第7章2场效应管放大 《电路与模拟电子技术原理》课件
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场效应管及其放大电路PPT课件

金属 Metal
氧化物 Oxide
半导体 Semiconducto
r
表示符号 G
G S
D
S D
N+
N+
P
第11页/共92页
P沟道增强型MOSFET的结构
表示符号
D
G
S
G
D
S
P+
P+
N
第12页/共92页
N沟道增强型MOSFET的工作原理
与JFET相似, MOSFET的工作 原理同样表现在:
–
vDS +
(2) 动态:能为交流信号提供通路。
场效应管(FET)放大电路的分析方法:
静态分析:估算法、图解法。 动态分析:微变等效电路法。
第33页/共92页
4.5.1 静态工作点与偏置电路 但由于两种放大器件各自的特点,故不能将双极 性三极管放大电路的三极管简单地用场效应管取代, 组成场效应管放大电路。
双极性三极管是电流控制器件,组成放大电路时, 应给双极性三极管设置偏置偏流。
绝缘栅场效应管(MOSFET)
特点
单极型器件(一种载流子导电);
输入电阻高;(≥107~1015) 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、 噪声低、成本低等。
第5页/共92页
FET分类:
FET 场效应管
JFET 结型
MOSFET 绝缘栅型
N沟道(相当于NPN)
(耗尽型) P沟道(相当于PNP)
增强型
N沟道(NPN) P 沟道 (PNP)
6.场效应管制造工艺简单,且具有功耗低等优点;因而场 效应管易于集成,被广泛用于大规模和超大规模集成电路 中。
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结型场效应管
氧化物 Oxide
半导体 Semiconducto
r
表示符号 G
G S
D
S D
N+
N+
P
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P沟道增强型MOSFET的结构
表示符号
D
G
S
G
D
S
P+
P+
N
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N沟道增强型MOSFET的工作原理
与JFET相似, MOSFET的工作 原理同样表现在:
–
vDS +
(2) 动态:能为交流信号提供通路。
场效应管(FET)放大电路的分析方法:
静态分析:估算法、图解法。 动态分析:微变等效电路法。
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4.5.1 静态工作点与偏置电路 但由于两种放大器件各自的特点,故不能将双极 性三极管放大电路的三极管简单地用场效应管取代, 组成场效应管放大电路。
双极性三极管是电流控制器件,组成放大电路时, 应给双极性三极管设置偏置偏流。
绝缘栅场效应管(MOSFET)
特点
单极型器件(一种载流子导电);
输入电阻高;(≥107~1015) 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、 噪声低、成本低等。
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FET分类:
FET 场效应管
JFET 结型
MOSFET 绝缘栅型
N沟道(相当于NPN)
(耗尽型) P沟道(相当于PNP)
增强型
N沟道(NPN) P 沟道 (PNP)
6.场效应管制造工艺简单,且具有功耗低等优点;因而场 效应管易于集成,被广泛用于大规模和超大规模集成电路 中。
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结型场效应管
电路与模拟电子技术原理第7章2场效应管放大课件.ppt

场效应管放大电路静态分析的思路,是首 先确定管子的工作状态,再计算此工作状 态下的静态工作点(IDQ,UGSQ,UDSQ)。
应记住场效应管是一种电压控制器件,栅 极只需要偏压,不需要偏流(IG=0),所 以漏极电流恒等于源极电流(iD=iS)。
利用这个特性,再结合基尔霍夫定律和场 效应管伏安特性关系方程即可求解。
利用场效应管工作在恒流区时,漏极电流iD 受栅源电压uGS控制的特性,也可以构成场 效应管放大电路。
14:29:07
2
7.3 场效应管放大电路
7.3.1 场效应管放大电路的工作原理 7.3.2 场效应管放大电路的组成 7.3.3 场效应管放大电路的近似估算
14:29:07
3
7.3.1 场效应管放大电路的工作原理
14:29:07
24
场效应管电路静态分析思路(续)
假设其工作于某个特定区域,并求解 此状态下的G-S回路和D-S回路方程,
如果所得到的结果符合假设区域的偏 置条件,说明我们的假设正确;
否则说明我们的假设不正确,应作出 新的假设。
14:29:07
25
场效应管静态分析步骤
首先确定场效应管工作状态,步骤如下:
(1)假设FET工作于截止区,则
ID=0,IG=0 在此前提下计算UGS,验证
UGS<UP 是否成立。如果成立,则说明FET处于截
止区。否则进行第二步。
14:29:07
26
场效应管静态分析步骤(续)
(2)假设FET工作于恒流区,则
IG=0
2
ID
I
DSS
1
U GS UP
在此前提下计算UGS,验证
UGS=-IDRs=0(V) 不满足UGS<UP的条件,说明FET不能工 作于截止区。
应记住场效应管是一种电压控制器件,栅 极只需要偏压,不需要偏流(IG=0),所 以漏极电流恒等于源极电流(iD=iS)。
利用这个特性,再结合基尔霍夫定律和场 效应管伏安特性关系方程即可求解。
利用场效应管工作在恒流区时,漏极电流iD 受栅源电压uGS控制的特性,也可以构成场 效应管放大电路。
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2
7.3 场效应管放大电路
7.3.1 场效应管放大电路的工作原理 7.3.2 场效应管放大电路的组成 7.3.3 场效应管放大电路的近似估算
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3
7.3.1 场效应管放大电路的工作原理
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场效应管电路静态分析思路(续)
假设其工作于某个特定区域,并求解 此状态下的G-S回路和D-S回路方程,
如果所得到的结果符合假设区域的偏 置条件,说明我们的假设正确;
否则说明我们的假设不正确,应作出 新的假设。
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场效应管静态分析步骤
首先确定场效应管工作状态,步骤如下:
(1)假设FET工作于截止区,则
ID=0,IG=0 在此前提下计算UGS,验证
UGS<UP 是否成立。如果成立,则说明FET处于截
止区。否则进行第二步。
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场效应管静态分析步骤(续)
(2)假设FET工作于恒流区,则
IG=0
2
ID
I
DSS
1
U GS UP
在此前提下计算UGS,验证
UGS=-IDRs=0(V) 不满足UGS<UP的条件,说明FET不能工 作于截止区。
模拟电子技术场效应管放大器与功率电子电路课件

dddiiiddd
①当uDS=0时, iD=0。
②uDS↑→iD ↑
→靠近漏极处的耗尽层加宽,
g
沟道变窄,呈楔形分布。 ③当uDS ↑,使uGD=uG S- uDS=UP时,
g
pppp++++
pppp++++
VVVDD
D DD
D
在靠漏极处夹断——预夹断。
④uDS再↑,预夹断点下移。
NN
定义:
gg g
pp++ p + pp++ p +
VVG GG VG G G
NN N
夹断电压UP——使导电沟道完全
ss s
合拢(消失)所需要的栅源电压
uGS。
模拟电子技术场效应管放大器与功率电子电路
14
(2)漏源电压对沟道的控制作用
在漏源间加电压uDS ,令uGS =0 由于uGS =0,所以导电沟道最宽。
模拟电子技术场效应管放大器与功率电子电路
10
3、P沟道耗尽型MOSFET
P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同, 供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管 有NPN型和PNP型一样。
模拟电子技术场效应管放大器与功率电子电路
11
4. MOS管的主要参数
(1)开启电压UT (2)夹断电压UP (3)跨导gm :gm=iD/uGS uDS=const (4)直流输入电阻RGS ——栅源间的等效
-
p+
p+
N
源 -极 s
模拟电子技术场效应管放大器与功率电子电路
13
《电子技术基础》场效应管及其放大电路ppt

共,输入信 号被加到源极和栅极之间, 通过栅极控制沟道的电阻, 从而控制源极和漏极之间的 电流,实现信号的放大。
共漏放大电路的 工作原理
在共漏放大电路中,输入信 号被加到源极和栅极之间, 通过栅极控制沟道的电阻, 从而控制源极和漏极之间的 电流,实现信号的放大
共栅放大电路的 工作原理
输出电流与输入电流之比,表示放大电路的 电流放大能力。
功率增益
带宽
输出功率与输入功率之比,表示放大电路的 功率放大能力。
可以放大信号的频率范围,表示放大电路的 频率响应能力。
场效应管放大电路性能分析的具体步骤
首先需要确定输入和输出的信号频率和幅度,以便进 行性能分析。
根据性能指标计算误差系数、噪声系数等其他参数。
影响。
场效应管放大电路的偏置设计
确定偏置电路
根据场效应管的特性,选择合适的偏置电路以获得最佳放大 效果。
调整偏置电压
根据放大电路的具体要求,调整偏置电压以实现最佳静态工 作点。
场效应管放大电路的动态参数设计
选择耦合方式
根据实际需求,选择合适的耦合方式以实现信号的稳定传输。
计算放大倍数
根据电路设计需求,计算放大倍数以满足特定的动态性能指标。
《电子技术基础》场效应 管及其放大电路ppt
xx年xx月xx日
contents
目录
• 场效应管概述 • 场效应管放大电路基础 • 场效应管放大电路设计 • 场效应管放大电路的SPICE实现 • 场效应管放大电路性能分析 • 场效应管及其放大电路应用实例
01
场效应管概述
场效应管定义
场效应管是一种电压控制型半导体器件,利用电场效应来控 制半导体中的电流。
在共栅放大电路中,输入信 号被加到栅极和源极之间, 通过栅极控制沟道的电阻, 从而控制源极和漏极之间的 电流,实现信号的放大
模电课件场效应管

智能化的需求将推动场效应管 与微处理器、传感器等其他器 件的集成,实现系统级封装。
对未来的展望
场效应管在未来将继续在电子设备中 发挥重要作用,特别是在通信、计算 机、消费电子等领域。
未来场效应管的发展将更加注重环保 和可持续发展,采用更加节能、环保 的材料和工艺,降低生产成本,推动 产业可持续发展。
当前市场上的场效应管产品种类繁多,性能稳定可靠,能够满足不同领域的需求。
随着技术的不断进步,场效应管的性能指标也在逐步提高,如开关速度、工作频率 等。
未来发展趋势
随着电子设备小型化、轻量化 的发展趋势,场效应管也将继 续朝着微型化、集成化的方向 发展。
新型材料和工艺的应用将为场 效应管的发展带来新的机遇和 挑战,如碳纳米管、二维材料 等。
随着技术的不断创新和市场需求的不 断变化,场效应管的应用领域也将不 断拓展。
THANKS
感谢观看
噪声特性
总结词
描述了场效应管在工作时产生的噪声 水平。
详细描述
噪声特性是指场效应管在工作时,由 于内部电子运动的随机性而产生的噪 声。噪声的大小对信号的传输质量有 重要影响。
05
场效应管的选用与注意事项
选用原则
根据电路需求选择合适的场效应管类型
根据电路的电压、电流和频率要求,选择合适的场效应管类型,如N沟道、P沟道等。
功率放大器
将场效应管作为功率放大 元件,用于音频、视频等 信号的功率放大。
跨导放大器
利用场效应管的跨导特性, 将输入的电压信号转换为 电流信号,用于信号的线 性放大。
在振荡器中的应用
负阻振荡器
利用场效应管的负阻特性, 与电容、电感等元件一起 构成振荡电路,产生振荡 信号。
《场效应管放大器》课件

《场效应管放大器》ppt课件
目录
• 场效应管放大器概述 • 场效应管放大器的工作模式 • 场效应管放大器的电路设计 • 场效应管放大器的性能指标
目录
• 场效应管放大器的应用实例 • 场效应管放大器的常见问题与解决方
案
01
场效应管放大器概述
定义与工作原理
01
定义
场效应管放大器是一种电子放 大器,利用场效应管的电压放
减小温漂
偏置电路应具有较低的温度系数 ,以减小温度变化对放大器性能 的影响。
抑制干扰
偏置电路应具有一定的抗干扰能 力,以减小外部干扰对放大器性 能的影响。
04
场效应管放大器的性能指 标
电压增益
01
电压增益是指放大器输出电 压与输入电压之比,用于衡 量放大器对信号的放大能力
。
02
电压增益的大小直接影响放 大器的线性范围和失真程度
电流控制模式
总结词
电流控制模式是指通过改变源极或漏极的电流来控制输出信号的大小,从而实现放大信号的目的。
详细描述
在电流控制模式下,场效应管放大器的输入信号加在源极或漏极上,通过改变源极或漏极的电流来控 制输出信号的大小。这种模式下,场效应管放大器的输出信号与输入信号成正比,具有线性放大特性 。
跨导控制模式
详细描述
音频放大器设计通常需要考虑音质、失真和效率等因素。场 效应管具有低失真、高带宽和低噪声等优点,适合用于音频 放大。在设计时,需要根据音频信号的特性和要求选择合适 的场效应管和电路拓扑。
射频放大器设计
01
总结词
02
详细描述
射频放大器是场效应管放大器的另一个重要应用,用于放大射频信号 ,如无线通信、雷达和卫星通信等。
目录
• 场效应管放大器概述 • 场效应管放大器的工作模式 • 场效应管放大器的电路设计 • 场效应管放大器的性能指标
目录
• 场效应管放大器的应用实例 • 场效应管放大器的常见问题与解决方
案
01
场效应管放大器概述
定义与工作原理
01
定义
场效应管放大器是一种电子放 大器,利用场效应管的电压放
减小温漂
偏置电路应具有较低的温度系数 ,以减小温度变化对放大器性能 的影响。
抑制干扰
偏置电路应具有一定的抗干扰能 力,以减小外部干扰对放大器性 能的影响。
04
场效应管放大器的性能指 标
电压增益
01
电压增益是指放大器输出电 压与输入电压之比,用于衡 量放大器对信号的放大能力
。
02
电压增益的大小直接影响放 大器的线性范围和失真程度
电流控制模式
总结词
电流控制模式是指通过改变源极或漏极的电流来控制输出信号的大小,从而实现放大信号的目的。
详细描述
在电流控制模式下,场效应管放大器的输入信号加在源极或漏极上,通过改变源极或漏极的电流来控 制输出信号的大小。这种模式下,场效应管放大器的输出信号与输入信号成正比,具有线性放大特性 。
跨导控制模式
详细描述
音频放大器设计通常需要考虑音质、失真和效率等因素。场 效应管具有低失真、高带宽和低噪声等优点,适合用于音频 放大。在设计时,需要根据音频信号的特性和要求选择合适 的场效应管和电路拓扑。
射频放大器设计
01
总结词
02
详细描述
射频放大器是场效应管放大器的另一个重要应用,用于放大射频信号 ,如无线通信、雷达和卫星通信等。
第七讲场效应管及其放大电路PPT课件
uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须 加负电压?
漏-源电压对漏极电流的影响
uGD>UGS(off)
uGD=UGS(off)
预夹断
uGD<UGS(off)
uGS>UGS(off)且不变,VDD增大,iD增大 。
VDD的增大,几乎全部用来克服沟道 的电阻,iD几乎不变,进入恒流区, iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么?
iD几乎仅仅 受控于uGS,恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么?
耗尽型MOS管
uGS=0时就存在 导电沟道
小到一定 值才夹断
加正离子
耗尽型MOS管在 uGS>0、 uGS <0、 uGS =0时均可导 通,且与结型场效应管不同,由于SiO2绝缘层的存在,在 uGS>0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。
C.为正弦波
(4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将 。
A.RW减小
B.Rc减小
C.VCC减小
解:(1)A (2)C (3)B (4)B
第二章 基本放大电路
§2.6 场效应管及其放大电路
一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点 的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管
一、场效应管(以N沟道为例)
You Know, The More Powerful You Will Be
结束语
感谢聆听
不足之处请大家批评指导
Please Criticize And Guide The Shortcomings
讲师:XXXXXX XX年XX月XX日
0.992
Ro
模拟电子技术基础课件:场效应管及其放大电路
場效應管及其放大電路
場效應管及其放大電路
一、場效應管 二、場效應管放大電路靜態工作點 的設置方法 三、場效應管放大電路的動態分析 四、複合管
一、場效應管(以N溝道為例)
場效應管有三個極:源極(s)、柵極(g)、漏極(d), 對應於電晶體的e、b、c;有三個工作區域:截止區、恒流區、 可變電阻區,對應於晶體管的截止區、放大區、飽和區。
1. 場效應管的交流等效模型
與電晶體的h參數等效模型類比:
近似分析時可認 為其為無窮大!
gm
iD uGS
U DS
根據iD的運算式或轉移特性可求得gm。
2. 基本共源放大電路的動態分析
Au
U o U i
Id Rd U gs
gm Rd
Ri
Ro Rd
若Rd=3kΩ, Rg=5kΩ,
gm=2mS,則 Au ?
uGS=0可工作在恒流區的場效應管有哪幾種? uGS>0才工作在恒流區的場效應管有哪幾種? uGS<0才工作在恒流區的場效應管有哪幾種?
二、場效應管靜態工作點的設置方法
1. 基本共源放大電路
根據場效應管工作在恒流區的條件,在g-s、d-s間 加極性合適的電源
UGSQ VBB
I DQ
I
DO
( VBB U GS(th)
增強型MOS管uDS對iD的影響
剛出現夾斷
iD隨uDS的增Βιβλιοθήκη 大而增大,可uGD=UGS(th), 預夾斷
變電阻區
uGS的增大幾乎全部用 來克服夾斷區的電阻
iD幾乎僅僅 受控於uGS,恒 流區
用場效應管組成放大電路時應使之工作在恒流區。N 溝道增強型MOS管工作在恒流區的條件是什麼?
耗盡型MOS管
場效應管及其放大電路
一、場效應管 二、場效應管放大電路靜態工作點 的設置方法 三、場效應管放大電路的動態分析 四、複合管
一、場效應管(以N溝道為例)
場效應管有三個極:源極(s)、柵極(g)、漏極(d), 對應於電晶體的e、b、c;有三個工作區域:截止區、恒流區、 可變電阻區,對應於晶體管的截止區、放大區、飽和區。
1. 場效應管的交流等效模型
與電晶體的h參數等效模型類比:
近似分析時可認 為其為無窮大!
gm
iD uGS
U DS
根據iD的運算式或轉移特性可求得gm。
2. 基本共源放大電路的動態分析
Au
U o U i
Id Rd U gs
gm Rd
Ri
Ro Rd
若Rd=3kΩ, Rg=5kΩ,
gm=2mS,則 Au ?
uGS=0可工作在恒流區的場效應管有哪幾種? uGS>0才工作在恒流區的場效應管有哪幾種? uGS<0才工作在恒流區的場效應管有哪幾種?
二、場效應管靜態工作點的設置方法
1. 基本共源放大電路
根據場效應管工作在恒流區的條件,在g-s、d-s間 加極性合適的電源
UGSQ VBB
I DQ
I
DO
( VBB U GS(th)
增強型MOS管uDS對iD的影響
剛出現夾斷
iD隨uDS的增Βιβλιοθήκη 大而增大,可uGD=UGS(th), 預夾斷
變電阻區
uGS的增大幾乎全部用 來克服夾斷區的電阻
iD幾乎僅僅 受控於uGS,恒 流區
用場效應管組成放大電路時應使之工作在恒流區。N 溝道增強型MOS管工作在恒流區的條件是什麼?
耗盡型MOS管
《场效应管放大电路》课件
场效应管放大电路的组成
01
场效应管放大电路主要由场效应管、输入信号源、偏置电路和 负载组成。
02
输入信号源提供输入信号,偏置电路为场效应管提供合适的偏
置电压,负载则将放大后的信号输出。
场效应管是放大电路的核心元件,负责将输入信号放大并输出
03 。
场效应管放大电路的工作过程
01
输入信号通过输入信号源加在场效应管的栅极上,引起场效应管的电 流变化。
场效应管类型选择
根据应用需求选择合适的场效应管类型,如N沟道或P沟道。
场效应管参数确定
根据电路性能要求,确定场效应管的直流参数、交流参数和极限 参数。
场效应管工作状态
了解场效应管的工作状态,如饱和区、放大区和截止区,以确保 正确使用。
场效应管放大电路的电路设计
01
02
03
电路设计原则
遵循放大电路的基本原则 ,如电压放大倍数、电流 放大倍数、输入电阻和输 出电阻等。
《场效应管放大电路》PPT 课件
contents
目录
• 场效应管放大电路概述 • 场效应管放大电路的工作原理 • 场效应管放大电路的设计与实现 • 场效应管放大电路的性能分析 • 场效应管放大电路的调试与优化 • 场效应管放大电路的应用实例
01 场效应管放大电 路概述
场效应管放大电路的定义
场效应管放大电路是一种利用场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)的电压控制电流特性,将微弱的信号 电压放大到足够驱动负载的电路。
功率放大器设计
总结词
功率放大器是场效应管放大电路的重要应用之一,用于将微弱的信号放大并驱动负载,如扬声器、电机等。
详细描述
功率放大器通常采用场效应管作为放大元件,通过设计合适的偏置电路和反馈电路,使得放大器能够提供足够的 功率来驱动负载,同时保持较好的线性度和效率。功率放大器广泛应用于音频设备、通信设备、雷达等领域。
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制漏极和源极之间的电流。
由于栅极电流为零,场效应管的漏极 电流与源极电流相等。
2020/10/3
6
场效应管的电压偏置及电流方向
2020/10/3
7
场效应管电压偏置及电流方向(续)
N沟道管的漏极电位高于源极电位,电 流从漏极流向源极;
P沟道管的漏极电位低于源极电位,电 流从源极流向漏极。
漏源电压uDS的存在是形成漏极电流iD 的原因和必要条件。
要让场效应管放大电路实现对输入信 号的放大,也必须确保场效应管能够 不失真地工作在恒流区(饱和区), 而要实现这一点,就必须给场效应管 提供合适的偏置,
2020/10/3
19
1.自偏压电路
由于iG=0, 以及电容C1的 隔直作用,栅
极电阻RG上不 可能有直流电
流流过,所以
栅极直流电压
UG=0。
9
uDS对载流子运动(iD)的影响
(1)uDS是用来形成iD的,所以iD理应受 uDS的影响,二者存在正相关性;
但是uDS和iD之间的数值关系受到沟道变 化的重大影响。
2020/10/3
10
uGS对沟道的影响
(2)uGS是用来改变沟道的,
如果uGS引起沟道夹断,则iD=0; 在沟道畅通的情况下,uGS还会改变沟道
分析方法可以使用估算法(等效电路 法)或图解法。
2020/10/3
24
1.场效应管放大电路的静态分析
场效应管放大电路静态分析的思路,是首 先确定管子的工作状态,再计算此工作状 态下的静态工作点(IDQ,UGSQ,UDSQ)。
应记住场效应管是一种电压控制器件,栅 极只需要偏压,不需要偏流(IG=0),所 以漏极电流恒等于源极电流(iD=iS)。
的宽窄,进而改变漏极和源极之间的导
电特性,从而改变uDS和iD的比例系数, 这相当于漏极和源极之间的存在着一个
受uGS控制的可变电阻。
2020/10/3
11
uGS与uDS 共同改变沟道
(3)uGS对沟道的改变又受到uDS的影响。
预夹断时,电流iD在uDS变化时基本保持 稳定。
(请详细阅读教材)
17
N沟道耗尽型FET工作状态(续)
可变电阻区:
栅源电压够高,保证沟道存在; 漏源电压够低,沟道未发生预夹断
UP<UGS<0,0≤UDS≤UGS-UP
IDIDS2 S1U U G PS U U DPSU U D PS 2
2020/10/3
18
7.3.2 场效应管放大电路的组成
共栅、共漏、共源
2020/10/3
13
7.3.1 场效应管放大电路的工作原理
场效应管的栅极、漏极和源极分别对应晶 体管的基极、集电极和发射极,
场效应管放大电路也可以组成共栅、共漏、 共源放大电路。
要让场效应管放大电路实现对输入信号的 放大,也必须确保场效应管能够不失真地 工作在恒流区(饱和区),
而要实现这一点,就必须给场效应管提供 合适的偏置(自偏压和分压式偏压 )
2020/10/3
20
自偏压电路(续)
又因为场效应管的iD=iS,于是源极直流电 压US就等于源极电阻Rs上的直流电压:
US=RsID
于是栅源电压
UGS=UG-US=-IDRs
ID为零时,UGS=0,耗尽型FET的导电沟道 就已经存在。
2020/10/3
21
自偏压电路(续)
自偏压电路要求栅极无电压时就存在 导电沟道,所以只能适用于耗尽型场 效应管。
2020/10/3
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场效应的外部偏置条件
N沟道场效应管工作在恒流区的外部偏置条 件是uDS过高导致uGD过低,低到不足以维持 沟道畅通的程度。
此时沟道发生预夹断,iD基本上不随uDS变 化而取决于uGS的值,并以转移特性来表示。
当uDS较小时,场效应管不会发生预夹断, 也就不会进入恒流区,而是工作在可变电 阻区,此时的iD既取决于uDS,又取决于uGS。
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2.场效应管工作状态的确定
场效应管的工作状态,既可以从电压角度 来判断,也可以从电流角度来判断。
从电压角度看,场效应管的外加电压必 须能够确保“沟道预夹断”——uGS能确 保沟道存在,uDS能确保沟道预夹断。
从电流角度看,场效应管的控制特性以 平方关系出现。
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电路与模拟电子技术 原理
第七章 基本放大电路
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第7章 基本放大电路
7.1 放大电路概述 7.2 晶体管放大电路 7.3 场效应管放大电路 7.4 功率放大电路 7.5 多级放大电路2020/10/3 Nhomakorabea2
7.3 场效应管放大电路
任何元件,只要能够实现变量之间的控制 特性,就可以用来构成放大器。
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场效应管电压偏置及电流方向(续)
以N沟道管为例,因为自由电子从源极
流向漏极(电流方向从漏极指向源
极),所以要求uDS>0(漏极电位必 须高于源极电位),
uDS增大将导致iD增大,但是uDS和iD之 间的这种正相关性,却受到栅极电压
(用uGS表示)作用的强烈影响。
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N沟道耗尽型FET工作状态
截止区:
栅源电压过低,导致沟道夹断
UGS<UP iD=0
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N沟道耗尽型FET工作状态(续)
恒流区:
栅源电压够高,保证沟道存在; 漏源电压过高,沟道预夹断
UP<UGS<0,UDS>UGS-UP
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ID IDSS1UUGPS
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利用晶体管工作在放大区时,集电极电流iC 受基极电流iB控制(iC=βiB)这一特征,可 以构成晶体管放大电路。
利用场效应管工作在恒流区时,漏极电流iD 受栅源电压uGS控制的特性,也可以构成场 效应管放大电路。
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1.深入理解场效应管
场效应管的栅极、漏极和源极
源极的意思是“载流子之源” 漏极的意思是“载流子之漏” 栅极这个名词来自电子管,其作用是控
结型场效应管在没有栅极电压的时候 也存在导电沟道,所以也属于耗尽型 场效应管。
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2.分压式偏置电路
分压式偏置 既适用于增 强型场效应 管也适用于 耗尽型场效 应管。
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7.3.3 场效应管放大电路的近似估算
场效应管放大电路的分析与晶体管类 似,也要先进行直流分析,得到静态 工作点;再进行动态分析,得到放大 倍数、输入电阻、输出电阻等交流参 数。
由于栅极电流为零,场效应管的漏极 电流与源极电流相等。
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场效应管的电压偏置及电流方向
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场效应管电压偏置及电流方向(续)
N沟道管的漏极电位高于源极电位,电 流从漏极流向源极;
P沟道管的漏极电位低于源极电位,电 流从源极流向漏极。
漏源电压uDS的存在是形成漏极电流iD 的原因和必要条件。
要让场效应管放大电路实现对输入信 号的放大,也必须确保场效应管能够 不失真地工作在恒流区(饱和区), 而要实现这一点,就必须给场效应管 提供合适的偏置,
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1.自偏压电路
由于iG=0, 以及电容C1的 隔直作用,栅
极电阻RG上不 可能有直流电
流流过,所以
栅极直流电压
UG=0。
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uDS对载流子运动(iD)的影响
(1)uDS是用来形成iD的,所以iD理应受 uDS的影响,二者存在正相关性;
但是uDS和iD之间的数值关系受到沟道变 化的重大影响。
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uGS对沟道的影响
(2)uGS是用来改变沟道的,
如果uGS引起沟道夹断,则iD=0; 在沟道畅通的情况下,uGS还会改变沟道
分析方法可以使用估算法(等效电路 法)或图解法。
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1.场效应管放大电路的静态分析
场效应管放大电路静态分析的思路,是首 先确定管子的工作状态,再计算此工作状 态下的静态工作点(IDQ,UGSQ,UDSQ)。
应记住场效应管是一种电压控制器件,栅 极只需要偏压,不需要偏流(IG=0),所 以漏极电流恒等于源极电流(iD=iS)。
的宽窄,进而改变漏极和源极之间的导
电特性,从而改变uDS和iD的比例系数, 这相当于漏极和源极之间的存在着一个
受uGS控制的可变电阻。
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uGS与uDS 共同改变沟道
(3)uGS对沟道的改变又受到uDS的影响。
预夹断时,电流iD在uDS变化时基本保持 稳定。
(请详细阅读教材)
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N沟道耗尽型FET工作状态(续)
可变电阻区:
栅源电压够高,保证沟道存在; 漏源电压够低,沟道未发生预夹断
UP<UGS<0,0≤UDS≤UGS-UP
IDIDS2 S1U U G PS U U DPSU U D PS 2
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7.3.2 场效应管放大电路的组成
共栅、共漏、共源
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7.3.1 场效应管放大电路的工作原理
场效应管的栅极、漏极和源极分别对应晶 体管的基极、集电极和发射极,
场效应管放大电路也可以组成共栅、共漏、 共源放大电路。
要让场效应管放大电路实现对输入信号的 放大,也必须确保场效应管能够不失真地 工作在恒流区(饱和区),
而要实现这一点,就必须给场效应管提供 合适的偏置(自偏压和分压式偏压 )
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自偏压电路(续)
又因为场效应管的iD=iS,于是源极直流电 压US就等于源极电阻Rs上的直流电压:
US=RsID
于是栅源电压
UGS=UG-US=-IDRs
ID为零时,UGS=0,耗尽型FET的导电沟道 就已经存在。
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自偏压电路(续)
自偏压电路要求栅极无电压时就存在 导电沟道,所以只能适用于耗尽型场 效应管。
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场效应的外部偏置条件
N沟道场效应管工作在恒流区的外部偏置条 件是uDS过高导致uGD过低,低到不足以维持 沟道畅通的程度。
此时沟道发生预夹断,iD基本上不随uDS变 化而取决于uGS的值,并以转移特性来表示。
当uDS较小时,场效应管不会发生预夹断, 也就不会进入恒流区,而是工作在可变电 阻区,此时的iD既取决于uDS,又取决于uGS。
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2.场效应管工作状态的确定
场效应管的工作状态,既可以从电压角度 来判断,也可以从电流角度来判断。
从电压角度看,场效应管的外加电压必 须能够确保“沟道预夹断”——uGS能确 保沟道存在,uDS能确保沟道预夹断。
从电流角度看,场效应管的控制特性以 平方关系出现。
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电路与模拟电子技术 原理
第七章 基本放大电路
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第7章 基本放大电路
7.1 放大电路概述 7.2 晶体管放大电路 7.3 场效应管放大电路 7.4 功率放大电路 7.5 多级放大电路2020/10/3 Nhomakorabea2
7.3 场效应管放大电路
任何元件,只要能够实现变量之间的控制 特性,就可以用来构成放大器。
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场效应管电压偏置及电流方向(续)
以N沟道管为例,因为自由电子从源极
流向漏极(电流方向从漏极指向源
极),所以要求uDS>0(漏极电位必 须高于源极电位),
uDS增大将导致iD增大,但是uDS和iD之 间的这种正相关性,却受到栅极电压
(用uGS表示)作用的强烈影响。
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N沟道耗尽型FET工作状态
截止区:
栅源电压过低,导致沟道夹断
UGS<UP iD=0
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N沟道耗尽型FET工作状态(续)
恒流区:
栅源电压够高,保证沟道存在; 漏源电压过高,沟道预夹断
UP<UGS<0,UDS>UGS-UP
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ID IDSS1UUGPS
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利用晶体管工作在放大区时,集电极电流iC 受基极电流iB控制(iC=βiB)这一特征,可 以构成晶体管放大电路。
利用场效应管工作在恒流区时,漏极电流iD 受栅源电压uGS控制的特性,也可以构成场 效应管放大电路。
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1.深入理解场效应管
场效应管的栅极、漏极和源极
源极的意思是“载流子之源” 漏极的意思是“载流子之漏” 栅极这个名词来自电子管,其作用是控
结型场效应管在没有栅极电压的时候 也存在导电沟道,所以也属于耗尽型 场效应管。
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2.分压式偏置电路
分压式偏置 既适用于增 强型场效应 管也适用于 耗尽型场效 应管。
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7.3.3 场效应管放大电路的近似估算
场效应管放大电路的分析与晶体管类 似,也要先进行直流分析,得到静态 工作点;再进行动态分析,得到放大 倍数、输入电阻、输出电阻等交流参 数。