线痕、TTV
硅片检验标准

光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号:LW-BZ-009-A1版本:A/1版受控状态:编制部门:技术中心发放编号:编制:日期:审核:日期:批准:日期:实施日期:发布日期:文件更改申请单硅片检验标准1目的规范多晶硅片检测标准。
2适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据,适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3定义3.1检测工具:数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS20血阻率测试、少子寿命测试 WT-200Q3.2检测术语斑点定义:在光强430-650LUXCF,距离眼睛40cm,成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度:硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差(即 a值)。
弯曲度:硅片中心凸起处于参考平面距离差值(即 z值)硅落:硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边:以硅片边缘为参考线向内部延伸深度0 0.5mm长度0 1.5mmt不能崩透的缺损属于崩边c 缺口:光强430-650LUX,目光与硅片成30-45 ° ,距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口, 看不到的不属于缺口。
水印:未充分烘干,水分蒸发后残留物。
表面玷污:硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线:清洗后距离硅片上边缘 5mrmA内的黑色区域。
微晶:每1cm2长度上晶粒个数> 10个。
4 职责权限4.1技术部负责制定硅片检验标准;4.2质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
5正文5.1表面质量表面质量通过生产人员的分选判定,目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查看B4 (崩边),B7 (线痕)、B8 (厚度差值)、缺口、碎片、油污等情况;整包里的 B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗;B7、B8片手感表现较重,不易区分或存在争议时,利用分选机重新分选。
5.2外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求,在研磨倒角处控制。
金刚线切割单晶硅片工艺技术理论研究

金刚线切割单晶硅片工艺技术理论研究摘要:随着国内金刚线制造和应用技术的不断成熟,加之市场需求的快速增长不断的刺激金刚线制造技术发展迅速,金刚线切割工艺已成为行业内硅片制造技术发展趋势[1]。
如何通过有效的切割技术及现场控制,降低金刚线切割生产成本,就是硅片制造技术需要研究的重要方向。
本文主要针对金刚线切割技术及过程中切割异常分析进行分析。
关键词:金刚线细线切割;排线拉斜;排线间距1.引言目前光伏企业发展以“降本增效”为主旋律。
如何提高太阳能硅片切割效率、降低单片耗线成为近几年关注的问题。
影响硅片切割质量的因素主要有:金刚线品质、所用主辊(切割辅材)刻槽工艺、切割设备性能的稳定性、减少硅片切割单端钢线磨损度、控制硅片切割质量、降低切割异常。
2.金刚线切割技术的发展对于硅片切割来说,切片的加工技术和加工方式将对加工的质量和速度产生关键的影响。
因此,对于硅片加工工艺的基本原则是:成型精度高,平面度高,制件翘曲值低和厚度精度高[2];切割断面保证完整;提高加工效率,避免材料损耗。
在硅片切割技术中,多线切割技术以其生产量高,硅片直径适用范围广,翘曲值低,表面损伤浅,表面光洁度低等多项优势被广泛应用。
硅片多线切割技术包括砂浆切割工艺和金刚石线切割工艺。
3.金刚线切割种类及不同切割工艺简介3.1硅片切割种类、切割耗材的不同,可分为两类:a.砂浆切割技术。
砂浆切割方式是以游离式的切割模式,靠悬浮液的炫富碳化硅,再通过线网的带动,进行磨削切割。
其切割方式见图1。
图1 砂浆切割方式砂浆切割工艺是一种游离式切割方式。
该工艺以结构线为基体,莫氏硬度为9.5 的碳化硅( SiC)作为切割刃料,结构线在高速运动过程中带动切割液和碳化硅混合的砂浆进行摩擦,利用碳化硅的研磨作用达到切割效果。
随着国内光伏产业规模的扩张以及带来的利润降低,通过降低生产成本、提高生产效率来维持企业竞争力势在必行。
在过去的三到五年内,主要通过对切割砂浆的技术改进来实现成本的控制,但目前已无法实现进一步降本。
从电镀金刚石工具看金刚线

从电镀金刚石工具看金刚线金刚线是一种典型的金刚石锯切工具,但许多刚进入金刚线领域的企业,对金刚石锯切工具、电镀金刚石工具的了解很少,这会对产品开发带来一定的影响。
为此,我们特意写了篇文章,从电镀金刚石工具的角度带大家认识一下金刚线产品。
希望对大家有帮助!电镀金刚线,主要应用于光伏级硅片的开方和切片,属于金刚石锯切制品,也是电镀金刚石工具。
与金刚线类似的锯切工具还有金刚石绳锯、金刚石丝锯。
比如金刚石丝锯,它也是在钢丝表面镀上金刚石磨粒,一般用于手工往复拉加工玉石、玛瑙、水晶工艺品的内孔面,也可以用在台式丝锯机上作往复运动,用于曲线、直线切割,还可像金刚石绳锯那样,将它绕到两个绞轮上,张紧后用于切断作业。
从上面的描述,是不是感觉到它们很像呢?所以,岱勒、三超,与许多做金刚石锯片的企业一样,都是中国机床工具工业协会超硬材料分会的会员。
由于多晶硅线切市场的爆发,金刚线今年异常火爆,预期这种局面还会延续一段时间,所以很多钢丝、碳化硅、金刚石、光伏企业也纷纷进入了这个领域,欲分一杯羹。
为了让大家更好地认识金刚线,本文从电镀金刚石工具的角度浅析下金刚线的结构特点和使用性能。
1、电镀金刚石工具的特点既然金刚线属于电镀金刚石工具,那我们就先了解一下电镀金刚石工具的结构及特点。
图1是电镀金刚石工具的结构,可见其结构包括三部分组成:基体、镀层(多是电镀镍)、磨料。
其中,磨料弥散分布在金属镀层里,共同组成工作层,起磨削作用;基体具有一定的几何形状、尺寸精度和表面粗糙度,起支持电镀层的作用。
图1 电镀金刚石工具的结构示意图电镀金刚石工具具有以下特点:结构特点电镀金刚石工具只有钢基体和电镀工作层两个部分,电镀层沉积金属厚度一般为金刚石粒径的1/2~2/3,同烧结金刚石工具相比(钎焊工具除外)是非常薄的。
由于电沉积工艺的特殊性,采用电镀方法可以制造出各种复杂型面或者特别小、特别薄的金刚石工具,且制造出来的工具精度特别高。
镀层特点电镀金刚石工具的电镀层金属是通过电结晶形成的,在电镀预处理、工艺控制适当的情况下,镀层十分致密,几乎没有气孔。
156×156多晶A级硅片标准 (1)

FQC抽样方案
ASTM F42 ASTM F1188 ASTM F1391
≤8.0*1017atoms/cm3
HENNECKE HENNECKE
AQL=2.5 S-2
HENNECKE HENNECKE HENNECKE HENNECKE
HENNECKE
文件编号
ZG-BZ-02 A/1 2016/01/01
冠德光电材料(无锡)有限公司 156×156多晶A级硅片标准
材料特性 特性 生长方式 导电型号/掺杂剂 氧含量 碳含量 电学特性 电阻率 少子寿命 几何尺寸 厚度 TTV 翘曲度 直角度 边长 对角线 斜边 倒角尺 寸 直角边 斜角度 隐裂 线痕 200±20μ m ≤30μ m ≤50μ m 90°±0.3° 156±0.5mm 219.2±0.5mm 0.5-2mm 0.35-1.42 45°±10° 无 1~3Ω .cm ≥1µs 规格 DSS P/Boron ≤5.0*10 atoms/cm
崩边 缺角 微晶 孔洞 表面质量 包装和标识 包装 标识 编制
HENNECKE
AQL=1.0 一般Ⅱ级
100片/包 批号、厚度、硅片数量、电阻率、规格尺寸等 审核 批准
AQL=1.0 一般Ⅱ级
HENNECKE HENNECKE HENNECKE
≤15μ m 且不允许密集线痕 崩边深度≤0.2mm,长度≤0.2mm max.最多2个/片 无 单个微晶面积<3*3mm2 整个微晶区域面积<3*3cm2 无 表面洁净,无沾污、色差、可视裂纹、 穿孔、台阶、弯曲等可视缺陷
分选硅片检验考试试题

分选硅片检验考试试题一,填空题1. 进入分选人员必须穿戴: ______ 、______ 、 ______ 、 ______ 、 ______ 规范要求。
[填空题] *空1答案:口罩|无尘服|无尘帽|无尘鞋|手套空2答案:口罩|无尘服|无尘帽|无尘鞋|手套空3答案:口罩|无尘服|无尘帽|无尘鞋|手套空4答案:口罩|无尘服|无尘帽|无尘鞋|手套空5答案:口罩|无尘服|无尘帽|无尘鞋|手套2. 装有硅片泡沫盒中不允许有 ______ 与硅片接触。
[填空题] *空1答案:碎片3. 托盘指定专用,完好,无掉角、断裂等,且托盘板面上放置______ 。
[填空题] *空1答案:珍珠棉垫4. 硅片等级分 ______ 、______ 、 ______ 、 ______ 。
[填空题] *空1答案:A空2答案:A-空3答案:B空4答案:C5. 包装好A+硅片不允许集中一次性贴外箱,正常大货硅片打印箱号每台分选机不能超过____ 箱。
[填空题] *空1答案:36. 硅片在运输过程中必须塞棉,不允许__________。
[填空题] *空1答案:出现前后大幅晃动(A+片)|出现前后大幅晃动A级片7. 泡沫盒中需理齐,硅片突起高度不得>__________。
[填空题] *空1答案:2.5mm8. 6S定义是: ______ 整顿、 ______ ,______ ,______ ,______。
[填空题] *空1答案:整理空2答案:清扫空3答案:清洁空4答案:素养空5答案:安全9. 不同电阻需区分区域放置,推车上需区分上下层放置,不同类型、等级和品种硅片做好__________。
[填空题] *空1答案:区域标识、分开区域放置10. 上班时间必须按照公司的要求着装并按要求佩戴__________方能上岗。
[填空题] *空1答案:劳保用品11. 210半片每手包装__________片 [填空题] *空1答案:150片12. 分选检验过程主要不良模式有哪几项______ 、______ 、______ 、______ 、______ 。
Hanmi自动分选机操作规程

序号图片演示描述关键点与解释号图片演示描述关键点与解释1.11.硅片运输车要摆放在规定位置2.承载器摆放整齐注意:1、在清洗插片时,必须保证硅片脱胶面朝上,确保机器检测出准确的线痕值和TTV值。
2.承载器不得变形,防止出现硅片碎片。
1.41.点击START绿色按钮开始,机器开始自动运行2.正常运行时,点击红色按钮,机器自动停止3.点击DRY白色按钮,上料台停止自动出片转注意:1.操作时,防止碰撞到急停按钮,会导致机器停止运行2.遇到情况时,点击红色停止按钮。
1.21.操作人员必须按要求着装,戴口罩,手套。
2.交接班时,用干抹布将机器擦拭干净,用气枪清理碎片,并检查各部件是否正常,填写<Hanmi自动分选机日常点检表>注意:1.硅片上的唾液、手印会被机器分选为脏污2.手套需保持干净,否则也会污染硅片3.认真点检,记录清楚1.5 1.检查承载器是否变形2.安装方向要正确,不然活动固定夹具无法固定承载器注意:1.将承载器内明显的厚薄片挑出,防止造成碎片2.要确定承载器稳固.1.31.点击Lot End 输入切割编号和晶体编号2.点击工艺标准,选择机器分选工艺标准注意:1.换切割编号时,各分选盒需清零,避免计数错误2.分选工艺标准不正确,会导致分选错误3.运行异常,及时记录汇报1.61.承载器放置在上料台上后,按下夹具按钮2.当承载器内硅片跑完后,夹具会自动弹出注意:操作时,防止上料台上有碎片,会导致机器报警或造成碎片点击输入工艺标准切割编号晶体编号开始停止片盒停止出片急停安装方向朝上面活动夹具朝下面夹具按钮序号图片演示描述关键点与解释号图片演示描述关键点与解释2.1每个班使用机器前,需要对机器进行校验注意:1.点击图示对应电阻率按钮,切换到电阻率模块(Semilab软件界面)2.校准前,必须关闭软件停止传送带2.4点击 measure 下的calibrate resistivity,在对话框中输入样片的电阻率值点击OK,即可注意:点击OK后,将controls界面下的R1校准值记录在<校准记录>上2.21.在校准前,需点击停止红色按钮2.放入样片前,先点击Measure 下的new空测一次注意:校准前必须点击停止,防止出现电阻率补偿2.5校准完成后,必须点击Start绿色按钮注意:校准后启动电阻率模块,防止机器因未检测到电阻率而不分选2.3把样片放在检测台的中间,电阻探头对准样片上的电阻校正点注意:1.用手慢慢放入样片,将样片的电阻校正点与检测台的电阻率探头完全对齐2.动作要小心,防止样片损坏2.6特殊情况下,需要关闭机器时,点击屏幕开始中的关闭选项,关闭电脑。
线痕定义-120329
项目公司:
类别定义
单一线痕硅片表面只有一条的非杂质线痕
线痕
亮线硅片表面有发亮或发黒的线痕台阶线痕硅片表面因为线痕造成的Z形台阶
杂质线痕因锭体内部杂质引起线弓异常导致的线痕,一般为一条或多条"弓
"形
密集线痕在硅片表面1个厘米内存在5条或
以上的线痕数量
划痕硅片表面,由外物造成的痕迹
色差由于切割过程中的异常情况,硅片表面用肉眼可判断的明显视觉差异
线痕标准
标准照片备注
≤15um
目视有颜色差异
≤15um
≤15um
≤15um
硅片肉眼可见即判定为不良
硅片表面的两种不同
颜色。
SIP-多晶硅片成品标准1
版本号:A/6 页码:第1页共6页多晶硅片成品标准生效日期:2009年5月8日一、目的为加强公司多晶硅片的质量管控,指导使公司生产的产品,特制订本标准。
二、适用范围适用于公司生产的太阳能级多晶硅片的品质检测和判定。
三、标准内容1、检测环境要求:温度18~28℃,湿度不大于60%。
2、检验项目及要求:项 目 内 容外观 线痕、崩边、污片、凹坑、缺角、缺口、隐裂、穿孔、色差、微晶、雪花晶、分布晶、废片尺寸边长、对角线、垂直度、倒角、翘曲、厚度性能氧含量、碳含量少子寿命、极性、电阻率批准审核编制修改履历页码内容状态备注版本号:A/6 页码:第2页共6页多晶硅片成品标准生效日期:2009年5月8日3、名词解释线痕:硅片在切割过程中硅片表面被划伤所留下的痕迹。
崩边:崩边(chip):晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域,当崩边在晶片边缘产生时,其尺寸由径向深度和周边弦长给出。
污片:用清洗溶剂清洗不能去除的表面沾污。
凹坑:在适当的光照条件下,硅晶片表面上肉眼可见的一种具有渐变斜面呈凹面状的浅坑。
缺角:上下贯彻晶片边缘的缺损。
穿孔:在对光源观察时,晶片表面有用针或似用针刺的小孔。
微晶:1cm单位长度上个数超过5个。
雪花晶:呈连续分布,具有一定面积的晶体,2cm2内晶粒超过50个。
分布晶:大晶粒上分布的具有特定“圈点”特征的小晶粒。
隐裂:硅片表面存在不惯穿的隐型的裂纹,裂纹宽度大于0.1mm。
弯曲度(bow):晶片中心面凹凸形变的一种度量,它与晶片可能存在任何厚度变化无关。
弯曲度是晶片的一种体性质而不是表面特性。
翘曲度(warp):晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值。
翘曲度是晶片的体性质而不是表面特性。
厚度(thickness):通过晶片上一给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。
总厚度变化(total thickness variation)(TTV):在厚度扫描或一系列点的厚度测量中,所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。
硅片检验标准
M2多晶硅片规格Specification for M2项目Items 规格Specification尺寸Wafer Size 125×125mm±0.5mm ;156×156mm±0.5mm厚度Thickness 190μm±19μm;156:219.2±0.5mm175.36±0.5mm对角线长度Diagonal 125:垂直度Edge Angle 90°±0.25°倒角角度45°±10°Bevel edge Angle倒角尺寸1.5±0.5mmChamfer LengthTTV ≤30μm翘曲度Bow/Warping ≤50μm微晶Micro-crystal ≤10pcs(个)/cm2线痕Saw marks ≤15μm表面Wafer Surface 表面无明显黑斑、污渍No stain, splash on surface obvious 裂纹Crack 无可视裂纹No crack visible with naked eyes孔洞Pine Hole 无孔洞No pin holeP型P-type(Boron Doped)导电类型Conductivity Type替位碳含量≤4×1017 at/cm3Cs Concentration间隙氧含量≤8×1017 at/cm3Oi Concentration电阻率Resistivity 1~3.0Ω·cm少子寿命Life Time ≥2μs (Brick硅块)崩边Chip None缺口Indentation NoneM3多晶硅片规格Specification for M3项目Items 规格Specification尺寸Wafer Size 125×125mm±0.5mm ;156×156mm±0.5mm厚度Thickness 190μm±19μm;156:219.2±0.5mm175.36±0.5mm对角线长度Diagonal 125:垂直度Edge Angle 90°±0.25°倒角角度45°±10°Bevel edge Angle倒角尺寸1.5±0.5mmChamfer LengthTTV ≤30μm翘曲度Bow/Warping ≤50μm微晶Micro-crystal ≤10pcs(个)/cm2线痕Saw marks ≤15μm表面Wafer Surface 表面无明显黑斑、污渍No stain, splash on surface obvious 裂纹Crack 无可视裂纹No crack visible with naked eyes孔洞Pine Hole 无孔洞No pin holeP型P-type(Boron Doped)导电类型Conductivity Type替位碳含量≤4×1017 at/cm3Cs Concentration间隙氧含量≤8×1017 at/cm3Oi Concentration电阻率Resistivity 1~3.0Ω·cm少子寿命Life Time ≥2μs (Brick硅块)崩边Chip None缺口Indentation None。
多晶硅片检测标准
多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV:硅片中心点的厚度,是指一批硅片的厚度分布情况;3.2 TTV:总厚度误差,是指一片硅片的最厚和最薄的误差(标准测量是取硅片5 点厚度:边缘上下左右4点和中心点);3.4崩边:晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域,当崩边在晶片边缘产生时,其尺寸由径向深度和周边弦长给出;3.5 裂纹、裂痕:延伸到晶片表面,可能贯穿,也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕;3.6 垂直度:硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。
3.7 密集型线痕:每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类多晶硅片的等级有A级品和B级品,规格有:125⨯125;156⨯156;210⨯210。
5 技术要求5.1 外观5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形(锐形)缺口,崩边、缺口长度≤0.5mm,深度≤0.3mm,且每片不得超出2个;5.1.2表面需清洗干净,无可见斑点、玷污及化学残留物;5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度(如表面划痕、凹坑、台阶等)≤20μm,切割线痕深度≤20μm;当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。
无密集型线痕。
5.1.4 弯曲度≤30μm,,翘曲度≤30μm;5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层,即切完的硅片边沿是光亮的。
5.2外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为200±20μm;220±20μm;240±20μm;对于每单合同需要明确规定标称厚度。
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线痕和TTV: 线痕和TTV是在硅片加工当中遇到的比较头疼的事,时不时就会出现一刀,防不胜防。
TTV是在入刀的时候出现,而线痕是在收线弓的时候容易出现。
钢线和砂浆组合就变成线锯。
在高速运转的状态下,砂浆黏附在钢线上,起到锯齿的作用,快速切入。
当砂浆的黏附力过差,就不易被带入切割面内部,从而出现无齿,降低切割能力。
TTV产生一般是一个点,比其他地方厚度差的多。
可能性最大的是线网与单晶成一个角度,也就是单晶没有粘平,最容易出现TTV,还有就是导轮的跳动大,导致线网跳动大,入刀不稳导致。
线痕则是因为在切入玻璃的时候,正在拉线弓。
这个时候钢线在两种介质中切割,由于硬度和结构的不同(以金刚石硬度10为准,玻璃硬度为6,单晶硅硬度略逊于金刚石),导轮跳动过大,哪怕一瞬间,产生侧移,就会导致线痕。
玻璃因为是非晶体,在600度左右就会变软。
钢线切割到玻璃的时候在玻璃表面会产生大量的热,软化,黏附钢线,砂浆就不易被带入,降低了切割能力,这时就容易产生线痕。
6 y- y8 {8 T& [% s/ y3 C注解:TTV:硅片厚度变化量。
一般来讲,硅片厚度对硅片本身的品质没有什么影响。
硅片中真正起作用的只是硅片表面薄薄的一层,其余的都是起支撑作用。
TTV当然越小越好。
TTV是衡量硅片品质的一个很重要的指标线切割机线痕处理'1.原料--硅块本身就存在缺陷如杂质等,造成硅块密度不一致或者说分布不均匀,容易造成线痕;辅料--辅料质量不佳,如材质不对、杂质等,另外也有可能是辅料重复使用次数过多;设备--设备机台各项参数不应该版本统一,应该因机而各异;4.人为--可能性最大因数,有意无意或者消极工作导致. 但是目前线痕是多数公司存在的普遍现象主要看线痕比率体现线切水平和成片率.可以从多方面考虑降低线痕: 一.原料从开方后检测下手,控制可能导致线痕的硅块流入线切工序二.辅料控制辅料质量和使用次数, 避免辅料造成的损失,得不偿失;三.设备完善的保养机制独有的工艺配方四.人员从积极方面考虑降低线痕率如奖励机制替代处罚机制主要是人员工作积极性毕竟人在生产中起主导作用五.完善的制程控制完善的制程检验过程, 及时发现并纠正不当操作六.完准的数据和反舞弊制度如各大数据程序支持和反舞弊制度说到底关键在人工艺设备操作数据等等都需要靠人完成密布线痕: 密布线痕是砂浆的问题,砂浆的切割能力低,要解决这个问题可以将切割速度调整慢一点,还要在浆料问题上做的更加细致。
搅拌时间延长一些。
完全可以将这个问题解决好+ })断线处理方法断线分为收线端断线,线网断线和进线端断线三种。
其中线网断线最具挑战性.一.收线端断线处理很简单,把主辊上的压线抽掉,用胶带把线头粘贴好,接下来把收线轮上的线引到主辊的收线端,用拧麻花的方式把两个线头拧在一起,然后用烙铁把线头焊好,检查导轮,完好后直接按启动按钮。
在过程中应注意下列几点:1.整个过程中不要停止砂浆的循环;2.不要走线网,防止出现线痕,3.抽完主辊上的压线后要注意调整收线端导轮架的位置,4.换掉收线端的前三个导轮,因为断线后钢线变形,把导轮槽拉伤,当然换几个导轮以自己而定,本人经常只换前三个。
二.进线端断线处理其实也很简单,处理方法有两种:1.抽线,抽好后用激光焊接机直接焊好,开切。
2.反切,叫技术员改程序,自己改也行,只要你会,此时收放线轮互换,收线轮做放线轮,放线轮做收线轮。
接好线后,开切.整个过程中应注意一下几点:第一,焊线的人的技术要好,不然在跑线过程中线头很容易开,那样造成的后果的不可估计的。
再就是把进线端的导轮架调整好。
第二,反切时一定要保证你的收线轮上的线是没有断过的,并且线够切,放线轮上的线的多少。
如果还够切一刀,换掉线轮,以免造成浪费。
第三,换掉进线端的前三个导轮。
三。
线网断线是最难处理的,也是对片子质量影响最为严重的。
1.当切割深度<40MM时,我们可以剪掉破线网,重新布线,直接任线,整个过程可以在50分钟内完成。
2.当切割深度>40MM时,以10MM/min的速度提料,然后用水洗,一定要洗干净,以免在任线的时候造成不必要的麻烦,洗干净后,然后用气管吹干,片子看上去一片一片的就OK了,重新布线网任线。
第二种方法就是:把线网剪掉后,用塑料纸铺在碎料盒上,给里面到上酒精,把片子泡在里面,大约60分钟后,把料提起来,此时的片子在酒精里面已经完全分开,酒精完全挥发后,就可以任线了,这样免去了用气管吹干的过程,这个方法对片子的质量影响很小,建议用这个。
在用水洗的时候不要将水开的太大,气开的太大,以免损伤片子!第二种方法中的酒精也可以换成切割液。
好有在洗的时候一定要将气帘气压开大一倍。
防止再洗的时候对机器造成伤害。
太阳能硅片切割技术太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线,从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区,在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。
在整个切割过程中,对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。
一、切割液(PEG)的粘度由于在整个切割过程中,碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的,所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。
1、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。
由于不同的机器开发设计的系统思维不同,因而对砂浆的粘度也不同,即要求切割液的粘度也有不同。
例如瑞士线切割机要求切割液的粘度不低于55,而NTC要求22-25,安永则低至18。
只有符合机器要求的切割标准的粘度,才能在切割的过程中保证碳化硅微粉的均匀悬浮分布以及砂浆稳定地通过砂浆管道随钢线进入切割区。
2、由于带着砂浆的钢线在切割硅料的过程中,会因为摩擦发生高温,所以切割液的粘度又对冷却起着重要作用。
如果粘度不达标,就会导致液的流动性差,不能将温度降下来而造成灼伤片或者出现断线,因此切割液的粘度又确保了整个过程的温度控制。
二、碳化硅微粉的粒型及粒度太阳能硅片的切割其实是钢线带着碳化硅微粉在切,所以微粉的粒型及粒度是硅片表片的光洁程度和切割能力的关键。
粒型规则,切出来的硅片表明就会光洁度很好;粒度分布均匀,就会提高硅片的切割能力。
三、砂浆的粘度线切割机对硅片切割能力的强弱,与砂浆的粘度有着不可分割的关系。
而砂浆的粘度又取决于硅片切割液的粘度、硅片切割液与碳化硅微粉的适配性、硅片切割液与碳化硅微粉的配比比例、砂浆密度等。
只有达到机器要求标准的砂浆粘度(如NTC机器要求250左右)才能在切割过程中,提高切割效率,提高成品率。
四、砂浆的流量钢线在高速运动中,要完成对硅料的切割,必须由砂浆泵将砂浆从储料箱中打到喷砂咀,再由喷砂咀喷到钢线上。
砂浆的流量是否均匀、流量能否达到切割的要求,都对切割能力和切割效率起着很关键的作用。
如果流量跟不上,就会出现切割能力严重下降,导致线痕片、断线、甚至是机器报警。
五、钢线的速度由于线切割机可以根据用户的要求进行单向走线和双向走线,因而两种情况下对线速的要求也不同。
单向走线时,钢线始终保持一个速度运行(MB和HCT可以根据切割情况在不同时间作出手动调整),这样相对来说比较容易控制。
目前单向走线的操作越来越少,仅限于MB和HCT机器。
双向走线时,钢线速度开始由零点沿一个方向用2-3秒的时间加速到规定速度,运行一段时间后,再沿原方向慢慢降低到零点,在零点停顿0.2秒后再慢慢地反向加速到规定的速度,再沿反方向慢慢降低到零点的周期切割过程。
在双向切割的过程中,线切割机的切割能力在一定范围内随着钢线的速度提高而提高,但不能低于或超过砂浆的切割能力。
如果低于砂浆的切割能力,就会出现线痕片甚至断线;反之,如果超出砂浆的切割能力,就可能导致砂浆流量跟不上,从而出现厚薄片甚至线痕片等。
目前MB的平均线速可以达到13米/秒,NTC达10.5-11米/秒。
六、钢线的张力钢线的张力是硅片切割工艺中相当核心的要素之一。
张力控制不好是产生线痕片、崩边、甚至短线的重要原因。
1、钢线的张力过小,将会导致钢线弯曲度增大,带砂能力下降,切割能力降低。
从而出现线痕片等。
2、钢线张力过大,悬浮在钢线上的碳化硅微粉就会难以进入锯缝,切割效率降低,出现线痕片等,并且断线的几率很大。
3、如果当切到胶条的时候,有时候会因为张力使用时间过长引起偏离零点的变化,出现崩边等情况。
MB、NTC等线切割机一般的张力控制在送线和收线相差不到1,只有安永的相差7.5。
七、工件的进给速度工件的进给速度与钢线速度、砂浆的切割能力以及工件形状在进给的不同位置等有关。
工件进给速度在整个切割过程中,是由以上的相关因素决定的,也是最没有定量的一个要素。
但控制不好,也可能会出现线痕片等不良效果,影响切割质量和成品率。
总之,太阳能硅片线切割机的操作,是一个经验大于技术流程与标准的精细活。
只有在实际操作中,不断总结与探讨,才能对机器的驾驭游刃有余。
pv600.硅片线痕分析分类:线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。
各种线痕产生的原因如下:1、杂质线痕:由多晶硅锭内杂质引起,在切片过程中无法完全去除,导致硅片上产生相关线痕。
表现形式:(1)线痕上有可见黑点,即杂质点。
(2)无可见杂质黑点,但相邻两硅片线痕成对,即一片中凹入,一片凸起,并处同一位置。
(3)以上两种特征都有。
(4)一般情况下,杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。
改善方法:(1)改善原材料或铸锭工艺,改善IPQC检测手段。
(2)改善切片工艺,采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。
其它相关:硅锭杂质除会产生杂质线痕外,还会导致切片过程中出现“切不动”现象。
如未及时发现处理,可导致断线而产生更大的损失。
2、划伤线痕:由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。
切割过程中,SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间,无法溢出,造成线痕。
表现形式:包括整条线痕和半截线痕,内凹,线痕发亮,较其它线痕更加窄细。
改善方法:(1)针对大颗粒SIC(2.5~3D50),加强IQC检测;使用部门对同一批次SIC先进行试用,然后再进行正常使用。
(2)导致砂浆结块的原因有:砂浆搅拌时间不够;SIC水分含量超标,砂浆配制前没有进行烘烤;PEG水分含量超标(重量百分比<0.5%);SIC成分中游离C(<0.03%)以及<2μm微粉超标。
其它相关:SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等,各项性能对于切片都有很大的影响。
3、密布线痕(密集型线痕):由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题,造成硅片上出现密集线痕区域。
表现形式:(1)硅片整面密集线痕。
(2)硅片出线口端半片面积密集线痕。
(3)硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。