电子器件及其发展论文

电子器件及其发展论文
电子器件及其发展论文

电子器件及其发展论文

本学期选修了电子器件及其发展这门课程,作为一个文科生,对这方面的知识了解的不多,好多专有名词根本就没听过,学起来有些吃力。但因为对电子比较感兴趣,所以就选修了这门课程。老师讲得很细致,加上课下在网上、书上看了些这方面的知识,因此对本门课程也有了很深的了解。

综述

电子器件是用于电能变换和电能控制电路中的大功率电子器件,又称功率电子器件。20世纪50年代的电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。60年代发展起来的晶闸管由于工作可靠、寿命长、体积小、开关速度快,在电力电子电路中得到广泛应用。到70年代初期,晶闸管已逐步取代汞弧闸流管。电力电子技术的发展,不仅要求提高电力电子器件的控制功率容量和工作频率,而且要求降低器件的功率损耗,缩小器件及其控制电路的体积。半导体技术的新成就,为此提供了必要的物质基础。电力电子器件及其应用技术是电力电子学的基础,人们通常说的电力电子器件是指的电力半导体器件。电力半导体器件已经走过了50年概念更新、性能换代的发展历程。自80年代中后期起,电力电子器件有两个智能化发展方向:一个是以智能功率模块为代表的功率集成模块方向,已广泛应用;另一个是功率集成电路方向,目前仍处于发展中,主要用于汽车电子领域。有人认为智能化电力电子器件的成功是第二次电力电子革命即将到来的标志。

工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件。器件分为:1、主动器件,它的主要特点是:(1)自身消耗电能 (2)还需要外界电源2、分立器件,分为1、双极性晶体三极管2、场效应晶体管3、可控硅 4、半导体电阻电容。

电子器件发展史

电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。

一、电子管。第一代电子产品以电子管为核心。真空管和放电管均称为电子管。作为第一代电子器件,在20世纪前半页对人类社会产生了难以估量的作用,电子学取得巨大成就,譬如收音机、电视、雷达、计算机的发明等。电子管是沿

着二极管→三极管→四极管→五极管的顺序发明出来的。

二、晶体管。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管,它以小巧、轻

便、省电、寿命长等特点,很快地被各国应用起来,在很大范围内取代了电子管。

晶体管的发明将电子学推向一个新阶段,这项发明首先要归功于半导体物理学的

研究。从60年代到70年代初期,以半控型普通晶闸管为代表的电力电子器件,

主要用于相控电路。这些电路十分广泛地用在电解、电镀、直流电机传动、发电

机励磁等整流装置中,与传统的汞弧整流装置相比,不仅体积小、工作可靠,而

且取得了十分明显的节能效果平均节电。20世纪70年代中期出现的全控型可关

断晶闸管和功率晶体管,开关速度快,控制简单,逆导可关断晶闸管更兼容了可

关断晶闸管和快速整流二极管的功能。它们把电力电子技术的应用推进到了以逆

变、斩波为中心内容的新领域。些器件已普遍应用于变频调速、开关电源、静止

变频等电力电子装置中。1956年巴丁、布拉单和肖克利因发明晶体管而获得诺

贝尔物理奖。

三、集成电路。五十年代末期,世界上出现了第一块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上,使电子产品向更小型化发展。80年代初期出现的MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件,推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路,从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。功率集成电路指在一个芯片上把多个器件及其控制电路集合在一起。其制造工艺既概括了第一代功率电子器件向大电流、高电压发展过程中所积累起来的各种经验,又综合了大规模集成电路的工艺特点。这种器件由于很大程度地缩小了器件及其控制电路的体积,因而能够有效地减少当器件处于高频工作状态时寄生参数的影响,这对提高电路工作频率和抑制外界干扰十分重要。集成电路发明以来许多特性发生了数量级的变化,集成度取得惊人的提高。

四、纳米电子学。纳电子学是在特征长度为0.1-100nm的纳米器中勘测、识别与控制单个量子,少个量子或量子波的运动规律,研究原子、分子人工组装和自组装而成的器件。

电子器件的发展前景

概述:世纪五十年代未第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,此为基础开发的可控硅整流装置,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。进入70年代晶闸管开始形成由低电压小电流到高电压大电流的系列产品,普通晶闸管不能自关断的半控型器件,被称为第一代电力电子器件。随着电力电子技术理论研究和制造工艺水平的不断提高,电力电子器件在容易和类型等方面得到了很大发展,是电力电子技术的又一次飞跃,研制出自关断全控型第二代电力电子器件。而以绝缘栅双极晶体管为代表的第三代电力电子器件,开始向大容易高频率、响应快、低损耗方向发展。而进入90年代电力电子器件正朝着复台化、标准模块化、智能化、功率集成的方向发展,以此为基础形成一条以电力电子技术理论研究,器件开发研制,应用渗透性,在国际上电力电子技术是竞争最激烈的高新技术领域。

电力电子器件发展趋势:90年代电力电子器件的研究和开发,已进入高频化,标准模块化,集成化和智能时代。从理论分析和实验证明电气产品的体积与重量的缩小与供电频率的平方根成反比,使用这样工频的电气设备的体积与重量就能大大缩小,使电气设备制造节约材料,运行时节电就更加明显,设备的系统

性能亦大为改善。故电力电子器件的高频化是今后电力电子技术创新的主导方向。

在21世纪初国家发展中,技术创新将要变成企业工作的主导内容,而发展与建立适合中国国情的电气工业的技术创新机制,通过电力电子技术长足进步推动新型电气工业不断升级和进步进而走向世界。电力电子技术虽然它具有微电子技术的许多共同特征,如发展变化都非常迅速,透力和创新表现十分突出,生命力格外旺盛,处于阳光产业地位,并与其它学科相互融合和发展产生新的机遇,而电力电子技术还有其自身一些独具特色的地方,如高电压、大容量及控制功率范围大,因此技术的创新难度在于必须跨越高电压大功率这一关卡,及其技术的综合难度,如材料工业和制造工艺,而电力电子器件工作的可靠性是其极其重要的一个技术指标。为此电力电子技术的创新是与多种学科相互渗透并对各种工业领域有着极强的渗透性。因此电力电子技术与国家的基础产业关系密切,并与国家发展的各项方针及产业政策相配台的要求在21世纪会显得越来越强烈。电力电子技术又称为能流技术,因此电力电子技术的发展与创新是21世纪可持续发展战略纲领的重要组成部分。在21世纪初加快现代电力电子化转化的力度,必将形成一条朝阳的高科技产业链,推动工业领域的技术创新。(参考文献:《电力电子技术的发展与创新电子学》)

我国应该如何做

电力电子产业是我们中国重要的支撑产业之一,其产业水平直接影响我国整体的产业技术水平。要使电力电子产业有一个大的发展、全面的发展以及要走向一个良性的循环发展,那么我们必须主动地采取一些措施,影响政府甚至引起社会对这个产业的关注,只有这样我们的电力电子这个新兴的产业才能够快速健康的发展,同时对我们整个国民经济的发展起着重要的作用。因此我们要顺应世界的发展潮流,政府给与科研部门财政支持,鼓励科技创新,组建技术联盟,产学研相结合,加强高校对应方面的教育,加强信息交流,广泛引用新技术新器件,加强自主创新能力,争取独立开发新品种,形成产业化发展,从而造福人民,推动人类发展。

感受

生活在如今科技迅猛发展日新月异的时代,电子产品无时无刻不伴随在你我左右,成为生活必不可少的东西,丰富了我们的生活,提高了我们的生活质量,感谢一代一代科学家的辛苦探索。我有一个猜想,如今电子产品尤其是计算机上病毒盛行,难以遏制。假如以后电子器件的发展中,能在电路中介入一种东西,当病毒被产生时就能够辨别出来,及时遏制其的传播,使其无法传播就好了。

学习电子器件及其发展这门课程,让我收获很多,知道了电子器件的发展过程,各时期各电子器件的优缺点,了解了电子器件的发展趋势。接触到自己本专业以外的新知识,让我更加充实!

常用电力电子器件特性测试

实验二:常用电力电子器件特性测试 (一)实验目的 (1)掌握几种常用电力电子器件(SCR、GTO、MOSFET、IGBT)的工作特性;(2)掌握各器件的参数设置方法,以及对触发信号的要求。 (二)实验原理 图1.MATLAB电力电子器件模型 MATLAB电力电子器件模型使用的是简化的宏模型,只要求器件的外特性与实际器件特性基本相符。MATLAB电力电子器件模型主要仿真了电力电子器件的开关特性,并且不同电力电子器件模型都具有类似的模型结构。 模型中的电阻Ron和直流电压源Vf分别用来反映电力电子器件的导通电阻和导通时的门槛电压。串联电感限制了器件开关过程中的电流升降速度,模拟器件导通或关断时的动态过程。MATLAB电力电子器件模型一般都没有考虑器件关断时的漏电流。 在MATLAB电力电子器件模型中已经并联了简单的RC串联缓冲电路,在参数表中设置,名称分别为Rs和Cs。更复杂的缓冲电路则需要另外建立。对于MOSFET模型还反并联了二极管,在使用中要注意,需要设置体内二极管的正向压降Vf和等效电阻Rd。对于GTO和IGBT需要设置电流下降时间Tf和电流拖尾时间Tt。 MATLAB的电力电子器件必须连接在电路中使用,也就是要有电流的回路,

但是器件的驱动仅仅是取决于门极信号的有无,没有电压型和电流型驱动的区别,也不需要形成驱动的回路。尽管模型与实际器件工作有差异,但使MATLAB电力电子器件模型与控制连接的时候很方便。MATLAB的电力电子器件模型中含有电感,因此具有电流源的性质,所以在模块参数中还包含了IC即初始电流项。此外也不能开路工作。 含电力电子模型的电路或系统仿真时,仿真算法一般采用刚性积分算法,如ode23tb、ode15s。电力电子器件的模块上,一般都带有一个测量输出端口,通过输出端m可以观测器件的电压和电流。本实验将电力电子器件和负载电阻串联后接至直流电源的两端,给器件提供触发信号,使器件触发导通。 (三)实验内容 (1)在MATLAB/Simulink中构建仿真电路,设置相关参数。 (2)改变器件和触发脉冲的参数设置,观察器件的导通情况及负载端电压、器件电流的变化情况。 (四)实验过程与结果分析 1.仿真系统 Matlab平台 2.仿真参数 (1)Thyristor参数设置: 直流源和电阻参数:

大功率电力电子器件的新进展

大功率电力电子器件前沿技术分析 贾海叶山西吕梁供电 摘要:本文对大功率电力电子器件技术进行了简述,阐述了大功率电力电子器件发展热点,并对其前沿技术和未来的发展方向进行了分析。 关键词:大功率、电子电力器件,前沿技术 1 引言 随着半导体制造工艺的进步和对电力电子设备容量增大的需求,对电力电子器件的性能和功率要求也越来越高,由此产生了耐高压、大功率的电力电子器件。近来,伴随着器件的大功率化,新的HVIGBT(HighVoltage Insulated Gate BipolarTran-sistor Module)高压绝缘栅双极型半导体模块、HVIPM(High Voltage Intelligent Power Module)高压智能电力模块的MOS型电力电子器件的开发、GCT(Gate Commutated Turn-off Thyristor)闸门换相关断可控硅器件的开发,都有了较大的进展。以新一代器件问世为标志,必然在电力电子设备的开发方面,向着小型化、高效率化、高速控制化的目标飞跃前进。 1.1 大功率电力电子器件的分类 大功率电力电子器件主要分为:二极管、可控硅、光触发可控硅、GTO(Gate Turn-off Thyristor)闸门关断可控硅、GCT、HVIGBT及HVIPM器件。 从1960年开发初期的1英寸硅片开始至今,发展到直径为6英

寸硅片的耐高压、大功率电力电子器件系列化产品,其容量和当初相比,提高了100多倍。而且在使用上减少了串联或并联元件的数量,提高了可靠性,减小了设备的体积。 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类,大功率电力电子器件分为: 1.半控型器件,例如晶闸管; 2.全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管); 3.不可控器件,例如电力二极管; 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类: 1.电压驱动型器件,例如IGBT、MOSFET、SITH(静电感应晶闸管); 2.电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR; 根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类: 1.脉冲触发型,例如晶闸管、GTO; 2.电子控制型,例如GTR、MOSFET、IGBT; 按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类: 1.单极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR; 2.双极型器件,例如MOSFET、IGBT;

碳化硅电子器件发展分析报告

碳化硅电力电子器件的发展现状分析 目录 1.SiC器件的材料与制造工艺 (2) 1.1 SiC单晶 (2) 1.2 SiC外延 (3) 1.3 SiC器件工艺 (4) 2. SiC二极管实现产业化 (5) 3. SiC JFET器件的产业化发展 (7) 4. SiC MOSFET器件实用化取得突破 (7) 5. SiC IGBT器件 (8) 6. SiC功率双极器件 (9) 7. SiC 功率模块 (10) 8. 国内的发展现状 (11) 9. SiC电力电子器件面对的挑战 (11) 9.1 芯片制造成本过高 (11) 9.2 材料缺陷多,单个芯片电流小 (12) 9.3 器件封装材料与技术有待提高 (12) 10. 小结 (12)

在过去的十五到二十年中,碳化硅电力电子器件领域取得了令人瞩目的成就,所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件,并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化,在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件,并初步展现出其巨大的潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到革命性的推动作用。随着SiC单晶和外延材料技术的进步,各种类型的SiC器件被开发出来。SiC器件主要包括二极管和开关管。SiC二极管主要包括肖特基势垒二极管及其新型结构和PiN 型二极管。SiC开关管的种类较多,具有代表性的开关管有金属氧化物半导体场效应开关管(MOSFET)、结型场效应开关管(JFET)、绝缘栅双极开关管(IGBT)三种。 1.SiC器件的材料与制造工艺 1.1 SiC单晶 碳化硅早在1842年就被发现了,但直到1955年,飞利浦(荷兰)实验室的Lely 才开发出生长高品质碳化硅晶体材料的方法。到了1987年,商业化生产的SiC衬底进入市场,进入21世纪后,SiC衬底的商业应用才算全面铺开。碳化硅分为立方相(闪锌矿结构)、六方相(纤锌矿结构)和菱方相3大类共260多种结构,目前只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才有商业价值,美国科锐(Cree)等公司已经批量生产这类衬底。立方相(3C-SiC)还不能获得有商业价值的成品。 SiC单晶生长经历了3个阶段, 即Acheson法、Lely法、改良Lely法。利用SiC 高温升华分解这一特性,可采用升华法即Lely法来生长SiC晶体。升华法是目前商业生产SiC单晶最常用的方法,它是把SiC粉料放在石墨坩埚和多孔石墨管之间,在惰性气体(氩气)环境温度为2 500℃的条件下进行升华生长,可以生成片状SiC晶体。由于Lely法为自发成核生长方法,不容易控制所生长SiC晶体的晶型,且得到的晶体尺寸很小,后来又出现了改良的Lely法。改良的Lely法也被称为采用籽晶的升华法或物理气相输运法 (简称PVT法)。PVT法的优点在于:采用 SiC籽晶控制所生长晶体的晶型,克服了Lely法自发成核生长的缺点,可得到单一晶型的SiC单晶,且可生长较大尺寸的SiC单晶。国际上基本上采用PVT法制备碳化硅单晶。目前能提供4H-SiC晶片的企业主要集中在欧美和日本。其中Cree产量占全球市场的85%以上,占领着SiC晶体生长及相关器件制作研究的前沿。目前,Cree的6英寸SiC晶片已经商品化,可以小批量供货。此外,国内外还有一些初具规模的SiC晶片供应商,年销售量在1万片上下。Cree生产的SiC晶片有80%以上是自己消化的,用于LED衬底材料,所以Cree是全球

常用电子元器件培训资料

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号

二.半导体管 三.其它电气图形符号

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一.电阻器和电位器 1.电阻器和电位器的型号命名方法 示例: (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器)

2.电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率,如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值范围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家规范,常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3.电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω,2K7表示2.7kΩ, 表5

例如: RJ71-0.125-5k1-II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为5.1kΩ,允许误差为±10%。 (2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。例如,色环为棕黑红,表示10?102=1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如,色环为棕绿橙金表示15?103=15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如,色环为红紫绿黄棕表示275?104=2.75MΩ±1%的电阻器。

电力电子器件的最新发展趋势

电力电子器件的最新发展趋势 现代的电力电子技术无论对改造传统工业(电力、机械、矿冶、交通、化工、轻纺等),还是对新建高技术产业(航天、激光、通信、机器人等)至关重要,从而已迅速发展成为一门独立学科领域。它的应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门,毫无疑问,它将成为本世纪乃至下世纪重要关键技术之一。近几年西方发达的国家,尽管总体经济的增长速度较慢,电力电子技术仍一直保持着每年百分之十几的高速增长。 从历史上看,每一代新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的革命。以功率器件为核心的现代电力电子装置,在整台装置中通常不超过总价值的20%~30%,但是,它对提高装置的各项技术指标和技术性能,却起着十分重要的作用。 众所周知,一个理想的功率器件,应当具有下列理想的静态和动态特性:在截止状态时能承受高电压;在导通状态时,具有大电流和很低的压降;在开关转换时,具有短的开、关时间,能承受高的di/dt和dv/dt,以及具有全控功能。 自从50年代,硅晶闸管问世以后,20多年来,功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈的努力,并已取得了使世人瞩目的成就。60年代后期,可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能,并使斩波工作频率扩展到1kHz以上。70年代中期,高功率晶体管和功率MOSFET问世,功率器件实现了场控功能,打开了高频应用的大门。80年代,绝缘栅门控双极型晶体管(IGBT) 问世,它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。它的迅速发展,又激励了人们对综合功率MOSFET和晶闸管两者功能的新型功率器件- MOSFET门控晶闸管的研究。因此,当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的性能改进、MOS门控晶闸管以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。下面就近几年来上述功率器件的最新发展加以综述。 一、功率晶闸管的最新发展 1.超大功率晶闸管 晶闸管(SCR)自问世以来,其功率容量提高了近3000倍。现在许多国家已能稳定生产8kV / 4kA的晶闸管。日本现在已投产8kV / 4kA和6kV / 6kA的光触发晶闸管(LTT)。美国和欧洲主要生产电触发晶闸管。近十几年来,由于自关断器件的飞速发展,晶闸管的应用领域有所缩小,但是,由于它的高电压、大电流特性,它在HVDC、静止无功补偿(SVC)、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面仍占有十分重要的地位。预计在今后若干年内,晶闸管仍将在高电压、大电流应用场合得到继续发展。 现在,许多生产商可提供额定开关功率36MVA ( 6kV/ 6kA )用的高压大电流GTO。传统GTO的典型的关断增量仅为3~5。GTO关断期间的不均匀性引起的“挤流效应”使其在关断期间dv/dt必须限制在500~1kV/μs。为此,人们不得不使用体积大、昂贵的吸收电路。另外它的门极驱动电路较复杂和要求较大的驱动功率。但是,高的导通电流密度、高的阻断电压、阻断状态下高的dv/dt耐量和有可能在内部集成一个反并二极管,这些突出的优点仍使人们对GTO感到兴趣。到目前为止,在高压(VBR > 3.3kV )、大功率(0.5~20 MVA)牵引、工业和电力逆变器中应用得最为普遍的是门控功率半导体器件。目前,GTO的最高研究水平为6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。为了满足电力系统对1GVA以上的三相逆变功

电力电子器件的发展分析

电力电子技术课程论文 电力电子器件的发展分析 摘要:电力电子器件发展至今已有近60年的历史,本文简单介绍了电力电子器件的发展历程,然后对IGCT、IGBT、MCT等新型电力电子器件的发展状况及其优缺点进行了分析,最后, 展望了电力电子器件的未来发展。 关键字:电力电子器件;IGCT;ICBT;MCT; 1、引言 电力电子技术包括功率半导体器件与IC技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中,电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“机车”。 电力电子器件的发展时间并不长,但是至今已经发展出多个种类的产品,其中最早为人们所应用的是普通晶闸管,普通晶闸管是由美国通用电气公司在1958年时研制并投产的,它为之后的电力电子器件发展奠定了基础,在1964年时,美国公司又成功研制了可关断的GT0;到了二十世纪七十年代,电力电子器件的研究有了又一成果——GTR系列产品,二十世纪八九十年代,以功率M0SFET和IGBT为代表的,集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,标志着传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。 2、电力电子器件发展史

电力电子器件又称作开关器件,相当于信号电路中的A-D采样,称之为功率采样,器件的工作过程就是能量过渡过程,其可靠性决定了装置和系统的可靠性。根据可控程度以及构造特点等因素可以把电力电子器件分成四类: (1)半控型器件——第一代电力电子器件 2O世纪5O年代,由美国通用电气公司发明的硅晶闸管的问世,标志着电力电子技术的开端。到了2O世纪7O年代,已经派生出了许多半控型器件,这些电力电子器件的功率也越来越大,性能日渐完善,但是由于晶闸管的固有特性,大大限制了它的应用范围。 (2)全控型器件一一第二代电力电子器件 从2O世纪7O年代后期开始,可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR或BJT)及其模块相继实用化。此后,各种高频率的全控型器件不断问世,并得到迅速发展。这些器件主要有:电力场控晶体管(即功率MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)等,这些器件的产生和发展,已经形成了一个新型的全控电力电子器件的大家族。 (3)复合型器件——第三代电力电子器件 前两代电力电子器件中各种器件都有其本身的特点。近年来,又出现了兼有几种器件优点的复合器件。如:绝缘门极双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它实际上是MOSFET驱动双极型晶体管,兼有M0sFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两者的优点。它容量较大、开关速度快、易驱动,成为一种理想的电力电子器件。 (4)模块化器件——第四代电力电子器件 随着工艺水平的不断提高,可以将许多零散拼装的器件组合在一起并且大规模生产,进而导致第四代电力电子器件的诞生。以功率集成电路PIC(Power Intergrated Circuit)为代表,其不仅把主电路的器件,而且把驱动电路以及具有过压过流保护,甚至温度自动控制等作用的电路都集成在一起,形成一个整体。 3、电力电子器件的最新发展 现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。其中,电力电子模块化是电力电子器件向高功率密度发展的重要一步。下面介绍几种新型电力电子器件: 3.1 IGCT IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件[1]。它是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,它是结合了晶体管和晶闸管两种器件的优点,即晶体管的稳定的关断能力和晶闸管的低通态损耗的一种新型器件。IGCT在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈类似晶体管的特性。IGCT具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低的特点。此外,IGCT还像GT0一样,具有制造成本低和成品率高的

现代电力电子技术的发展、现状与未来展望综述上课讲义

现代电力电子技术的发展、现状与未来展 望综述

课程报告 现代电力电子技术的发展、现状与 未来展望综述 学院:电气工程学院 姓名: ********* 学号: 14********* 专业: ***************** 指导教师: *******老师 0 引言

电力电子技术就是使用电力半导体器件对电能进行变换和控制的技术,它是综合了电子技术、控制技术和电力技术而发展起来的应用性很强的新兴学科。随着经济技术水平的不断提高,电能的应用已经普及到社会生产和生活的方方面面,现代电力电子技术无论对传统工业的改造还是对高新技术产业的发展都有着至关重要的作用,它涉及的应用领域包括国民经济的各个工业部门。毫无疑问,电力电子技术将成为21世纪的重要关键技术之一。 1 电力电子技术的发展[1] 电力电子技术包含电力电子器件制造技术和变流技术两个分支,电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础。电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用,电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。 1.1半控型器件(第一代电力电子器件) 上世纪50年代,美国通用电气公司发明了世界上第一只硅晶闸管(SCR),标志着电力电子技术的诞生。此后,晶闸管得到了迅速发展,器件容量越来越大,性能得到不断提高,并产生了各种晶闸管派生器件,如快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等。但是,晶闸管作为半控型器件,只能通过门极控制器开通,不能控制其关断,要关断器件必须通过强迫换相电路,从而使整个装置体积增加,复杂程度提高,效率降低。另外,晶闸管为双极型器件,有少子存储效应,所以工作频率低,一般低于400 Hz。由于以上这些原因,使得晶闸管的应用受到很大限制。 1.2全控型器件(第二代电力电气器件) 随着半导体技术的不断突破及实际需求的发展,从上世纪70年代后期开始,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(Power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展。全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。此外,这些器件的开关速度普遍高于晶闸管,可用于开关频率较高的电路。这些优点使电力电子技术的面貌焕然一新,把电力电子技术推进到一个新的发展阶段。 1.3电力电子器件的新发展 为了解决MSOFET在高压下存在的导通电阻大的问题,RCA公司和GE公司于1982年开发出了绝缘栅双极晶体管(IGBT),并于1986年开始正式生产并逐渐系列化。IGBT是MOS?FET和BJT得复合,它把MOSFET驱动功率小、开关速度快的优点和BJT通态压降小、载流能力大的优点集于一身,性能十分优越,使之很快成为现代电力电子技术的主导器件。与IGBT 相对应,MOS 控制晶闸管(MCT)和集成门极换流晶闸管(IGCT)都是MOSFET和GTO的复合,它们都综合

电力电子技术的发展趋势及应用

电力电子的现代运用 半导体的出现成为20世纪现代物理学的一项最重大的突破,标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要,促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展,其中一个分支即是以集成电路为代表的微电子器件,而另一类就是电力电子器件,特点是功率大、快速化。自20世纪五十年代末第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装置,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。 电子电力技术包括电力电子器件、变流电路和控制电路3部分,是以电力为处理对象并集电力、电子、控制三大电气工程技术领域之间的综合性学科。电力技术涉及发电、输电、配电及电力应用,电子技术涉及电子器件和由各种电子电路所组成的电子设备和系统,控制技术是指利用外加的设备或装置使机器设备或生产过程的某个工作状态或参数按照预定的规律运行。电力电子器件是电力电子技术的基础,电力电子器件对电能进行控制和转换就是电子电力技术的利用。在21世纪已经成为一种高新技术,影响着人们生活的各种领域,因此对对电子电力技术的研究具有时代意义。 传统电力电子技术是以低频技术处理的,现代电力电子的发展向着高频技术处理发展。其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,在不断的发展中促进了现代电力电子技术的广泛应用。电力电子技术在1947年晶体管诞生开始形成,接着1956的晶闸管的出现标志电力电子技术逐渐形成一门学科开始发展,以功率MOS-FET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件的出现,表明已经进入现代电子电力技术发展时代。 1.整流器时代 在60年代到70年代被称为电力电子技术的整流时代。该期间主要是大功率硅整流管和晶闸管的开发与应用。1948年的晶体管的出现引发了电子工业革命,半导体器件开始应用与通信领域,1957年,晶闸管的诞生扩展了半导体器件功率控制范围,属于第一代电力电子器件。大功率硅整流器能够高效率地把工频交流电转变为直流电,当地办硅整流器厂逐渐增多,大功率的工业用电由工频50Hz)交流发电机提供,其中电解、牵引、和直流传动是以直流形式消费。 2.逆变器时代 20世纪70年到80年代期间成为逆变器时代,该期间的电力电子技术已经能够实现逆变,但是仅局限在中低频范围内。当时变频调速装置因为能节能大量普及,巨型功率晶体管(GTR)、门极可关断晶闸管(GTO)和大功率逆变用的晶闸管成为当时电力电子器件的主流。它们属于第二代电力电子器件。 3.变频器时代 进入80年代,功率MOSFET和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)的问世,电力电子技术开始向高频化发展,高压、高频和大电流的功率半导体复合器件为第三代电器元件的大规模集成电路技术迅速发展,他们的性能更进一步得到了完善,具有小、轻和高效节能的特点。 4.现代电力时代 20世纪以来,电力电子作为自动化、节材、节能、机电一体化、智能化的基础,正朝着应用技术高频化、产品性能绿色化、硬件结构模块化的现代化方向发展。在1995年,功率MOSFET和GTR在功率半导体器件出现并广泛被人们应用,功率器件和电源单元的模块

电力电子器件发展论文

引言 电力电子技术包括功率半导体器件与IC技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“龙头”。从年美国通用电气公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始,电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子技术的诞生。到了70 年代,晶闸管开始形成由低压小电流到高压大电流的系列产品。同时,非对称晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等晶闸管派生器件相继问世,广泛应用于各种变流装置。由于它们具有体积小、重量轻、功耗小、效率高、响应快等优点,其研制及应用得到了飞速发展。由于普通晶闸管不能自关断,属于半控型器件,因而被称作第一代电力电子器件。在实际需要的推动下,随着理论研究和工艺水平的不断提高,电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展,先后出现了GTR 、GTO、功率MOSET 等自关断、全控型器件,被称为第二代电力电子器件。近年来,电力电子器件正朝着复合化、模块化及功率集成的方向发展,如GPT,MCT,HVIC等就是这种发展的产物。 普通晶闸管及其派生器件 晶闸管诞生后,其结构的改进和工艺的改革,为新器件的不断出现提供了条件。1964年,双向晶闸管在GE公司开发成功,应用于调光和马达控制。1965 年,小功率光触发晶闸管出现,为其后出现的光祸合器打下了基础60年代后期,大功率逆变晶闸管问世,成为当时逆变电路的基本元件。1974年,逆导晶闸管和非对称晶闸管研制完成。 普通晶闸管广泛应用于交直流调速、调光、调温等低频等领域,运用由它所构成的电路对电网进行控制和变换是一种简便而经济的办法。不过,这种装置的运行会产生波形畸变和降低功率因数、影响电网的质量。目前水平为12KV/1KA和6500V/4000A。 双向晶闸管可视为一对反并联的普通晶闸管的集成,常用于交流调压和调功电路中。正、负脉冲都可触发导通,因而其控制电路比较简单。其缺点是换向能力差、触发灵敏度低、关断时间较长,其水平己超过2000V/500A 。 光控晶闸管是通过光信号控制晶闸管触发导通的器件,它具有很强的抗干扰能力、良好的高绝缘性能和较高的瞬时过电压承受能力,因而被应用于高压直流输电、静止无功功率补偿等领域。其研制水平大约为8000V/3600A 。 逆变晶闸管因具有较短的关断时间一而主要用于中频感应加热。在逆变电路中,它己让位于GTR 、GTO 、IGBT等新器件。目前,其最大容量介于2500V/1600A 和800V/50A/20KHz 的范围之内。 非对称晶闸管是一种正、反向电压耐量不对称的晶闸管。而逆导晶闸管不过是非对称晶闸管的一种特例,是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。与普通晶闸管相比,它具有关断时间短、正向压降小、额定结温高、高温特性好等优点,主要用于逆变器和整流器中。目前,国内有厂家生产3000V/900A的非对称晶闸管。 全控型电力电子器件 门极可关断晶闸管 1964年,美国第一次试制成功了500V/10A 的GTO。在此后的近10年内,的容量一直停留在较小水平,只在汽车点火装置和电视机行扫描电路中进行试用。自70 年代中期开始,GTO的研制取得突破,相继出世了1300V/600A 、2500V/1000A 、4500V/2000A的产品,目前已达

电子元器件培训资料

一、电子及传感器基础知识、元器件基础知识前言: PCBA维修原则: 1、首先,要确认不良现象,排除误判误测,不良现象要有可重复性; 2、第二,要对外观进行复检,及时发现是否存在有错料,少料,多料等简单的外观不良; 3、第三,要找出维修记录或维修速查表,针对相应电子元件作检查。确认不良元件时可以与良 品交替互换或从电路板上拆除后单独测量; 4、第四,要找出PCBA功能的原理图,对照相应电路模块作检查,测量相关元件是否存在不良; 5、第五,如果是批量性不良,或以上方法无法维修的不良,可能是设计缺陷。 1、电子基础知识 电路的基本原理:电流,电压,电阻,电荷 电流是电荷在导线内流动的现象,电流的测量单位是安培(A)。电荷分为正电荷和负电荷二种。物质中的电子带有负电荷;而质子带有正电荷。电荷在导线内会由高电位的地方流向低电位的地方。电位的高低便形成了电位差,我们称为电压。电压愈大,流动的电流便愈大,电压的测量单位是伏特(V)。电流流动时会遇到阻力,就是电阻。每种物质都有电阻值,优良的导体如铜、白金等,它们的电阻很小,电流很容易通过。电阻很大,大到电流无法通过的物质就是绝缘体,而介于导体和绝缘体之间就是半导体。电阻的测量单位是欧姆(Ω)。 电流 是指电线中电子流动的相反方向,也就是质子流动的方向,通常以I表示,其单位为安培 A(Ampere)。直流电的电流方向固定由正极流向负极,并不会随时间而改变;而交流电的电流流向则会不断地交替变化,例如公司用电的电流便是每秒正负极交替变换50次的交流电,称为50赫兹(Hz)。而在台湾地区交流电的频率为60Hz。 电压 是指能使电在电线中流动的力量,通常以E表示,其单位为伏特V(Volt),电流一般都是从高电压流向低电压,通常电源电位较高的一端以"+"号表示,而电位较低的一端则以"_"表示。电池、水银电池等,电压包含1.5V、3V、9V等,而家庭用电电压在台湾、美国日本为交流110V;在大陆为220V;欧州为240V。 电阻 是指阻挡电流在电线流动的阻力,通常以R表示,其单位为欧姆,任何物体都具有电阻,如同水流一般,物体的电阻大小随材质、长度、大小而异。电阻值大到不能导电的物质称为「绝缘体」,如塑料、木材等。电阻会消耗能量,消耗的能量通常以热的形式呈现,所以传输材料的电阻值愈低愈好,因此一般电线便采用导电性佳的铜线,为了减低能源的消耗,「低温超导体」已成为新兴的科技了。 电路符号示例 电路是由各种不同的组件组成,其相互关系通常使用电路图描述,而电路图的每个基本组件均使用电路符号表示。下图是摘取ATA2001(1866)一部分电路图为例。 如下图:

电力电子器件的发展历程

电力电子器件的发展历程 电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用,因此,电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。 ● 1904年出现了电子管(Vacuum tube),能在真空中对电子流进行控制,并应 用于通信和无线电,从而开了电子技术之先河 ● 20年代末出现了水银整流器(Mercury Rectifier),其性能和晶闸管 (Thyristor)很相似。在30年代到50年代,是水银整流器发展迅速并大量应用的时期。它广泛用于电化学工业、电气铁道直流变电所、轧钢用直流电动机的传动,甚至用于直流输电 ● 1947年美国贝尔实验室发明晶体管(Transistor),引发了电子技术的一场革 命 ● 1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管(Thyristor) ● 1960年我国研究成功硅整流管(Silicon Rectifying Tube/Rectifier Diode) ● 1962年我国研究成功晶闸管(Thyristor) ● 70年代出现电力晶体管(Giant Transistor-GTR)、电力场效应管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-MOSFET) ● 80年代后期开始:复合型器件。 以绝缘栅极双极型晶体管(Insulated -Gate Bipolar Transistor-IGBT)为代表,IGBT是电力场效应管(MOSFET)和双极结型晶体管( Bipolar ● 90年代主要有: 功率模块(Power Module):为了使电力电子装置的结构紧凑、体积减小,常常把若干个电力电子器件及必要的辅助元件做成模块的形式,这给应 用带来了很大的方便。 功率集成电路(Power Integrated Circuit-PIC):把驱动、控制、保 护电路和功率器件集成在一起,构成功率集成电路(PIC)。目前其功率 都还较小,但代表了电力电子技术发展的一个重要方向。 智能功率模块(Intelligent Power Module-IPM)则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成,也称智能IGBT(Intelligent IGBT)。 高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit-HVIC):一般指横 向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路(Smart Power Integrated Circuit-SPIC):一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 一个弗莱明发明了二极管,另一个弗莱明发明了盘尼西林

电力电子器件的发展及应用

电力电子器件的发展及应用 研1506 苏智清 摘要:本文简单介绍了电力技术的分类, 回顾了电力电子技术及其器件的发展过程, 说明了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点, 探讨了在本世纪中新型电力电子器件的应用。 关键词:复合型电力电子器件;新型材料的电力电子器件;电力电子器件的应用 1引言 电力电子学是电工学的一个分支,是由电力系统、控制理论与电子学等学科共同发展起来的一个新型边缘性学科。电力电子学的主要特点是具有很强的应用性,同时与其他学科有着很好的交叉融合性,这也是电力电子学的基础理论与应用技术能够在短短几十年间飞速发展的一个相当重要的因素。目前,电力电子技术的应用已经从机械、石化、纺织、冶金、电力、铁路、航空、航海等一系列领域,进一步扩展到汽车、现代通信、家用电器、医疗设备、灯光照明等各个领域。进入 21 世纪,伴随着新理论、新器件、新技术的不断涌现,尤其是与微电子技术的日益融合,电力电子技术作为信息产业和传统产业之间的桥梁,在国民经济中必将占有越来越重要的地位,在各领域中的应用也必将不断得到拓展。 2电力电子器件的发展 2.1半控型器件 上世纪50年代,美国通用电气公司发明世界上第个晶闸管,标志电力电子技术的诞生。此后,晶闸管得到了迅速发展,器件容量越来越大,性能得到不断提高,并产生大量派生器件,如快速晶闸管逆导晶闸管等等。

但是,晶闸管作为半控型器件,只能通过门极导通,不能控制关断。要关断必须通过强迫换相电路,从而装置体积增大,复杂程度提高,效率降低。另外,晶闸管为双极型器件,有少子效应,所以工作频率低,由于这些原因,使得晶闸管的应用受到限制。 虽然晶闸管有以上缺点,但由于它的大电压大电流特性,使在高压直流输电静止无功补偿,大功率和高压变频调速等方面仍占有重要位置。2.2全控型器件 2.2.1门极可关断晶闸管(GTO) GTO有对称,非对称和逆导三种类型。对称GTO通态压降小,抗浪涌能力强,易于提高耐压能力。逆导型GTO是在同一芯片上将GTO与整流二极管反并联制成的集成器件,不能承受反向电压,主要用于中等容量的牵引驱动中。 在当前各种自关断器件中,GTO容量做大,工作最低。GTO是电流控制型器件,因而关断需要很大的反向驱动电流。目前,GTO在低于2000V某些领域被GTR和IGBTDE所替代,但在大功率电力牵引有明显优势。 2.2.2大功率晶体管(GTR) GTR是一种电流控制的双极双结电力电子器件,它既具备晶体管的固有特性,又增加功率容量,因此,由它组成的电路灵活,成熟,开关损耗小,开关时间短,在电源电机控制,通用逆变器等中等容量,中等频率的电路中广泛应用。GTR的缺点驱动电流较大,耐浪涌电流能力差,易受二次击穿损坏。在开关电源GTR渐渐被功率MOSFET和IGBT代替。 2.2.3功率MOSFET

电子元器件基础知识培训(资料)

电子元件基础知识培训 一、电阻 1、电阻的外观、形状如下图示: 2、电阻在底板上用字母R(Ω)表示、图形如下表示: 从结构分有:固定电阻器和可变电阻器 3 、电阻的分类:从材料分有:碳膜电阻器、金属膜电阻器、线绕电阻器、热敏电阻等 从功率分有:1/16W、1/8W、1/4W(常用)、1/2W、1W、2W、3W等 4、电阻和单位及换算:1MΩ(兆欧姆)=1000KΩ(千欧姆)=1000'000Ω(欧姆) 一种用数字直接表示出来 5电阻阻值大小的标示四道色环电阻其中均有一 一种用颜色作代码间接表示五道色环电阻道色环为误 六道色环电阻差值色环 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银无数值0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0.1 0.01 误差值±1℅±2℅±5℅±10℅±20℅四道色环电阻的识别方法如下图五道色环电阻的识别方法如下图 常用四道色环电阻的误差值色环颜色常用五道色环电阻的误差值色是 是金色或银色,即误差值色环为第四棕色或红色,即第五道色环就是误 道色环,其反向的第一道色环为第一差色环,第五道色环与其他色环相 道色环。隔较疏,如上图,第五道色环的反 向第一道即为第一道色环。 四道色环电阻阻值的计算方法: 阻值=第一、第二道色环颜色代表的数值×10 即上图电阻的阻值为:33×10=33Ω(欧姆) 第三道色不订所代表的数值

五道色环电阻阻值的计算方法: 阻值=第一、二、三道色环颜色所代表的数值×10即上图电阻阻值为:440×10=4.4Ω(欧姆) 7、电阻的方向性:在底板上插件时不用分方向。二:电容 1、电容的外观、形状如下图示: 2、电容在底板上用字母C表示,图形如下表示: 从结构上分有:固定电容和可调电容 3电容的分类有极性电容:电解电容、钽电容 从构造上分有: 无极性电容:云母电容、纸质电容、瓷片电容 4、电容的标称有容量和耐压之分 电容容量的单位及换算:1F”(法拉)=10 uF(微法)=10 pF(皮法) 5、电容容量标示如下图: 100uF∕25V 47uF∕25V 0.01 uF 0.01uF∕1KV 0.022uF∕50V 上图的瓷片电容标示是用103来表示的,其算法如下:10×10=0.01 uF=10000 pF 另电容的耐压表示此电容只能在其标称的电压范围内使用,如超过使用电压范围则会损坏炸裂或失效。 6、电容的方向性:在使用时有极性电容要分方向,无极性不用分方向。 三、晶体管 (一)晶体二极管 1、晶体二极管外形如下图: 第四道色不订所代表的数值 -2 6 12 3

电力电子技术的发展史

电力电子技术的发展史 电子技术是根据电子学的原理,运用电子器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学,包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。信息电子技术包括 Analog (模拟) 电子技术和 Digital (数字) 电子技术。电子技术是对电子信号进行处理的技术,处理的方式主要有:信号的发生、放大、滤波、转换。 目录 电力电子技术 现代电力电子技术 高频开关电源的发展趋势 半导体器件基础 电路发展 1.电力电子技术发展 现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件,其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。 整流器时代 大功率的工业用电由工频(50Hz)交流发电机提供,但是大约20%的电能是以直流形式消费的,其中最典型的是电解(有色金属和化工原料需要直流电解)、牵引(电气机车、电传动的内燃机车、地铁机车、城市无轨电车等)和直流传动(轧钢、造纸等)三大领域。大功率硅整流器能够高效率地把工频交流电转变为直流电,因此在六十年代和七十年代,大功率硅整流管和晶闸管的开发与应用得以很大发展。当时国内曾经掀起了-股各地大办硅整流器厂的热潮,目前全国大大小小的制造硅整流器的半导体厂家就是那时的产物。 逆变器时代 七十年代出现了世界范围的能源危机,交流电机变频调速因节能效果显著而迅速发展。变频调速的关键技术是将直流电逆变为0~100Hz的交流电。在七十年代到八十年代,随着变频调速装置的普及,大功率逆变用的晶闸管、巨型功率晶体管(GTR)和门极可关断晶闸管(GT0)成为当时电力电子器件的主角。类似的应用还包括高压直流输出,静止式无功功率动态补偿等。这时的电力电子技术已经能够实现整流和逆变,但工作频率较低,仅局限在中低频范围内。 变频器时代 进入八十年代,大规模和超大规模集成电路技术的迅猛发展,为现代电力电子技术的发展奠定了基础。将集成电路技术的精细加工技术和高压大电流技术有机结合,出现了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的问世,导致了中小功率电源向高频化发展,而后绝缘门极双极晶体管(IGBT)的出现,又为大中型功率电源向高频发展带来机遇。MOSFET和IGBT的相继问世,是传统的电力电子向现代电力电子转化的标志。据统计,到1995年底,功率M0SFET和GTR在功率半导体器件市场上已达到平分秋色的地步,而用IGBT代替GTR在电力电子领域巳成定论。新型器件的发展不仅为交流电机变频调速提供了较高的频率,使其性能

变频器常用电力电子器件

无锡市技工院校 教案首页 课题:变频器常用电力电子器件 教学目的要求:1. 了解变频器中常用电力电子器件的外形和符号2.了解相关电力电子器件的特性 教学重点、难点: 重点:1. 认识变频器中常用电力电子器件 2. 常用电力电气器件的符号及特性 难点:常用电力电气器件的特性 授课方法:讲授、分析、图示 教学参考及教具(含多媒体教学设备): 《变频器原理及应用》机械工业出版社王延才主编 授课执行情况及分析: 在授课中,主要从外形结构、符号、特性等几方面对变频器中常用的电力电子器件进行介绍。通过本次课的学习,大部分学生已对常用电力电子器件有了一定的认识,达到了预定的教学目标。

板书设计或授课提纲

电力二极管的内部也是一个PN 结,其面积较大,电力二极管引出了两个极,分别称为阳和阴极K 。电力二极管的功耗较大,它的外形有螺旋式和平板式两种。2.伏安特性:电力二极管的阳极和阴极间的电压和流过管子的电流之间的关系称为伏安特性。 如果对反向电压不加限制的话,二极管将被击穿而损坏。(1)正向特性:电压时,开始阳极电流很小,这一段特性 曲线很靠近横坐标。当正向电压大于时,正向阳极电流急剧上升,管子正向导 通。如果电路中不接限流元件,二极管将 被烧毁。

晶闸管的种类很多,从外形上看主要由螺栓形和平板形两种,螺栓式晶闸管容量一般为10~200A;平板式晶闸管用于200A3个引出端分别叫做阳极A、阴极 控制极。 结构 晶闸管是四层((P1N1P2N2)三端(A、K、G)器件。 晶闸管的导通和阻断控制 导通控制:在晶闸管的阳极A和阴极K间加正向电压,同时在它的门极 正向触发电压,且有足够的门极电流。 晶闸管一旦导通,门极即失去控制作用,因此门极所加的触发电压一般为脉冲电压。 管从阻断变为导通的过程称为触发导通。门极触发电流一般只有几十毫安到几百毫安, 管导通后,从阳极到阴极可以通过几百、几千安的电流。要使导通的晶闸管阻断,必须将阳极电流降低到一个称为维持电流的临界极限值以下。 三、门极可关断晶闸管(GTO) 门极可关断晶闸管,具有普通晶闸管的全部优点,如耐压高、电流大、控制功率大、使用方便和价格低;但它具有自关断能力,属于全控器件。在质量、效率及可靠性方面有着明显的优势,成为被广泛应用的自关断器件之一。 结构:与普通晶闸管相似,也为PNPN四层半导体结构、三端(阳极 )器件。 门极控制 GTO的触发导通过程与普通晶闸管相似,关断则完全不同,GTO 动电路从门极抽出P2基区的存储电荷,门极负电压越大,关断的越快。 四、电力晶体管(GTR) 电力晶体管通常又称双极型晶体管(BJT),是一种大功率高反压晶体管,具有自关断能力,并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。它被广泛用于交直流电机调速、中频电源等电力变流装置中,属于全控型器件。 工作原理与普通中、小功率晶体管相似,但主要工作在开关状态, 承受的电压和电流数值较大。 五、电力MOS场效应晶体管(P-MOSFET) 电力MOS场效应晶体管是对功率小的电力MOSFET的工艺结构进行改进,在功率上有

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