《材料科学基础》期末复习考试
安庆师范学院
2010-2011学年度第一学期期末复习考试
《材料科学基础》课程
院系 化学化工学院 专业 材料化学 班级 姓名 学号□□□□□□□□□
题 号 一
二
三
四
五
总分
得 分
注 意 事 项
1、本试卷共五大题。
2、考生答题时必须准确填写院系、专业、班级、姓名、学号等栏目，字迹要清晰、工整。 一．选择题：(本大题共十小题，每小题1分，共10分，将答案填入下
面表格中）
1、右图最可能是哪种晶体的结构（ ）
得 分
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A．萤石结构 B．尖晶石结构
C．钙钛矿结构 D．金红石结构
2.下列四个选项中，哪项可不能阻碍填隙型固溶体
的固溶度……（）
A尺寸 B离子价
C导电性 D电负性
3、下图为六方最密堆积(A3)，则其每个原子的配位数为( )个。
A．2 B．4 C．8 D．12
4、在烧结模型中，中心距缩短的双球模型适用于
( )传质的烧结。
A蒸发-冷凝 B溶解-沉淀
C晶格扩散 D表面扩散
5、过冷熔体的结晶过程是由两步组成的，它包括( )
A．晶核生长和晶体生长 B．晶核生长和析出晶体
C．析出晶体和晶体生长 D．快速冷却和析出晶体
6、下列图中哪个晶胞最可能是尖晶石晶体结构（）
7、阴离子具有立方密堆积，阳离子填满所有四面体
空隙的是下列哪种结构（）
A．萤石结构 B．反萤石结构
C．尖晶石结构 D．反尖晶石结构
8、下列缺陷中属于线缺陷的是( )
A．位错 B．晶界
C．层错 D．空位
9、当硅氧四面体被共用的顶点数S=4时，其形成的结构为（）
A ．岛状结构
B ．链状结构
C ．层状结构
D ．骨架结构 10、下图中，高温熔体M 缓慢析晶将在（ ）点结束。
A ．K 点
B ．P 点
C ．E 点
D ．D 点 二、填空题（本大题共13小题，共27分）
1、烧结是一个
过程（1 分）， （1分）是推动烧结进行的差不多动力。
2、在一定的热力学条件下，系统虽未处于最低能量
得 分 得 分
状态，却处于一种能够较长时刻存在的状态，称为（1分）。
3、晶体产生Fenkel缺陷时，晶体体积
（1分），晶体密度（1分）；
而有Schottky缺陷时，晶体体积（1分）,晶体密度（1分）。
4、关于玻璃结构的两个重要学讲是
（1分）和（1分）。5、（1分）是指晶体中原子
或分子的排列情况，由空间点阵+结构基元构成的。
6、依据（1分）之间关系的
不同，能够把所有晶体的空间点阵划归为七类，即（1分）晶系、单斜晶系、（1分）晶系、三方晶系、正方晶系、六方晶系和（1分）晶系。
7、扩散的差不多推动力是（1
分），一般情况下以（1分）等形式（列出一种即可）表现出来，扩散常伴随着物质的（1分）。
8、晶面族是指（1分）的一
组晶面，同一晶面族中，不同晶面的指数的
（1分）相同，只是（1分）不同。
9、向MgO、沸石、TiO2、萤石中，加入同样的外来
杂质原子，能够预料形成间隙型固溶体的固溶度大小的顺序将是（1分）。
10、烧结过程能够分为（1分）
三个时期，在烧结的中后期，与烧结同时进行的过程是（1分）。
11、液体表面能和表面张力数值相等、量纲相同，
而固体则不同，这种讲法（是 / 否）正确，因为（1分）。
12、从熔体结构角度，可能长石、辉石(MgO·SiO2)、
镁橄榄石三种矿物的高温熔体表面张力大小顺序（1分）。
13、刃型位错的柏氏矢量与位错线呈
（1分）关系，而螺位错两者呈
（1分）关系。
三、简答题（本大题共4小题，共31
分）
1、（6分）图1是Na2O的理想晶胞结构示意图，试
回答：
（1）晶胞分子数是多少；
（2）结构中何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙；
（3）结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；
（4）计算讲明O2-的电价是否饱和；
（5）画出Na2O结构在（001）面上的投影图。
2、（选做一）TiO2掺入到Nb2O3中，请写出二个合理
的方程，写出固溶体的化学式，并推断可能成立的方程是哪一种？（5分）
（选做二） (1)写出下列缺陷反应式（5分+5附加分）：
○1CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶体，并写出固溶体的化学式；
○2NaCl形成肖脱基缺陷。
(2)什么缘故间隙型固溶体不能形成
无限固溶体？
（选做三）写出下列缺陷方应方程式。（5分）
○1TiO2加入到A12O3中（写出两种）；
○2NaCl形成肖脱基缺陷。
3、硅酸盐熔体的结构特征是什么？从Na2O—SiO系
统动身，随引入B2O3量的增加，系统的粘度如何变化，什么缘故？（10分）
4、熔体结晶时（10分）：
(1) 讨论温度对总结晶速率的阻碍；
(2) 指出在哪一温度范围内对形成玻璃有利，什么缘故？
四、计算、作图及问答题（本大题共4小题，共32分）
1、In具有四方结构，其相对原子质量
Ar=114.82，原子半径r=0.1625nm，晶格常数
a=0.3252，c=0.4946nm，密度ρ=7.286g/cm3，试问In的单位晶胞内有多少个原子？In的致密度（空间占有率）为多少？（10分）
2、（选做一）作图表示立方晶体的（123-）、（01-2）
晶面及[1-02]、[2-11]晶向。（6分）
（选做二）画出立方晶系中的（31-2-）晶面和[132-]晶向。（6分）
3、(1)MgO晶体中，肖脱基缺陷的生成能为6eV，计