3联合态密度和临界点
《概率论与数理统计》3-3 边缘分布

2
2
2
1 arctan x 2
同理 ,
x ,
1 FY y lim F x, y 2 arctan y x 2 2 2
求 :⑴ C , ⑵ P X Y 1 . 解 又 ⑴由性质 :
x, y D,
其它 ,
f x, y d 1.
y
2 1
D1
O
1
x
f x, y d 0 dx0 Cxydy
1 1 2 C x y dx 2C xdx 0 2 0 0 1 2
P X ,Y D f x, y dxdy.
D
注: 注意分块积分. 只对密度函数为正的部分积分.
例1 设 D 是由 x 0, y 0, x 1, y 2 所围成的平面区
域 , 二维随机变量 X , Y 的联合概率密度函数为:
Cxy f x, y 0
fY y
所以
f x, y dx y 1dx 2 2 y,
0 y 1,
其它 .
2 y
2 2 y fY y 0
y
1 yx
y 2 x
O
1
2x
2 , , 定理 3.6 设 X , Y ~ N 1 , 2 , 12 , 2
2 1
,Y
.
证明 :
f X x
y 2
热力学与统计物理第三章知识总结

热力学与统计物理第三章知识总结第一篇:热力学与统计物理第三章知识总结§3.1 热动平衡判据当均匀系统与外界达到平衡时,系统的热力学参量必须满足一定的条件,称为系统的平衡条件。
这些条件可以利用一些热力学函数作为平衡判据而求出。
下面先介绍几种常用的平衡判据。
oisd一、平衡判据1、熵判据熵增加原理,表示当孤立系统达到平衡态时,它的熵增加到极大值,也就是说,如果一个孤立系统达到了熵极大的状态,系统就达到了平衡态。
于是,我们就能利用熵函数的这一性质来判定孤立系统是否处于平衡态,这称为熵判据。
孤立系统是完全隔绝的,与其他物体既没有热量的交换,也没有功的交换。
如果只有体积变化功,孤立系条件相当与体积不变和内能不变。
因此熵判据可以表述如下:一个系统在体积和内能不变的情形下,对于各种可能的虚变动,平衡态的熵最大。
在数学上这相当于在保持体积和内能不变的条件下通过对熵函数求微分而求熵的极大值。
如果将熵函数作泰勒展开,准确到二级有d因此孤立系统处在稳定平衡态的充分必要条件为既围绕某一状态发生的各种可能的虚变动引起的熵变稳定的平衡状态。
如果熵函数有几个可能的极大值,则其中最大的极大相应于稳定平衡,其它较小的极大相应于亚稳平衡。
亚稳平衡是这样一种平衡,对于无穷小的变动是稳定是,对于有限大的变动是不稳定的。
如果对于某些变动,熵函数的数值不变,这相当于中性平衡了。
,该状态的熵就具有极大值,是熵判据是基本的平衡判据,它虽然只适用于孤立系统,但是要把参与变化的全部物体都包括在系统之内,原则上可以对各种热动平衡问题作出回答。
不过在实际应用上,对于某些经常遇到的物理条件,引入其它判据是方便的,以下将讨论其它判据。
2、自由能判据表示在等温等容条件下,系统的自由能永不增加。
这就是说,处在等温等容条件下的系统,如果达到了自由能为极小的状态,系统就达到了平衡态。
我们可以利用函数的这一性质来判定等温等容系统是否处于平衡态,其判据是:系统在等温等容条件下,对于各种可能的变动,平衡态的自由能最小。
固体物理Ch4.7-能态密度和费米面

HUBEI UNIVERSITYCh4.7 能态密度和费米面3ds2V⎰Ch4.7 能态密度和费米面5Ch4.7 能态密度和费米面7作业:求解一维、二维情况下自由电子能态密度N(E))E k∇Ch4.7 能态密度和费米面9k yk xA·C ··BE E B 时:N (E )由0迅速增大。
()V dE dZ E N ==2Ch4.7 能态密度和费米面13紧束缚近似等能面简立方晶格的s带对应的能态密度函数图⇀Ch4.7 能态密度和费米面15Ch4.7 能态密度和费米面17kFCh4.7 能态密度和费米面19Ch4.7 能态密度和费米面21公有化态—能带)晶体中电子波函数是布洛赫函数,它反映晶体电子共有化运动和围绕Ch4.7 能态密度和费米面23取值所对应的许之关系方程的能量区域称作能带或允带:两个相邻能带间的间隔禁带中不存在电子的定态;★禁带的宽度对晶体的导电性:晶体中最低能带的各个能级都被Ch4.7 能态密度和费米面25在外电场的作用下,导带中的电子可以进入同一能带中未被填充的稍高的能级,这个转移过程没有反向的电子转移与之抵消。
所以导带中的电Ch4.7 能态密度和费米面27Ch4.7 能态密度和费米面29二价碱土金属——最外层2个s态电子,似乎刚好填充满和s相应的能带。
由于与s对应的能带和上面的能带发生重叠,2N个尚未填充满s态能带,就开始填充上面的能带,形成两个能带都是部分填充——碱土金属为金属导体——第一布里渊区中的状态尚未填满,第二布里渊区已填充电子,此时的费米面由两部分构成Ch4.7 能态密度和费米面31Ch4.7 能态密度和费米面33——在低能量区域Na、Mg、Al和金刚石、硅的X光子发射能量逐渐上升的——反映了电子的能量从带底逐渐增大,其能态密度逐渐增大的规律Ch4.7 能态密度和费米面35——在高能量的一端金刚石、硅的X光子发射谱逐渐下降——反映了电子填充了导带中所有的状态,即满带。
陈书刚范霍夫奇点 3

主讲人:陈书刚
目录
CONTENTS
01
定义
02 Van Hove 奇点的类型以及图像
03
Van Hove 奇点对物理性质的影响
01
定义
固体物理学中,态密度定义为
D(E)
(2 )3
dSE s| k E(k) |
;
很明显 kE(k) 0 时,被积函数发散。这些满足 kE(k) 0 的K点称为 Van hove奇点。
。
3
(3)1,2 0,3 0 : E(k)为I类鞍点,记为M1。
(4)1 , 2
0,3
0:M
。
2
图2.2给出了态密度在范霍夫奇点处的表现。
以上讨论的是三维能带的情况。对于N维系统,霍尔夫奇点类型 M n
的数目至少为
CnN
N! (n n!(N n)!
N)
如对一维体系 (N 1), C10 1, C11 1,即至少有一个极小点 M 0 和一个 极大点 M1 ; 对于二维体系,至少有一个极小点 M 0 ,两个鞍点 M1 和一个极大点 M2 ; 对于三维体系,至少有一个极小点 M 0 ,一个极大点M3 ,三个鞍点 M1 和三个鞍点 M 2 。
与此同时,理论上,一个靠近费米能级的范霍夫奇点会对超导材 料的超导电性产生重要的影响。因为范霍夫奇点增加了费米能处 的电子态密度,它通常会增加传统BCS超导体的超导电性。
谢谢!
02
Van Hove 奇点的类型以及图像
2.1 三维情形
在这些奇点附近,可以将能带进行泰勒展开:
3
E(k) E(kcp) i (k kcp)i2 i 1
式中系数 i决定了霍尔夫奇点的类型,共有四类:
(1)1,2 ,3
固体物理学:第四章 第七节 能态密度

§4.7 能态密度
固体中能级分布是准连续的,我们可以类似声子态密 度,来定义能量E附近单位能量间隔中的状态数,即能 态密度。
固体中能带都可以在简约布里渊区中表示,并且在k空 间均匀分布,波矢密度(考虑到自旋简并度)为 2V/(2pi)^3。定义能态密度为:
类似前面声子态密度,考虑到等能面,得到另一种更 实用的形式:
积分沿着一个能量为E的等能面进行。总态密度是对 所有能带求和:
这样就可以通过能带结构来计算能态密度。 对于不同纬度,有:
在一维情况下,能带的等能面成为两个等能点,二维情况下, 退化为等能线。
一、自由电子的能态密度
自由电子的能谱: 其等能面是一个球面,并且沿着等能面: 因此
因此自由电子气的能态密度与系统的维度密切相关:
能态密度是固体电子能谱分布的重要特征。特别是 低激发态的能态密度,因为这部分状态对配分函数 贡献最大。
低能激发态被热运动激发的概Fra bibliotek大于高能激发态。
如果低能激发态的态密度大,则体系因为热运动而 产生的涨落就强,其有序度就低,以至消失,不容 易出现有序相。
因而低能态密度的大小决定了体系的有序度和相变。
从上面的可以看到,不同维度的自由电子气的能态密度 有决定性的差异。
对于3维体系,低能态密度随E的减小而趋于0,因为低温 下热运动引起的涨落小,体系在低温下有长程序。
对于1维体系,低能态密度随E的减小而趋于无穷,因为 即使在低温下,热涨落仍然很强,所以1维体系不能具有 长程序。
而2维体态密度是常数,介于1维和3维之间,可具有准长 程序,并会有一些特殊相变。
实际问题中,常把一些长链分子聚合物当做准一维 链状分子。在这些体系中会出现如派尔斯 (Peierls) 失稳, 孔氏(Kohn)反常等物理效应。
态密度 奇异点

态密度奇异点态密度是固体物理学中一个重要的概念,它描述了能量空间中单位能量范围内存在的态的数量。
在固体物理学中,态密度对于理解材料的电子结构、热学性质和光学性质等具有重要的意义。
本文将详细介绍态密度的定义、计算方法以及奇异点对态密度的影响。
一、态密度的定义与计算方法态密度是描述材料能级分布的物理量,通常用D(E)表示,其中E为能量。
态密度D(E)可以用以下公式表示:D(E) = (dn/dE)/(V/A)其中,dn/dE为单位体积内能量位于[E, E+dE]范围内的电子数量,V为体积,A为模型系统的原子数。
在实际计算中,态密度常常通过对能级计数进行离散化来近似表示。
离散化后,可以用简单的数值方法计算出能级分布,并进一步计算得到态密度。
常用的计算方法有DOSCAR文件计算、Löwdin投影计算等。
二、态密度的物理意义态密度D(E)与材料中的电子能级分布紧密相关。
D(E)的特征可以反映材料的能带结构、带隙等重要信息。
在材料物性研究中,通过研究态密度的变化,可以获得材料的导电性、热学性质、光学性质等重要参数。
三、奇异点对态密度的影响奇异点是指态密度曲线中的突变点或不连续点。
奇异点的出现与材料的特殊电子结构相关,对材料的特性和物性具有重要影响。
1. 范德瓦尔斯奇异点范德瓦尔斯奇异点是指作为范德瓦尔斯排斥力的峰值所形成的态密度突变点。
范德瓦尔斯奇异点的存在导致材料具有特殊的化学反应性和力学强度。
2. 直接能隙奇异点材料的直接能隙奇异点是指由电子在能带间跃迁时引起的态密度变化。
直接能隙奇异点的出现与材料的电子结构调控密切相关,可以通过调控能带结构来改变材料的光学性能。
3. 扩展态与本征宽带隙材料的奇异点对于扩展态和本征宽带隙材料,奇异点通常出现在费米能级处。
费米能级附近的态密度突变点对材料的导电性和热电性能有重要影响,在研究材料的输运性质和器件设计时需要考虑这些奇异点的影响。
四、态密度与实际应用由于态密度与材料的电子结构、物性密切相关,因此在材料设计和物性研究中具有重要意义。
固体物理复习题整理

第二章
基本概念:
1、固体的结合可以概括为离子性结合、共价结合、金属性结合和范德瓦尔结合这四种基本形式。
2、离子性结合是指固体中原子与原子之间的结合方式是以离子形式结合的单位。
3、结合能:两粒子结合成稳定结构时所释放出来的能量,或者是破坏稳定结构所需要的最小能量。也就是两粒子处在平衡状态时所具有的势能。
所以,能态密度为
5、例3:求简单立方s态能带的能态密度。
解:简单立方s态能带为
很明显, 。
在长波区域 时, ,此时等能面是一个半径为 的球面,
在 的其他地方,颇为复杂。从其等能面图上可以看到,有些地方, ,也就是 的地方,这些地方,导致能态密度发散,这样的点称为范霍夫奇点,也叫临界点。
6、作业:(1)求二维自由电子的能态密度。
方向性是指原子只在特定的方向上形成共价键。
7、电离度:描述共价结合中离子性的成份。
8、原子的负电性是用来标志原子得失电子能力的物理量,负电性越大越容易得到电子,负电性越小,越容易失去电子。负电性=0.18(电离能+亲和能),(单位:电子伏特)
9、亲和能用来度量原子束缚电子能力的量,即一个中性原子获得一个电子成为负离子时所放出的能量。
4.(作业)一维双原子链中, , ,计算: 1、光学波 和 以及声学波 ;
5.(作业)计算相应的声子能量 ( 声子的能量 )
6.(作业)在T=300K下,三种声子的数目各为多少?(利用 来求声子数)
7.课本p.580.第3.4题:考虑一个全同原子组成的平面方格子,用 记第 行,第m列的原子垂直于格平面的位移,每个原子质量为M,最近邻原子的力常源自为c,解:两格点连线的位矢为
固体物理第21讲能态密度和费密面

等能面在kz=0处的截面
8
能态密度
带底
V
d S
N (E )
83 a J1等 能 面(sin2kxasin2kyasin2kza) 9
E0是能带的中点,N(E)以 E0为中心上下对称。
10
点
X点k = (0,0,/a)的能量 X点恰好是等能面与布里渊 区界面的交点。
11
在点
处能态密度曲线不连续
球的半径
kF
2( 3)1的密度 n N
14
V
费米波矢、费米动量、费米速度和费米温度 费米球半径 费米能量 费米动量
费米速度
费米温度
15
自由电子球半径rs:
EF:1.5eV~15eV
16
——晶体中的电子:单电子的能级由于周期性势场的影响 而形成一系列的准连续的能带,N个电子填充这些能带中 最低的N个状态
2
能态密度
N(E) lE im 0 Z E(2V )3
dS kE
考虑到电子的自旋,能态密度
V dS V dS
N(E)2(2)3 kE43 kE
3
1) 自由电子的能态密度 电子的能量
k空间, 等能面是半径 在球面上
的球面
能态密度
2V
(2)2
(2m2 )3/2
E
可见,E和N(E)是抛物线规律
第二十一讲、能态密度和费密面 1. 能态密度函数 —— 原子中电子的本征态对应着能级,可具体标明能级的能 量 —— 固体中电子的能量由一 些准连续的能级形成的能带,换 言之,固体中的能级很密集。
—— 采用‘能态密度’来概括这种情况下的能级。
—— 能量在E~E+E之间的能态数目Z
能态密度函数 N(E) lim Z E0 E
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3.3 联合态密度和临界点 上面我们从微观跃迁过程出发给出了理想晶体由直接跃迁(或竖直跃迁)决定的吸收光谱的一般表达式。材料吸收光谱的具体形式显然依赖于材料具体的能带结构。但是,不同材料的光谱存在一个共有的特点:
实验发现晶体吸收光谱中常会出现一些明显的
结构,或拐点,(如图3.3-1给出的例子)
这些结构产生的物理原因和拐点附近吸收光谱的行为?
图3.3-1 带间直接跃迁决定的吸收光谱示意图 3.3.1 联合态密度和临界点 (joint or combined density of states and critical point) 考查计算或2的公式:
02
22
322
vv,022cvckk
ceBZ
ncedkpEkEkm
积分的被积函数中的矩阵元 2vckkp 除了在一些特殊的k值(由于对称性)变为零,一般来说是k的平滑函数。 即 或2中一些拐点,不会是由于矩阵元对k
的依赖关系。 在这些拐点附近(很小 ),这矩阵元可近似地看作常数,移出积分号。这一近似的含义是,在这小的能量范围里,满足能量守恒的每个跃迁元过程都有相同的几率,因而总的跃迁速率与可能的跃迁数目成比例。式中的积分变为:
3,22cvcvBZ
dkJEkEk
, (3.3-1)
---- 给定光场下,波矢和自旋相同,能量间隔为,分属两个带的状态对(在这里,一个在价带,一个在导带)的数密度,称之为 联合态密度。 下面的讨论将显示晶体吸收光谱中出现的拐点正是与这联合态密度相联系的。 为明显看出这一点,我们把k空间的积分cvJ作一改写。
k
空间的体积元可表示为
cvEEEdkdskdsk
, (3.3-2)
其中cvEEEds 为 曲面cvEkEkE上的面元矢量,ds为面元大小,k为波矢增量,它在面元法线方向的投影为k。
利用 dfkfkfk,也即 kdff。
cvJ就可表示成:
3.3.2222cvcvBZ
cvBZcv
JEdskEkEkEdfdsEkEkEEkEk
(3.3-3)
上式中()cvfkEkEkE,对 df 积分后变为 3
.22cvcvEEEcvBZ
dsJEEkEk
(3.3-4)
(对比态密度NE:k空间中,等能面()EkE与EdE
之间的状态数/dE,它等于这两个k空间等能面所夹的壳层体积与()gk之积/dE:
3
()()22()()EkEEkEkkdsdsNEdEgkdEdEEkEk
) 由cvJE的这一表达式可见, 积分被积函数可能在某些特定的k值,0cvEkEk,被积函数发散,出现奇点。称之为 临界点(critical point)。该点对应的带间能量差 0cvEkEkE 称为 临界点能量。 在这一能量值,联合态密度cvJE呈现一个拐点。
由对称性 → 可能有多个同类临界点 下面限于讨论单个临界点的情形 由于临界能附近cvJE的异常变化是由k空间临界点附近的一个小范围内状态对数目随E的变化决定的,这范围以外的区域对cvJE积分的贡献是常数,我们可以限于讨论临界点附近区域的贡献。 将cvEkEk在临界点附近展开,取到二次项(由临界点条
件,一次项显然为零): 2222
02yxzcvxyzxyz
kkk
EkEkEmmm
(3.3-5)
其中0E为临界点处的cvEkEk值(临界点能量),,,xyzkkk都是沿主轴相对临界点的值,展开式系数的大小由,,xyzmmm的倒数表示,系数的符号则由,,xyz
来表示,即它们可能的取值为1。
按,,xyz的正或负,临界点可分为四类: 极小值点0M:对于它,1xyz, cvEkEk
在此奇点取极小值;
鞍点(saddle point)1M:对于它,两个i取正,一个取负; 鞍点(saddle point)2M:对于它,一个i取正,两个取负; 极大值点3M:1xyz,cvEkEk在奇点取极大值。 联合态密度 在这几种 临界点相应的临界点能量附近的行为 ? 讨论中会利用函数的性质:
i
bi
iax
gxgxfxdxdfxdx
, (3.3-6)
其中ix是方程0fx在区间,ab中的第i个根。
以下为方便起见,引进新坐标 122jjjqkm,其中,,jxyz。 于是: 2222
022202yxzcvxyzxyz
xxyyzz
kkk
EkEkEmmmEqqq
进而,(3.3-1)式
3,22cvcvBZ
dkJEkEk
改写为
12
32
222033222xyzcvxxyyzz
mmmJEdqEqqqE
(3.3-7)
先讨论0M点,对这一情形,采用球坐标较方便,这时:
12
32
22
0332242xyzcv
mmmJEqdqEqE (3.3-8)
上式中的积分可利用前面提到的函数的性质(3.3-6)来计算。 i
bi
iax
gxgxfxdxdfxdx
方程 20()0fxEqE 仅当0EE时,有一正实数根1200qEE,而且202dfdqdEqEdqq,
由此我们得到:
12322
033
0
1272
1212
003
224222xyzcvxyzmmmq
JEqmmmEEAEEh
(3.3-9)
而在0EE时,方程200EqE无根,这时0cvJE。 对鞍点1M,用柱坐标较方便。在,xyqq平面的极坐标为,q。
1232
2220331232220332222222xyzcvxyz
xyzzz
mmmJEdqEqqqEmmmqdqdqqqEE
(3.3-10) 先对zq积分,得
01232330221222zxyzcvqz
mmmJEqdqq
(3.3-11)
当200qEE时,方程2200zqqEE有两个根200zqqEE, 代入上式,得: