Si02@Ag核壳粒子表面形貌及壳层厚度影响因素的研究
空心SiO2综述
北京化工大学陈兴田陈劲春究采用反相微乳液法，在首先合成纳米硫化镉的基础上，在体系中原位合成CdS/SiO2复合材料，经过浓盐酸处理后，成功制备出分散均匀的空心纳米SiO2。
其中纳米微球的粒径平均分布在30~50nm，层得平均厚度为16nm，空心部分的厚度大约在10nm。
北京化工大学王洁欣文利雄和平陈建峰等以纳米碳酸钙颗粒为新颖的无机模板剂，硅酸钠为无机硅源，通过溶胶-凝胶法形成CaCO3/SiO2的核壳结构；随后通过高温煅烧、酸溶和干燥处理，合成出了具有高比表面积的球形纳米空心二氧化硅粒子。
其中微球空心部分的粒径在50～60 nm 左右，壁厚在10nm左右。
而SiO2壁上含有许多通道。
复旦大学材料科学系邓字巍陈敏周树学游波武利民等分别以分散聚合和无皂乳液聚合方法制得的不同粒径聚苯乙烯(PS)微球为模板，以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体，通过控制介质中氨水的初始体积，一步法制得了不同粒径的单分散SiO2空心微球。
可以通过改变TEOS的浓度来控制空球壁厚，一般随着TEOS浓度的增大，微球的壁厚与粒径也在增大，空心部分的粒径受PS模板粒径大小的影响。
SatoshiHorikoshi YuAkaob TakuOgurac HidekiSakai MasahikoAbe NickSerponed等先合成五种油包水的乳液，分别在这五种乳液的存在下，使TEOS （正硅酸乙酯）在油/水界面上发生水解，合成软模板，最终在环己烷乳液（该乳液最稳定）中合成SiO2空心球。
空心球的粒径在100±20nm。
球的壁厚受多种因素的影响：水相PH值、反应时间、TEOS的加入量等。
中国科学院大连化学物理研究所FeiTeng ZhijianTian GuoxingXiong ZhushengXu等在非离子反相微乳液中合成了SiO2空心微球。
其粒径可以在纳米到微米范围内波动。
空心部分的孔径以及SiO2层壁厚是随着反应原料的加入量和加入方式而变化的。
《SiO2核壳纳米银增强稀土配合物的发光研究》范文
《SiO2核壳纳米银增强稀土配合物的发光研究》篇一一、引言随着纳米科技的飞速发展，核壳纳米材料因其独特的物理和化学性质在众多领域中得到了广泛的应用。
其中，SiO2核壳纳米材料因其良好的生物相容性、化学稳定性和光学性能，受到了广泛的关注。
本文将研究SiO2核壳纳米银与稀土配合物结合的发光性能，并探讨其可能的应用前景。
二、材料与方法1. 材料（1）SiO2核壳纳米银：通过溶胶-凝胶法合成，具有良好的单分散性和稳定性。
（2）稀土配合物：选用具有优异发光性能的稀土元素配合物。
（3）其他试剂及设备：包括实验所需化学试剂、离心机、分光光度计、荧光光谱仪等。
2. 方法（1）制备SiO2核壳纳米银：采用溶胶-凝胶法，通过控制反应条件，制备出粒径均一、分散性良好的SiO2核壳纳米银。
（2）制备稀土配合物：将稀土元素与有机配体进行配位反应，得到稀土配合物。
（3）复合材料制备：将SiO2核壳纳米银与稀土配合物进行复合，探讨不同比例的复合对发光性能的影响。
（4）性能测试：通过分光光度计和荧光光谱仪等设备，对复合材料的发光性能进行测试和分析。
三、实验结果与分析1. 核壳纳米银的表征通过透射电子显微镜（TEM）对SiO2核壳纳米银进行表征，结果显示其具有均匀的核壳结构，且粒径分布较为集中。
动态光散射（DLS）结果表明，该纳米银具有良好的分散性。
2. 稀土配合物的发光性能分光光度计和荧光光谱仪测试结果表明，所选用的稀土配合物具有优异的发光性能，其发射光谱与激发光谱均表现出良好的对称性。
3. 复合材料的制备与表征将SiO2核壳纳米银与稀土配合物进行复合，通过调整两者的比例，得到一系列不同配比的复合材料。
TEM和DLS结果表明，复合材料具有良好的分散性和稳定性。
4. 发光性能测试与分析对不同配比的复合材料进行发光性能测试，结果显示，当SiO2核壳纳米银与稀土配合物的比例适当时，复合材料表现出优异的发光性能。
这主要是由于SiO2核壳纳米银具有良好的光学性能，能够增强稀土配合物的发光效果。
棒状SiO2-TiO2核壳结构粒子的制备和表征
s howt hat t he s ha pe of s i l i ca par t i cl es gr adua l l y c ha nge s f r om bei ng pi n t o r od wi t h t he i ncr e as e of r el ati ve mol ec ul ar mas s of pol yvi nyl pyr r ol i d one． The r at i o of l e ngt h t o di ame t e r of r od- l i k e s il i ca par t i cl es i ncr eas es 、析t h t he i nc r easi ng co ncen t r a t i on of t e t r ae t hox ysi l ane ，an d man y s pher i ca l s i l i ca
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doi ：10．3969 ／j ．i ss n．1008—5548．2 013．01．011
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VOI ．19 No．1 Fe b。2013
棒 状 Si 02- Ti 02核 壳 结 构 粒 子 的 制 备 和 表 征
黄惠华，孙爱华，储成义，孙文广，李 勇
( 中国科学院宁波材料技术与工程研究所，浙江宁波315201)
摘要：通过液相法制备棒状Si 02颗粒，研究正硅酸乙酯的浓度和聚乙
烯吡咯烷酮的相对分子质量对棒状Si 02颗粒的影响，利用液相沉积法
在最优化 条件下制备的棒 状Si 02颗粒表面均 匀包覆Ti 02，制 备棒状
影响二氧化硅溶胶粒径及粒度分布因素的研究
影响二氧化硅溶胶粒径及粒度分布因素的研究何捍卫;赵世伟;贾守亚【摘要】以氢氧化钾为催化剂,用硅粉溶解法制备硅溶胶,通过扫描电镜(SEM)、激光粒度分析(SL)、pH值和粘度测试对所得硅溶胶进行表征.研究反应温度、硅粉加入量、氢氧化钾加入量和反应时间对胶粒粒径、粒度分布以及形貌的影响,并对粒径增长进行理论分析.结果表明:随着反应温度的升高,平均粒径先增大后减小,粒径分散度先减小后增大:随着硅粉加入量的增加,平均粒径先增加后降低,粒径分散度先增大后减小:随着氢氧化钾加入量的增加,平均粒径先增大后减小,粒径分散度变化不大:随着反应时间的延长,平均粒径逐渐增大,粒径分散度逐渐增加,反应时间达到10h 时,胶粒发生团聚:胶粒形貌呈球形.【期刊名称】《粉末冶金材料科学与工程》【年(卷),期】2011(016)002【总页数】6页(P266-271)【关键词】硅溶胶;粒径;粒度分布【作者】何捍卫;赵世伟;贾守亚【作者单位】中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083;中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083;中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083【正文语种】中文【中图分类】TQ127.2硅溶胶又称胶体二氧化硅(Colloidal Silica)，是二氧化硅微粒分散于水中的胶体溶液，又名硅酸溶胶，或二氧化硅水溶胶，为乳白色或淡青色透明溶液，是一种用途十分广泛的无机高分子材料。
硅溶胶有许多优良性质如大比表面、高吸附性、高耐火绝热性等，作为一种重要的无机高分子材料，硅溶胶已广泛应用于化工、精密铸造、纺织、造纸、材料、涂料及电子等领域[1-2]，其中1个重要的应用是用作化学-机械抛光(Chemical-mechanical polishing，简称CMP)[3-5]中的纳米研磨料。
纳米研磨料是抛光液的主要成分，主要提供机械磨除作用。
研磨料粒径大小和粒径分散度均与研磨效果紧密相关[6-7]，其中粒径分散度不仅影响抛光速率，还影响抛光质量。
fnSiO2@mSiO2核壳粒子的制备及表征
fnSiO2@mSiO2核壳粒子的制备及表征邓玉美;桑红源;涂郑禹;李栋【期刊名称】《化学工程师》【年(卷),期】2012(000)006【摘要】This thesis is intended to lead silica nano-core doped with triple fluorescence resonance energy transfer dyes into mesoporous silica particles, and form a novel kind of core-shell mesoporous nanosphere which can engender multi -fluorescence with a single excitation wavelength. The structure was characterized by TEM, XRD and BET. The results showed that: core-shell nanospheres (fnSiO2@mSiO2)was prepared successfully,mesoporous size of the particles was 2.5nm.%本文将掺杂有三元荧光共振能量转移染料对的SiO2纳米核引入介孔SiO2球形粒子中,形成在单一波长激发下能产生多色荧光发射的核壳结构.产物通过TEM、XRD、BET等方法进行了表征.结果表明:成功制备得到以荧光纳米粒子为核,介孔SiO2为壳层的核壳粒子(fnSiO2@mSiO2),介孔孔径为2.5nm.【总页数】3页(P14-16)【作者】邓玉美;桑红源;涂郑禹;李栋【作者单位】天津渤海职业技术学院,天津300402;天津渤海职业技术学院,天津300402;天津渤海职业技术学院,天津300402;天津渤海职业技术学院,天津300402【正文语种】中文【中图分类】O613【相关文献】1.聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/木质素磺酸核壳粒子的制备工艺优化 [J], 黎卓熹;邓永红;王婷;赵大成;钱勇2.聚丙烯酸丁酯/聚甲基丙烯酸甲酯核壳粒子的制备及在环氧树脂中的分散与增韧[J], 黄力;李林娟;李坚;任强;汪称意3.P(S-SS)/CdS核壳粒子的制备与表征 [J], 谭金枚;王琪;王雪力4.TiO_2/PBA/PMMA核壳粒子的制备与表征 [J], 李晓明;马铁成;刘贵山;王占齐5.球形纳米CuO@AP核壳粒子的制备与性能表征 [J], 孙森森;曹新富;于浩淼;张志苗;王德齐;高建兵;刘杰;李凤生因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
Ag@SiO2-SiC复合纳米颗粒制备及其荧光增强现象研究
Ag@SiO2-SiC复合纳米颗粒制备及其荧光增强现象研究刘晓萍;王丽娜;隋凝
【期刊名称】《青岛科技大学学报（自然科学版）》
【年(卷),期】2014(035)006
【摘要】利用银纳米颗粒的表面等离子体共振来增强SiC的发光,成功制备了
Ag@SiO2-SiC复合纳米结构并进行了表征,通过控制二氧化硅层厚度和SiC连接方式研究了银纳米颗粒表面等离子体共振对荧光增强效果的影响.结果表明:采用氨基修饰后Ag@SiO2与SiC结合比未修饰氨基得到更强的荧光增强效果.当银纳米颗粒与SiC之间没有间隔时,产生荧光猝灭;当二氧化硅层厚度为10 nm时,荧光增强1.51倍;厚度为20 nm时荧光增强1.15倍.
【总页数】5页(P572-576)
【作者】刘晓萍;王丽娜;隋凝
【作者单位】青岛科技大学材料科学与工程学院,山东青岛266042;青岛科技大学环境与安全工程学院,山东青岛266042;青岛科技大学材料科学与工程学院,山东青岛266042
【正文语种】中文
【中图分类】O482.31
【相关文献】
1.石墨炭纳米颗粒改性聚砜支撑层制备正渗透复合膜 [J], 姚子成;肖方锟;刘兆峰;张大鹏;朱桂茹
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玻璃基Ag膜层厚度与其表面形貌和性能的关系
Abstract: A g thin films were deposited on float glass substrates using magnetron sputtering. T he effect of the thickness of
图 4 是不同厚度的银膜层样品的可见光透过率。由图 4 可以看出, 随着银膜厚度的增加, 薄膜的透射率 逐渐降低。这是因为随着膜厚的增加, 薄膜逐渐均匀连续; 同时, 自由电子浓度 N 和电导率 会有增加, 二 者使得银膜层对光线的反射增强。样品 A 1 在 450 nm 处有一个吸收峰, 这可能是因为银膜层的厚度很薄, 薄膜不连续, 有很多微孔( 见图 3) , 对这个波段的光有比较强的吸收和散射, 导致了这一波段的透过率比较 低。另外, 由图 4 可以看出, 银膜层达到最大透射率时的波长( 吸收边) 随着厚度的增加向短波方向移动, 即 发生了蓝移; 这可能是由于 Burstein M oss 效应引起的, 因为厚度的增加导致薄膜的电学性能发生变化, 最终 影响到薄膜内的载流子浓度, 使载流子浓度有所提高, 从而使薄膜的吸收边向短波方向移动。
第 31 卷 第 4 期
赵青南, 等: 玻璃基 A g 膜层厚度与其表面形貌和性能的 关系
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图 3 是样品银膜层的 AFM 图。从图 3 可见, 当银膜层的厚度比较薄时( 样品 A 1) , 薄膜是以岛状( 柱 状) 结构存在的, 有比较多的缺陷, 不是连续的薄膜, 所以它的方块电阻很大; 当银膜的厚度逐渐增加时, 薄膜 变得逐渐连续, 薄膜的凹凸起伏变小, 趋向平整。因此, 图 2 所示的方块电阻逐渐下降的现象可以解释为: 在 Ag 膜方块电阻达到平衡之前, Ag 薄膜要经历很多中间不连续的结构阶段: 核结构 增长的核 岛状结构 通道( 渗透极限) 空洞 均匀的膜层[ 5] 。所以, 随着 A g 膜厚度的增加, 方块电阻会快速减小; 而当膜层趋 于均匀一致时, 就会出现方块电阻变化平缓的现象。同时, 随着 Ag 膜层厚度的增加, 膜的自由电子浓度 N 和电导率 会有增加, 也导致方块电阻下降。图 3 的结果还说明, 有 2 个因素影响 Ag 膜层电阻大小, 一是薄 膜的连续性, 二是厚度或载流子浓度。所以, 要使 10 nm 左右厚的 Ag 膜层的方块电阻最小, 主要需要使薄 膜均匀连续。
生长厚度对InGaAs_InAs薄膜表面形貌的影响_王一
生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响王 一 郭 祥 刘 珂 黄梦雅 魏文 赵 振 胡明哲 罗子江 丁 召＊(贵州大学理学院电子科学系 贵阳 550025)Effect of Thickness on Microstructures of InGaAs/InAs Thin Films Wang Yi,Guo Xiang,Liu Ke,Huang Mengya,Wei Wenzhe,Zhao Zhen,Hu Mingzhe,Luo Zijiang,Ding Zhao＊(Depar tment of Electro nics,College of Science,Gui zhou Univer sity,Guiyang550025,China) Abstract The gro wth of In0.86Ga0.14As thin films by molecular bea m epitaxiy(MBE)on InAs substrate was in-situ annealed and monitored with reflection high ener gy diffraction(RHEED).The influence of the growth conditions,the film thickness in particular,on the atomic structures of the film surfaces was characterized with scanning tunneling microscopy (STM).The results show that while slightly affecting the surface reconstruction,the thickness has a major impact on the micr ostructures and mechanical properties of the film surface.For example,as the thickness increased,the tensile inside the epitaxial layerincreased,but the average size of terrace decreased.Moreover,an increased number of steps with sharp irregular zigza g edgeswere observed,possibly because of accumulation of surface tensile and anisotropic preferred diffusion mechanisms. Keywords MB E,InGaAs/InAs,STM,Gro wth thickness 摘要 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。
磁性介孔二氧化硅纳米粒子的制备及其作为药物载体研究
磁性介孔二氧化硅纳米粒子的制备及其作为药物载体研究磁性介孔二氧化硅纳米粒子的制备及其作为药物载体研究独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得虚徽久莒或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料.与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意.签字日期: 油年多月五日学位论文作者签名:余永鼠学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解瞌极久誊有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。
本人授权唐儆天酊以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存,汇编学位论文。
保密的学位论文在解密后适用本授权书导师签名:学位论文作者签名:余扉、签字日期:,年月日签字日期: 年石月,丑加,学位论文作者毕业去向:工作单位:电话:通讯地址:邮编:癌症是严重危害人类健康的疾病之一,化疗是目前主要的治疗方法,但目前的化疗药物不具有靶向性,在杀死癌细胞的同时也会杀死正常细胞,从而引起严,重的毒副作用,阻碍了化疗药物的发展和应用。
纳米载体粒径大小在~可将药物分子包裹其中或吸附在其表面,通过靶向分子与细胞表面特异性受体结合或磁靶向,在细胞摄取作用下进入细胞内,实现安全有效的靶向药物输送,因此在药物传递中具有特殊的价值和意义。
无机纳米载体在实现靶向性给药、缓释药物、降低药物的毒副作用等方面表现出良好的应用前景,已成为近年来新型药物输送系统研究的热点。
本论文主要围绕磁性介孔二氧化硅纳米粒子的制备及其在药物载体方面的应用。
采用溶胶.凝胶法分别制备了纳米粒子和 /纳米粒子,采用高分辨透射电镜汀、能谱分析、射线衍射?、傅立叶红外光谱、氮气吸附.脱附技术和振动样品磁强计等手段对其进行了表征。
中空核-壳介孔二氧化硅材料的合成与表征的开题报告
中空核-壳介孔二氧化硅材料的合成与表征的开题报
告
一、研究背景
介孔材料具有特殊的物理和化学特性，因此在催化、吸附、分离等领域中得到了广泛的应用。
二氧化硅是一种重要的介孔材料，其通过控制合成条件可以得到不同孔径和孔壁厚度的介孔材料。
在过去的几十年中，研究人员通过模板法、溶胶凝胶法等多种方法合成了不同形态的二氧化硅介孔材料。
其中，中空核-壳结构的介孔材料由于其特殊的结构和性能，受到了研究人员的关注。
二、研究目的和内容
本文的主要目的是合成中空核-壳结构的介孔二氧化硅材料，并对其进行表征。
涉及到的内容包括材料的合成、结构和形貌的表征，以及材料的物理和化学性质的测试。
三、研究方法
本研究将采用溶胶凝胶法合成中空核-壳结构的介孔二氧化硅材料。
首先，通过水热法合成纳米SiO2颗粒作为模板，然后在SiO2表面反复沉积硅酸酯和表面活性剂，在高温下煅烧，形成中空的二氧化硅核-壳结构。
最后，通过化学性质测试和物理性质测试对合成的介孔二氧化硅进行表征。
四、研究意义
中空核-壳结构的介孔二氧化硅材料由于其独特的孔道结构和化学性质，具有巨大的应用潜力。
该材料的合成和表征将有助于深入研究其物理和化学特性，并为其在催化、吸附、分离等领域中的应用提供基础。
本文的研究也为介孔材料的合成及其相关领域研究提供参考。
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粒 形 貌 及表 面
壳层 厚 度 的影 响规 律 。 结 果表 明 ：还 原 剂 的 种 类对
子 ， 究还 原 剂 的 种 类 、 研 浓度 和 反 应 温 度 对 核 壳 结 构 Ｓ０＠Ａｇ亚微 米颗 ｉ２
Ｉ ｔ ｄ ｃ ｒｗａ ｏ ｔｏ ｇ，ｔｅｓｅ ｄ ｏ ｅ ａａｉｇｏ ｔ ｓＳ ｕｉｋ ｆｈｅｒ ｕ ｅ ｓｔｏ ｓ ｎ ｅ ｒ ｈ ｐ ｅ ｆＡｇ ｓｐ ｔｎ ｕ Ｏｑ ｃ ｒ ｗａ ｔ ｔｓｌｅ ｃ ｔｅｅ ｎ ｔｅ ｌｑ ｄ ｏ ｔｅ ｓ ｒ ｆｒｄ ｃ ｒｈ ｄ ｓｇ ｉ ｃ ｎ ｈａ ｉ ｒｓ ａｔｒｄ ｉ ｉｕｉ．Ｓ ｏｔｏ ｅ ｕ ｅ ａ ｉｎｆ ａ ｔ ｖ ｈ ｈ ｉ ｅ ｅ ｔ ｎ ｓｒａ ｅｍ ｏｐ ｏ ｏ ｙｏｆ ｅｃ ｒ－ｓ ｅｌ ｕ ｍｉｒ ｎｐ ｒｉｌｓ Ｗ ｉ ｆ ｃｓｏ ｕ ｆｃ ｒ ｈ ｌｇ ｔ ｏ ｅ ｈ ｌ ｓ ｂ ｃｏ ａｔｃｅ ． ｔ ｈ ｈ ｔｅｉ ｒａ ｉｇｏ ｄ ｃｒｓｃ ｎ ｅ ｔａｉｎ．ｔｅｓｚ ｆｓｌｅ ａｔｃｅ ｎ ｔｅ ｈ ｎｃｅ ｓｎ ｆｒ ｕ ｅ＇ ｏ ｃ ｎｒ Ｉ ｅ ｏ ｈ ｉｅｏ ｖ ｒｐ ｒｉｌｓｏ ｈ ｉ ｓｒａ ｅｏ ｉｉｏ ｉｘｄ ｄ ｔｅｔｉｋ ｅ ｓｏ ｉ ｅ ａ ｅ ｎｃｅ ｓｄ． ｅ ｕ ｆｃ ｆｓｌｃ ｎ ｄｏ ｉｅ ａ ｈ ｃ ｎ ｈ ｎ ｓ ｆｓｌ ｒｌｙ ｒｉ ｒａ ｅ Ｔ ｖ ｈ ｉｌ ｅ ｃ ｄ ｃｅ ｓ ｄ ｗｈ ｎ ｈ ｃ ｎ ｅ ｔ ｔ ｎ ｅ ｃ ｅ ａ ｅｔｉ ｖ ｌｅ ｎｆ ｎ ｅ ｅｒ ａｅ ｅ ｔ ｅ ｏ ｃ ｎｒ ｉ ｒ ａｈ ｄ ｃｒａｎ ａｕ ． ｕ ａｏ
关键 词 ： 一 粒子 ；表 面 形 貌 ；包覆 核 壳
中 图分 类 号 ：Ｂ３ ３ Ｔ ８ 文献 标 志 码 ： Ａ
文章 编 号 ：０ ８ ５ ４ （０ ）６ ０ １— ６ １０— ５ ８２ １ ０ — ０ ４ ０ １
Ａ ｇ具 有 优 良导 电性 ，其 体 积 电 阻 率 高 达 １ × ． ６ １ Ｉ・ｍ， ０ ２ａ 是一 种非 常理想 的 电磁屏 蔽填 料 。 然而 ， 作
Ｓ ｕ ｙ ｏ ａ ｔ ｒ ｎ ｌｅ ｃｎ ｒ ｃ ｔ ｄ ｎ Ｆ ｃｏ ｓ Ｉｆ ｎ ｉｇ Ｓｕ ｆ ｅ ｕ ａ
ＳＯ Ａ ｉ ｇ核 壳 复合 粒 子 表 面形 貌 影 响 较 大 ，还 原 性 太弱 很 难 在 二 氧 化 硅 表 面形 成 致 密均 匀的 银 层 ． 原 性 太强 则 容 易形 成散 银 ； 原 剂 浓度 还 还 增加 使 二 氧 化 硅 表 面银 颗 粒 的 粒径 增 大 ， 壳 层 厚度 增 大 ， 是 当还 原 银 但 剂 浓度 到达 一 定的 值 后 ， 度 对银 粒径 大 小和 银 壳 厚 度 的影 响 变弱 ； 浓 反 应 温 度 对 ＳＯ＠Ａ ｉ ｚ ｇ核 壳 复 合 粒 子 表 面 形 貌 也 有 较 大 影 响 ， ～ Ｏ℃ 时 ， Ｏ３ 银 粒 子 随温 度 升 高尺 寸 变 大 ， 壳厚 度 也 相 应 增 大 ， 温度 继续 增 加 到 银 若
ＳＯ＠Ａ 核 壳粒 子表面形貌及 ｉ２ ｇ 壳层厚度影 响因素 的研 究
赵 素玲 ，李 薇 馨
（ 汉 理 工 大 学 材 料 研 究 与 测 试 中心 ，湖 北 武 汉 武 ４０７ ） ３ ０ ０
摘 要 ：用 溶胶 一 胶 法 制备 单分 散 的亚 微 米 二 氧 化 硅 ， 表 面巯 基 化 改 凝 经 性后 ， 用 自组 装 化 学镀 法 在 其 表 面 包 Ａ ， 到 Ｓ０＠Ａ 采 ｇ得 ｉ２ ｇ核 壳 复 合 粒
第１ ７卷
第 ６期
善 曼
中国粉体技术
ＶＯ ． ７ ＮＯ ６ Ｉ ． １
Ｄｅ ． Ｏ１ ｃ ２ １
２１年 １ ０ １ ２月
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