NXP(飞利浦半导体)UBA2032T在HIDBallast相关应用(精)
SAF7741_Datasheet_N1F_V5
SAF7741HV
Dual IF car radio and audio DSP (N1F)
Rev. 05 — 09 May 2008
Байду номын сангаас
Objective data sheet
1. General description
The SAF7741HV is a combined Intermediate-Frequency (IF) car radio and audio Digital Signal Processor (DSP) with several powerful cores integrated onto a single device. It combines analog IF input, digital radio and audio processing, sample-rate converters and digital and analog audio output to enhance listening clarity and noise suppression while reducing multipath channel effect.
TDC-GP22用户手册
模拟输入电路
斩波稳定低漂移比较器,可编程offset,±35 mV 第一个波检测: 在第一波检测后比较器自动调整
offset到0,可以选择相对于第一个波的测量回波 第一个波脉冲宽度测量用于信号质量检测以及气
泡的检测 用于输入选择的内部集成模拟开关 外部电路仅需要2个电阻和2个电容
acam-messelectronic gmbh - Friedrich-List-Str. 4 - D-76297 Stutensee-Blankenloch - Germany - www.acam.de
2-1
时间数字转换器
TDC-GP22
2
特性和规格
2.1
电气特性
绝对最大额定值
供电电压
Vcc vs. GND
时间数字转换器
临时数据手册
TDC-GP22
超声波热表水表特定双通道时间数字转换器
2012年1月26日 版本号码.: DB_GP22_cn V0.1
时间数字转换器
Published by acam-messelectronic gmbh © acam-messelectronic gmbh 2011
2
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TDC-GP22
目录
1 概述
2 特性和规格
3 配置 & 读寄存器
4 前端转换器
5 详细描述和特殊功能 6 应用 7 其它
- 0.3 到 4.0
V
Vio vs. GND
TDA1315H数字音频输入输出电路(DAIO)
GENERAL DESCRIPTION
The Digital Audio Input/Output circuit (DAIO) of the TDA1315H is a complete transceiver for biphase-mark encoded digital audio signals that conform to the SPDIF and “IEC 958” interface standards (consumer mode), made in the full CMOS-process C200.
internal pull-up resistor
TESTB
10 IPP04 enable factory test input (0 = normal application; 1 = scan mode)
TESTC
11 IPP04 enable factory test input (0 = normal application; 1 = observation outputs)
data • Support for serial copy management system (SCMS) • Light Emitting Diode (LED) drive capability
(sample frequency and error indication) • Pin-selectable device address for
1995 Jul 17
Philips Semiconductors
Digital audio input/output circuit (DAIO)
Seal（海豹）5000 系列 FPGA 数据手册说明书
Seal（海豹）5000系列FPGA数据手册西安智多晶微电子有限公司XIAN Intelligent Silicon Technology 西安市高新区科技二路72号西安软件园西岳阁102室邮编710075文档修订历史日期版本修订内容2021.07 1.0 1.首次发布。
2021.07 1.1 1.修改9.9节错字2.修改表9-9。
2021.08 1.2 1.修正1.1章节2.修正表1.1目录1器件概述 (6)1.1特性 (7)1.2器件资源 (3)1.3器件平面布置图(F LOORPLAN) (3)2体系结构概述 (6)2.1可编程逻辑块和查找表(LUT),(PLB)和片(S LICE) (6)2.2S LICES (7)2.3逻辑阵列模块 (13)3嵌入式存储器模块(Embedded RAM Block, ERB) (15)3.1概述 (15)3.2存储器模式 (17)3.3时钟模式 (21)3.4设计考量 (22)4嵌入式乘法器(Embedded Multiplier Block) DSP (23)4.1嵌入式乘法器模块概述 (23)4.2体系结构 (24)4.3操作模式 (26)4.4DSP应用 (28)5可编程I / O缓冲器 (29)5.1I/O单元 (29)5.2I/OB单元特性 (30)5.3I/O标准 (32)5.4I/O模块（BANK） (33)5.5高速I/O接口 (34)6I/O逻辑(IOL) (39)6.1输入寄存器模块 (39)6.2三态寄存器模块 (41)7时钟架构 (43)7.1S EAL 30K与不同容量器件系列时钟架构综合对比 (43)7.2全局时钟分布 (43)7.3边沿时钟(E DGE C LOCK) (45)7.4PLL (46)8千兆收发模块(Gigabit Transceivers) (47)8.1发送器(T RANSMITTER) (48)8.2接收器(R ECEIVER) (49)8.3环形振荡器锁相环(CPLL)与谐振振荡器锁相环(QPLL) (50)9器件编程 (53)9.1概述 (53)9.2配置模式及接口 (54)9.3JTAG模式 (56)9.4SCM模式 (56)9.5SSPI模式 (57)9.6SCPU模式 (59)9.7MSPI模式 (60)9.8JTAG-SPI (62)9.9重配置 (62)9.10软错误检测、修复（SEC） (64)9.11D AISY-CHAIN (66)9.12节约功耗模式 (68)9.13安全性设置 (69)9.14压缩及解压(C OMPRESSION AND D E-COMPRESSION) (69)10模数转换器(Analog-to-Digital Converter ADC) (70)11微控制单元(Microcontroller Unit MCU) (71)11.1MCU系统架构图 (71)11.2MCU时钟架构 (72)11.3MCU中断信号 (72)11.4AHB矩阵 (73)12一次性可编程存储器(eFuse) (74)12.1EFUSE存储数据功能 (74)12.2读写EFUSE流程 (74)13DDR2/3存储控制模块 (75)14PCI Express (PCIe) (79)15Double Data Rate SDRAM接口支持 (80)15.1DDR存储器的DQS组 (80)15.2利用DDRDLL调控DQS延迟与控制模块(DQSBUF) (80)15.3DDRDLL (82)16合封DDR2 SDRAM (83)17直流电气特性 (87)17.1器件允许的极限工作条件 (87)17.2推荐工作范围 (87)17.3热插拔电气参数 (88)17.4直流特性 (88)17.5静态电流 (88)17.6编程与擦除电流 (89)17.7ESD，LATCHUP (89)17.8IOB单端直流特性 (89)17.9IO差分直流特性 (90)17.10BLVDS直流特性 (91)17.11LVPECL直流特性 (91)17.12MIPI直流特性 (91)17.13MCU直流特性 (92)17.14千兆直流特性 (92)18交流电气特性 (93)18.1PLL交流电气特性 (93)18.2时钟交流特性 (93)18.3内部串并/并串时序参数 (94)18.4片内晶振输出频率 (94)18.5EFB交流参数 (94)18.6千兆PLL时钟特性 (95)18.7千兆发送器交流特性 (95)18.8千兆接收器交流特性 (95)19器件编号说明 (96)1器件概述西安智多晶微电子有限公司的Seal（海豹）5000系列FPGA器件（下称“本系列FPGA”），建立在一个优化、高性能28nm工艺基础之上。
英飞凌低压MOS选型
Product Type BSB012NE2LX BSB014N04LX3 G BSB015N04NX3 G BSB017N03LX3 G BSB012N03LX3 G BSB028N06NN3 G BSB044N08NN3 G BSB056N10NN3 G BSB013NE2LXI BSB008NE2LX BSB150N15NZ3 G BSB280N15NZ3 G BSF024N03LT3 G BSF050N03LQ3 G BSF077N06NT3 G BSF030NE2LQ BSF134N10NJ3 G IPB067N08N3 G IPB023N04N G IPB034N03L G IPB015N04L G IPB027N10N3 G IPB035N08N3 G IPB015N04N G IPB019N06L3 G IPB083N10N3 G IPB042N10N3 G IPB054N06N3 G IPB034N06L3 G IPB039N04L G IPB037N06N3 G IPB041N04N G IPB048N06L G IPB050N06N G IPB097N08N3 G IPB052N04N G IPB055N03L G IPB054N08N3 G IPB042N03L G IPB022N04L G IPB065N03L G IPB072N15N3 G IPB049N06L3 G IPB025N08N3 G IPB080N03L G IPB081N06L3 G IPB075N04L G IPB114N03L G IPB093N04L G IPB147N03L G IPB096N03L G IPB136N08N3 G
IPB200N15N3 G IPB090N06N3 G IPB029N06N3 G IPB021N06N3 G IPB230N06L3 G IPB260N06N3 G IPB049NE7N3 G IPB031NE7N3 G IPB020NE7N3 G IPB123N10N3 G IPB038N12N3 G IPB144N12N3 G IPB320N20N3 G IPB107N20N3 G IPB200N25N3 G IPB600N25N3 G BUZ32 H3045A BUZ31 H3045A IPB108N15N3 G BUZ30A H3045A IPB065N15N3 G IPB530N15N3 G SPB100N03S2-03 G IPB009N03L G IPB011N04L G IPB011N04N G IPB016N06L3 G IPB017N06N3 G IPB019N08N3 G IPB020N04N G IPB023N06N3 G IPB025N10N3 G IPB030N08N3 G IPB039N10N3 G IPB036N12N3 G IPB034N06N3 G SPD07N20 G IPD031N06L3 G IPD034N06N3 G IPD035N06L3 G IPD036N04L G IPD038N06N3 G IPD038N04N G IPD048N06L3 G IPD053N06N3 G IPD053N08N3 G SPD50N03S2L-06 G SPD30N03S2L-07 G IPD068N10N3 G SPD50N03S2-07 G IPD079N06L3 G IPD082N10N3 G IPD088N04L G IPD088N06N3 G IPD096N08N3 G SPD30N03S2L-10 G
表面处理代码
DKBA 华为技术有限公司内部技术规范Technical Specification of HuaweiTechnologies Co., LtdDKBA0.400.0002 REV.F代替To replace DKBA0.400.0002 REV.E表面处理代码Surface Treatment Code2010年06月15日发布2010年06月20日实施Released on June 15, 2010 Implemented on June 20, 2010华为技术有限公司Huawei Technologies Co., Ltd.版权所有侵权必究All rights reserved修订声明Revision declaration 本规范拟制与解释部门：整机工程部本规范的相关系列规范或文件：无相关国际规范或文件一致性：无替代或作废的其它规范或文件：DKBA0.400.0002 REV E相关规范或文件的相互关系：无目录1表面处理代码编码规则 (7)2表面处理代码表示的内容 (7)3技术说明 (7)3.1代码所代表的工艺质量要求 (7)3.2关于作废代码的说明 (7)4附录：新旧标注的对应说明 (17)表目录表1.表面处理代码及其工艺质量说明 (8)表2.已经作废的代码 (16)表3.新旧表面处理标注的对应关系 (17)图目录错误！未找到目录项。
表面处理代码Surface Treatment Code范围:本规范规定了结构件图纸中标注表面处理时所用的代码内容，并说明了每种工艺所对应的技术要求以及每种外观要求应采用的标准样板。
本规范适用于华为技术有限公司结构产品的零件和组合件的加工生产。
本规范也可作为选择外协加工厂以及确定加工成本的参考。
简介：本文件根据华为技术有限公司技术发展要求及国际惯例编制而成。
本文包含金属和非金属表面各种表面处理方式所对应的代码，同时注明每个代码的具体含义，其中包括：表面处理工艺方法及工艺程序、表面膜层的质量要求、表面外观所对应的标准样板代号。
NTAG203
2.2 EEPROM
168 bytes of total memory, divided in 42 pages (4 bytes each) 144 bytes of user r/w memory area, divided in 36 pages (4 bytes each) Field programmable read-only locking function per page for first 64 bytes Field programmable read-only locking function per block 32-bit user definable One-Time Programmable (OTP) area 16-bit counter Data retention of 5 years Write endurance 10000 cycles
NXP Semiconductors has developed NTAG203 - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC - to be used with NFC enabled devices according to NFC Forum technical specifications (see Ref. 8 and Ref. 9), according to NFC Forum recommendations or Proximity Coupling Devices (PCD), according to ISO/IEC 14443A (see Ref. 1). The communication layer (RF Interface) complies to parts 2 and 3 of the ISO/IEC 14443A standard. The NTAG203 is primarily designed for NFC Forum Type 2 Tag applications (i.e. Smart Advertisement, connection handover, Bluetooth simple pairing, WiFi Protected set-up, call request, SMS, goods and device authentication and others).
SIM6800M系列应用手册
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1.产品概要 SIM6800M 系列是将输出功率器件具有各种保护功能的预驱 IC、带有限流电阻的自举二极管封装在一起的逆 变ɾ功率ɾ模块。 适用于风扇、泵、压缩机等高压 相电机逆变应用。 图 1 所示为内部方块图。
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SIM6800M 系列 应用手册
目录 1 . 产 品 概 要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 2 . 特 征 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 3 . 产 品 一 览 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 4 . 端 子 功 能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 5 . 保 护 功 能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 6 . 应 用 电 路 例 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 6 7 . 使 用 上 的 注 意 点 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 9 8. 特性数据
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NXP（飞利浦半导体）UBA2032T在HID Ballast 相关应用
摘要：HID灯是目前国际上广泛使用的新一代高效光源，随着基础建设不断加大，HID 灯的用量每年都会有较大的增长，安定器是气体放电灯工作时必不可缺的配套附件，因此合理设计配套HID灯用的电器附件是非常重要的。
关键词：HID电子镇流器绿色照明高压气体放电灯
1 引言
气体放电灯是由于气体、金属蒸气或几种气体与蒸气的混合物通过放电而发光的光源,根据灯内气体压力可将其划分为低压气体放电灯和高压气体放电灯两类。
常见的高压气体放电灯有高压钠灯、高压汞灯和金属卤化物灯等,高压气体放电灯具有许多优点,如光色好、发光效率高、寿命长、节电性能好等,因此目前在电气照明装置中被广泛采用。
高压气体放电灯必须在特殊电路的控制下才能正常工作,这些特殊电路为点燃高压气体放电灯提供了
启动电压,而且包含于电路中的镇流器是气体放电灯稳定工作必不可少的元件。
2HID 灯的主要特点
HID 灯是高压放电灯,其结构和工作机理与荧光灯等低压放电灯是不同的。
HID 灯的启动要比低压放电灯困难得多,在通常情况下,HID灯的点火电压达4-5KV。
若HID 灯在燃点熄灭接着重新触发，即所谓“热态”下点火,所需要的电压往往达25KV。
同时,从灯点火到正常燃点还有一个过渡阶段。
该过渡阶段又分为接续(take-over)阶段和电压升高(run-up)过程。
在灯点火之后不到1ms的时间内,灯管击穿,灯电压仅为其额定值的25%左右约(20V),形成灯导通沟道。
随后,灯电压逐渐升高到其正常工作值（约85V），使灯进入燃点阶段。
灯电压抬高过程历程约 2 分钟,具体时间因灯管不同而存在差别。
在灯点火到正常燃点的过渡阶段中,若灯电流太小,灯会熄火;但如果灯电流过大,易使电极熔化。
在灯燃点过程中,为防止两个电极的温度不同,HID灯被设计用AC电流驱动。
荧光灯交流电子镇流器大多在40 ±5kHz 下的高频下工作,而HID 灯若在10kHz以上(直至1MHz 的频率)上工作,会发生声共振,并会对灯的使用寿命造成影响。
HID 灯的工作频率若在10kHz 以下,则可以避免声共振发生。
目前在HID灯驱动电路设计中,大多将其工作频率设置在100～400Hz。
鉴于HID灯的特性,并与普通荧光灯交流电子镇流器相比较,灯点火电路设计和防止声频共振是HID灯电子镇流器的两大关键技术。
3 HID Controller系统简介
系统结构框图如下：
控制部分采用TMS320F2812作为主控器，该DSP芯片最大速度可达150MIPS，具备强大的运算能力，可以很轻易的将各种控制算法（如PID）运用在此芯片。
片内外设A/D采样速度为12.5Mbps，精度为12bit，采样速度和采样精度都完全可以给CPU提供准确实时监控。
另外含有8通道16bit的PWM，可控制死区产生等等。
基于以上特点，该DSP芯片非常适用于HID Controller 的主控芯片。
全桥驱动芯片为Philips公司的UBA2032，飞利浦公司推出的高压单片IC是采用EZ-HVSOI 工艺制造的一种高压全桥驱动器。
UBA2032在全桥拓扑中通过外部MOSFET可以驱动任何一种负载，尤其适用于驱动高强度的放电（HID）灯（如高压钠灯和金卤灯）换向器等（commutator）。
其典型应用电路如下：
4 结语
现代电光源的发展是迅速和多方面的,高压气体放电灯的控制电路形式也趋向多样化和实用化,特别是随着集成电路设计方法的不断应用,人们研究出许多更加优良的电路形式,这些新的高压气体放电灯电路促进了高压气体放电灯的进一步发展。