内存概述

存储器：主存储器（主存）——内存 DRAM：系统内存 SRAM：L1 Cache和L2 Cache 辅助存储器（外存）——外存指磁性介质或光盘，能长期保存信息

一、静态RAM（SRAM）：

主要特点：不需刷新；读写速度很快；电路元件多，生产成本高

结构：一个存储单元由4个晶体管和2个电阻组成

转换时间：≤20ns

工作原理：SRAM的基本结构采用一个双稳态电路，由于读、写的转换由写

电路控制，所以只要电路不动作，电路有电，开关就保持现状，不刷新。

双稳态电路：如：高电平时，相当开关处于开状态，在读过程保持不变。

如：低电平时，相当开关处于关状态，在读过程其他电路不变。

二、动态RAM（DRAM）：

主要特点：需不断刷新，刷新过程不能读写数据；读写时间慢于SRAM；结

构简单，集成度高，成本低。

结构：一个存储单元由一个晶体管和一个电容组成。

刷新时间：60～120ns

工作原理：DRAM是一个晶体管和一人小电容组成。晶体管通过小电容的电

压来保持断开，接通状态。当小电容有电时，晶体管接通表示“1”；当小电路

没电时，晶体管断开表示“0”，但是充电后的小电容上的电荷很快就会丢失，所以需不断的进行“刷新”

内存的基本知识

1、数据带宽

——指内存的数据传输速度，是衡量内存的重要指标。

例如：PC 100 SDRAM 外频100MHz时，传输率800MB/s

PC 133 SDRAM 外频133MHz时，传输率1.6GB/s

DDR DRAM 外频133MHz时，传输率2.1GB/s

2、时钟周期

——代表SDRAM所能运行的最大频率，该数字越小，SDRAM所能运行的频率就越高。

例如：PC 100 SDRAM 芯片上标识“-10”代表的运行时钟周期为10ns，即

可在100MHz的外频下正常工作。

计算公式：频率=1/周期

3、CAS延时时间

——指纵向地址脉冲的反应时间。

例如：SDRAM （100MHz外频下）都能运行在CL=2或CL=3模式下，也就说

这时读取数据的延时时间可以是两个时钟周期或三个时钟周期。

4、存取时间

——大多数据SDRAM芯片的存取时间为5ns、6ns、7ns、8ns、10ns

对于内存的总延时时间，计算公式：

总延时时间=时钟周期×CAS延时时间+存取时间

5、SPD（电子可擦写编只读存储器）芯片

——它是一个8针的SOIC封装256字节的EEPROM芯片，该芯片位于内存条的正面的右侧，里面记录了内存的速度，容量、电压、行地址、列地址、带宽等参数。

内存条的编号识别

一、现代DDR内存编号

XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、1

6、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_2

8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4:250MHZ、33 :300NHZ、L:DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A

二、Micron DDR内存编号

XX X

XX XX XX XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、MT代表Micron的产品

2、代表产品种类：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus

3、代表处理工艺：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS

5、容量单位：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits （GB）

6、表示数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

7、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA

8、代表速度：-8支持PC200（CL2）、-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）、-7支持PC200（CL2）、PC266B（CL2）、PC266A（CL=2.5）

9、代表功耗：L=低耗，空白=普通

三、TOSHIBA DDR内存编号

XX X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、TC代表是东芝的产品

2、59代表SDRAM代表是SDRAM

3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM

4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb

5、表示数据位宽：04、08、1

6、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新

7、代表封装：FT为TSO II封装

8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通

9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3

四、宇瞻DDR内存编号

XX XX XX XX

1 2 3 4 5

1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

内存分类

1、EDO DRAM

EDO（Extended Data Output，扩展数据输出）DRAM

EDO读取方式:取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时

间间隔,在把数据发送给CPU的同时去访问下一页面，从而提高了工作效率。

特点：

研发公司：Micron 工作电压：5V 线数：72线、168线带宽：32位速度：40ns

2、SDRAM

SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）同步动态内存

原理：将CPU和RAM通过一个相同的时钟信号锁定一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟，以相同的速度同步工作，每个一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据。

特点：

线数：168线工作电压：3.3V 带宽：64位速度：6ns

3、DDR SDRAM

DDR SDRAM（Double Rate SDRAM）双数据率SDRAM

原理：允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，不需提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

例如：PC 266 DDR SDRAM（实际外频133MHz）比PC133 SDRAM的带宽高出一倍，数据带宽达2.12GB/s

4、RamBus DRAM (简称：RDRAM）

RDRAM（Ram Bus DRAM，存储器总线式动态随机存储器）

原理：在单个时钟周期内上升和下降传输数据，工作频率400MHz，使用一条两字节带宽的通道，数据带宽达400×2×2=1.68GB/s

特点：研发：RamBus 带宽：16位 RIMM接口：184线工作电压：2.5V

市场上部分主流内存

一、GEIL 金邦

①金邦金条

②GL-2000千禧条

二、UNIKA 双敏

①小影霸Super 64A

②小影霸DDR 128MB(UNIKA)

③小影霸DDR 128MB(SAMSUNG)

三、Kingston 金士顿

①RAMBU S 内存条 256MB

②DDR 内存条 128MB

四、KINGMAX 胜创

①台式机内存：MPLB62D-68KX3 PC300 256MB

②笔记本内存：MSGC23S-38KX-MAA PC133 512MB

③服务器内存：MPHC23S-38KX3(sample) PC133 512MB