弱磁探测技术发展现状(光泵磁通门磁阻 GMR 高斯TMR皮特AMR巨磁阻抗GMI霍尔Hall高灵敏 量子干涉)

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我国弱磁精选机技术进展及发展方向

我国弱磁精选机技术进展及发展方向
o h rn c nc ntae.Th s a t l any dipa ss me a h e e n si he e ui fte io o e r t i ri e m i l s ly o c iv me t n t q pme to o i e st g tc s pa a c n flw-ntn i ma nei e r - y
1 引言
随着 国民经 济 的快 速 发 展 , 国对 钢 铁 的需求 我 量越来越 大 , 与之 形 成矛 盾 的是我 国的铁 精 粉 尤 而 其是优质 铁精粉 越 来越 紧 缺 , 国虽 然 是 资源 大 国 我 但铁矿资 源 以 “ 、 、 、 ” 开 发 利 用 难 度 大为 贫 细 杂 散 , 特点 , 如何 生产 出更 多 优质 合 格 的铁 精 矿这 样 一个 严 峻课 题摆 在 了广 大 选矿 科 技 工作 者 的面 前 ,00 20
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的努力 以提高铁精矿 品位 , 本文主要 阐述了近年我国在弱 磁精选设 备方 面取 得的一些成果 , 并对各设 备特点进行
了简要 的分析 , 并对今后设备的发展方 向提 出了一些建议 。

巨磁电阻效应――GMR模拟传感器的磁电转换特性测量【实验目的】1...

巨磁电阻效应――GMR模拟传感器的磁电转换特性测量【实验目的】1...

巨磁电阻效应――GMR 模拟传感器的磁电转换特性测量【实验目的】1. 掌握GMR 效应的定义;2. 了解GMR 效应的原理;3. 熟悉GMR 模拟传感器的构成;4. 测量GMR 磁阻特性曲线。

【实验仪器】ZKY-JCZ 巨磁电阻效应及应用实验仪、基本特性组件、导线 【实验原理】一、巨磁电阻效应定义及发展过程1、定义2007年10月,科学界的最高盛典—瑞典皇家科学院颁发的诺贝尔奖揭晓了。

本年度,法国科学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国科学家彼得·格林贝格尔(Peter Grunberg)因分别独立发现巨磁阻效应而共同获得2007年诺贝尔物理学奖。

瑞典皇家科学院在评价这项成就时表示,今年的诺贝尔物理学奖主要奖励“用于读取硬盘数据的技术,得益于这项技术,硬盘在近年来迅速变得越来越小”。

巨磁阻到底是什么?诺贝尔评委会主席佩尔·卡尔松用比较通俗的语言解答了这个问题。

他用两张图片的对比说明了巨磁阻的重大意义:一台1954年体积占满整间屋子的电脑,和一个如今非常普通、手掌般大小的硬盘。

正因为有了这两位科学家的发现,单位面积介质存储的信息量才得以大幅度提升。

目前,根据该效应开发的小型大容量硬盘已得到了广泛的应用。

“巨磁电阻”效应(GMR ,Giant Magneto Resistance)是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。

也就是说,非常弱小的磁性变化就能导致巨大电阻变化的特殊效应,变化的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值高10余倍。

2、发展过程人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态。

量子力学出现后,德国科学家海森伯(W. Heisenberg)明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原子磁矩之间的量子力学交换作用,这个交换作用是短程的,称为直接交换作用。

后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁(或亚铁磁)有序状态,化合物中的氧离子(或其他非金属离子)作为中介,将最近的磁性原子的磁矩耦合起来,这是间接交换作用。

巨磁阻效应及其应用

巨磁阻效应及其应用
被测线路
磁敏轴
图4从传感器放置示意图
如果要计算AA传感器跟某个电流强度的关系,通常 要获得如图5所示的计算要素。
图5从传感器感应磁场强度的计算模型
其中d1和d2如图4所示。r的计算如图6所示。
圈6 AA传感器与被测线路距离r的计算模型
图6中PCB为双层板,由于覆铜层厚度b和d与PcB板 厚度c及芯片本身的尺寸a比较而言可以忽略不计,通常 用a+c计算图5中的r。综合起来传感器中心点的磁场强 度的强度与电流的计算公式为:
应用设计
巨磁阻效应及其应用
陈伟平95989部队
摘要:文章主要介绍了巨磁阻效应(GMR: Giant Magneto Resistance)的基本原理,也介绍了相应的应 用的实现原理和方法,给出了利用GMR效应器件在电子 设计的应用参考。
关键词:巨磁阻效应GMR磁头传感器Байду номын сангаас合器
Application Note8 for Giant MagnetO Re8istance Effect

图8 GMR效应耦台器件的原理圈
以NVE公司的IL7xx系列的芯片为例,使用GMR效应 的耦合器件能实现:
·器件尺寸小:2个通道可以封装为MSOP一8 ·较高的传输速率:150Mbps ·传播延迟:最大15ns ·延迟偏差:器件对器件4ns,通道对通道2ns ·温度范围:一40℃’+125℃无降级 ·隔离度:2500Vrms ·输入阈值电流:10lIIA ·功耗:5V时为2.5mA
平行磁化方向(低阻态)
相反磁化方向(高阻态)
图1巨磁阻效应原理
相比传统的光电耦合和容性隔离等隔离手段,巨磁
阻效应发展出了新的隔离技术。GMR效应至少有两个比较 明显的优势:一是GMR效应所产生的大幅电阻变化可以提

TMR效应

TMR效应

以磁性材料为主的磁传感器已经广泛的应用在国民经济的各个领域中。

已经实用化的有铁磁金属薄膜(Nife, FeCo基)磁敏器件;使用Fe-Co-V合金丝的威氏器件,基于热敏铁氧体的热簧开关;利用法拉第原理设计的光纤电流传感器和隔离器;采用磁性液体设计的多维度倾斜及震动传感器。

从使用的功能上看,磁传感器可制成磁编码器、位移传感器、转速传感器、气象传感器、新电功能图传感器等等。

只要设计巧妙,磁传感器几乎可应用在任何自动控制和传感领域。

传统的计算机硬盘读出头就是采用NiFe基薄膜制作的,虽然其磁电阻仅有2%~4%,但却足以支撑硬盘存储密度以每年50%以上的速度递增。

为了获得了更灵敏、功能更丰富的磁传感器,就必须研制开发出具有更高的磁电阻效应的材料。

1988年Fert等人在Fe/Cr多层膜中发现巨磁电阻效应(GMR)以来,伴随随着纳米材料科学基础和应用研究的深入,人们在许多人工有序新材料中发现了GMR效应,而后在混锰价氧化物中发现的超巨磁电阻效应(CMR)更令世人惊叹不已。

尤为重要的是IBM等公司在短短五、六年内,并于1994年推出了基于GMR效应的硬盘读出头,从而将硬盘的记录密度提高了17倍,达到5Gb/in2(注:1in=0.0254m,下同),使得当时的其他主流硬盘厂商不得不充分挖掘传统NiFe基读出头的潜力以全力迎战。

目前,硬盘的目标是实现3.5in单片单面容量达到10Gb。

在这一层次上就只能采用GMR效应的读出头了。

下个世纪的硬盘读出头将属于GMR。

将GMR效应应用于传感器可探测空间微弱的磁场信号的变化,从而可在更高的精度实现机床的自动化精密加工。

在广阔的家电市场基于GMR材料的元器件也会更有用武之地。

但由于传统MR器件成本低、工业流程成熟,基于GMR材料的传感器件的开发一直较为缓慢。

本文力图简要的沿着GMR效应的发展,介绍一下近年来在纳米磁性材料基础研究和应用中的部分进展。

以供传感器专业领域的人士参考,进而希望有助于推动GMR等新型磁电材料在传感器领域的应用。

巨磁电阻实验

巨磁电阻实验

巨磁电阻实验巨磁电阻效应及其应⽤巨磁电阻( Giant magneto resistance, 简称GMR)效应表⽰在⼀个巨磁电阻系统中, ⾮常弱⼩的磁性变化就能导致巨⼤的电阻变化的特殊效应. 法国科学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国科学家彼得·格林贝格尔( Peter Grunberg )因分别独⽴发现巨磁阻效应⽽共同荣膺2007年诺贝尔物理学奖.G MR是⼀种量⼦⼒学和凝聚态物理学现象, 是磁阻效应的⼀种, 可以在磁性材料和⾮磁性材料相间的薄膜层(⼏个纳⽶厚)结构中观察到. 在量⼦⼒学出现后,德国科学家海森伯(W. Heisenberg, 1932年诺贝尔奖得主)明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原⼦磁矩之间的量⼦⼒学交换作⽤, 这个交换作⽤是短程的, 称为直接交换作⽤. 随后, 科学家们⼜发现很多的过渡⾦属和稀⼟⾦属的化合物也具有反铁磁有序状态, 即在有序排列的磁材料中, 相邻原⼦因受负的交换作⽤, ⾃旋为反平⾏排列, 如图1所⽰. 此时磁矩虽处于有序状态, 但总的净磁矩在不受外场作⽤时仍为零. 这种磁有序状态称为反铁磁性. 反铁磁性通过化合物中的氧离⼦(或其他⾮⾦属离⼦)将最近的磁性原⼦的磁矩耦合起来, 属于间接交换作⽤. 此外, 在稀⼟⾦属中也出现了磁有序, 其中原⼦的固有磁矩来⾃4f电⼦壳层. 相邻稀⼟原⼦的距离远⼤于4f电⼦壳层直径,所以稀⼟⾦属中的传导电⼦担当了中介, 将相邻的稀⼟原⼦磁矩耦合起来, 这就是RKKY型间接交换作⽤.直接交换作⽤的特征长度为0.1—0.3nm, 间接交换作⽤可以长达1nm以上. 据此美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念.所谓的超晶格就是指由两种(或两种以上)组分(或导电类型)不同、厚度极⼩的薄层材料交替⽣长在⼀起⽽得到的⼀种多周期结构材料, 其特点是这种复合材料的周期长度⽐各薄膜单晶的晶格常数⼤⼏倍或更长. 上世纪⼋⼗年代, 制作⾼质量的纳⽶尺度样品技术的出现使得⾦属超晶格成为研究前沿. 因此凝聚态物理⼯作者对这类⼈⼯材料的磁有序, 层间耦合, 电⼦输运等进⾏了⼴泛的基础⽅⾯的研究. 其中相关的代表性研究⼯作简介如下.其⼀是德国尤利希科研中⼼的物理学家彼得·格伦贝格尔. 他⼀直致⼒于研究铁磁性⾦属薄膜表⾯和界⾯上的磁有序状态, 其研究对象是⼀个三明治结构的薄膜, 两层厚度约10nm的铁层之间夹有厚度为1nm的铬层. 之所以选择选择这⼀材料系统, ⾸先是因为⾦属铁和铬是周期表上相近的元素, 具有类似的电⼦壳层, 容易实现两者的电⼦状态匹配. 其次, ⾦属铁和铬的晶格对称性和晶格常数相同, 它们之间晶格结构相匹配. 这两类匹配⾮常有利于对基本物理过程进⾏探索. 尽管如此, 长期以来该课题组所获得的三明治薄膜仅为多晶体. 随着制备薄膜技术的发展, 分⼦束外延(MBE)⽅法的应⽤才使得结构完整的单晶样品得以问世, 其成分依然是铁-铬-铁三层膜. 此后, 为了进⼀步获得铁磁矩的有关信息, 科研⼯作者将光散射应⽤于对⾦属三层膜进⾏相关研究. 在实验过程中, 薄膜上的外磁场被逐步减⼩直⾄消失. 结果发现, 在铬层厚度为0.8nm的铁-铬-铁三明治中, 两边的两个铁磁层磁矩从彼此平⾏(较强磁场下)转变为反平⾏(弱磁场下). 亦即, 对于⾮铁磁层铬的某个特定厚度, 在⽆外磁场时, 两边铁磁层磁矩处于反平⾏状态, 这⼀现象成为巨磁电阻效应出现的前奏. 在对这⼀现象的进⼀步研究过程中, 格伦贝格尔等发现当两个磁矩反平⾏时,铁-铬-铁三明治呈现⾼电阻状态. ⽽当两个磁矩平⾏时, 则对应与其低电阻状态, 且两种不同状态下的阻值差⾼达10%. 之后, 格伦贝格尔将此结果写成论⽂,并申请了将这种效应和材料应⽤于硬盘磁头的专利.另⼀位科研⼯作者是巴黎⼗⼀⼤学固体物理实验室物理学家阿尔贝·费尔, 其课题组将铁、铬薄膜交替制成⼏⼗个周期的铁-铬超晶格, 亦称周期性多层膜. 通过对此类物质的研究, 他们发现了当改变磁场强度时, 超晶格薄膜的电阻下降近⼀半, 即磁电阻⽐率达到50%. 据此该现象被命名为巨磁电阻现象, 并⽤两电流模型予以合理解释. 显然, 该周期性多层膜可视为若⼲个格伦贝格尔三明治的重叠, 因此德国和法国的这两个独⽴发现实属同⼀个物理现象.除了上述两位诺贝尔奖获得者的开创性⼯作, IBM公司的斯图尔特·帕⾦( S. P. Parkin )将GMR的制作材料做了进⼀步推⼴, 为其⼯业化应⽤奠定了基础. 他于1990年⾸次报道了铁-铬超晶格系列之外的钴-钌和钴-铬超晶格体系亦有巨磁电阻效应, 并且随着⾮磁层厚度增加, 其磁电阻值振荡下降. 此后, 科学家在过渡⾦属超晶格和⾦属多层膜中⼜发现了20种左右不同的体系均存在巨磁电阻振荡现象. 帕⾦的⼯作⾸先为寻找更多的GMR材料开辟了⼴阔空间, 为寻找适合硬盘的GMR材料提供了可能, 1997年制成了GMR磁头即是其成功之⼀. 其次, 在薄膜制备⽅法上帕⾦采⽤较普通的磁控溅射技术⽤以替代精密的MBE⽅法, 并使之成为⼯业⽣产多层膜的标准. 磁控溅射技术克服了物理发现与产业化之间的障碍, 使巨磁电阻成为基础研究快速转换为商业应⽤的国际典范. 同时, 巨磁电阻效应也被认为是纳⽶技术的⾸次真正应⽤.巨磁电阻效应发现的另⼀重⼤意义在于打开了⼀扇通向新技术世界的⼤门—⾃旋电⼦学. GMR作为⾃旋电⼦学的开端具有深远的科学意义. 传统的电⼦学是以电⼦的电荷移动为基础的, 电⼦⾃旋往往被忽略了. 巨磁电阻效应表明电⼦⾃旋对于电流的影响⾮常强烈, 电⼦的电荷与⾃旋两者都可能载运信息. ⾃旋电⼦学的研究和发展引发了电⼦技术与信息技术的⼀场新的⾰命. ⽬前电脑, ⾳乐播放器等各类数码电⼦产品中所装备的硬盘磁头, 基本上都应⽤了巨磁电阻效应. 利⽤巨磁电阻效应制成的多种传感器, 已⼴泛应⽤于各种测控领域. 除利⽤铁磁膜-⾦属膜-铁磁膜的GMR效应外, 由两层铁磁膜夹⼀极薄的绝缘膜或半导体膜构成的隧穿磁阻(TMR)效应, 已显⽰出⽐GMR效应更⾼的灵敏度. 此外, 在单晶和多晶等多种形态的钙钛矿结构的稀⼟锰酸盐, 以及⼀些磁性半导体中, 都发现了巨磁电阻效应.实验⽬的1了解GMR效应的原理.2 测量GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线.3 测量GMR的磁阻特性曲线.4 测量GMR开关(数字)传感器的磁电转换特性曲线.5 ⽤GMR传感器测量电流.6 ⽤GMR梯度传感器测量齿轮的⾓位移, 了解GMR转速传感器的原理.7 通过实验了解磁记录与读出的原理.实验原理根据导电的微观机理, 电⼦在导电时并⾮沿电场直线前进, ⽽是不断和晶格中的原⼦产⽣碰撞(⼜称散射), 每次散射后电⼦都会改变运动⽅向, 总的运动是电场对电⼦的定向加速与这种⽆规散射运动的叠加. 电⼦在两次散射之间⾛过的平均路程称为平均⾃由程, 电⼦散射⼏率⼩, 则平均⾃由程长, 电阻率低. 在电阻定律 R=ρl/S中, 电阻率ρ可视为常数, 与材料的⼏何尺度⽆关. 这是因为通常材料的⼏何尺度远⼤于电⼦的平均⾃由程(例如铜中电⼦的平均⾃由程约34nm), 可以忽略边界效应. 然⽽, 当材料的⼏何尺度⼩到纳⽶量级且只有⼏个原⼦的厚度时(例如, 铜原⼦的直径约为0.3nm), 电⼦在边界上的散射⼏率⼤⼤增加, 此时可以明显观察到厚度减⼩, 电阻率增加的现象.电⼦除本⾝携带电荷外, 还具有⾃旋特性. ⾃旋磁矩⼜分为平⾏或反平⾏于外磁场⽅向的两种不同取向. 在⾃旋磁矩与材料的磁场⽅向平⾏的情况下, 电⼦散射的⼏率远⼩于⼆者反平⾏条件下的散射⼏率. 与此相应, 材料的电阻在⾃旋磁矩与外磁场⽅向平⾏时将远⼩于⼆者反平⾏时的阻值. 事实上, 材料的总电阻可视为两类⾃旋电流的并联电阻, 因此总电流则为两类⾃旋电流之和,此即两电流模型.如图2所⽰, ⽆外磁场时, 多层膜结构中的上下两层磁性材料反平⾏(反铁磁)耦合. 当施加⾜够强的外磁场后, 两层铁磁膜的⽅向都与外磁场⽅向⼀致, 外磁场使两层铁磁膜从反平⾏耦合变成了平⾏耦合. 电流的⽅向在多数应⽤中与膜⾯⽅向平⾏.⽆外磁场时顶层磁场⽅向⽆外磁场时底层磁场⽅向图 2 多层膜GMR结构图事实上, 有两类与⾃旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献:其⼀, 界⾯上的散射. 在⽆外磁场条件下, 上下两层铁磁膜的磁场⽅向相反, ⽆论电⼦的初始⾃旋状态如何, 从⼀层铁磁膜进⼊另⼀层铁磁膜时都⾯临状态改变(平⾏-反平⾏, 或反平⾏-平⾏), 电⼦在界⾯上的散射⼏率很⼤, 对应于⾼电阻状态; 在有外磁场存在时, 上下两层铁磁膜的磁场⽅向⼀致, 电⼦在界⾯上的散射⼏率很⼩, 对应于低电阻状态.其⼆, 铁磁膜内的散射. 即使电流⽅向平⾏于膜⾯, 由于⽆规散射, 电⼦也有⼀定的⼏率在上下两层铁磁膜之间穿⾏. 在⽆外磁场时, 上下两层铁磁膜的磁场⽅向相反, ⽆论电⼦的初始⾃旋状态如何, 在穿⾏过程中都会经历散射⼏率⼩(平⾏)和散射⼏率⼤(反平⾏)两种过程, 两类⾃旋电流的并联电阻相似两个中等阻值的电阻的并联, 对应于⾼电阻状态. 在有外磁场时, 上下两层铁磁膜的磁场⽅向⼀致, ⾃旋平⾏的电⼦散射⼏率⼩, ⾃旋反平⾏的电⼦散射⼏率⼤, 两类⾃旋电流的并联电阻相似⼀个⼩电阻与⼀个⼤电阻的并联, 对应于低电阻状态.多层膜GMR结构简单, ⼯作可靠, 磁阻随外磁场线性变化的范围⼤, 在制作模拟传感器⽅⾯得到⼴泛应⽤. 在数字记录与读出领域, 为进⼀步提⾼灵敏度, 发展了⾃旋阀结构的GMR. 如图3所⽰.⾃旋阀结构的SV-GMR(Spin valve GMR)由钉扎层, 被钉扎层, 中间导电层和⾃由层构成. 其中, 钉扎层使⽤反铁磁材料, 被钉扎层使⽤硬铁磁材料, 铁磁和反铁磁材料在交互耦合作⽤下形成⼀个偏转场, 此偏转场将被钉扎层的磁化⽅向固定, 不随外磁场改变. ⾃由层使⽤软铁磁材料, 它的磁化⽅向易于随外磁场转动. 这样, 很弱的外磁场就会改变⾃由层与被钉扎层磁场的相对取向,对应于很⾼的灵敏度. 制造时, 使⾃由层的初始磁化⽅向与被钉扎层垂直, 磁记录材料的磁化⽅向与被钉扎层的⽅向相同或相反(对应于0或1), 当感应到磁记录材料的磁场时, ⾃由层的磁化⽅向就向与被钉扎层磁化⽅向相同(低电阻)或相反(⾼电阻)的⽅向偏转, 检测出电阻的变化, 就可确定记录材料所记录的信息, 硬盘所⽤的GMR磁头就采⽤这种结构.⾃由层中间导电层被钉扎层钉扎层图3⾃旋阀SV-GMR结构图实验仪器⼀. 主体名称:ZKY-巨磁电阻效应及应⽤实验仪构成及功能:电流表部分:做为⼀个独⽴的电流表使⽤.两个档位:2mA 档和200mA 档, 可通过电流量程切换开关选择合适的电流档位测量电流.电压表部分:做为⼀个独⽴的电压表使⽤.两个档位:2V 档和200mV 档, 可通过电压量程切换开关选择合适的电压档位. 恒流源部分:可变恒流源.实验仪还提供GMR 传感器⼯作所需的4V 电源和运算放⼤器⼯作所需的±8V 电源. ⼆.各种组件 1. 基本组件:基本特性组件由GMR 模拟传感器, 螺线管线圈及⽐较电路, 输⼊输出插孔组成. ⽤以对GMR 的磁电转换特性, 磁阻特性进⾏测量.GMR 传感器置于螺线管的中央.螺线管⽤于在实验过程中产⽣⼤⼩可计算的磁场, 由理论分析可知, ⽆限长直螺线管内部轴线上任⼀点的磁感应强度为: B =µ0nI . 式中n 为线圈密度, I 为流经线圈的电流强度,m H /10470-?=πµ为真空中的磁导率. 采⽤国际单位制时, 由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉(1特斯拉=10000⾼斯).2. 电流测量组件:电流测量组件将导线置于GMR 模拟传感器近旁, ⽤GMR 传感器测量导线通过不同⼤⼩电流时导线周围的磁场变化, 就可确定电流⼤⼩. 与⼀般测量电流需将电流表接⼊电路相⽐, 这种⾮接触测量不⼲扰原电路的⼯作, 具有特殊的优点.3. ⾓位移测量组件: ⾓位移测量组件⽤巨磁阻梯度传感器作传感元件, 铁磁性齿轮转动时, 齿⽛⼲扰了梯度传感器上偏置磁场的分布, 使梯度传感器输出发⽣变化, 每转过⼀齿, 就输出类似正弦波⼀个周期的波形. 利⽤该原理可以测量⾓位移(转速, 速度).汽车上的转速与速度测量仪利⽤的就是这⼀原理.4. 磁读写组件:磁读写组件⽤于演⽰磁记录与读出的原理. 磁卡做记录介质, 磁卡通过写磁头时可写⼊数据, 通过读磁头时将写⼊的数据读出来.巨磁电阻效应及其应⽤实验报告⼀、实验时间:年⽉⽇⼆、样品:巨磁阻基本特性组件, 磁读写组件, 电流测量组件, ⾓位移测量组件, 巨磁阻试件, 磁卡以及巨磁电阻效应及应⽤实验仪(01-001).三、实验⽬的:1、了解巨磁电阻效应实验原理;2、了解巨磁阻的模拟传感器磁电转换特性;3、了解巨磁阻的磁阻特性;4、通过实验了解磁记录与磁读写的原理.四、实验内容:1、GMR模拟传感器的磁电转换特性测量:µ=4π×10-7H/m (1) n= 24000 T/m (2)(3)输出电压与磁感应强度B 之间的关系曲线:图(1)2、GMR 磁阻特性测量:由式(3)可得磁感应强度B, 巨磁阻两端电压为4V , 则由欧姆定律可得磁阻R.表2 磁阻特性测量磁阻两端电压4V输出电压磁感应强度B 与输出电压U 之间的关系曲线0 2575 100 125 150 175 200 225 250 275-40.0-30.0-20.0-10.00.010.020.030.0磁感应强度B50 U(V)0B nI µ=磁阻与磁感应强度关系曲线:图(2)3、GMR开关(数字)传感器的磁电转换特性曲线测量表3开关特性曲线4、⽤GMR模拟传感器测量电流表4待测电流与输出电压关系曲线:图(3)偏执电压越⼤U-I直线斜率越⼤, 灵敏度越⾼.5、GMR梯度传感器的特性应⽤:表5 齿轮⾓位移的测量齿轮⾓位移的测量:图(4)6、磁记录与读出:表6 ⼆进制数字的写⼊与读出图(1)注意事项:1、由于巨磁阻传感器具有磁滞现象, 因此在实验中, 恒流源只能单⽅向调节, 不可回调. 否则测得的实验数据将不准确.2、测试卡组件不能长期处于“写”状态.3、实验过程中,实验环境不得处于强磁场中.。

介绍磁通测量的方法

介绍磁通测量的方法

介绍磁通测量的方法磁通测量是一种用于测量磁场特性的方法,它在许多领域中都具有广泛的应用,例如电力系统、电动机、仪器仪表等。

磁通测量可以通过测量磁感应强度、磁通量等参数来反映磁场的分布和特性。

在磁通测量中,我们常用的方法包括:霍尔效应测量、磁电阻测量和法拉第效应测量。

1. 霍尔效应测量:霍尔效应是指在一块薄片上通有电流时,垂直于电流和磁场方向的方向上会产生电势差,这种现象被称为霍尔效应。

利用霍尔效应可以测量磁感应强度以及磁场的方向和分布。

在实际应用中,我们通常使用霍尔元件来测量磁通量。

霍尔元件是一种集成了霍尔效应的电子器件,常用的有霍尔传感器和霍尔开关。

通过将霍尔元件放置在待测磁场中,当磁场发生变化时,霍尔元件会产生相应的电信号,进而测量磁场的特性。

2. 磁电阻测量:磁电阻效应是指材料的电阻会随着外加磁场的变化而发生变化。

根据磁电阻效应,我们可以设计磁电阻测量装置来测量磁感应强度、磁场的方向和大小。

目前,最常用的磁电阻测量方法是磁电阻效应传感器。

磁电阻效应传感器通常由磁电阻材料、导线和电子装置组成。

当该传感器处于磁场中时,其电阻会发生变化,通过测量电阻的变化可以得到与磁场相关的信息。

3. 法拉第效应测量:法拉第效应是指当导电体运动穿过磁场或磁场变化时,会在导电体两端产生电势差。

这种现象被称为法拉第效应。

法拉第效应可以用于测量磁通量和磁场的分布。

法拉第效应传感器是一种典型的应用,通过测量法拉第效应可以得到磁场的特性。

这种传感器可用于测量磁通量、磁场分布以及有关磁场的运动状态等。

总结回顾:在本篇文章中,我们介绍了磁通测量的几种常用方法,包括霍尔效应测量、磁电阻测量和法拉第效应测量。

这些方法都可以用于测量磁场的特性,并提供有关磁感应强度、磁通量以及磁场分布的信息。

通过采用这些方法,我们可以更好地理解和分析各种与磁场相关的问题。

在实际应用中,根据具体的需求和测量要求,我们可以选择合适的方法来进行磁通测量。

弱磁检测技术及应用-于润桥

弱磁检测技术及应用-于润桥

用超声检测对1号角焊缝
同位置同方向进行检测验证,结
果显示缺陷有两处,分别在60mm 和80mm左右。
环焊缝检测
用弱磁检测仪对环焊缝进行检 测,由显示结果可以得出在 100mm 、 180mm 、 300mm 处存在缺陷, 300mm 处 缺陷较大。并用超声对其进行验证。
环焊缝检测曲线图
用超声检测对环焊缝同位 置同方向进行扫查,结果显示 在300mm处有缺陷。
无损检测教育部重点实验室南昌航空大学弱磁检测在电厂中的应用34弱磁检测原理一弱磁检测原理弱磁检测技术是一种被动式检测技术即待检工件在自然地磁场环境下凭借材料缺陷处磁导率与材料本身磁导率的变化通过测量材料表面的磁感应强度对材料内部损伤进行定性检测及定量评估
无损检测教育部重点实验室 南昌航空大学 于润桥
多次检测对比
得出锻件的具 体缺陷。
二、技术指标及检测能力
整体指标: 工作温度:-20℃∽170℃ 磁传感器分辨率:1nT 1.对铁磁性材料进行检测 ● 检测腐蚀缺陷时,最小可检测占壁厚1/10的腐蚀。
● 检测裂纹缺陷时,最小可检测裂纹的深度为0.5mm。
● 检测管道堵塞时,最小可检测占管道截面积5%的堵塞。 2.对非铁磁性材料进行检测 ● ● ● ● 铝合金材料:最小能够检测出 Φ 0.4mm 孔洞缺陷。 复合材料:最小能够检测出面积大于等于 Φ 2mm 分层缺陷。 有机玻璃:最小能够检测出面积大于等于 Φ 1mm 银纹缺陷。 晶体硅:最小能够检测出大于等于 40μ m 的杂质缺陷。
率的不同导致穿过该区域的磁力线发生变化,可通过对包
覆层表面磁场的测量来实现管道内外部损伤的检测和评估。
包覆层管道检测——裂纹
左侧
左侧
用弱磁检测仪 对左侧15号区域进 行检测,检测结果 如右图所示,为了 验证其准确性用超

核磁共振磁强计现状及发展趋势的新观点

核磁共振磁强计现状及发展趋势的新观点

核磁共振磁强计现状及发展趋势的新观点标题:核磁共振磁强计:突破传统的新发展趋势引言:核磁共振磁强计(NMR磁强计)作为一项先进的科学技术,在医学、化学和材料科学等领域发挥着重要作用。

然而,随着科技的不断发展和创新,传统的NMR磁强计在某些方面存在一些局限性。

本文将重点探讨NMR磁强计的现状,并提出一些新的观点和理解,预测其未来的发展趋势。

第一部分:NMR磁强计的现有局限性首先,我们来看一下目前NMR磁强计存在的一些局限性。

传统的NMR磁强计通常需要大型设备,并且必须在特定温度和湿度条件下进行操作。

这限制了它在某些实际应用中的灵活性和可用性。

此外,NMR磁强计对样品的数量和浓度也有一定的限制,这使得它在大规模分析和高通量筛选方面的应用受到限制。

第二部分:新技术和观点的出现随着时间的推移,一些新的技术和观点出现,极大地推动了NMR磁强计的发展。

首先,基于微芯片技术的微型核磁共振磁强计正在崭露头角。

这种小型化的设备具有高灵敏度和高精度的特点,能够快速和准确地进行分析,从而扩大了NMR磁强计的适用范围。

此外,新型材料和探头技术的引入,也提供了更高信噪比和更好的分辨率,进一步改进了NMR磁强计的性能。

第三部分:NMR磁强计的未来发展趋势在展望未来,NMR磁强计将继续向更加便携化、高通量化和智能化方向发展。

首先,随着纳米技术和微型芯片技术的进一步发展,可穿戴式的NMR磁强计有望实现,使得监测人体内部的代谢物和病理物质变得更加便捷和准确。

其次,高通量筛选是一个重要的发展方向,NMR磁强计的自动化和快速分析能力将进一步提升,以满足日益增长的样品处理需求。

此外,人工智能和大数据分析的应用将使NMR磁强计变得更加智能化和自适应,能够提供更精确的结构和分析结果。

结论:综上所述,NMR磁强计作为一项关键的分析工具,正不断推动科学技术的发展。

新技术和观点的涌现为NMR磁强计的未来提供了更广阔的发展空间,使其能够在更多领域发挥作用。

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弱磁探测技术发展现状 作 者:胡生生 单 位:中国科学研究院

摘要介绍了弱磁探测技术的组成、分类和应用,并就弱磁探测系统的工作特点进行了分析,以目前常见的几种弱磁测量仪器、磁传感器的发展为例,介绍了弱磁探测技术的发展现状。 0引言 弱磁探测技术在军事、资源勘探、科学研究等领域有广泛的应用,近些年更获得了突飞猛进的发展,其中军事需求是主要的推动因素之一。弱磁探测采用测量地球磁场或者磁性目标磁场的方式,通过信号处理与分析获取相关信息,用于资源调查和目标探测等。 1弱磁探测系统的组成与分类 弱磁探测系统一般由磁探头模块、数据采集模块、信号处理与分析模块等部分组成,搭载在相应的平台上进行工作。其工作模式一般为,磁探头模块接收磁场信号,并将其转换为电信号,数据采集模块将模拟信号数字化,信号处理与分析模块对数字信号进行处理分析,获得目标信息。弱磁探测系统有很多分类方法,在工程应用中一般按照搭载平台或工作原理进行分类。 1.1按照搭载平台分类 按照搭载平台进行分类,弱磁探测系统主要包括航空磁探、水中拖曳磁探、浮标磁探和基站磁探等。 1)航空磁探测。 航空磁探测是利用飞机作为搭载平台,实现目标磁场探测,即磁探测系统安装在飞机上,飞机在探测领域上空一定高度飞行,磁探测系统实时测量包含地磁场在内的磁场信号,经过处理分析,获得相应区域的磁场特征。在军事领域,航空磁探是目前探测潜艇最有效的探测方式之一,在一些军事强国已得到广泛应用,与其它探潜设备相比,航空磁探测具有不受水文气象条件限制、搜索面积大、搜索效率高、使用简单可靠、反应迅速等特点。除此之外,航空磁探还是目前世界上资源勘探常用的方法之一,是航空物探系统中不可或缺的一部分,广泛应用于地质勘测、油气田和矿产资源等领域。由于飞机需在一定高度飞行,其适合于大区域磁特征或较大磁性目标的探测。 航空磁探测的2个关键问题是探测设备与环境噪声的排除和补偿问题。目前比较有代表性的航空磁探测装备:加拿大海军的AN/ASQ-504(V)型磁异常探测设备(探测距离为I 200 m,灵敏度在飞行中为0.01 y),美国雷声公司的AN /ASQ-81(V)反潜战磁强计一磁异常探测系统(可采用机内配置或机外拖曳2种工作方式,拖曳式的探测距离为1 000 m ,灵敏度为1 TlHz'r,通带范围为1~ 10 MHz ) , AN/ASQ-208(V)数字式磁异常探测系统和静止型氦-3反潜战磁强计磁异常探测系统等。 2)水中拖曳磁探。 水中拖曳磁探是指利用舰船或其它航行器作为拖曳工具,磁探测系统安装在拖曳装置中,拖曳装置与拖曳工具间隔一定距离,在水中一定的深度航行,实时接收磁场信号。根据磁探测系统的拖曳深度可分为水面拖曳磁探和水下拖曳磁探2种,其中最常见的是水下定深拖曳磁探,主要用在探潜、反水雷、救护打捞等领域。根据探测的需要,拖曳装置可以在距海底较近的水中航行,因此能够探测小型磁性目标。在实际应用中,可以进行较高密度的网格式探测,并可实现对目标的定位,其缺点是探测效率相对较低。 3)浮标磁探。 浮标磁探是将磁探测系统安装在浮标中,浮标投放到相应海域后,进行磁场测量。测量的磁场信号可通过卫星或中转装置实时传输到基站,也可存储一定数据量后进行集中传输。浮标磁探主要用于敏感海域对潜艇的探测以及地磁场信息的收集。浮标磁探的探测能力受海况的影响比较大,且保密性、安全性相对较低,一般在可控海域使用或应急情况下使用。 4)基站磁探。 基站磁探则是建于岸边或者海底的一种磁场监测装置,即将磁探测系统固定安装在海床或口岸,一般成阵列布设,长期实时监测磁场的变化,用于地磁监测或磁性目标监控。基磁探具有数据稳定、灵敏度高等特点。在国外基于基站磁探的港口防护工程己获得应用(如图1),主要用来防止蛙人或其它水下武装的入侵.

1.2按照工作原理分类 按照工作原理分类,弱磁探测系统可以分为总磁场强度探测系统、磁场标量梯度探测系统、磁场矢量探测系统、磁场矢量梯度探测系统、磁场梯度张量探测系统等。 1)总磁场强度探测。 总磁场强度探测系统是利用光泵磁强计等测量总磁场标量的磁测系统进行磁场测量。由于测量的是总磁场强度,因此不受空间姿态的影响(在探头能够有效进行测量的情况下)。 2)磁场标量梯度探测。 磁场标量梯度探测系统是将2个或者2个以上的标量磁传感器排成一定的阵列,组成梯度探测系统,进行磁场梯度值的测量,测量的是磁场强度的总场在相应距离上的变化,即梯度。这种测量是在磁场总量探测系统的基础上发展起来的,由于采用了梯度测量的方式,因此受外界磁场干扰和地磁波动的影响较小,其磁性目标的探测距离与磁传感器灵敏度、磁传感器的排列方式等有关。 3)磁场矢量探测。 磁场矢量探测系统是利用矢量磁传感器,对地磁场或者磁性目标的各磁场分量进行测量的一种磁探系统。矢量磁传感器只接收与其敏感轴平行的磁场分量信号,因此在实用中一般采用三分量磁传感器进行测量,即测量磁场总矢量的3个相互垂直的磁场分量。由于三分量磁场信号包含的目标信息较丰富,因此在磁性目标探测中具有更大的应用价值。同时由于每个分量都具有方向性,因此其受空间姿态影响较大。 4)磁场矢量梯度探测和磁场梯度张量探测。 磁场矢量梯度探测系统是利用多个矢量磁传感器对磁性目标的各个磁场分量进行梯度测量的一种探测方式。而磁场梯度张量探测系统则可以简单地理解为磁场梯度探测系统的一种扩展,所谓磁场梯度张量是磁场的3个分量分别在3个方向上的变化率,此种磁探测信号信息量大,抗干扰能力强,常用于对磁性目标进行探测定位。图2是磁梯度张量测量系统的原理示意图I3],其中的1一7代表7个三分量传感器的位置,中间的2号传感器为参考传感器。

目前比较卓越的磁力梯度张量测量系统l4]:德国的LTs一sQuID全张量磁力梯度探测系统、澳大利亚的GETMAG磁场梯度张量测量系统、美国的HTS一SQUID张量磁力梯度测量系统。其中GET-MAG(航空张量磁力梯度仪)的灵敏度在500m高处仍能达到 0.01nT/m,可以准确定位到地下几百米深处磁化率只有微弱差别的地质现象。 2弱磁探测技术的发展现状 弱磁探测技术的发展主要是伴随着弱磁测量仪器和磁传感器的发展而发展的。目前弱磁探测中常用的弱磁测量仪器和磁传感器主要有光泵磁强计、质子磁力仪、磁通门传感器、超导量子干涉仪和磁电传感器等。 2.1光泵磁强计 光泵是20世纪50年代发展起来的一门新技术,光泵磁强计是一种高灵敏度和高精度的磁测仪器。它是以工作物质的原子能级在磁场中产生塞曼效应为基础,再加上光泵技术和磁共振技术而制成的。 光泵磁强计是目前实际生产和科学技术工程实践应用中灵敏度最高的磁探测仪器。广泛应用于地球物理勘探、宇宙磁场测量、军事目标的磁探测等方面。光泵磁强计的种类很多。按共振元素不同,可以分为氦光泵磁强计、铆光泵磁强计、艳光泵磁强计、钾光泵磁强计等。按技术设计的方案不同可以分为跟踪式和自激式两种。目前应用最为广泛的是艳自激式光泵磁强计和氦跟踪式光泵磁强计。 在国外,光泵磁强计有Scitrex生产的Cs一3艳光泵磁强计和Gcometrice公司的G一858艳光泵磁强计,他们的灵敏度分别达到 0.6pT和 0.01pT,基本上代表了国外的艳光泵磁力仪的发展水平l5]。另外,据报道,美国Polato而c公司用氦激光器代替原来的氦灯,研制出P一2000氦光泵磁强计比原氦光泵磁强计的精度提高了很多,灵敏度达到0.3pT网,代表了目前世界上氦光泵磁强计的发展水平。 光泵磁强计测量磁场标量,其受空间姿态的影响较小,在一定的姿态范围内,甚至不受影响,是航空磁探的最常用的磁强计。当前世界各国的反潜机上所装备的磁探测系统基本都是基于光泵原理的磁探测系统。

2.2质子磁力仪 质子磁力仪是测量地磁场总强度的绝对磁力仪,由帕卡德和瓦里安于1954年研制成功,是当今使用最广泛的地磁勘测仪器之一。质子磁力仪是基于质子在磁场中的旋进现象而设计的一种磁场测量仪器,其原理简单、仪器体积小、精度高,在野外作业中很受欢迎。 2.3磁通门传感器 磁通门传感器是矢量磁传感器,其原理于1936年由阿斯肯布伦纳提出,并于第二次世界大战中为从飞机上探测敌方潜艇而发展起来。磁通门传感器是利用铁磁体磁化时在饱和区的非线性来测量磁场的装置,当用软磁材料做成的铁磁体被磁化时,由于磁化的非线性,能调制外磁场,使得传感器输出和外磁场相关。 国际上典型的磁通门传感器有加拿大的FM20o型和cANMos型磁通门传感器、奥地利的CHIMAG型磁通门传感器、英国的FLARE磁通门传感器、美国的SMALL磁通门传感器171。这些磁通门传感器代表了该仪器技术的先进水平,它们的基本特点是噪声低、频率响应高、温度性能好等。近年来随着微电子机械系统(MEMS)技术以及集成电路工艺的日益成熟,微型磁通门传感器的研究也日益活跃起来,磁通门传感器未来的发展趋势是高分辨力、微型化、低功耗、大动态范围以及数字化等.

在军事上磁通门传感器最主要是用于磁引信来探测目标磁场信号。随着UUV技术的发展,利用高分辨力的磁通门传感器组成实时跟踪磁梯度计(RTG)搭载在uuv上进行掩埋磁性目标的探测也备受关注。图3为21世纪初美国通用电气集团的安全公司(以前称为量子磁学公司)研制出的实时跟踪磁梯度计(RTG),该磁梯度计由4个高分辨力的三轴的磁通门传感器组成[8]。图4为2006年6月美海军利用“蓝翼”AUV携带盯G对掩埋水雷进行的探测定位试验。这次试验达到了95%的探雷可信度,对掩埋水雷的探测范围在10m左右,并且可以探测掩埋深度为0一2.133m的水雷目标。 2.4超导量子干涉仪 超导量子干涉磁力仪 (SQulD)于20世纪60年代中期发展起来。它以约瑟夫逊效应为理论基础,利用超导材料制作。根据所使用的超导材料,SQUID可分为低温超导sQuID和高温超导SQuID。 SQUID灵敏度理论上可达10-15 T ,是目前人类所知道的最灵敏的磁场检测装置,而且其

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