拉晶工基本操作步骤
中环晶体拉晶操作规程(3篇)
第1篇一、引言中环晶体拉晶操作规程是指导操作人员进行晶体生长的基本规范，旨在确保晶体生长过程的安全、高效和质量。
本规程适用于中环晶体生长车间所有参与拉晶操作的人员。
二、操作前的准备工作1. 确认拉晶设备的正常运行，包括电源、冷却系统、真空系统等。
2. 检查拉晶炉的密封性，确保无泄漏。
3. 检查拉晶炉内的气氛，确保符合晶体生长要求。
4. 检查拉晶模具的清洁度，确保无杂质。
5. 准备好拉晶所需的材料，如籽晶、晶体生长材料等。
6. 确认操作人员已穿戴好防护用品，如防护眼镜、手套、防护服等。
三、拉晶操作步骤1. 启动拉晶设备，确保设备运行正常。
2. 将籽晶插入拉晶模具，调整好籽晶的位置。
3. 开启拉晶炉的气氛控制系统，调整气氛参数，确保符合晶体生长要求。
4. 将晶体生长材料放入拉晶炉内，调整好温度和生长速率。
5. 启动拉晶炉的冷却系统，确保晶体生长过程中的温度稳定。
6. 启动拉晶炉的真空系统，确保晶体生长过程中的真空度符合要求。
7. 观察晶体生长过程，根据实际情况调整生长参数。
8. 当晶体生长到预定厚度时，停止生长，取出晶体。
9. 对晶体进行切割、抛光等后续处理。
四、操作注意事项1. 操作人员应严格遵守操作规程，确保晶体生长过程的安全。
2. 在操作过程中，注意观察拉晶设备的运行状态，发现异常情况立即停止操作，并及时报告。
3. 拉晶过程中，注意避免接触晶体生长材料，以免污染晶体。
4. 操作人员应保持良好的工作环境，确保操作过程中的通风良好。
5. 操作过程中，注意保护籽晶，避免损坏。
6. 操作结束后，对拉晶设备进行清理，确保设备干净整洁。
五、安全措施1. 操作人员应穿戴防护用品，如防护眼镜、手套、防护服等。
2. 拉晶过程中，注意保持安全距离，避免发生意外。
3. 操作过程中，严禁触摸高温设备，如拉晶炉等。
4. 操作结束后，及时关闭拉晶设备的电源，确保设备安全。
六、操作记录1. 操作人员应详细记录拉晶过程中的各项参数，如温度、生长速率、气氛等。
拉晶工艺流程
拉晶工艺流程
引晶放肩转肩等径收尾
（１）引晶前找准引晶温度。
引晶过程中温度偏高偏低需调节时可通过温校速率,尽量避免在SP上进行操作,以免影响加热功率的过大变化。
细晶长度要求在120-150mm之间。
细晶直径3-4mm引晶时间控制在1小时左右较适宜。
（２）放肩是一降温过程。
引晶完毕后拉速降至0.4.操作工需根据引晶时炉内温度和放肩生长情况酌情降温.降温时也需在温校速率上来执行,一般控制在-1度至-5度。
也可酌情增加,若放肩过程中＂肩＂变方．立刻温校速率清零．如仍继续变方可提升拉速．拉速不易超过０.８。
（３）转肩：当通过测镜仪测得＂肩＂直径达到１４９提校速０．８至１。
直径１５０至１５１提开校速１至１．５。
直径为１５１至１５３提升校速到１．５至３观察光圈．光圈开始收缩，即可降低拉速（缓慢）直至降到等晶启始拉速１．１。
对取光孔压光圈３分之１处，计长清零，投入各项自控。
转肩完毕。
（仅适用于平肩转肩）
（４）等径生长过程中，操作人员需时刻注意炉内情况，定期和不定期的测量晶体直径．做好详细的晶体生长记录．
等径过程中发现晶体有扭曲、变形情况时，若确定晶棒结构完整，晶线存在，可通过降低校速，提升温度来进行补救，
（５）收尾时由于坩埚内料少，易结晶所以开始收尾时就需提高温校速率．发现有结晶现象可降低埚转，同时提升温校速率。
初学者在收尾时要仔细观察光圈的变化情况。
适宜保持有１至２mm的可见光圈下进行收尾，尾长控制在１５０mm内。
拉晶工艺流程
直拉单晶操作规程拉晶工艺流程包括拆炉清炉清理石墨件装炉抽空熔硅料引晶放肩转肩投自动等径收尾停炉1.拆炉:准备好不锈钢推车，（车面保持干净）专用擦试布，无水乙醇及相应的工具。
先拧开副室门螺丝,打开副室氩气阀门充气,待真空表压力到零位置时,炉内外气压平衡,开启副室门,把晶棒升至副室内, 升起副室炉筒,转副室炉筒时必须把托盘移至副室以下,防止晶棒脱落.然后旋转副室移至取晶框上,稳定晶棒后,快降晶体至取晶框内.待晶棒与接晶框落稳后，然后带手套抓住细颈稍带点力向下攥,用钳子把细颈剪断,再慢慢松细颈，直至钢丝绳搞正完全消失（防止钢丝绳转圈导致钢丝绳开叉），查看一下钢丝绳是否完好，如开叉或断股要剪掉一段，必要时需更换新钢丝绳。
检查重锤表面是否有氧化层，如有，必须用细砂纸打磨干净，然后带好专用手套取出导流筒,保温盖,三瓣埚,石墨托盘,托杆,送至清石墨件房,待自然冷却后进行清理,特别注意托杆上有无硅点情况,(防止没有清理干净,与托杆护套摩擦在拉晶过程中液面抖动.)2.清炉与清石墨件:清理炉子的副室炉筒,小副室,炉盖,炉筒,用长纤维纸,酒精把以上部位全部擦拭干净,做到长纤维纸擦拭过后无污迹。
每炉必清排气口,以免造成排气口堵塞,挥发物过多;用吸尘器吸干净保温罩与加热器上下的挥发物,吸净碳毡上的毡毛。
需保证在晶体的生长过程中尽量避免不起毛，无挥发物等杂质进入料中。
清理石墨件的时候必须注意观察石墨埚的厚度，能不能达到要求，是否有裂纹等。
把石墨件上的挥发物与一些杂质清理干净。
若石墨件上溅有硅料，应用什锦挫或细沙布打磨除去，必要时用砂轮机打磨。
注意：清理石墨件的时候必须注意轻拿轻放，防止造成内裂！3.装炉：安装石墨件时各部位应相互吻合牢固，发现异常及时进行修正，打开埚转，观察石墨埚转动是否平稳，四周与加热器的间距是否匀称，检查取光孔是否对准，检查与钢丝绳软轴是否有异常。
装炉应按其程序规范操作：原料准备检查石英坩埚打开原料袋去掉外层塑料袋，然后准备装炉。
拉晶工艺流程
直拉单晶操作规程拉晶工艺流程包括拆炉清炉清理石墨件装炉抽空熔硅料引晶放肩转肩投自动等径收尾停炉1.拆炉:准备好不锈钢推车，（车面保持干净）专用擦试布，无水乙醇及相应的工具。
先拧开副室门螺丝,打开副室氩气阀门充气,待真空表压力到零位置时,炉内外气压平衡,开启副室门,把晶棒升至副室内, 升起副室炉筒,转副室炉筒时必须把托盘移至副室以下,防止晶棒脱落.然后旋转副室移至取晶框上,稳定晶棒后,快降晶体至取晶框内.待晶棒与接晶框落稳后，然后带手套抓住细颈稍带点力向下攥,用钳子把细颈剪断,再慢慢松细颈，直至钢丝绳搞正完全消失（防止钢丝绳转圈导致钢丝绳开叉），查看一下钢丝绳是否完好，如开叉或断股要剪掉一段，必要时需更换新钢丝绳。
检查重锤表面是否有氧化层，如有，必须用细砂纸打磨干净，然后带好专用手套取出导流筒,保温盖,三瓣埚,石墨托盘,托杆,送至清石墨件房,待自然冷却后进行清理,特别注意托杆上有无硅点情况,(防止没有清理干净,与托杆护套摩擦在拉晶过程中液面抖动.)2.清炉与清石墨件:清理炉子的副室炉筒,小副室,炉盖,炉筒,用长纤维纸,酒精把以上部位全部擦拭干净,做到长纤维纸擦拭过后无污迹。
每炉必清排气口,以免造成排气口堵塞,挥发物过多;用吸尘器吸干净保温罩与加热器上下的挥发物,吸净碳毡上的毡毛。
需保证在晶体的生长过程中尽量避免不起毛，无挥发物等杂质进入料中。
清理石墨件的时候必须注意观察石墨埚的厚度，能不能达到要求，是否有裂纹等。
把石墨件上的挥发物与一些杂质清理干净。
若石墨件上溅有硅料，应用什锦挫或细沙布打磨除去，必要时用砂轮机打磨。
注意：清理石墨件的时候必须注意轻拿轻放，防止造成内裂！3.装炉：安装石墨件时各部位应相互吻合牢固，发现异常及时进行修正，打开埚转，观察石墨埚转动是否平稳，四周与加热器的间距是否匀称，检查取光孔是否对准，检查与钢丝绳软轴是否有异常。
装炉应按其程序规范操作：原料准备检查石英坩埚打开原料袋去掉外层塑料袋，然后准备装炉。
拉晶工艺及操作规程课件
拉晶工艺及操作规程
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4.充氩气
真空度低于6.0Pa,方可打开氩气阀，打开副室氩气 阀门V2使炉内压强保持在1200～1600Pa之间。
通氩气的压力为0.15MPa ，当炉压达到规定要求 后，准备加热。
按要求做好记录。
拉晶工艺及操作规程
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5.化料
化料功率的选择
打开加热开关，用一个小时的时间，均匀的分四次将功 率加到最高功率85～90kw，具体操作：调节加热功率 值，一般为30、50、70、85左右。在料全部熔完之前 ，还剩余少量小料块时，应适当降低功率，以防止跳料。 升温过程一定按照上述过程，加热速度不宜太快，否则易 造成石英坩埚炸裂。
• 摆放好取晶框后，快速降下晶体，严禁使晶体接触到
取晶框（会导致上轴钢丝绳因跳槽而损坏），剪断细
颈后逐步释放重锤，控制好重锤的旋转和晃动，防止
钢丝绳跳槽或籽晶磕碰损伤，此过程中注意个人安全
防护。将取出的晶棒放置到规定地方冷却。
拉晶工艺及操作规程
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检查钢丝绳、籽晶、取出热系统部件
• 检查钢丝绳是否完好可用，若有变硬、毛刺或其 它损坏情况，则应请维修人员去除老化、损坏部 分，或更换新钢丝绳。
判断漏料的迹象除了出现熔液的时间、熔液的高 度位置外，还有一个参考现象是观察加热电流是 否稳定，因为漏料会造成短路打火。
拉晶工艺及操作规程
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挂边的处理
应该在坩埚中心的料未化完时，就将挂边处理掉。因 此，当料刚刚全部垮下时，就要注意观察有无挂边的可能 。如果有，正确的处理顺序是：先用较高的埚位，将支撑 住挂边的处于坩埚中心的料块熔垮，使之与挂边料脱离， 再将埚位降到较低的位置，使挂边料块处于加热器纵向的 中心位置（即高温区），进行烘烤。在处理挂边的过程中 ，功率要适当地升高。
简述拉晶工艺流程
简述拉晶工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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在进行外墙保温三胶两网施工之前，要做好充分的准备。
拉晶的基本流程
1.原料准备。
首先需要准备高纯度的硅原料，这通常通过电解还
原法、气相法或溶胶凝胶法等方法制备。
在准备硅片的过程中，会对其进行清洗和抛光，以去除表面的杂质和缺陷。
2.晶体生长。
在单晶炉中，晶体生长是核心环节。
这个过程包括
将硅片加热到约1400°C的高温下使其融化形成熔体，然后加入晶种，使晶体从晶种上长出。
生长过程中需要控制熔体的温度、降温速度、生长速度和方向等参数。
3.晶棒修剪。
晶体生长结束后，需要对晶体进行修剪，即将晶体根
据要求切割成晶棒。
这一步通常使用金刚石线锯进行。
4.炉子保养。
长时间使用后，单晶炉需要进行定期的保养，包括炉
外清洗、炉体内部清洁、检查零部件的磨损情况和机械部件的运转情况等。
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5.晶体修整和测试。
晶体修整是在晶体的外部去除不平整、不光滑
和不符合规格要求的部分，可以采用化学机械抛光(CMP)和机械抛光等方法。
晶体完成后，还需要对晶体的性能进行测试，包括抗力、电子流、电和光学性能、应变、发光度等。
拉晶工艺及操作规程
拉晶工艺及操作规程一、拉晶工艺概述拉晶工艺是一种通过机械力和热力将晶体材料进行拉伸，使其形成具有特定形状和尺寸的晶体产品。
拉晶工艺广泛应用于半导体行业，用于制备各种电子元器件的晶体材料，如硅晶片、蓝宝石晶片等。
本文将介绍一般的拉晶工艺及操作规程。
二、拉晶工艺步骤1.材料准备：准备好待拉伸的晶体材料，并保证其表面平整、无杂质。
2.模具设计与制备：根据产品的形状和尺寸要求，设计并制备合适的模具。
3.熔炉预热：将晶体材料放入预热炉中，将温度逐渐升高到合适的拉晶温度。
4.拉晶操作：将预热好的晶体材料放入模具中，通过拉伸装置施加机械力，同时利用加热装置对晶体材料进行加热，使其变得可塑性，然后通过拉伸装置进行拉伸，直至达到要求的形状和尺寸。
5.冷却固化：将拉制好的晶体产品放入冷却装置中进行冷却，使其固化和稳定形状。
6.产品处理：对拉晶产品进行去毛刺、抛光和清洗等处理，使其表面光滑、无毛刺。
三、拉晶操作规程1.安全措施：在操作前，要确保操作人员熟悉和掌握操作规程，佩戴好必要的个人防护用品，如防护眼镜、手套等。
确保操作场所通风良好，避免发生意外。
2.设备检查：操作前要对拉晶设备进行检查，确保设备正常运行，并进行必要的维护和保养。
3.温度控制：在拉晶过程中，要根据晶体材料的特性和产品要求，严格控制加热和冷却装置的温度，以避免过热或过冷导致晶体材料的损坏。
4.机械力控制：拉晶过程中，要根据产品的形状和尺寸要求，合理设置拉伸装置的机械力，避免过高或过低的拉力导致晶体材料的破损或形状失控。
5.模具使用：使用合适的模具，并确保模具表面光滑和清洁，以避免模具对晶体材料造成划伤或损坏。
6.操作记录：进行拉晶操作时，要及时记录操作参数和过程，以备后续分析和参考。
四、安全注意事项1.拉晶过程中产生高温，请避免操作人员直接接触加热和冷却装置，以免烫伤。
2.拉晶设备涉及高压和高温，需要由专业人员操作和维护，禁止未经培训和授权的人员接近和操作设备。
直拉单晶操作规程
直拉单晶操作规程操作规程一、拆炉1: 准备确认停炉冷却时间达5h，准备好钳子及取晶筐，向炉内充Ar气，确认炉内为常压时，副室门打开，关闭Ar 流量计启动液压，升起副室筒，稳住晶体轻推左旋副室，晶体筐对准副室筒口，按下晶快降速按钮。
将晶体安全降入筐内，手扶籽晶夹头，用钳子将细颈处剪断，手扶夹头，待钢丝绳拧力全部消失后取籽晶，重锤升进副室内启动液压升起炉盖。
左旋至副室筒下。
2: 炉子清扫2—1戴好工作帽，口罩及专用手套，准备好酒精,吸尘器，无尘纸及放石墨件的不锈钢车。
2—2 依次取出导流筒及上保温盖，先取掉热偶升起主炉室向右旋出，取出上保温筒石英坩锅及埚底料，并放入到不锈钢桶内到指定的地方，锅底料应写清炉号及炉次。
注意：1：石墨件不能用手接触。
2：小心锋利的石英锅碎片和锅底料扎伤手指。
3：石英碎片和锅底料渣不要掉入轴波纹管及加热器缝隙内。
2—3 每炉必须在取下晶棒后及时清理过滤罐、过滤网， 3炉大清炉，每炉管道。
注意：清理过滤罐和管道，具有自燃的现象不能造成人生事故和将密封圈烧坏的现象，所以拆除的地方必须用酒精擦净密封圈并装好。
保证密封圈的完好。
2—4 戴好一次性手套，采取自上而下的原则，清扫副室筒及炉盖，用专用工具沾上酒精，一圈一圈的仔细擦拭副炉筒。
注意：长棍不要和钢丝绳绕在一起，用纸巾沾上酒精擦炉盖顶上密封圈及翻板阀，密封圈并保证密封较进槽无误。
2—5主炉清扫戴好一次性手套用吸尘器与毛刷先刷净附着在主炉室的挥发物，吸净加热器托盘，炉底。
注意：加热器电极螺丝是否松动，炉底排气孔是否畅通。
用沾有酒精的纸巾把主炉室及密封圈擦拭干净。
2—6石墨件的清扫吸净导流筒，保温罩，三瓣埚，用纸巾沾少量的酒精反复擦拭直至无污物。
2—7石墨件的装炉(1) 埚杆装好后要拧紧螺丝，埚杆要平稳无跳动。
(2) 三瓣埚装入后要平稳2—8检查真空泵油位是否在2/3处2—9检查真空泵油是否干净二、装炉1: 准备戴好口罩，帽子，打开石英埚包装，取出石英埚，对光。
拉晶工艺及操作规程共38页
取晶框（会导致上轴钢丝绳因跳槽而损坏），剪断细 颈后逐步释放重锤，控制好重锤的旋转和晃动，防止 钢丝绳跳槽或籽晶磕碰损伤，此过程中注意个人安全 防护。将取出的晶棒放置到规定地方冷却。
检查钢丝绳、籽晶、取出热系统部件
• 检查钢丝绳是否完好可用，若有变硬、毛刺或其 它损坏情况，则应请维修人员去除老化、损坏部 分，或更换新钢丝绳。
清炉过程
待取出的石墨件自然冷却后,进行彻底清理。石墨件的附着物 用砂纸打磨后，用刷子和吸尘器对石墨件作整个除尘，用棉 布或毛巾擦拭直至干净。 清理干净的标准是：导流筒、上下 保温盖、保温筒、三瓣埚、石墨埚托等，必须清理到全部露 出石墨的本色，特别是不能留有黄色的挥发物。
将炉子内壁、炉盖、主炉筒、小副室、副炉筒、两个抽气口 、观察窗、依尔根信号孔及其防护玻璃清理干净。先用吸尘 器把炉内的挥发物等吸净，再用沾有酒精的棉布或毛巾彻底 擦拭，不能留有任何挥发物。
• 戴好高温隔热手套，按顺序取出导流筒、保温盖 冷却；用手或钳子夹住石英埚的上端部分提起取 出，将石英埚整体提出并取出炉内废石英、埚底 料标记后放在指定位置，不要让残骸和碎料掉入 炉内，取出的埚底料不能接触到石墨。然后将三 瓣石墨埚、石墨埚托取出冷却。最后再将主室炉 筒升到最高位，旋转出来（垂直方向上要离开热 系统）固定稳定。必要时，取出保温筒，加热器 以及电极护套炉底部件等。
4. 新装加热器时,加热器与石墨电极之间垫碳箔。每次拆 炉都要抬起加热器，松动与石墨电极之间的连接,以防 粘连。使用一月之后，以上四项检查可以降低频率到每 次大清的时候检查一次。
2.装料
• 检查所备原料及母合金是否与随工单相符，观察包装有无破损现 象，区分原料的大小、破碎程度，如原料不符合要求（如：料未 清洗）应及时更换；按要求穿戴好劳保用品。
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拉晶工基本操作步骤
一)拉晶的基本操作分为13个步骤,如下:
1系统启动2清炉3装料4抽空检漏5化料6全熔稳定7引晶缩颈8放肩9转肩10等径11收尾12停炉及热后真空检漏13拆炉
二)具体明操作
⑴系统启动
在系统启动时先通知机修工送电,待通电后打开控制柜电源并通知机修工检查单晶炉冷却水循环系统及氩气是否可以正常使用.打开控制柜电源后检查晶体转动升降和坩埚转动升降是否正常使用以及晶体上升及下降限位,坩埚上升及下降限位是否也调好.检查石墨件和籽晶钢丝绳重锤,钼拉头是否齐全
⑵清炉
①将炉内石墨件完好的取出
②用砂纸和酒精纸将炉底打磨擦试干净
③将真空泵抽空管道清理干净
④将石墨件用砂纸打磨用究竟纸擦试干净
⑤按照取出的顺序反向依次安装
注:炉底铜电极和石墨电极及加热器在安装时一定要清理干净避免打火.
三)装料
①将备好的料检查好后用装料车拖至需安装料的炉前
②将托杆螺丝紧好
③将炉底用吸尘器吸干净
④通知师傅检查石英坩埚及石墨件
⑤装料时将母合金先放置在石英坩埚底部
⑥将大块料轻轻地放在底部排放整齐，尽量不要有太大的间隙，中块料及小块料用来填补间隙
⑦在装到石英坩埚顶部时放下去的料与石英坩埚接触面尽量减少
⑧在导流筒放下去后，在导流筒中部将剩余的料装好，注意料在装时不要与导流
筒接触
⑨全部装好后封炉
注：装料时请轻拿轻放，装好后炉筒上口、炉盖上口和副室仓门的橡胶密封皮圈一定要装好，并用酒精纸顺一个方向擦拭干净。
装料时，OCI的多晶必须全部装下，装剩下的料尽可能只剩下一种，装料前检查是否需要换油及是否有配件需要修理
四）抽空检漏
①封炉后将主室真空泵打开运行2~5分钟，打开主室泵球阀，先开1∕3处待真空泵抽至压力为-0.01再完全打开球阀
②将真空抽至7pa以下到极限后关闭主室泵球阀进行检漏，要求3分钟泄露不超过1pa
注：在抽空过程中，反复2~3次充氩气再关闭氩气抽空。
如抽不下或泄露过大及时通知机修工修理
五）加热化料
①抽空检漏完成后将主室泵球阀打开充副室氩气，将压力维持在1.3×3
10pa
②打开加热器电源，切换到温度控制界面将功率加至30kw，半小时后加至50kw，半小时后加至70kw,半小时后加至90kw（加热后将电流过低报警器和加热器异常报警器打开
③在高温后，料化至差不多时将功率降至75kw，如有渣则掉渣，无渣就全部化掉
注：加热时如有异常报警，及时找机修工修理。
化料时如有挂边现象则打高功率至95-100kw并把挂边处停置与电极处烘烤，但时间不能太久，等挂边处熔化后降低加热功率并立刻把埚转开起，埚转转速设定为1~2转
六）全溶稳定
①在料化完后，将功率降至60-65kw
②将埚位升至离导流筒与液面倒影未重合1~5cm处
③将埚转升至8转，挥发30~60分钟，埚位为引晶埚位
注：如需测电阻，则在挥发完成后按照上次引晶温度下降1000~1500个SP点，将晶转打开至12转，埚转打升至12~16转放平肩。
注意，装料的公斤数和是否有大清炉，如公斤数不一样或大清炉后第一炉则需要重新找温度。
测电阻加入姆合室后，将埚转打升至0转，晶转升至12转，使姆合金融化尽，将埚转打至12转，搅拌姆合金20分钟（如需再加则反复操作）
七）引晶缩颈
①将埚转打至8转，等1~2分钟待转速稳定后找引晶埚位。
引晶埚位为导流筒与液面倒影重后上升18~22mm. B段为14~17mm
②将埚转升至12转，等待1~2分钟待转速稳定后将籽晶降下与液面接触试温度，待温度合适后引晶
③引晶要求，细晶直径不超过4mm，长度为150mm
④引晶到快要完成时缩颈，将光圈尽量收小后加肩
八）放肩
①引晶完成后，将拉速放至0.4cm/分钟，根据温度打开温校降温或关闭温校
②放肩时观察肩变方则温度低需要关闭温校提高拉速，肩边部变圆发亮则温度高或拉速快，需要将拉速降低或将温校降低
注：放肩时如温度不稳定，操作工必须跟踪观察，不准无人看管
九）转肩
①放肩至直径为169~171时转肩（具体根据直径要求及温度高低而定）
②转肩拉速为3.5cm/分钟，将肩部整体提升待边部光圈出现后缓慢降低拉速，将光圈与肩部拉成直角后准备投自动
③投入自动前先用炉盖左边的依尔跟控制仪调整好（依尔跟中心圈压在炉内晶体外部光圈，光圈在依尔跟中心圈1／3处）
④打开埚升电源，埚跟比电源，将晶体长度清零，温校清零，坩埚位置清零，拉速清零后在选择等径投自动
注：95型单晶炉B段或C段投入自动后温校会累加，必须清零后跟踪观察
十）等径
①转肩完成后，投入自动等径，每小时必须测量一次晶棒直径，如遇B段或C 段控径不稳，则必须等到直径稳定后再离开
②等径记录，在晶棒正常等径状况下，当晶体长度超过100mm，每小时准点做好记录，记录要求准确、准时，不得补填
③等径过程中，拉晶工至少每20分钟必须要查看一次炉中运行状况
注：在等径过程中，如遇到晶体变形、扭曲、控径不稳、埚位过高、晶体晃动等异常情况应及时向师傅或班组长反映
十一）收尾
①在等径完成后，退出等径自动，关闭埚升电源，关闭埚跟比电源，并将温校打至15，投拉速0.8cm/分钟
②看着光圈逐渐将晶体收小收尖
③要求收尾长度≥150mm
④如结晶则将埚位下降使晶棒脱离液面停炉
注：根据班组长要求，如剩料过多需放大，将料尽量拉少。
初步阶段收尾时，必须有师傅在旁指导
十二）停炉及热后真空检漏
①收尾完成后停炉，降低埚位使晶棒与液面分离，埚位下降10cm
②关闭埚转晶升电源
③将晶转设定为6转/分钟
④关闭电流过低和加热器异常报警
⑤将温度控制退出SP控制
⑥将功率百分比设定为0
⑦关闭电加热器电源
⑧停炉时间为6小时
⑨在停炉5小时后做，进行真空检漏
⑩停炉6小时后拆炉
注：由于95型单晶炉晶体长度过长，所以停炉后不升晶升。
热后真空时将氩气关闭，待抽至极限后关闭主室真空泵球阀，检漏要求3分钟泄露不超过1pa，如果泄露过大，拆炉后通知机修工修理。
检漏完成后，关闭主室泵电源，停炉后查看记录本，如需换油通知机修工换油，换油为每四炉换一次
十三）拆炉
①打开副室氩气，将副室仓门冲开
②一人抓住副室拉升腔把手，将副室升起
③扶好炉盖将炉盖升起
④将晶棒升至不会与炉筒碰撞的位置
⑤将炉盖及副室推向炉体左侧
⑥将晶棒移至放晶棒的框中
⑦将石墨件取出
⑧清理储气罐，排气口及石墨件
⑨装棒
注：如晶棒长晶低于1400可直接将晶棒升于副室中，可移动副室降晶棒拆炉。
95型单晶炉装料时间为1.5小时
副室操作
1、当提肩、提渣、提段或更换稳定籽晶时，先将肩、渣、段、籽晶升至副室内翻盖阀碰不到的地方
2、打开主室氩气（流量计升度比副室略低），关闭翻盖阀待副室氩气将副室仓门冲开后取出肩、渣、段、籽晶，用酒精纸将籽晶擦拭干净，并稳定至不晃动
3、将籽晶升至副室内翻盖阀碰撞不到的高度
4、用酒精纸将副室仓门密封圈擦拭干净，并安装好（擦拭密封圈时检查密封圈是否完好，如有开裂破损过大则需及时更换）
5、关闭副室仓门并把四个螺丝紧好
6、打开副室真空泵
7、打开副室真空球阀
8、将副室真空抽至－0.1，关闭副室真空球阀，打开副室氩气流量计，将副室真空压力充至－0.05，关闭副室氩气流量计
9、打开副室真空球阀，将副室真空抽至极限
10、打开翻盖阀
11、将副室氩气流量计打开升度比主室略高。
关闭主室氩气流量计
12、关闭副室真空球阀
13、关闭副室真空泵电源
14、将籽晶下降至离液面3cm处，打开晶转，转速为12转？？热籽晶
15、找温度引晶
注：氩气压力不要过大，一般压力为≤1.3×310pa,节约成本。
副室操作也可以在第8步时，待压力抽至－0.05，打开副室氩气流量计抽空3分钟后关闭副室氩气流量计，待副室真空抽至极限后打开翻盖阀。
提段
在等径过程中，晶棒在300mm以上有晶线断棱，则需要进行提段操作
1、退出自动控制
2、关闭埚升电源
3、关闭埚跟比电源
4、降埚位，将埚位下降8~10ccm
5、将晶转设为6转/分钟
6、晶升设定为5.0mm/分钟
7、将控制面板F2中的温校清零，晶升SP清空
8、将温度控制中SP控制退出，退至OP控制提升温度
9、晶棒提升3小时后，提升至副室翻盖阀碰不到处，关闭晶转打开主室氩气比
副室略低
10、关闭翻盖阀，将副室压力充至－0.05后关闭副室氩气流量计，冷却1小时后，将副室仓门冲开，提升副室取段
注：目前B段C段温度计算为，100m长度约为200~250个SP点，计算为A 段引晶温度＋（提段长度×2或2.5）
回融
在放径坏或等径长度小于100坏时需要回融提渣或全部回融
1、退出等径自动
2、关闭埚升、埚跟比电源
3、关闭埚转晶升电源
4、温度控制中退出SP控制到OP控制，将功率设定为75
5、降低埚位低于引晶埚位5~8cm
6、待温度高于引晶温度1000个SP点时，降晶体与液面接触，待与液面接触处
光圈融化消失，再下降3~5mm，再等光圈融化消失，再下降3~5mm，如此反复，一直到离肩部1cm处，最后一次下降使肩部与液面平，待液面平稳后，将肩提出液面，如有渣则提肩，无渣则全部回融
注：放肩坏直接回融，只需关闭埚转晶升，将温度设定至引晶温度，埚位下降3cm回融即可
（拉晶工种上班操作时应轻拿轻放，三思而后行，高温作业，注意人身安全）。