模拟电路考试题及答案

模拟电路考试题及答案
模拟电路考试题及答案

自测题一

一、判断题

1.因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。(F)

2 ?在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T)

3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F)

二、单选题

1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。

A.外电场

B.内电场

C.掺杂

D.热激发

2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。

A .正、反向电阻相等

B .正向电阻大,反向电阻小

C.反向电阻比正向电阻大很多倍D .正、反向电阻都等于无穷大

3. 二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压)

A .右移B.左移C. 上移D .下移

4. 当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A)。

A .增大B.减小C.不变D .不确定

5. 三极管B值是反映(B)能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源)

A .电压控制电压

B .电流控制电流C.电压控制电流D .电流控制电压

6. 温度升高时,三极管的值将(A)。

A .增大B.减少C.不变D .不能确定

7. 下列选项中,不属三极管的参数是(B)。

A .电流放大系数

B .最大整流电流

C.集电极最大允许电流D .集电极最大允许耗散功率

8. 某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为U1 6V ,U2 5.4V ,U3 12V ,

则对应该管的管脚排列依次是(B)。

A. e,b,c

B. b,e,c

C. b,c,e

D. c,b,e

9. 晶体三极管的反向电流是由(B)运动形成的。

A .多数载流子B.少数载流子

C.扩散D .少数载流子和多数载流子共同

10. 三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和,则此三极管是(D)(发正偏集反偏)

A. PNP 型硅管

B. PNP 型锗管

C. NPN 型锗管

D. NPN 型硅管

11. 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B)。

A .非饱和区B.饱和区C.截止区D .击穿区

12. 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时(B)。

A.能够形成导电沟道

B.不能形成导电沟道

C.漏极电流不为零

D.漏极电压为零

三、填空题

1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。

2. 少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。

3. PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。

4. PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。

5. PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。

6. 三极管最重要的特性是电流放大作用。

7. 温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。

8. 场效应晶体管属于电压控制器件。

9. 场效应管的最大优点是输入电阻高。

10. U GS 0时,不能工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。

11. 开启电压U GS(th) 0的是N沟道增强型场效应管。

12. 开启电压U GS(th) 0的是P沟道增强型场效应管。4

自测题二

一、判断题

1. 晶体管的输入电阻r be是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。(F)

2. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(T)

3. 只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(F)

4. 在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。(F)

5. 直接耦合放大电路只能放大直流括号,不能放大交流信号。(F)

二、单选题

1. 在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将(C)。

A .增大B.减少C.不变D .不能确定

2. 在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将(C)。

A .增大B.减少C.不变D .不能确定

3. 在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是(C)。

A .共射放大电路

B .共基放大电路

C.共集放大电路D .不能确定

4. 在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是(B)。

A .共射放大电路

B .共基放大电路

C.共集放大电路D .不能确定

5?在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC时(无电流),则该管工作状态为(B)。

A ?饱和

B ?截止

C ?放大

D ?不能确定

6 ?晶体管能够放大的外部条件是(B)。

A ?发射结正偏,集电结正偏

B ?发射结正偏,集电结反偏

C.发射结反偏,集电结正偏D ?发射结反偏,集电结反偏

7 ?组合放大电路的输出级采用射极输出(共集)方式是为了使(D)。

A ?电压放大倍数高

B ?输出电流小

C.输出电阻增大D ?带负载能力强

8 ?放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因是(A)。

A ?耦合电容和旁路电容的影响

B ?晶体管极间电容和分布电容的影响

C.晶体管的非线性特性D ?放大电路的静态工作点设置不合适

9 ?当我们将两个带宽均为BW的放大器级联后,级联放大器的带宽(A)。

A .小于BW

B .等于BW

C .大于BW

D .不能确定

10?射极输出器的特点是(A)。

A .输入电阻高、输出电阻低

B .输入电阻高、输出电阻高

C.输入电阻低、输出电阻低D .输入电阻低、输出电阻高

11. 下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选(A)。

A .共射组态B.共基组态C.共集组态D .共漏组态

12. 在基本共射放大电路中,当输入中频小信号时,输出电压出现了底部削平的失真,这种失真是(B)。

A .截止失真B.饱和失真C.交越失真D .频率失真

13. 当信号频率等于放大电路的f L和f H时,放大倍数的数值将下降到中频时的(B)。

(P55)

A .倍B.倍C.倍D .倍

14. 在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是(B)。

A .共发射极电路的A u最大、r i最小、r。最小

B .共集电极电路的A u最小、r i最大、r。最小

C.共基极电路的A u最小、r i最小、r。最大

D .共发射极电路的代最小、r i最大、r。最大

15. 已知某基本共射放大电路的I CQ 1mA,U CEQ 6V,管子的饱和压降U CES 1V,R C R L 4k ,则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为(B)。

A . 1V

B . 2V

C . 5V

D . 6V

三、填空题

1. 要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的静态工作点。

2 ?在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生饱和失真。

3. 若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生截止失真。

4. 基本共射放大电路,当温度升高时,Q点将向上移。

5. 若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于饱和状态。

6. 共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位相同。(共射相反)

7. 放大器的输入电阻越大,表明放大器获取输入电压的能力越强。

8. 在放大电路中,若负载电阻R L越大,则其电压放大倍数越大。

9. 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为1K。

H L

10. 放大器的下限角频率L,上限角频率H,则带宽为2HZ。

自测题三

一、判断题

1 .测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。(F)

2. 只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。(F)

3. 阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。(T)

4. 直接耦合放大电路只

能放大直流括号,不能放大交流信号。(F)

二、单选题

1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是(C)。

A .电阻阻值有误差

B .晶体管参数的分散性

C.晶体管参数受温度影响

D.受输入信号变化的影响

2. 组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使(D)。

A .电压放大倍数高

B .输出电流小

C.输出电阻增大D .带负载能力强

3. 多级放大电路与单级放

大电路相比,电压增益和通频带(D)。

A .电压增益减小,通频带变宽

B .电压增益减小,通频带变窄

C.电压增益提高,通频带变宽D .电压增益提高,通频带变窄

4. 有两个放大器,空载时的输出电压均为3V,当它们接入相同的负载时,甲放大器的

输出电压为2V,乙放大器的输出电压为1V,则说明甲比乙的(D)。

A .输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D .输出电阻小

三、填空题

1. 在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载。

2. 在多级放大电路中,前级的输出电阻可视为后级的信号源内阻。

3. 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用直接耦合方式。

4. 集成运算放

大器是一种采用直接耦合方式的放大电路,因此低频性能好。

5. 多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。

6. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;放大器耦合;在集成电路中通

常采用直接耦合。

自测题四

一、判断题

1 .运放的共模抑制比K CMR £(T)

2. 当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。(T)

3 .互补输出级应采用共集或共漏接法。(T)

4. 对于长尾式差动放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模交流通路中,射极电阻R E—概可视为短路。(T)

二、单选题

1. 放大电路产生零点漂移的主要原因是(D)。

A ?放大倍数太大

B ?采用了直接耦合方式

C.晶体管的噪声太大D .环境温度变化引起参数变化

2. 为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用(C)。

A.直接耦合电路

B.阻容耦合电路

C.差动放大电路

D.反馈放大电路

3. 差动放大电路的主要特点是(A)。

A .有效放大差模信号,有力抑制共模信号

B .既放大差模信号,又放大共模信号C.有效

放大共模信号,有力抑制差模信号 D .既抑制差模信号,又抑制共模信号

4. 差分放大电路的长尾电阻的主要功能是(A),而提高共模抑制比。

A .抑制共模信号

B .抑制差模信号

C.放大共模信号D .既抑制共模信号又抑制差模信号

5. 差动放大电路用恒流源代替R E是为了(C)。

A .提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数

C.提高共模抑制比D .提高差模输出电阻

6. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为(C)。

A .可获得较高增益

B .可使温漂变小

C.在集成工艺中难于制造大电容D .可以增大输入电阻

7. 集成电路中所使用的电容都是由什么来实现的(B)。

A .电解电容B. PN结电容C.寄生电容D .杂散电容

8. 输入失调电压是(D)。

A ?两个输入端电压之差

B ?两个输入端电压之和

C.输入端都为零时的输出电压D .输出端为零时输入端的等效补偿电压。

三、填空题

1. 选用差分放大电路的原因是抑制零点漂移。

2 .差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的差。

3. 共模信号是两个输入端信号的平均值。

4. 互补输出级采用共集形式是为了使带负载能力强。(共集输出电阻很小带负载能力强)

5. 集成运算放大器是一种直接耦合放大电路,因此低频性能好。(直接耦合没有电容)

6. 集成运算放大器是一种直接耦合放大电路,因此最常见的问题是零点漂移。

7. 理想集成运放开环输入电阻为无穷大。

8 .差动放大电路两个输入端的信号U i! 80mV , U i2 60mV ,则一对差模输入信号

Un U i2 10mV。

9. 集成运放的输入级采用差动放大电路的主要作用是克服零点漂移。

10. 集成运放的输出级多采用射级输出器电路。

11. 差动放大电路两个输入端的信号分别为U i!和U i2,当U M U i2时,则为共模输入信号。

12. 集成运放由输入级、中间级、偏置电路、输出级几个部分组成。

13. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

自测题五

一、判断题

1. 只要集成运放引入正反馈,就一定工作在非线性区。(F)

2. 当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。(T)

3. 在电压比较器中,集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入了正反馈。(T)

4. 单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。

(F)

5 .凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。(T)

6. 处于线性工作状态下的集成运放,反相输入端可按“虚地”来处理。(F)

二、单选题

1 .在下列描述中错误的是(D)。

A.级联放大器的带宽比各级放大器带宽小

B?负反馈的引入可以起到展宽放大器频带的作用

C?集成运算放大器电路中广泛采用了以电流源为负载的放大器结构

D.理想运放在线性与非线性工作区均有虚断、虚短两个重要特性

2?迟滞比较器有2个门限电压,因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,其输出状态将发生(A)次跃变。

A. 1

B. 2

C.

3. 简单电压比较器与滞回电压比较器相比(B)。

A.前者的抗干扰能力强

B.后者的抗干扰能力强

C?二者的抗干扰能力均不强D.二者的抗干扰能力都很强

三、填空题

1. 理想运算放大器同相输入端接地时,则称反相输入端为虚地端。

2. 理想运放工作在线性区,流进集成运放的信号电流为零,称此为虚断。

3. 理想运算放大器的两条重要法则是净输入电压等于零和净输入电流等于零。

4. 理想运放工作在线性区存在虚短和

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题与答案详解

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题 填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关, 而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时, 结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电 路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出 电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍 数AF=( 1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大 小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大 器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点, 所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息 的工具,称为()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须 (),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别

模拟电路测验试题10套

模拟电路测验试题10套 1 / 34

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试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。 6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是() A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re()。 1 / 34

《模拟电子技术》模拟试题与答案解析

《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断(10分) 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。() 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。() 3、PN结具有单向导电特性。() 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。() 5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。() 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。() 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。() 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。() 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。() 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。() 二、选择(10分) 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下,可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通,反偏截止 B、正偏截止,反偏导通 C、正偏导通,反偏导通 D、正偏截止,反偏截止 4、既能放大电压,也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大,表明电路()。 A、放大倍数越稳定; B、交流放大倍数越大; C、抑制温漂能力越强; D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入()反馈,为减小输出电阻,应引入()反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是()。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中,已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形,设二极管为理想二极管。(每题10分,共20分)

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

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1.PN结反向电压时,其空间电荷区将,使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中,耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号,而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象,这是属于失真。

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6.正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、(y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、(y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、(y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、(yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、(n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、(y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、(y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、(y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、(y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A ) A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值(C )。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re( B )。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(C )。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是( A )。 A .交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B ) A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指( C ) A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D ) A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,U o=-10V。(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om;(3)估算单个三极管的最大集电极

电子科技大学模拟电路考试题及答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A 卷(120 分钟)考试形式:开卷课程成绩构成:平时10 分,期中30 分,实验0 分,期末60 分 一(20分)、问答题 1.(4分)一般地,基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大?哪个最小? 2.(4分)在集成运算放大器中,为什么输出级常用射极跟随器?为什么常用射极跟随器做缓冲级? 3.(4分)电流源的最重要的两个参数是什么?其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载?在集成电路中采用有源负载有什么好处? 4.(4分)集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级? 5.(4分)在线性运算电路中,集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式?

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二(10分)、电路如图1所示。已知电阻R S=0,r be=1kΩ,R1∥R2>>r be。 1.若要使下转折频率为10Hz,求电容C的值。 2.若R S≠0,仍保持下转折频率不变,电容C的值应该增加还是减小? 图1 三(10分)、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V,硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V,R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。 图2

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 四(10分)、电路如图3所示。已知三极管的β=50,r be=1.1kΩ,R1=150kΩ,R2=47kΩ,R3=10kΩ,R4=47kΩ,R5=33kΩ,R6=4.7kΩ,R7=4.7kΩ,R8=100Ω。 1.判断反馈类型; 2.画出A电路和B电路; 3.求反馈系数B; 4.若A电路的电压增益A v=835,计算A vf,R of和R if。 图3

模拟电子技术习题10套与答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示: (1)写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

深圳大学模拟电路必考期末试题(老师给的习题,但就是考试题)

第八章作业解答 8.3 差动放大电路如下图所示,已知V CC =V EE =12V ,R b =1k Ω,R c =12k Ω,R L =36k Ω,R e =11.3k Ω,R w =200Ω,6021==ββ,Ω='300b b r ,U BE =0.7V 。 (1)估算静态工作点Q (I BQ 、I CQ 、U CEQ ); (2)估算差模电压放大倍数A ud ; (3)估算差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。 解:(1)静态时,U BQ ≈0,U EQ =-U BE =-0.7V , 由方程)(2)5.0(EE EQ e EQ w EQ V U R I R I --=?+?解得: mA I EQ 5.03 .1121.07.012≈?+-= mA I I EQ CQ 5.0≈≈ A I I CQ BQ μβ 3.8== V 7.67.0125.01212=+?-=-?-=EQ C CQ CEQ U R I U (2) k Ω47.35 .0266130026)1(=?+=++='EQ b b be I mV r r β 87.401 .06147.31)18//12(605.0)1()5.0//(-=?++-=?+++-=w be b L R r R R R A ββC ud (3) k Ω14.21)1.06147.31(2]5.0)1([2=?++?=?+++?=W be b id R r R R β k Ω242=?=C o R R 8.4 具有集电极调零电位器R w 的放大电路如下图所示,设电路参数完全对称,50=β,k Ωbe 8.2=r ,当R w 动端置于中点位置时,试计算:

模拟电子技术考试试题大全及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电 压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电 阻为(),等效成断开; 4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用 ()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= ()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大 小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点, 所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息 的工具,称为()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(), 它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷 一.(24分) 1)射极输出器的特性归纳为:电压增益,电压跟随性好,输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。 2)电压负反馈可以使放大器的输出稳定,电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3)在差分放大电路中,大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号;大小相等,极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4)在导体中导电的是,在半导体中导电的不仅有,而且有,这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5)PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。 6)晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏, 结必须反偏。 7)晶体三极管有型和型两种类型。 8)画放大器的直流通路时,将视为开路,画交流通路时,将和视为短;.

路。 二.(1.9分,2.9分,3.6分,共24分) 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ,R g2=100kΩ,R g3=2MΩ,R d=10kΩ,R2=10kΩ,+V DD=+20V,场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路; (2)求电压增益A v; (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问: a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

华南理工大学网络教育学院期末考试电路原理模拟试题(和答案)

华南理工大学网络教育学院期末考试 《电路原理》模 拟 试 题 注意事项: 1.本试卷共四大题,满分100分,考试时间120分钟,闭卷; 2.考前请将密封线各项信息填写清楚; 3.所有答案请直接做在试卷上,做在草稿纸上无效; 4.考试结束,试卷、草稿纸一并交回。 一、单项选择题(每小题2分,共70分) 1、电路和及其对应的欧姆定律表达式分别如图1-1、图1- 2、图1-3所示,其中表达式正确的是( b )。 (a )图1-1 (b )图1-2 (c )图1-3 图 1图 2 图 3图1-1 图1-2 图1-3 2、在图1-4所示电路中,已知U =4V ,电流I =-2A ,则电阻值R 为( b )。 (a )-2Ω (b )2Ω (c )-8Ω 3、在图1-5所示电路中, U S ,I S 均为正值,其工作状态是( b )。 (a )电压源发出功率 (b )电流源发出功率 (c )电压源和电流源都不发出功率 4、图1-6所示电路中的等效电阻R AB 为( b )。 (a )4Ω (b )5Ω (c )6Ω R U I S 图1-6 5、在计算非线性电阻电路的电压和电流时,叠加定理( a )。 (a )不可以用 (b )可以用 (c )有条件地使用 6、理想运放工作于线性区时,以下描述正确的是( c )。 (a )只具有虚短路性质 (b )只具有虚断路性质 (c )同时具有虚短路和虚断路性质 7、用△–Y 等效变换法,求图1-7中A 、B 端的等效电阻R AB 为( b )。 (a )6Ω (b )7Ω (c )9Ω 8、图1-8所示电路中,每个电阻R 均为8Ω,则等效电阻R AB 为( a )。 (a )3Ω (b )4Ω (c )6Ω

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题:(要求) 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。 半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是; 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出 保持稳定,因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分,同时,尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流,而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器,Av2是( ) 放大器,Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下,得出两个重要结论他们是:( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中,若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题: 1、PN结外加正向电压时,扩散电流_______漂移电流,耗尽层_______。

模拟电子线路期末试题和答案(两套)

《模拟电子技术基础(一)》期末试题〔A 〕 一、填空题(15分) 1.由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4.某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz 。 5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6.在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的 输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题(15分) 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4.差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号; D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。 5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。(F) 2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。 A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。 A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压) A.右移B.左移C.上移D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A)。 A.增大B.减小C.不变D.不确定 5.三极管β值是反映(B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将(A )。 A.增大B.减少C.不变D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是(B )。 A.电流放大系数B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =,V U4.5 2 =,V U12 3 =,则对应该管的管脚排列依次是(B)。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由(B)运动形成的。 A.多数载流子B.少数载流子 C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是(D)。(发正偏集反偏) A.PNP型硅管B.PNP型锗管C.NPN型锗管D.NPN型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B)。 A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时(B)。 A.能够形成导电沟道B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3.PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。 4.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。 5.PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。 6.三极管最重要的特性是电流放大作用。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。 8.场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

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