮断(报警)
光幕应用(续)
产品高度测量
光幕应用(续)
长度 测量
宽度 测量
最佳工作区
Hale Waihona Puke 击穿由于材料本身(特别是表面部 分)具有一定的缺陷, 使PN 结的各区域电场分布不均匀, 局部的高电场区首先发生击 穿,使漏电流变大,这相当 于增强了噪声。为避免这一 情况发生,在选择材料和工 艺上应加以注意。
雪崩光敏二极管的工作偏压必须适当。过小 时,增益太小;过大时,噪声大,而且电压过高 可能使管子被击穿烧毁。由于击穿电压会随温度 漂移,必须根据环境温度变化相应调整工作电压。
一些光敏二极管的特性参数
光谱响应
光电二极管的光谱响应定义为以等功率的不同单色辐射波长的光 作用于光电二极管时,其电流灵敏度与波长的关系称为其光谱响应。
典型硅光电二极管光谱响应长波限为1.1μ m左右,短波限 接近0.4μ m,峰值响应波长为0.9μ m左右。
其他类型的光生伏特器件
PIN型光电二极管
初始的载流子在强电场的作用下获得很大的动能,其在高 速运动过程总与晶体的晶格碰撞,产生新的电子空穴对, 称为碰撞电离过程。此过程多次重复。电离产生的载流子 数远大于光激发产生的光生载流子数,形成雪崩倍增效应。
电流倍增系数M定义:M

I I0
I为倍增输出的电流 I0为倍增前输出的电流
雪崩光电二极管的 倍增电流与偏压的关系曲线
定区域反射式光电开关原理
检测距离
检测距离
定区域式光电 开关有一个非常确定 的检测区域,不经过 该区域的被测物体不 会引起光电开关产生 开关信号。
反射型光电开关及反射镜外形
三角反射镜
集发射、接收器 于一身
反射镜反射型光电开关工作 原理 反反射射板镜 发射光
偏振光
被测物体
被测物漫反射型光电开关原理
漫反射型
被检测物体
光电开关集光 发射器和光接
受器于一体。
漫反射光线
当被测物体经 过该光电开关
发射光线
时,发射器发 出的光线经被
测物体表面反
反射光线
射由接受器接
受,于是产生
光发射器 和光接受器
开关信号。
反射型光电开关外形 信号 指示
电源 指示
反射型光电开关外形(续)
灵敏度调节电位器
光电开关应用(续)
Object
被检测物体
遮断式光电开关 由相互分离且相对安 装的光发射器和光接 受器组成。当被检测 物体位于发射器和接 受器之间时,光线被 阻断,接受器接受不 到红外线而产生开关 信号。
光电开关在 流水 线上的应用
定区域式光电开关 罐装高度检测
送储料器仓 咖啡罐
落料口
流水线运行方向
遮断式光电开关 (计数)
光敏二极管典型应用----光电转速计 接收频率 n 60 f m 孔数
光电式转速表
n =60( f /z )
光电式转速表 属于反射式光 电传感器,它 可以在距被测 物数十毫米外 非接触地测量
其转速。
光电开关
遮断型光电开关示意图
遮断报警
遮断式光电开关原理
Re光ce发ive射r 器
光接收器
第三章 光电检测技术常用器件及应用
1、光电器件的类型与特点
主要内容
2、光电检测器件的特性参数
3、光电导器件---光敏电阻
4、光生伏特效应------光电池 、光电二极管、光电三极管等 5、光电发射效应---光电管、光电 倍增管等
6、光热效应----热敏电阻、热电偶
硅光电二极管
硅光电二极管的工作原理
dr
雪崩光电二极管
(APD Avalanche Photodiode )
APD是利用雪崩倍增效应使光生电流达
到很高的数值,电流增益可达106 。
为了实现雪崩过程,基片杂质浓度很高,使之容 易碰撞电离;片子厚度较薄,保证较高的电场强度
市场上的型雪崩光电二极管基本上都是 PIN型雪崩光电二极管。 PIN型光电二极管 在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展 到整个PN结结区,形成自身保护(具有很 强的抗击穿功能)不必设置保护环。
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