第一章半导体器件的基础知识

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半导体基础知识

半导体基础知识
D
G
S 图 P 沟道结型场效应管结构图
S 符号
二、工作原理
N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电
流 ID 的。
耗尽层
D 漏极
*在栅极和源极之间
加反向电压,耗尽层会变
栅极
G
N
P+ 型 P+
沟 道
N
S 源极
宽,导电沟道宽度减小, 使沟道本身的电阻值增大, 漏极电流 ID 减小,反之, 漏极 ID 电流将增加。
e
e
图 三极管中的两个 PN 结
c
三极管内部结构要求:
N
b
PP
NN
1. 发射区高掺杂。
2. 基区做得很薄。通常只有 几微米到几十微米,而且掺杂较 少。
3. 集电结面积大。
e
三极管放大的外部条件:外加电源的极性应使发射 结处于正向偏置状态,而集电结处于反向偏置状态。
三极管中载流子运动过程
c
Rc
IB
I / mA
60
40 死区 20 电压
0 0.4 0.8 U / V
正向特性
2. 反向特性 二极管加反向电压,反 向电流很小; 当电压超过零点几伏后, 反向电流不随电压增加而增
I / mA
–50 –25
0U / V
击穿 – 0.02 电压 U(BR) – 0.04
反向饱 和电流
大,即饱和;
反向特性
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4

半导体的基本知识

半导体的基本知识

第1章 半导体的基本知识1.1 半导体及PN 结半导体器件是20世纪中期开始发展起来的,具有体积小、重量轻、使用寿命长、可靠性高、输入功率小和功率转换效率高等优点,因而在现代电子技术中得到广泛的应用。

半导体器件是构成电子电路的基础。

半导体器件和电阻、电容、电感等器件连接起来,可以组成各种电子电路。

顾名思义,半导体器件都是由半导体材料制成的,就必须对半导体材料的特点有一定的了解。

1.1.1 半导体的基本特性在自然界中存在着许多不同的物质,根据其导电性能的不同大体可分为导体、绝缘体和半导体三大类。

通常将很容易导电、电阻率小于410-Ω•cm 的物质,称为导体,例如铜、铝、银等金属材料;将很难导电、电阻率大于1010Ω•cm 的物质,称为绝缘体,例如塑料、橡胶、陶瓷等材料;将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在410-Ω•cm ~1010Ω•cm 范围内的物质,称为半导体。

常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。

用半导体材料制作电子元器件,不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间,而是由于其导电能力会随着温度的变化、光照或掺入杂质的多少发生显著的变化,这就是半导体不同于导体的特殊性质。

1、热敏性所谓热敏性就是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。

半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。

例如纯净的锗从20℃升高到30℃时,它的电阻率几乎减小为原来的1/2。

而一般的金属导体的电阻率则变化较小,比如铜,当温度同样升高10℃时,它的电阻率几乎不变。

2、光敏性半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性叫做光敏性。

一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的1%。

自动控制中用的光电二极管和光敏电阻,就是利用光敏特性制成的。

而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般没有什么变化。

3、杂敏性所谓杂敏性就是半导体的导电能力因掺入适量杂质而发生很大的变化。

在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之—。

常用半导体器件

常用半导体器件

1.特点:非线性
I
反向击穿 电压U(BR)
反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。
P– + N 反向特性
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿, 失去单向导电性。
正向特性
P+ – N
导通压降
硅0.6~0.8V 锗0.1~0.3V
U
硅管0.5V, 开启电压
锗管0.1V。
外加电压大于开启 电压二极管才能通。
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
P IF
内电场 N
外电场
+–
P接正、N接负
动画
内电场被 削弱,多子 的扩散加强, 形成较大的 扩散电流。
PN 结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较 大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。
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PN 结加反向电压(反向偏置) P接负、N接正
掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。
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一、本征半导体
完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征 半导体。
价电子
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
共价键中的两个电子,称为价电子。
是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压, 一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。

半导体基础知识

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第一章、半导体器件
1、为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差,又将其掺杂,改善导电性能?
制成本征半导体是为了讲自然界中的半导体材料进行提纯,然后人工掺杂,通过控制掺杂的浓度就可以控制半导体的导电性,以达到人们的需求
2、为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素?
导致半导体性能温度稳定性差的主要原因有二:β
(1)禁带宽度与温度有关(一般,随着温度的升高而变窄);(2)少数载流子浓度与温度有关(随着温度的升高而指数式增加)。

多子。

3、为什么半导体器件有最高工作频率?
这是因为半导体器件的主要组成单元是PN结,PN结的显著特征是单向导电性,因为PN结的反向截止区是由耗尽层变宽导致截止,而这个过程是需要一定的时间的,如果频率太高导致时间周期小于截止时间就可能造成PN结失去单向导电性,导致半导体器件不能正常工作,所以半导体器件有最高工作频率的限制。

4、整流,是指将交流电变换为直流电称为AC/DC变换,这正变换的功率流向是由电源传向负载,称之为整流。

5、为什么基极开路集电极回路会有穿透电流?
虽然集电结是反偏的,虽然基极是开路的,但是,晶体管芯,是块半导体材料。

半导体材料,又不是绝缘体,加上电压,就有微弱的电流,这很正常。

从集电区向基区出现的“反向饱和电流Icbo”,在基极没有出路,就流向发射极了。

这一流动,就形成了一个Ib。

这个Ib,就引出了一个贝塔倍的Ic; 这个Ib和Ic之和,就是穿透电流Iceo,等于(1+贝塔)Icbo。

6、
展开。

半导体器件的基础知识

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向电压—V(BR)CBO。 当集电极开路时,发射极与基极之间所能承受的最高反
向电压—V(BR)EBO。
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28
1.2 半导体三极管
③ 集电极最大允许耗散功率 PCM 在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时, 集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许耗散功率。
三极管应工作在三极 管最大损耗曲线图中的安 全工作区。三极管最大损 耗曲线如图所示。
热击穿:若反向电流增大并超过允许值,会使 PN 结烧 坏,称为热击穿。
结电容:PN 结存在着电容,该电容为 PN 结的结电容。
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5
1.1 半导体二极管
1.1.3 半导体二极管
1.半导体二极管的结构和符号 利用 PN 结的单向导电性,可以用来制造一种半导体器 件 —— 半导体二极管。 电路符号如图所示。
将两个 NPN 管接入判断 三极管 C 脚和 E 脚的测试电 路,如图所示,万用表显示阻
值小的管子的 值大。
4.判断三极管 ICEO 的大小 以 NPN 型为例,用万用 表测试 C、E 间的阻值,阻值 越大,表示 ICEO 越小。
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33
1.2 半导体三极管
1.2.6 片状三极管
1.片状三极管的封装 小功率三极管:额定功率在 100 mW ~ 200 mW 的小功率 三极管,一般采用 SOT-23形式封装。如图所示。
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21
1.2 半导体三极管
由图可见: (1)当 V CE ≥ 1 V 时,特性曲线基本重合。 (2)当 VBE 很小时,IB 等于零,三极管处于截止状态。
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22
1.2 半导体三极管
(3)当 VBE 大于门槛电压(硅管约 0.5 V,锗管约 0.2 V) 时,IB 逐渐增大,三极管开始导通。

半导体器件的基础知识

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第一章半导体器件的基础知识一、填空题1、自然界中的物质按着导电能力分为、、三类。

2、半导体的导电能力会随着、、、和的变化而发生变化。

3、半导体材料主要有和两种。

4、半导体中的载流子是和。

5、主要靠导电的半导体称为N型半导体,主要靠导电的半导体称为P型半导体。

6、经过特殊工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面,称为结。

7、PN结的特性是。

8、半导体二极管的符号是。

9、PN结两端外加的反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增大,称为PN 结的。

10、二极管的核心部分是一个,具有特性。

11、半导体二极管又称。

它是由,从P区引出的极和从N区引出的极以及将他们封装起来的组成。

12、由于管芯结构不同,二极管又分为、、。

13、二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定,这两者之间的关系称为二极管的。

用于定量描述这两者关系的曲线称为。

14、当二极管两端所加的正向电压由零开始增大时,开始时,正向电流很小,几乎为零,二极管呈现很大电阻。

通常把这个范围称为,相应的电压称为。

15、硅二极管的死区电压约为;锗二极管的死区电压约为。

16、硅管的导通电压约为,锗管的导通电压约为,17、加在二极管的反向电压不断增大,当达到一定数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为,相应的电压称为。

18、半导体二极管的主要参数有、。

19、半导体三极管的核心是。

20、半导体三极管的两个PN结将半导体基片分成三个区域:、和。

由这三个区引出三个电极为:、和。

分别用字母、和。

其中区相对较薄。

21、半导体三极管中,通常将发射极与基极之间的PN结称为;集电极与基极之间的PN结称为。

22、由于半导体基片材料不同,三极管可分为型和型两大类。

23、半导体三极管常采用、和封装。

24、半导体三极管按功率分有和;按工作频率分有和;按管芯所用半导体材料分有和;按结构工艺分有和;按用途分有和。

第一章 半导体器件知识

第一章《半导体器件的基础知识》一、填空:1、半导体的导电能力随着(掺入杂质)、(光照)、(温度)和(输入电压和电流的改变)条件的不同而发生很大的变化,其中,提高半导体导电能力最有效的办法是(掺入杂质)。

2、(纯净的半导体)叫本征半导体。

3、半导体可分为(P )型半导体和(N )型半导体,前者( 空穴)是多子,(电子)是少子。

4、PN结加(正向电压)时导通,加(反向电压)时截止,这种特性称为(单向导电)性。

5、PN结的反向击穿可分为(电)击穿和(热)击穿,当发生(热)击穿时,反向电压撤除后,PN结不能恢复单向导电性。

6、由于管芯结构的不同,二极管可分为(点)接触型、(面)接触型、(平面)接触型三种,其中(点)接触型的二极管PN结面积(小),适宜半导体在高频检波电路和开关电路,也可以作小电流整流,面接触型和平面型二极管PN结接触面(大),载流量(大),适于在(大电流)电路中使用。

7、二极管的两个主要参数是(最大整流电流)和(最高反向电压)使用时不能超过,否则会损坏二极管。

8、在一定的范围内,反向漏电流与反加的反向电压(无关),但随着温度的上升而(上升),反向饱和电流越大,管子的性能就越(差)。

9、硅二极管的死区电压为(0、5)V,锗二极管的死区电压为(0、2)V。

10、三极管起放大作用的外部条件(发射结正偏)和(集电结反偏)11、晶体三极管具有电流放大作用的实质是利用(基极)电流实现对(集电极)电流的控制。

12、3DG8D表示(NPN型硅材料高频小功率三极管);3AX31E表示(PNP型锗材料低频小功率三极管)。

13、三极管的恒流特性表现在(放大)区,在饱和区,三极管失去(放大)作用,集电结、发射结均(正)偏。

14 集---射击穿电压V(BR)CEO是指(基极开路)时集电极和发射极间所承受的最大反向电压,使用时,集电极电源电压应(>)这个数值。

15三极管的三种基本联结方式可分为(共基极电路),(共集电极电路)和(共发射极电路)。

第1章-半导体器件基础


3. 反向电流 IR
指二极管加反向峰值工作电压时的反向电 流。反向电流大,说明管子的单向导电性 差,因此反向电流越小越好。反向电流受 温度的影响,温度越高反向电流越大。硅 管的反向电流较小,锗管的反向电流要比 硅管大几十到几百倍。
以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是 主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、 保护等等。下面介绍两个交流参数。
多余 电子
磷原子
+4 +4 +5 +4
N 型半导体中 的载流子是什 么?
1、由施主原子提供的电子,浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。
掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。
二、P 型半导体
ui
ui
RL
uo
t
uo t
二极管的应用举例2: ui
ui
R
uR RL
uR
t
uo t
uo
t
1.2.5 稳压二极管
-
曲线越陡, I
电压越稳
定。
+
UZ
稳压
动态电阻: 误差
r U Z
Z
I Z
rz越小,稳 压性能越好。
UZ
IZ
U IZ IZmax
稳压二极管的参数:
(1)稳定电压 UZ
(2)电压温度系数U(%/℃)
基区空穴
向发射区
的扩散可
忽略。
B
进 少入部P分区与R的基B 电区子的
空穴复合,形成
电流IBEE,B 多数
扩散到集电结。
C
N

半导体的基础知识教案

半导体的基础知识教案第一章:半导体概述1.1 半导体的定义与特性解释半导体的概念介绍半导体的物理特性讨论半导体的重要参数1.2 半导体的分类与制备说明半导体材料的分类探讨半导体材料的制备方法分析半导体器件的制备过程第二章:PN结与二极管2.1 PN结的形成与特性解释PN结的概念与形成过程探讨PN结的特性分析PN结的应用领域2.2 二极管的结构与工作原理介绍二极管的结构解释二极管的工作原理探讨二极管的主要参数与规格第三章:双极型晶体管(BJT)3.1 BJT的结构与分类解释BJT的概念介绍BJT的结构与分类分析BJT的运作原理3.2 BJT的特性与参数探讨BJT的输入输出特性讨论BJT的主要参数与规格分析BJT的应用领域第四章:场效应晶体管(FET)4.1 FET的结构与分类解释FET的概念介绍FET的结构与分类分析FET的运作原理4.2 FET的特性与参数探讨FET的输入输出特性讨论FET的主要参数与规格分析FET的应用领域第五章:半导体器件的应用5.1 半导体二极管的应用介绍半导体二极管的应用领域分析二极管在不同电路中的应用实例5.2 半导体晶体管的应用解释半导体晶体管在不同电路中的应用探讨晶体管在不同电子设备中的应用实例5.3 半导体集成电路的应用介绍半导体集成电路的概念分析集成电路在不同电子设备中的应用实例第六章:半导体存储器6.1 存储器概述解释存储器的作用与分类探讨半导体存储器的发展历程分析存储器的主要参数6.2 RAM与ROM介绍RAM(随机存取存储器)的原理与应用解释ROM(只读存储器)的原理与应用分析RAM与ROM的区别与联系6.3 闪存与固态硬盘探讨闪存(NAND/NOR)的原理与应用介绍固态硬盘(SSD)的结构与工作原理分析固态硬盘的优势与挑战第七章:太阳能电池与光电子器件7.1 太阳能电池解释太阳能电池的原理与分类探讨太阳能电池的优缺点分析太阳能电池的应用领域7.2 光电子器件解释光电子器件的分类与应用探讨光电子器件的发展趋势第八章:半导体传感器8.1 传感器的基本概念解释传感器的作用与分类探讨传感器的基本原理分析传感器的主要参数8.2 常见半导体传感器介绍常见的半导体传感器类型解释半导体传感器的原理与应用分析半导体传感器的优势与挑战8.3 传感器在物联网中的应用探讨物联网与传感器的关系介绍传感器在物联网应用中的实例分析物联网传感器的发展趋势第九章:半导体激光器与光通信9.1 半导体激光器解释半导体激光器的工作原理探讨半导体激光器的特性与参数分析半导体激光器的应用领域9.2 光通信原理解释光纤通信与无线光通信的区别探讨光通信系统的组成与工作原理9.3 光通信器件与技术介绍光通信器件的类型与功能解释光通信技术的分类与发展趋势分析光通信在现代通信系统中的应用第十章:半导体技术与未来趋势10.1 摩尔定律与半导体技术发展解释摩尔定律的概念与意义探讨摩尔定律对半导体技术发展的影响分析半导体技术的未来发展趋势10.2 纳米技术与半导体器件介绍纳米技术在半导体器件中的应用解释纳米半导体器件的特性与优势探讨纳米半导体器件的未来发展趋势10.3 新兴半导体技术与应用分析新兴半导体技术的种类与应用领域探讨量子计算、生物半导体等未来技术的发展前景预测半导体技术与产业的未来发展趋势重点和难点解析重点环节一:半导体的定义与特性重点环节二:半导体的分类与制备重点环节三:PN结与二极管重点环节四:双极型晶体管(BJT)重点环节五:场效应晶体管(FET)重点环节六:半导体存储器重点环节七:太阳能电池与光电子器件重点环节八:半导体传感器重点环节九:半导体激光器与光通信重点环节十:半导体技术与未来趋势全文总结和概括:本文主要对半导体的基础知识进行了深入的解析,包括半导体材料的分类与特性、半导体的制备方法、PN结与二极管、双极型晶体管(BJT)、场效应晶体管(FET)、半导体存储器、太阳能电池与光电子器件、半导体传感器、半导体激光器与光通信以及半导体技术与未来趋势等内容进行了详细的阐述。

精品文档-模拟电子技术(江晓安)(第三版)-第1章


第一章 半导体器件
图 1 – 5 P型半导体的共价键结构
第一章 半导体器件
1.2PN 结
1.2.1 异型半导体接触现象 在P型和N型半导体的交界面两侧, 由于电子和空穴的
浓度相差悬殊, 因而将产生扩散运动。 电子由N区向P区扩 散; 空穴由P区向N区扩散。 由于它们均是带电粒子(离 子), 因而电子由N区向P区扩散的同时, 在交界面N区剩下 不能移动(不参与导电)的带正电的杂质离子; 空穴由P区向 N区扩散的同时, 在交界面P区剩下不能移动(不参与导电) 的带负电的杂质离子, 于是形成了空间电荷区。 在P区和N 区的交界处形成了电场(称为自建场)。 在此电场 作用下, 载流子将作漂移运, 其运动方向正好与扩散运动方 向相反, 阻止扩散运动。 电荷扩散得越多, 电场越强, 因而 漂移运动越强, 对扩散的阻力越大。 当达到平衡时, 扩散运 动的作用与漂移运动的作用相等, 通过界面的载流子总数为 0, 即PN结的电流为0。 此时在PN区交界处形成一个缺 少载流子的高阻区, 我们称为阻挡层(又称为耗尽层)。 上述 过程如图1-6(a)、 (b)所示。
所谓“齐纳”击穿, 是指当PN结两边掺入高浓度的杂 质时, 其阻挡层宽度很小, 即使外加反向电压不太高(一般为 几伏), 在PN结内就可形成很强的电场(可达2×106 V/cm), 将共价键的价电子直接拉出来, 产生电子-空穴对, 使反向电 流急剧增加, 出现击穿现象。
第一章 半导体器件
对硅材料的PN结, 击穿电压UB大于7V时通常是 雪崩击穿, 小于4V时通常是齐纳击穿;UB在4V和7V之间 时两种击穿均有。由于击穿破坏了PN结的单向导电特性, 因而一般使用时应避免出现击穿现象。
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第一章 半导体器件
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第一章半导体器件的基础知识一、填空题1、自然界中的物质按着导电能力分为、、三类。

2、半导体的导电能力会随着、、、和的变化而发生变化。

3、半导体材料主要有和两种。

4、半导体中的载流子是和。

5、主要靠导电的半导体称为N型半导体,主要靠导电的半导体称为P型半导体。

6、经过特殊工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面,称为结。

#7、PN结的特性是。

8、半导体二极管的符号是。

9、PN结两端外加的反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增大,称为PN 结的。

10、二极管的核心部分是一个,具有特性。

11、半导体二极管又称。

它是由,从P区引出的极和从N区引出的极以及将他们封装起来的组成。

12、由于管芯结构不同,二极管又分为、、。

13、二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定,这两者之间的关系称为二极管的。

用于定量描述这两者关系的曲线称为。

&14、当二极管两端所加的正向电压由零开始增大时,开始时,正向电流很小,几乎为零,二极管呈现很大电阻。

通常把这个范围称为,相应的电压称为。

15、硅二极管的死区电压约为;锗二极管的死区电压约为。

16、硅二极管管的导通电压约为,锗二极管管的导通电压约为,17、加在二极管的反向电压不断增大,当达到一定数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为,相应的电压称为。

18、半导体二极管的主要参数有、。

19、半导体三极管的核心是。

20、半导体三极管的两个PN结将半导体基片分成三个区域:、}和。

由这三个区引出三个电极为:、和。

分别用字母、和。

其中区相对较薄。

21、半导体三极管中,通常将发射极与基极之间的PN结称为;集电极与基极之间的PN结称为。

22、由于半导体基片材料不同,三极管可分为型和型两大类。

23、半导体三极管常采用、和封装。

24、半导体三极管按功率分有和;按工作频率分有和;按管芯所用半导体材料分有和;按结构工艺分有和;按用途分有和。

25、三极管各个电极上电流的分配关系是。

26、在半导体三极管中,基极电流I B的微小变化控制了集电极电流较大的变化,这就是三极管的原理。

27、要使三极管起到电流放大作用,必须保证发射结加电压,集电结加电压。

28、三极管三种基本连接方式是、、。

29、三极管的三种工作状态是、、。

30、三极管工作在截止区的条件为;三极管工作在放大区的条件为]三极管工作在饱和区的条件为31、在三极管的管芯内加入一只或两只偏置电阻的片状管称为。

32、在一个封装内包含有两只三极管的新型器件,称为。

33、半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件,称为。

场效晶体管是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件,称为。

34、根据结构和工作原理不同,场效晶体管可分为和两大类。

35、结型场效晶体管的电路符号为、,它有三个电极为、、。

36、在本征半导体中掺入微量的杂质,就会使半导体导电能力显著地。

<37、本征半导体中自由电子和空穴的数目是。

38、穿透电流越大,则三极管性能越。

39、晶体三极管属于控制型器件,场效晶体管属于控制型器件。

40、场效晶体管有三个电极分别为、和。

二、判断题1、PN结接触面积大,载流量大,适合于大电流场合使用。

()2、在半导体内部,只有电子是载流子。

():3、二极管和三极管是非线性元件。

()4、电子技术中的线性与非线性指的电压与电流是否成正比例关系。

()5、理想二极管正向电阻是零,反向电阻无穷大。

()6、三极管的三个电极可以调换使用。

()7、硅二极管和锗二极管正向导通分压相等。

()8、三极管就是两个二极管反接构成。

()9、二极管的伏安特性曲线和三极管的特性曲线相同。

()%11、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。

()12、二极管具有单向导电性。

()13、三极管无论工作在何种工作状态,电流I E=I B+I C=(1+ )I B( )14、由于三极管的核心是两个互相联系的PN结,因此可以用两个背靠背连接的二极管替换。

()15、晶体二极管击穿后立即烧毁。

()16、三极管是一种电流控制器件。

()17、二极管两端加上的电压就能导通。

(),18、二极管的正向电阻比反向电阻大。

()19、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。

()20、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的。

()21、三极管的发射区和集电区是由同一半导体构成的。

()22、本征半导体中空穴是多数载流子。

()23、硅材料制成的三极管,当处于放大工作状态时,C极电位总是高于E极电位。

()24、三极管处于放大状态时具有恒流特性。

()25、三极管处于饱和状态时,其集电极电流Ic不受基极电流Ib的控制。

();三、选择题1.在三极管的输出特性曲线族中,每条曲线与()对应。

A、I EB、U BEC、I BD、U CE2.在N型半导体中()。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有自由电子3.掺入五价杂质元素的半导体是()。

A.P型半导体B.N型半导体C.本征半导体}4.如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压U CE<1V,则它处于()。

A.放大状态B.饱和状态C.截止状态5.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,V,则这只三极管是()。

A.NPN 型硅管型锗管型硅管型锗管6.稳压二极管稳压时,其工作在( )。

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区型三极管处在放大状态时是( )<<0, U BC<0 >0, U BC>0>0, U BC<0 <0, U BC>08、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=,V E=1V则晶体管工作在()状态。

A、放大B、截止C、饱和D、损坏9、三级管开作在放大区,要求()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏10、一只NPN型三极管三极电位分别有V C=,V E=3V,V B=,则该管工作在()A.饱和区B.截止区…C.放大区D.击穿区11、三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。

A.U CE=15V,I C=150 mA B.U CE=20V,I C=80 mAC.U CE=35V,I C=100 mA D.U CE=10V,I C=50mA12、下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是()A V C=,V E=0V,V B=B V C=-4V,V E=,V B=C V C=6V,V E=0V,V B=-3VD V C=2V,V E=2V,V B=\13、如果三极管工作在截止区,两个PN结状态()A.均为正偏B.均为反偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏14、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=,V E=1V则晶体管工作在()状态。

A、放大B、截止C、饱和D、损坏15、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA 变为2mA,那么它的β约为( ) 。

A. 83B. 91C. 100 D、50%16、工作于放大状态的PNP管,各电极必须满足()A.UC > U B > U E B。

UC< U B < U EC。

U B >UC > U E D。

UC > U E > U B17、二极管具有()A、信号放大作用B、单向导电性C、双向导电性D、负阻特性18、二极管两端加正向电压时()*A 、立即导通B 、超过击穿电压就导通C 、超过就导通D 、超过死区电压就导通19、如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大,则二极管( )A 、特性良好B 、已被击穿C 、内部开路D 、功能正常20、下列元器件中,( )可将电信号转变成光信号。

A 、二极管B 、三极管C 、发光二极管D 、光电二极管21、开关三极管一般的工作状态是( )。

¥A .截止B .放大C .饱和D .截止或饱和22、三极管的两个PN 结均正偏或均反偏时,所对应的状态分别是( )。

A .截止或放大B .截止或饱和C .饱和或截止D .放大或截止23、如图示,试判断工作在饱和状态的管子( )。

…# 24、二极管加正向电压时,其正向电流( )A 、较小B 、较大C 、微小D 、无电流25、二极管的正极电位是—10V ,负极电位是—5V ,则该二极管处于( )A 、零偏B 、反偏C 、正偏D 、没反应26、测得电路中三极管各电极相对于地的电位如图所示,从而可判断出该三极管工作在( )A 、饱和状态B 、放大状态C 、导致状态D 、截止状态(a) +】 + (c) 0V (d)5V`27、某三极管工作在放大状态,其引脚电位如图所示,则该三极管是()A、PNP型硅管B、NPN型硅管C、PNP型锗管D、NPN型锗管5V 1V28、由理想二极管组成的电路中,它们的输出电压为():A、U R=0B、U R=8vC、U R=4VD、U R=1v29、如下图所示,二极管为硅管,工作于正常导通状态的是()30、某同学用万用表测量一电子线路中得晶体管,测得VE=-3V,VCE=6V,VBC=,则该管是()》A、PNP型处于放大工作状态B、PNP型处于截止工作状态C、NPN型处于放大工作状态D、NPN型处于截止工作状态31、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是()A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、无法判断[32、晶体二极管的正极电位是—10V,负极电位是—5V、则该晶体二极管处于()A、零偏B、反偏C、正偏D、击穿33、当硅晶体二极管加上正向电压时,该晶体二极管相当于()A、小阻值电路B、组织很大的电路C、内部短路D、内部击穿34、晶体三极管的两个PN结都反偏时,则晶体三极管所处的状态是()A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态。

35、场效应管的主要特点是()A、输入电阻高B、输入电阻小C、噪声大D、耗电大36、结型场效晶体管的输入电阻为()A、几十欧姆B、可达1015欧姆C、107~108欧姆D、阻值不确定37、当温度升高时,PN结的导通电压将()A、变大B、变小C、不变D、可能变大也可能变小38、场效应管三个电极中,G表示的电极称为();A、控制极B、漏极C、源极D、栅极39、晶体三极管内部由()个PN结构成。

A、一个B、二个C、三个D、多个40、某三极管的a脚流入电流为3mA,b脚流出电流为,c脚流出电流为,则各脚名称及管型为()A、a脚为E极,b脚为B极,c脚为C极且为NPN型B、a脚为C极,b脚为E极,c脚为B极且为PNP型C、a脚为E极,b脚为B极,c脚为C极且为PNP型}D、a脚为E极,b脚为C极,c脚为B极且为NPN型41、下题图1-1所示电路中,设D为理想二极管,U AO=()题图1-1A、U AO=0V,B、U AO=C、U AO=9V,D、U AO=四、简答题,1、场效晶体管与三极管相比有哪些特点2、什么是PN结PN结有什么特性3、为什么说二极管是一种非线性器件什么是二极管的伏安特性^4、为什么二极管可以当做一个开关使用画图说明。

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