半导体硅材料复习题

一填空题

1.根据单晶硅的使用目的不同，单晶硅的制备工艺也不同，主要的制备工艺有两种，分别是（区域熔炼法和切克劳斯基法）。

3.在热平衡状态半导体中, 载流子的产生和复合的过程保持动态平衡，从而使载流子浓度保持定值，则处于此种状态下的载流子为(平衡载流子)。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为（非平衡载流子）。

4使纵向电阻率逐渐降低的效果与使电阻率逐渐升高的效果达到平衡，就会得到纵向电阻率比较均匀的晶体。方法：（变速拉晶法，双坩埚法），（）。

5多晶硅的生产方法主要包含：(SiCl4法、硅烷法、流化床法、西门子改良法)。

6硅片的主要工艺流程包括：单晶生长→整形→(切片)→晶片研磨及磨边→蚀刻→(抛光)→硅片检测→打包。

7纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称(施主杂质)

8.在P型半导体的多数载流子是：(空穴)

9. 总厚度变差TTV是指：(硅片厚度的最大值与最小值之差)

10. .常用的半导体电阻率测量方法有：(直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针。）。

1、 在晶格中，通过任意两点连一直线，则这直线上包含了无数个相同的格点，此直线称为_______晶列_____。

2、 精馏是利用不同组分有不同的______沸点______，在同一温度下，各组分具有不同蒸汽压的特点进行分离的。

3、 物理吸附的最大优点是其为一种_____可逆_______过程，吸附剂经脱附后可以循环使用，不必每次更换吸附剂。

4、 多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的____温度梯度________。

5、 工业硅生产过程中一般要做好以下几个方面：_、观察炉子情况，及时调整配料比_、_____选择合理的炉子结构参数和电气参数

___；及时捣炉，帮助沉料_和______保持料层有良好的透气性

6、 改良西门子法包括五个主要环节：S i HCl3的合成；S i HCl3精馏提纯；S i HCl3的氢还原；尾气的回收；S i Cl4的氢化分离

7、 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以_____区熔法；直拉法 两种物理提纯生长方法为主。

8、 CZ法生长单晶硅工艺主要包括加料，熔化，缩颈生长_，放肩生

长，等径生长，_______尾部生长____6个主要步骤。

9、 以硅石和碳质还原剂等为原料经碳热还原法生产的含硅97%以上的产品，在我国通称为工业硅或_______冶金级硅_____。

10、 总厚度变差TTV是指：_____硅片厚度的最大值与最小值之差

_______；翘曲度WARP是指__硅片的中面与参考面之间的最大距离与最小距离之差__________。

1.晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷

1. 单晶硅的主要生产方法是：西门子改良直拉法

3. 在P型半导体的多数载流子是：空穴

4.硅片的主要工艺流程包括单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

5．纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质.

6．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。

7．非平衡载流子通过 复合效应 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关

8.常用的半导体电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针

1. 三氯氢硅还原法最早由西门子公司研究成功。

2. CZ法生长单晶硅工艺主要包括加料，熔化，缩颈生长，放肩生长，

等径生长，尾部生长6个主要步骤。

3. 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以区熔法和直拉法两种物理提纯

生长方法为主。

4. 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以____区熔法________和

_________直拉法___两种物理提纯生长方法为主。

5. 多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和

未凝固体中建立起特定方向的____温度梯度________。

1、PN结电容可分为__扩散电容_______和____过渡区电容______两种。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT的影响为__、下降______，对于窄沟道器件对VT的影响为____上升_____。

3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受____VBE___电压控制，其基极电流IB受_VBE___电压控制。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。

5、PN结击穿的机制主要有_雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿_等等几种。

6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有_沟道长度调制效应、漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应_。

7、晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：_点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。

8、晶体生长可分为以下三类：__固相生长、液相生长和汽相。

9、原胞的概念：__选取最小的重复单元来反映晶格的周期性______

10、精馏是利用不同组分有不同的沸点，在____同一温度_______各组分具有不同蒸汽压的特点进行分离的。

1、 晶格的概念：___晶体中原子的周期性排列称为晶格。

2、 为了加强蒸发作用，区域提纯应在_真空_中进行。

3、 目前国内主要用_热交换法___来进行铸锭生长，主要从国外进

口。

4、 从多晶硅硅锭的剖面图中可以看出，几乎所有的晶粒都是沿着底

部向上部方向生长的。

5、 工业中经常在石英坩埚内壁涂覆_氮化硅__涂层，这样可以减少硅

熔体与石英坩埚的直接作用，从而降低氧浓度。

6、 晶体硅中的主要杂质氧的作用：氢和氧作用能结合成复合体和可

以促进氧的扩散，导致氧沉淀、氧施主生成的增强。

7、 太阳能硅片的平整度一般用TIR和_FPD__这两个参数来表示。

8、 铸造多晶硅与单晶硅相比，效率要低一些，成本小得多_，所以相

对来说性价比更_高。

9、 铸造多晶硅的制备 方法有__浇铸法_、_直熔法___、__电磁感应

冷坩埚连续拉晶法__等。

10、 工业生产中生长单晶硅有两种方法：直拉法__和__区熔法__。

二选择题

1.硅片制备主要工艺流程是__A__。

A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包

D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

2.下列说法错误的是A____。

A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大