场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)
模电实验三场效应管放大电路实验报告
模电实验三场效应管放大电路实验报告————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：实验三 场效应管放大电路班级： 姓名： 学号： 2015.11.25一、 实验目的1. 了解结型场效应管的性能和特点。
2．学习场效应管放大电路动态参数的测试方法。
二、 实验仪器及器件仪器及器件名称 型号 数量 +12V 直流稳压电源 DP832 1 函数信号发生器DG4102 1 示波器 MSO2000A 1 数字万用表 DM3058 1 结型场效应管 2SK1631 电阻器 若干 电容器若干三、 实验原理1、结型场效应管的特性和参数图3－1为N 沟道结型场效应管3DJ6F 的输出特性和转移特性曲线。
图3－1 3DJ6F 的输出特性和转移特性曲线低频跨导常数V △V △I g DS GSDm ==表3－1列出了3DJ6F 的典型参数值及测试条件。
表3－1参数名称饱和漏极电流I DSS （mA ）夹断电压 V P （V ）跨 导 g m （µA/V ）测试条件V DS ＝10V V GS ＝0VV DS ＝10V I DS ＝50µAV DS ＝10V I DS ＝3mA f ＝1KHz参数值1～3.5 ＜｜－9｜ ＞1002、场效应管放大电路性能分析图3－2为结型场效应管组成的共源级放大电路。
图3－2 结型场效应管共源放大电路静态工作点 V GS ＝V G －V S ＝g2g1g2R R R V DD －I D R SI D ＝I DSS (1－PGS V V )2中频电压放大倍数A V ＝－g m R L ＇＝－g m R D ∥R L输入电阻R i ＝R G + R g1∥R g2输出电阻R o ≈ R D跨导 g m ＝－P DSS V 2I (1－PGS V V) 3、输入电阻的测量方法 图3－3为测量电路图。
电力电子实验指导书功率场效应晶体管(MOSFET)特性与驱动电路研究
实验三功率场效应晶体管(MOSFET)特性与驱动电路研究一．实验目的：1．熟悉MOSFET主要参数的测量方法2．掌握MOSEET对驱动电路的要求3．掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法二．实验内容1．MOSFET主要参数：开启阀值电压V GS(th),跨导g FS,导通电阻R ds输出特性I D=f（Vsd）等的测试2．驱动电路的输入,输出延时时间测试.3．电阻与电阻、电感性质载时，MOSFET开关特性测试4．有与没有反偏压时的开关过程比较5．栅-源漏电流测试三．实验设备和仪器1．MCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与PWM波形发生器部分2．双踪示波器（自配）3．毫安表4．电流表5．电压表4、实验线路见图2—2五．实验方法1．MOSFET主要参数测试（1）开启阀值电压V GS(th)测试开启阀值电压简称开启电压，是指器件流过一定量的漏极电流时（通常取漏极电流I D=1mA)的最小栅源电压。
在主回路的“1”端与MOS 管的“25”端之间串入毫安表，测量漏极电流I D ，将主回路的“3”与“4”端分别与MOS 管的“24”与“23”相连，再在“24”与“23”端间接入电压表, 测量MOS 管的栅源电压Vgs ，并将主回路电位器RP 左旋到底，使Vgs=0。
将电位器RP 逐渐向右旋转，边旋转边监视毫安表的读数，当漏极电流I D =1mA 时的栅源电压值即为开启阀值电压V GS （th ）。
读取6—7组I D 、Vgs ，其中I D =1mA 必测，填入表2—6。
（2）跨导g FS 测试双极型晶体管（GTR ）通常用h FE （β）表示其增益，功率MOSFET 器件以跨导g FS表示其增益。
跨导的定义为漏极电流的小变化与相应的栅源电压小变化量之比，即g FS =△I D /△V GS 。
典型的跨导额定值是在1/2额定漏极电流和V DS =15V 下测得，受条件限制，实验中只能测到1/5额定漏极电流值。
场效应管的测量方法
场效应管的测量方法场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的半导体器件，用于放大电信号和控制电流流动。
它是现代电子技术中至关重要的组成部分，广泛应用于通信、计算机、电力、医疗设备等领域。
本文将从测量方法的角度对场效应管进行全面评估，并探讨其在实际应用中的价值和意义。
一、场效应管的基本原理1.1 堆叠型场效应管堆叠型场效应管是一种常见的结构，由源极、栅极和漏极组成。
其中，栅极是控制电流流动的关键部分，通过改变栅极电压来控制电流的大小。
当栅极电压为正时，沟道中的电子流可以被栅极电场引导，从而形成导电通路；当栅极电压为负时，电子流被屏蔽，无法通过沟道，电流几乎为零。
这种控制电流的特性使得场效应管成为一种理想的放大器和开关。
1.2 压敏型场效应管压敏型场效应管则是利用栅极与源极之间的电场形成PN结，具有较高的电压稳定性。
这种结构特点使得压敏型场效应管在防火、防雷等领域得到广泛应用。
二、场效应管的测量方法2.1 静态参数测量静态参数测量主要是通过电流-电压（I-V）特性曲线来评估场效应管的性能。
通过改变栅极电压和漏极电压，测量器件的电流变化，以确定其工作状态和性能指标。
常见的静态参数包括：- 零漏极电流（IDSS）：在源极和栅极间施加零电压时，测量的漏极电流；- 转移特性曲线：以栅极电压为横轴，漏极电流为纵轴，绘制的特性曲线；- 漏极截止电压（VDS(off)）：当栅极电压为零时，测量的漏极电压。
2.2 动态参数测量动态参数测量主要是评估场效应管的响应速度和频率特性。
常见的动态参数包括：- 开关时间：指场效应管从开关状态到导通状态所需的时间；- 内部电容：用于描述电荷移动的速度，在高频应用中尤为重要；- 过载能力：指器件在负载变化时的电流变化能力。
三、场效应管在实际应用中的价值3.1 放大器场效应管作为一种理想的放大器，具有高增益、低噪声和低失真等特点，被广泛应用于音频放大、射频放大等领域。
（微电子、电子实验）实验三晶体管特征频率fT的测量
实验三 晶体管特征频率f T 的测量
f T 定义为共射极输出交流短路电流放大糸数β随频率增加而下降到 1时的工作频率, 它反映了晶体管共发射极运用具有电流放大作用的频率极限, 是晶体管的一个重要频率特性参数. f T 的大小主除了与晶体管的结构有关外, 还与晶体管工作点有关, 测量原理通常采用增益-带宽积的方法.
一, 实验原理
晶体管发射结电压周期变化引起发射结,收集结空间电荷区的电荷和基区,发射区, 收集区内的多子,少子也随之重新分布, 这种现象可视为势垒电容和扩散电容的充放电作用, 传输电流幅值下降,载流子传输延时, 使输入, 输出信号产生相移, 使电流放大系数β变为复数, 幅值随频率的升高而下降, 相移随频率升高而增大
β=()[]2120/1ββf f +
当f 》f β βf=β0f β β=1
f T =β0f β
二, 实验方法
1, V CE = 10V, I C = 10mA 测量晶体管的f T
2, V CE= 15V I C=0.5mA～15mA, 每隔0.5mA测一点, 绘制f T～I CE关系曲线
3, I CE= 10mA, V CE=1V～20V, 每隔2V测一点, 绘制
f T～V CE关系曲线
4, 改变测试频率重新进行1～3的实验。
mosfet的实验报告
mosfet的实验报告《实验报告：探索mosfet的特性与应用》摘要：本实验报告旨在探索mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性和应用。
通过实验，我们对mosfet的工作原理、特性曲线以及在电子电路中的应用进行了深入研究。
实验结果表明，mosfet作为一种重要的半导体器件，在放大、开关和调节等方面具有重要的应用价值。
引言：mosfet是一种常见的半导体器件，其在电子电路中具有重要的应用价值。
本实验旨在通过实际操作，深入了解mosfet的特性和应用，为进一步的学习和研究打下基础。
实验一：mosfet的基本特性在本实验中，我们首先搭建了一个简单的mosfet电路，通过测量电压和电流的变化，绘制了mosfet的特性曲线。
实验结果显示，mosfet的特性曲线呈现出明显的非线性特性，且具有一定的开启电压和饱和电流。
通过分析特性曲线，我们对mosfet的工作原理有了更深入的理解。
实验二：mosfet在放大电路中的应用在本实验中，我们将mosfet应用于放大电路中，通过调节mosfet的工作点，实现了对输入信号的放大。
实验结果表明，mosfet在放大电路中具有良好的线性特性，能够有效地放大输入信号，为电子设备的放大功能提供了重要支持。
实验三：mosfet在开关电路中的应用在本实验中，我们将mosfet应用于开关电路中，通过控制mosfet的导通和截止，实现了对电路的开关功能。
实验结果表明，mosfet在开关电路中具有快速响应的特性，能够实现高效的开关控制，为电子设备的开关功能提供了重要支持。
结论：通过本次实验，我们深入了解了mosfet的特性和应用。
mosfet作为一种重要的半导体器件，在放大、开关和调节等方面具有重要的应用价值。
我们相信，通过不断的学习和研究，mosfet将会在电子领域发挥更加重要的作用。
结型场效应管的实验报告
一、实验目的1. 了解结型场效应管（JFET）的结构、原理及工作特性；2. 掌握结型场效应管的基本放大电路设计、搭建和调试方法；3. 学习结型场效应管放大电路动态参数的测试方法。
二、实验原理1. 结型场效应管（JFET）是一种单极型场效应管，其基本结构由p-n结栅极、源极和漏极组成。
JFET有n沟道和p沟道两种类型，其中n沟道JFET以N型半导体为衬底，p沟道JFET以P型半导体为衬底。
2. JFET的工作原理是：当栅极电压为负值时，p-n结反向偏置，形成导电沟道；当栅极电压为正值时，p-n结正偏置，导电沟道被夹断。
通过改变栅极电压，可以控制源极与漏极之间的电流。
3. JFET放大电路主要采用共源极放大电路，其特点是输入阻抗高、输出阻抗低、电压增益高。
JFET放大电路的动态参数包括：输入电阻、输出电阻、电压增益、输入电容、输出电容等。
三、实验仪器与设备1. 实验电路板：包括JFET、电阻、电容、电源、信号发生器、示波器等；2. 信号发生器：提供输入信号；3. 示波器：观察输出波形；4. 数字万用表：测量电压、电流等参数；5. 实验电源：提供稳定电压。
四、实验内容及步骤1. 搭建JFET共源极放大电路，如图所示。
2. 调整电路参数，使JFET工作在放大状态。
3. 测量电路的静态工作点，包括栅极电压VGS、漏极电压VDS和漏极电流ID。
4. 输入信号，调整信号幅度和频率，观察输出波形。
5. 测量电路的动态参数，包括输入电阻、输出电阻、电压增益、输入电容、输出电容等。
6. 分析实验结果，验证JFET放大电路的性能。
五、实验结果与分析1. 静态工作点测量结果：VGS = -2VVDS = 10VID = 2mA2. 动态参数测量结果：输入电阻Ri = 1.5kΩ输出电阻Ro = 5kΩ电压增益AV = 20输入电容Ci = 100pF输出电容Co = 500pF3. 分析：（1）JFET共源极放大电路在静态工作点附近具有良好的线性放大特性；（2）输入电阻较高，有利于信号源负载；（3）电压增益较高，适用于信号放大；（4）输入电容和输出电容较小，有利于高频信号放大。
场效应管好坏实训报告
一、实训目的本次实训旨在通过实际操作，掌握场效应管的基本原理、结构、工作特性以及好坏检测方法，提高对场效应管性能评价的能力。
二、实训器材1. 场效应管：N沟道增强型场效应管、P沟道增强型场效应管2. 万用表：数字万用表、指针万用表3. 信号发生器4. 指示灯5. 电阻6. 电容7. 连接线8. 电源三、实训内容1. 场效应管的结构与工作原理场效应管是一种电压控制型半导体器件，具有输入阻抗高、输出阻抗低、开关速度快、功耗小等优点。
根据导电沟道的类型，场效应管分为N沟道和P沟道两种。
本实训以N沟道增强型场效应管为例，介绍其结构与工作原理。
N沟道增强型场效应管由源极（S）、栅极（G）和漏极（D）三个电极组成。
当栅极电压大于夹断电压时，导电沟道形成，电流从源极流向漏极。
当栅极电压小于夹断电压时，导电沟道消失，电流截止。
2. 场效应管好坏检测方法（1）外观检查：观察场效应管是否有明显的损坏、裂纹、引脚断裂等现象。
（2）检测正向导通电阻：将万用表置于R×100或R×1k挡，红表笔接源极，黑表笔接漏极，正向导通电阻应在几十欧姆到几百欧姆之间。
若电阻过大或无穷大，则可能为坏管。
（3）检测反向导通电阻：将万用表置于R×100或R×1k挡，红表笔接漏极，黑表笔接源极，反向导通电阻应接近无穷大。
若电阻过小，则可能为坏管。
（4）检测栅极-源极反向击穿电压：将万用表置于DC电压挡，红表笔接源极，黑表笔接栅极，正向电压逐渐增加，当电压达到一定值时，万用表指针突然下降，说明已发生反向击穿。
反向击穿电压应大于场效应管的额定电压。
（5）检测漏极-源极反向击穿电压：将万用表置于DC电压挡，红表笔接漏极，黑表笔接源极，正向电压逐渐增加，当电压达到一定值时，万用表指针突然下降，说明已发生反向击穿。
反向击穿电压应大于场效应管的额定电压。
3. 实训步骤（1）将场效应管放置在实验台上，确保引脚正确。
（2）用万用表检测场效应管各电极之间的正向导通电阻和反向导通电阻。
晶体管放大器的设计与调测实验报告学生[1]
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晶体管放大器的设计与调测实验报告(学生)[1]晶体管放大器的设计与调测实验报告一、实验目的1.学习和掌握晶体管放大器的基本原理和设计方法。
2.通过实际操作，掌握放大器的调测技巧和注意事项。
3.培养分析问题、解决问题的能力，提高实验技能。
二、实验原理晶体管放大器是利用晶体管的放大效应实现对输入信号进行放大的电子器件。
通过合理设计晶体管、电阻、电容等元件的参数，可以实现信号的线性放大、阻抗变换等功能。
根据放大器的工作频率、带宽、增益等性能指标，可以将其分为低频放大器、高频放大器、宽频带放大器等不同类型。
三、实验步骤1.确定放大器的性能指标：根据实验要求，确定放大器的增益、带宽、输出功率等性能指标。
2.选择合适的晶体管：根据性能指标和实际条件，选择合适的晶体管型号和规格。
3.设计电路：根据晶体管的特点和性能指标，设计合适的电路形式和元件参数。
4.搭建电路：按照设计好的电路图，搭建晶体管放大器电路。
5.调测电路：通过调整元件参数和观察波形，实现对放大器的调测和优化。
6.数据记录与分析：记录实验数据，分析误差原因，提出改进措施。
7.撰写实验报告：整理实验数据和结果，撰写实验报告。
四、实验结果与分析1.数据记录：在实验过程中记录了以下数据：输入信号幅度Vim=1mV，输入信号频率f=1kHz，晶体管放大器增益G=20dB，输出信号幅度Voc=2V，输出信号频率f=1kHz。
2.结果分析：通过对实验数据的分析，我们发现该晶体管放大器的增益为20dB，能够实现对输入信号的放大。
同时，输出信号的幅度和频率与输入信号相同，说明放大器具有较好的线性放大特性。
但是，实验中存在一定的误差，如温度变化、元件参数误差等，导致放大器的性能受到一定影响。
为了提高放大器的性能，可以采取以下措施：选用高品质的晶体管和元件；对元件进行精确测量和筛选；优化电路设计等。
五、结论与展望通过本次实验，我们了解了晶体管放大器的基本原理和设计方法，掌握了放大器的调测技巧和注意事项。
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场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)实验2、场效应晶体管参数测量实验二场效应晶体管特性的测量与分析一前言场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。
场效应晶体管是一种电压控制器件。
从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。
场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“单极型”晶体管。
通常用“FET”表示。
场效应晶体管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MISFET）两大类。
目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导体（MOS）三层结构，缩写为MOSFET。
本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检测。
场效应管按导电沟道和工作类型可分为：???耗尽型??n沟????增强型MOSFET???耗尽型?? FET?p沟??增强型?????JFET?n沟?耗尽型???p沟???检测场效应管特性，可采用单项参数测试仪或综合参数测试仪。
同时，场效应管与双极管有许多相似之处，故通常亦采用XJ4810半导体管图示仪检测其直流参数。
本实验目的是通过利用XJ4810半导体管图示仪检测场效应管的直流参数，了解场效应管的工作原理及其与双极晶体管的区别。
二实验原理1. 实验仪器实验仪器为XJ4810图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。
测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即G（栅极）? B（基极）；S（源极）? E（发射极）；D（漏极）? C（集电极）。
值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。
另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。
尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。
因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E接线柱）与机壳相通。
存放时，要将管子三个电极引线短接。
2. 参数定义1）、输出特性曲线与转移特性曲线输出特性曲线（IDS－VDS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1所示。
在曲线中，工作区可分为三部分：I 是可调电阻区（或称非饱和区）；Ⅱ是饱和区；Ⅲ是击穿区。
转移特性曲线为IDS－VDS之间的关系曲线，它反映了场效应管栅极的控制能力。
由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（VGS＞0）并大于0.5V 时，转移特性曲线开始弯曲，如图2-2中正向区域虚线所示。
这是由于栅极正偏引起栅电流使输入电阻下降。
这时如果外电路无保护措施，易将被测管烧毁，而MOS场效应管因其栅极有SiO2绝缘层，所以即使栅极正偏也不引起栅电流，曲线仍向上升，见图2-2所示。
图2-1 n沟耗尽型MOSFET输出特性曲线图2-2 n沟耗尽型MOSFET转移特性曲线2）、跨导(gm)跨导是漏源电压一定时，栅压微分增量与由此而产生的漏电流微分增量之比，即gm??IDS?VGSVDS?C跨导表征栅电压对漏电流的控制能力，是衡量场效应管放大作用的重要参数，类似于双极管的电流放大系数，测量方法也很相似。
跨导常以栅压变化1V时漏电流变化多少微安或毫安表示。
它的单位是西门子，用S表示，1S=1A/V。
或用欧姆的倒数“姆欧”表示，记作“?-1 ”。
3）、夹断电压VP和开启电压VT夹断电压VP是对耗尽型管而言，它表示在一定漏源电压VDS下，漏极电流减小到接近于零（或等于某一规定数值，如50μA）时的栅源电压。
开启电压VT是对增强型管而言。
它表示在一定漏源电压VDS下，开始有漏电流时对应的栅源电压值。
MOS管的夹断电压和开启电压又统称阈值电压。
4）、最大饱和电流（IDSS）当栅源电压VGS=0V、漏源电压VDS足够大时所对应的漏源饱和电流为最大饱和电流。
它反映场效应管零栅压时原始沟道的导电能力。
显然这一参数只对耗尽型管才有意义。
对于增强型管，由于VGS = 0时尚未开启，当然就不会有饱和电流了。
5）、源漏击穿电压（BVDS）当栅源电压VGS为一定值时，使漏电流IDS开始急剧增加的漏源电压值，用BVDS表示。
注意，当VGS不同时，BVDS亦不同，通常把VGS=0V时对应的漏源击穿电压记为BVDS。
6）、栅源击穿电压（BVGS）栅源击穿电压是栅源之间所能承受的最高电压。
结型场效应管的栅源击穿电压，实际上是单个pn结的击穿电压，因而测试方法与双极管BVEBO的测试方法相同。
对MOS管，由于栅极下面的缘绝层是Si02，击穿是破坏性的，因而不能用XJ4810图示仪测量MOS管的BVGS。
三实验步骤与要求本实验所用仪器为XJ4810型半导体管特性图示仪，待测样品为各种场效应晶体管（不同样品袋中的管子不尽相同，实验前需预先断管子类型与管脚属性）。
实验基本步骤：1、首先开机预热10分钟。
2、将光点调到荧光屏刻度坐标的左下角，再进行阶梯信号调零，然后逐项测量各参数。
3、根据待测参数，调好X、Y轴的旋钮所在类型（电流或电压）与档位（数量级）。
4、根据管子的类型，分别对集电极区面板和基极区面板分别进行偏置，这主要包括：a）、极性（正或负）偏置；b）、电压（或电流）大小偏置，注意施加电压安全（先小后大），同时加相应的功耗电阻以保护所测样品。
实验要求每样品袋中各含有MOSFET和JFET样管，分别测量并①将各参数测试条件与测量结果列表，并填入具体数据；②画出各种场效应管输出及转移特性曲线；③根据定义，分析耗尽型、增强型场效应管测量方法的异同点。
四、测量内容：以MOS管为例（如下参数为对3D01管的偏置，并非样品袋的管子）1）、调出输出特性曲线，记下各参数偏置情况并保存曲线结果如：仪器面板各旋钮位置如下：测试台接地选择峰值电压范围功耗电阻X轴作用Y轴作用阶梯极性集电极扫描极性E接地0~50V 正（+）1kΩ集电极电压2V/度集电极电流0.2mA/度负（-）阶梯选择0.2mA/级（若E-B间不接1kΩ电阻，则选用0.2V/级）调节峰值电压旋钮，便可得图2-1所示VGS≤0部分输出特性曲线。
由于耗尽型场效应管栅压可正可负，因而在上述条件下，将阶梯极性由负转换为正，便可得到图示中VGS≥0部分的输出特性曲线。
将正负栅压下的曲线合并便可得到总的输出特性曲线（若无阶梯调零，曲线不能合并?两情况下的图像有重合或分离）。
根据所测量的结果（曲线形状），试作简单说明与分析。
测量各相关参数①IDSS测量（条件：VGS=0V，VDS=10V）在负栅压情况下，取最上面一条输出特性曲线（VGS=0）,取x轴电压VDS=10V时对应的Y轴电流，便为IDSS值。
另一种方法是，将零电流与零电压扳键扳在“零电压”处，荧光屏上只显示VGS=0的一根曲线，可读得VDS=10V时对应的IDSS 值。
这种方法可以避免阶梯调零不准引起的误差。
若E、B间有外接电阻，扳键置于“零电流”档亦可进行IDSS测量。
②gm测量（条件VGS=0V，VDS=10V）gm值随工作条件变化，一般情况下测量最大的gm值，即测量IDS=IDSS时的gm值。
在图2-1中VGS=0的曲线上，对应于VDS=10V 的点，可得gm??IDS?VGS VDS?10V若测量条件中IDS值较大（如3mA），则需利用正栅压下的曲线进行测量。
③Vp测量（条件：IDS=10μA，VDS=10V）利用负栅压时的输出特性曲线，从最上面一条曲线向下数，每两条曲线之间的间隔对应一定的栅压值（例如-0.2V），一直数到IDS=10μA（对应于VDS=10V处，）便可得到VP值。
IDS=10μA是一个小的值，可以通过改变Y轴上电流的量程读取。
④BVDS测量将峰值电压旋钮转回原始位置，电压范围改为0~200V，x轴集电极电压改为5V/度，或10V/度，加大功耗电阻，再调节峰值电压，最下面一条输出特性曲线的转折点处对应的x轴电压，即为BVDS 值。
5BVGS测量○对MOS管而言，栅源击穿是一种破坏性击穿，此处不测量。
若样品袋中包含JFET，则需测量该电压。
若样品袋中含有JFET，需加测此内容。
2）、调出转移特性曲线，记下各参数偏置情况并保存曲线结果转移特性曲线测量的是IDS与VGS的关系，因而需注意另一管脚（漏极）的偏置，此处将VDS偏置为10V（也可试着改变该值，看所测结果是否变化）。
调整方法：将x轴扳回到集电极电压2V/度，光点移至坐标左下角，然后调节峰值电压，便得到输出特性曲线，使VGS=0的最上面一条曲线向右延伸至10V即可。
再将X轴作用扳回“基极电流”（注意此时必须伴有串联电阻，否则被击穿），光点移回右下角，即可得图2-4中VGS≤0部分的曲线，注意在测量过程中，不要再调节峰值电压旋钮。
否则VGS=10V的测量条件将改变。
根据上述的转移特性曲线，可测得IDSS、Vp及gm的值（曲线与坐标右侧线VGS=0的交点为IDSS，曲线斜率为gm，IDS=10μA时对应的VGS值为VP--此时可将Y轴集电极电流拨到0.01mA/度，以便于准确测量VP值（一般用转移特性测量开启电压与夹断电压比较准确、方便）。
将上述结果与1）中获得的结果进行比较，分析异同点。
然后，将阶梯极性转为正，将Y轴集电极电流增大为0.5mA/度，同时将光点移至坐标底线的中点，便得到正栅压时的转移特性。
将栅压分别为负、为正时的曲线合并，便得图功耗电阻取得较大时，正栅压转移特性会出现变平现象。
这是因为管子进入可调电阻区的缘故。
图2-3 n沟耗尽型MOS管的测量接线示意图图2-4 n沟耗尽型MOS管的转移特性曲线篇二：实验二、场效应晶体管(FET)特性参数测量实验二、场效应晶体管（FET）特性参数测量一、实验设备（1）半导体管特性图示仪(XJ4810A 型)，（2）BJT 晶体管（S9014、S8050、S8550），（3）二极管（1N4001）二、实验目的1、熟悉BJT 晶体管特性参数测试原理；2、掌握使用半导体管特性图示仪测量BJT 晶体管特性参数的方法；3、学会利用手册的特性参数计算BJT 晶体管的混合π型EM1 模型参数的方法。
三、MOS 晶体管特性参数的测量原理1、实验仪器实验仪器为场效应管参数测试仪(BJ2922B)，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。