热敏电阻与普通热电阻不同,它具有负的电阻温度特性...s.
大学物理实验-温度传感器实验报告(可编辑修改word版)
关于温度传感器特性的实验研究摘要：温度传感器在人们的生活中有重要应用，是现代社会必不可少的东西。
本文通过控制变量法，具体研究了三种温度传感器关于温度的特性，发现NTC 电阻随温度升高而减小；PTC 电阻随温度升高而增大；但两者的线性性都不好。
热电偶的温差电动势关于温度有很好的线性性质。
PN 节作为常用的测温元件，线性性质也较好。
本实验还利用PN 节测出了波尔兹曼常量和禁带宽度，与标准值符合的较好。
关键词：定标转化拟合数学软件EXPERIMENTAL RESEARCH ON THE NATURE OF TEMPERATURE SENSOR1.引言温度是一个历史很长的物理量，为了测量它，人们发明了许多方法。
温度传感器通过测温元件将温度转化为电学量进行测量，具有反应时间快、可连续测量等优点，因此有必要对其进行一定的研究。
作者对三类测温元件进行了研究，分别得出了电阻率、电动势、正向压降随温度变化的关系。
2.热电阻的特性2.1实验原理2.1.1Pt100 铂电阻的测温原理和其他金属一样，铂(Pt)的电阻值随温度变化而变化,并且具有很好的重现性和稳定性。
利用铂的此种物理特性制成的传感器称为铂电阻温度传感器，通常使用的铂电阻温度传感器零度阻值为100Ω（即Pt100）。
铂电阻温度传感器精度高，应用温度范围广，是中低温区（- 200℃～650℃）最常用的一种温度检测器，本实验即采用这种铂电阻作为标准测温器件来定标其他温度传感器的温度特性曲线，为此，首先要对铂电阻本身进行定标。
按IEC751 国际标准，铂电阻温度系数TCR 定义如下：TCR=(R100-R0)/(R0×100) (1.1)其中R100 和R0 分别是100℃和0℃时标准电阻值（R100=138.51Ω，R0=100.00Ω），代入上式可得到Pt100 的TCR 为0.003851。
Pt100 铂电阻的阻值随温度变化的计算公式如下：Rt=R0[1+At+B t2+C(t-100)t3] (-200℃<t<0℃) (1.2)式中Rt 表示在t℃时的电阻值，系数A、B、C 为：A=3.908×10 ‒ 3℃ ‒ 1；B=-5.802×10 ‒ 7℃ ‒ 2；C=-4.274×10 ‒ 12℃ ‒ 4。
(完整版)传感器试题填空题和简答题整理
一：填空题（每空1分）1.依据传感器的工作原理，传感器分敏感元件，转换元件，测量电路三个部分组成。
2.半导体应变计应用较普遍的有体型、薄膜型、扩散型、外延型等。
3.光电式传感器是将光信号转换为电信号的光敏元件，根据光电效应可以分为外光电效应，内光电效应，热释电效应三种。
4.光电流与暗电流之差称为光电流。
5.光电管的工作点应选在光电流与阳极电压无关的饱和区域内。
6.金属丝应变传感器设计过程中为了减少横向效应，可采用直线栅式应变计和箔式应变计结构。
7.反射式光纤位移传感器在位移-输出曲线的前坡区呈线性关系，在后坡区与距离的平方成反比关系。
8.根据热敏电阻的三种类型，其中临界温度系数型最适合开关型温度传感器。
9.灵敏度是描述传感器的输出量对输入量敏感程度的特性参数。
其定义为：传感器输出量的变化值与相应的被测量的变化值之比，用公式表示 k（x）=Δy/Δx 。
10.线性度是指传感器的输出量与输入量之间是否保持理想线性特性的一种度量。
按照所依据的基准之线的不同，线性度分为理论线性度、端基线性度、独立线性度、最小二乘法线性度等。
最常用的是最小二乘法线性度。
11.根据敏感元件材料的不同，将应变计分为金属式和半导体式两大类。
12.利用热效应的光电传感器包含光---热、热---电两个阶段的信息变换过程。
13.应变传感器设计过程中，通常需要考虑温度补偿，温度补偿的方法电桥补偿法、计算机补偿法、应变计补偿法、热敏电阻补偿法。
14.应变式传感器一般是由电阻应变片和测量电路两部分组成。
15.传感器的静态特性有灵敏度、线性度、灵敏度界限、迟滞差和稳定性。
16.在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，入射光强改变物质导电率的物理现象称为内光电效应。
17.光电管是一个装有光电阴极和阳极的真空玻璃管。
18.光电管的频率响应是指一定频率的调制光照射时光电输出的电流随频率变化的关系，与其物理结构、工作状态、负载以及入射光波长等因素有关。
实验三NTC和PTC热敏电阻温度特性的研究
实验三NTC和PTC热敏电阻温度特性的研究温度传感器是最早开发、应用最广的一类传感器。
温度传感器种类很多，典型的热电式传感器有热电偶、热电阻和热敏电阻。
热敏电阻对于温度变化非常敏感，将其运用于非平衡电桥中，可将温度及与温度相关的非电量转化为电参量的变化，因此被广泛应用于自动化控制、温度测量技术、遥控等方而。
热敏电阻由半导体材料制成，它的电阻温度系数比金属的大几百倍，有着极其灵敏的电阻温度效应，同时它还具有体积小、反应快等优点。
热敏电阻按照温度系数的不同分为：正温度系数热敏电阻（简称PTC热敏电阻）和负温度系数热敏电阻（简称NTC热敏电阻）。
NTC热敏电阻是Negative Temperature Coefficient的缩写，意思是负温度系数热敏电阻。
图3-1环氧封装系列\TC热墩电阻图3-2菠璃封装系列NTC热敏迫阻NTC热敏电阻的阻值随着NTC热敏电阻本体温度的升高呈现出阶跃性的减小，温度越高，电阻值越小。
它是以锈、钻、線和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的，如图3-1、图3-2所示。
这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因此在导电方式上完全类似错、硅等半导体材料。
温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和空穴）数目少，所以英电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。
NTC热敏电阻器在室温下的变化范囤在100~1000000欧姆。
NTC热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合。
PTC热敏电阻是Positive Temperature Coefficient的缩写，意思是正的温度系数。
PTC 热敏电阻超过一左的温度（居里温度）时，它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增髙。
PTC 热敏电阻除测温、控温、在电子线路中作温度补偿外，还制成各类加热器，有机高分子PTC 热敏电阻适合作为电路保护元件（如过载保护）。
热电阻特性实验报告
一、实验目的1. 了解热电阻的基本原理和测温原理。
2. 学习使用惠斯通电桥测量热电阻的电阻值。
3. 掌握热电阻的温度特性曲线测量方法。
4. 分析热电阻的温度系数及其影响因素。
二、实验原理热电阻是一种温度敏感元件，其电阻值随温度变化而变化。
根据温度系数的不同，热电阻可分为正温度系数热敏电阻（PTC）和负温度系数热敏电阻（NTC）。
本实验主要研究NTC热电阻的特性。
热电阻的电阻值与温度之间的关系可以用以下公式表示：\[ R(T) = R_0 \cdot e^{\beta \cdot (1/T - 1/T_0)} \]其中，\( R(T) \) 为温度为 \( T \) 时的电阻值，\( R_0 \) 为参考温度\( T_0 \) 时的电阻值，\( \beta \) 为温度系数。
实验中，我们通过改变环境温度，测量不同温度下的热电阻电阻值，并绘制温度-电阻曲线，从而分析热电阻的温度特性。
三、实验仪器与材料1. 热电阻（NTC）2. 惠斯通电桥3. 直流稳压电源4. 温度计5. 导线6. 数据采集器四、实验步骤1. 将热电阻接入惠斯通电桥的测量电路中。
2. 调节直流稳压电源，使电路中的电流稳定。
3. 读取温度计的温度值，并记录。
4. 读取电桥的输出电压值，并记录。
5. 根据输出电压值，计算热电阻的电阻值。
6. 改变环境温度，重复步骤3-5，得到一系列温度-电阻数据。
7. 绘制温度-电阻曲线。
五、实验结果与分析根据实验数据，绘制了温度-电阻曲线，如图1所示。
图1 温度-电阻曲线从图1可以看出，热电阻的电阻值随温度升高而降低，符合NTC热电阻的特性。
在实验温度范围内，热电阻的温度系数约为 \( \beta = -0.005 \)。
此外，我们还分析了以下影响因素：1. 温度范围：实验结果表明，在-20℃至80℃的温度范围内，热电阻的温度特性较为稳定。
2. 环境温度：环境温度的变化会影响热电阻的测量精度，因此在实验过程中应尽量保持环境温度稳定。
金属热电阻和热敏电阻的不同
金属热电阻和热敏电阻的不同金属热电阻和热敏电阻是两种常见的温度传感器，它们在测量温度方面有着不同的特点和应用。
本文将从原理、结构、特性等方面对金属热电阻和热敏电阻进行比较，以帮助读者更好地理解它们的区别。
我们来看看金属热电阻。
金属热电阻是利用金属导体的电阻随温度变化的特性来测量温度的。
金属热电阻的原理是根据电阻的温度特性来推算温度。
当温度升高时，金属导体的电阻值会随之增加；反之，当温度降低时，电阻值会减小。
这种特性使得金属热电阻成为一种精确测量温度的传感器。
金属热电阻的结构一般由金属导体和外壳组成。
金属导体通常采用铂、镍、铜等材料，其电阻值与温度之间呈线性关系。
外壳则用于保护金属导体，并提供机械强度。
金属热电阻的工作原理是通过测量导体两端的电压来计算电阻值，进而推算温度。
金属热电阻具有许多优点，例如精度高、稳定性好、线性范围广等。
它们通常在工业自动化、航天航空、电力电子等领域被广泛应用。
然而，金属热电阻也存在一些局限性，比如响应速度较慢、抗振动能力较差等。
接下来，我们来看看热敏电阻。
热敏电阻是利用材料的电阻随温度变化的特性来测量温度的。
热敏电阻的原理是根据材料的电阻温度系数来推算温度。
当温度升高时，热敏电阻的电阻值会随之减小；反之，当温度降低时，电阻值会增加。
这种特性使得热敏电阻成为一种简单、经济的温度传感器。
热敏电阻的结构一般由敏感材料和外壳组成。
敏感材料通常采用氧化物陶瓷材料，如氧化锌、氧化镁等。
外壳的作用是保护敏感材料，并提供机械强度。
热敏电阻的工作原理是通过测量材料两端的电压或电流来计算电阻值，进而推算温度。
热敏电阻具有一些优点，例如成本低、响应速度快、体积小等。
它们通常在家电、汽车、医疗设备等领域得到广泛应用。
然而，热敏电阻也存在一些缺点，比如精度较低、稳定性差等。
金属热电阻和热敏电阻在测量温度方面有着不同的特点和应用。
金属热电阻通过测量金属导体的电阻值来推算温度，具有高精度和稳定性好的优点；而热敏电阻则通过测量材料的电阻值来推算温度，具有低成本和快速响应的优点。
电阻
电阻定义：物质对电流的阻碍作用就叫该物质的电阻。
电阻计算的公式串联：R=R1+R2+R3+……+R n并联：1/R=1/R1+1/R2+……+1/R n定义式：R=U/I决定式：R=ρL/S(ρ表示电阻的电阻率，是由其本身性质决定，L表示电阻的长度，S表示电阻的横截面积)电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧电阻元件的电阻值大小一般与温度、导体长度、粗细、材料有关。
衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。
作用主要职能就是阻碍电流流过，应用于限流、分流、降压、分压、负载与电容配合作滤波器及阻匹配等.数字电路中功能有上拉电阻和下拉电阻。
一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。
如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。
2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。
3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
三、主要特性参数1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。
热敏电阻温度特性研究
实验报告实验名称：热敏电阻温度特性研究学院：班级：姓名：学号：一、实验目的及要求了解热敏电阻的电阻—温度特性及测温原理，学习惠斯通电桥的原理及使用方法，学习坐标变换、曲线改直的技巧。
二、实验器材热敏电阻测温实验装置包括：自耦调压器、待测热敏电阻和温度计、直流单臂电桥、电压源、滑线变阻器（2个）、四线电阻箱（3个）、检流计、单刀开关。
有关器材的一些注意事项：1.实验开始时，加热电压不宜太高。
因为实验过程中，既要观察温度的变化，又要调节电桥平衡，操作有一定难度。
待操作熟练后，可适当加大电压，让温度升高的快些。
2.实验完成后，一定要将电池按钮开。
当电桥达到平衡时，检流计中电流为零。
在使用检流计时，要注意保护检流计，不要让大电流通过检流计。
3.实验完毕后，为了保护检流计，请松开“电计”和“短路”按钮，并将档位旋钮打到“红点”位置。
三、实验原理1.半导体热敏电阻的电阻—温度特性热敏电阻的电阻值与温度的关系为：A，B是与半导体材料有关的常数，T为绝对温度，根据定义，电阻温度系数为：R t是在温度为t时的电阻值。
2.惠斯通电桥的工作原理,如图所示：四个电阻R1，R2，R3，R x组成一个四边形，即电桥的四个臂，其中R x就是待测热敏电阻。
在四边形的一对对角A和C之间连接电源，而在另一对对角B和D之间接入检流计G。
当B和D两点电位相等时，G中无电流通过，电桥便达到了平衡。
平衡时必有R x=(R2/R1)·R3，(R2/R1)和R3都已知，R x即可求出。
电桥灵敏度的定义为：式中△R x指的是在电桥平衡后R x的微小改变量，△n越大，说明电桥灵敏度越高。
四、实验内容1.用箱式电桥研究热敏电阻温度特性(1)使用内接电源和内接检流计,按照实验电路图连线。
(2)线路连接好以后，检流计调零。
(3)调节直流电桥平衡。
(4)测量并计算出室温时待测热敏电阻值R x，微调电路中的电阻箱，测量并根据电桥灵敏度公式:S=△n/(△Rx/Rx)或S=△n/(△R0/R0)，计算出室温时直流电桥的电桥灵敏度。
热电偶热电阻的区别.
热电偶/热电阻的区别热电偶是一种测温度的传感器，与热电阻一样都是温度传感器，但是他和热电阻的区别主要在于：一、信号的性质，热电阻本身是电阻，温度的变化，使电阻产生正的或者是负的阻值变化；而热耦，是产生感应电压的变化，他随温度的改变而改变。
二、两种传感器检测的温度范围不一样，热阻一般检测0-150度温度范围，最高测量范围可达600度左右（当然可以检测负温度）。
热耦可检测0-1000度的温度范围（甚至更高）所以，前者是低温检测，后者是高温检测。
三、从材料上分，热阻是一种金属材料，具有温度敏感变化的金属材料，热耦是双金属材料，既两种不同的金属，由于温度的变化，在两个不同金属丝的两端产生电势差。
四、PLC 对应的热电阻和热电偶的输入模块也是不一样的，这句话是没问题，但一般PLC 都直接接入4～20ma 信号，而热电阻和热电偶一般都带有变送器才接入PLC 。
要是接入DCS 的话就不必用变送器了！热电阻是RTD 信号，热电偶是TC 信号！五、PLC 也有热电阻模块和热电偶模块，可直接输入电阻和电偶信号。
六、热电偶有J 、T 、N 、K 、S 等型号，有比电阻贵的，也有比电阻便宜的，但是算上补偿导线，综合造价热电偶就高了。
热电阻是电阻信号, 热电偶是电压信号。
七、热电阻测温原理是根据导体（或半导体）的电阻随温度变化的性质来测量的，测量范围为负00~500度，常用的有铂电阻(Pt100、Pt10 、铜电阻Cu50（负50-150度）。
热电偶测温原理是基于热电效应来测量温度的，常用的有铂铑——铂（分度号S ，测量范围0~1300度）、镍铬——镍硅（分度号K ，测量范围0~900度）、镍铬——康铜（分度号E ，测量范围0~600度）、铂铑30——铂铑6（分度号B ，测量范围0~1600度）。
热电偶与热电阻均属于温度测量中的接触式测温, 尽管其作用相同都是测量物体的温度, 但是他们的原理与特点却不尽相同.首先, 介绍一下热电偶, 热电偶是温度测量中应用最广泛的温度器件, 他的主要特点就是测温范围宽, 性能比较稳定, 同时结构简单, 动态响应好, 更能够远传4-20mA 电信号, 便于自动控制和集中控制。
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数字式热敏电阻温度计一、热敏电阻温度转换的原理：热敏电阻是近年来发展起来的一种新型半导体感温元件。
由于它具有灵敏度高、体积小、重量轻、热惯性小、寿命长以及价格便宜等优点，因此应用非常广泛。
负系数热敏电阻热敏电阻与普通热电阻不同，它具有负的电阻温度特性，当温度升高时，电阻值减小，其特性曲线如下：热敏电阻的阻值---温度特性曲线是一条指数曲线，非线性度较大，因此在使用时要进行线性化处理，线性化处理虽然能改善热敏电阻的特性曲线，但比较复杂。
为此常在要求不高的一般应用中，作出在一定的温度范围内温度与阻值成线性关系的假定，以简化计算。
热敏电阻的应用是为了感知温度为此给热敏电阻以恒定的电流，测量电阻两端就得到一个电压，然后就可以通过下列公式求得温度：其中：T------被测温度------与热敏电阻特性有关的温度参数K-----与热敏电阻特性有关的系数------热敏电阻两端的电压根据这一公式，如能测得热敏电阻两端的电压，再知道参数和系数K，则可计算出热敏电阻的环境温度，也就是被测的温度。
这样就把电阻随温度的变化关系转化为电压温度变化的关系了。
数字式电阻温度计设计工作的主要内容，就是把热敏电阻两端电压值经A/D转换变成数字量，然后通过软件方法计算得到温度值，再进行显示等处理。
二、应用元件:1、热敏电阻RT串上一个普通电阻R再接电源+5V，取RT电压经送A/D转换器转换。
2、使用ADC0809进行A/D转换。
A/D转换器的任务是将输入的模拟信号电压转换为输出的数字量。
A/D转换的过程是首先对输入的模拟电压信号取样，然后进入保持时间。
在这段时间内将取样的电压量化为数字量，按一定的编码方式输出转换结果。
完成这样的一次转换后重新开始下一次取样，进行新一轮的转换。
ADC0809的转换启动信号（START）和地址锁存信号（ALE）连接在一起，由信号控制地址写入，进行通道的选择，按图中情况，通道的地址为4000H，转换后的数据以定时传送方式80C51，所以要运行一个100 的延时子程序，以等待A/D转换完成进行数据的读操作，为此口地址和RD信号相与后送OE，当有效时，转换数据送上数据总线，由80C51接收。
ADC0809是采用CMOS工艺制成的单片8位8通道琢次渐近型模/数转换器,其逻辑框图及引脚排列器件的核心部分8位A/D转换器,它由比较器,逐次渐近寄存器,D/A 转换器及控制和定时5部分组成.ADC0809的引脚功能说明如下:8路模拟信号输入端.地址输入端.ALE: 地址锁存允许输入信号,在此脚施加正脉冲,上升沿有效,此时锁存地址码,从而选通相应的模拟信号通道,以便进行A/D转换. START: 启动信号输入端.当此引脚施加正脉冲,在上升沿到达时,内部逐次逼近寄存器复位;在下降沿到达后,开始A/D转换过程.EOC: 转换结束输出信号(转换结束标志),高电平有效.OE: 输入允许信号,高电平有效.CLOCK(CP): 时钟信号输入端,外接时钟频率一般为640KHZ.(1)模拟量输入通道选择.8路模拟开关由3个地址输入端来选通8路模拟信号中的任何一路并进行A/D转换.本试验采用一路输入(2)D/A转换过程在启动端(START)加启动脉冲(正脉冲),D/A转换即开始工作.如将启动端(START)与转换结束端(EOC)直接相连,转换将是连续的,在用这种转换方式时,开始应在外部加启动脉冲.3、八位D型锁存器74LS373 74LS373的逻辑图和引脚排列图如下由图可见它是三态输出结构，为输出使能控制信号端，当为低电平时，8个输出三态门导通；当为高电平时，输出三态门为高阻态。
74LS373内部集成有8位D型锁存器，1D，2D，```````8D是8个数据输入端，CP是锁存控制信号。
在输出使能信号=0情况下，若CP为高电平，输出Q跟随输入数据D变化而变化，即D=0，Q=0，D=1，Q=1，若CP为低电平，输出Q的状态被锁存在CP变0之前时刻各相应数据输入端的电平上，当=1时，输出虽然为高阻态，已有的锁存数据仍然保留，新的数据也可以进入，因而输出使能信号不影响内部锁存功能。
D型锁存器的组成和工作原理如下:两个与或非门交叉耦合构成基本RS触发器,当CP为高电平1时,D=1,,Q=1;同样,CP=1,D=0,Q=0.输出Q的状态随D端数据变化而变化,相当D端数据直接输出至Q端一样,即所谓透明.当CP变为低电平0时,对与或非门构成的基本RS触发器的状态不产生影响,Q端状态仍维持CP变为低电平之前D的状态.此后即使D端数据变化,由于CP=0,Q端的状态也不变,实现锁存功能..该D型锁存器又称为D型透明锁存器.如下图所示:4、2/4线74LS139译码器二进制译码器当有n个输入端(n位二进制代码)时,需要有个输出端,译码器还有使能控制端.当使能控制端有效时,对应每一组输入代码,只有其中一个输出端为有效电平,其余输出端则为相反电平.以2/4线译码器为例来说明二进制译码器的工作原理.(1)列出译码器功能表.n=2,译码器有两个输入(3)根据逻辑式画出电路图,如图当,其他输出均为1;即对应于每一组输入二进制代码,只有一个输出信号为0,其他都为1,实现了译码功能2/4线74LS139译码器的外引线排列图如下:.5、80C51芯片分析如下：系统特点：80C51中非总线单片机在片程序存储器容量较小，大多不超过4K字节。
但仍保留了80C51系列单片机主要片内资源及CPU外围功能电路。
在程序量不大，不需并行外围扩展的应用系统，应优先选用非总线型单片机。
应用系统中所需的外围器件和外设接口可通过虚拟串行总线进行扩展。
最小系统还应充分使用I/O口的驱动能力和模拟比较器功能。
引脚功能说明：Vss：电源地Vcc: 电源引脚。
正常操作、空闲、掉电以及对EPROM编程或校验工作电压。
2.7~6.0V(89C5X、89C5XX2电源电压一般为5.0V)P0.0~P0.7:P0口：作为I/O口使用时，P0口是漏极开路双向口，向口锁存器写入1，I/O引脚将悬空，开作高阻输入引脚；在读写外部存储器时，P0口作为“低8位地址/数据”总线使用P1.0~P1.7:P1口：内部带有弱上拉的双向I/0口，作为输入引脚使用前，先向P1口锁存器写入1，使P1口引脚被上拉为高电平P1.0、P1.1引脚除了作为一般I/O引脚使用外，还具有第二输入/输出功能：T2（P1.0）——定时器T2的计数输入端或定时器T2的时钟输出端T2EX（P1.1）——定时器T2外部触发输入端P1.2：接入一个7047再接一个发光二极管，再接一个300◎的电阻，该电阻时为了限制从＋5V流下的电流，避免发光二极管因电流过大而烧坏。
当P1.2输出低电平时，则发光二极管发亮，与此同时与它相连的光敏三极管的基极立即受感应，则基极有电，继电器J相当于开关。
P1.3：是为了输出报警信号，300P2.0~P2.7:P2口：内部带有弱上拉的双向I/O口，作为输入引脚使用前，先向P2口锁存器写入1，使P2口引脚被上拉为高电平在读写外部存储器时，P2口输出高8位地址A15~A8 P3.0~P3.7:P3口：内部带有弱上拉的双向I/O口，作为输入引脚使用前，先向P3口锁存器写入1，使P3口引脚被上拉为高电平P3口除了可作为一般I/O引脚使用外，还具有第二输入/输出功能：RXD（P3.0）——串行数据接收（输入）端TXD（P3.1）——串行数据发送（输出）端INTO（P3.2）——外中断0输入端INT1（P3.3）——外中断1输入端T0（P3.4）——定时/计数器T0的外部输入端T1（3.5）——定时/计数器T1的外部输入端WR（P3.6）——外部数据存储器写选通信号，低电平有效RD（3.7）——外部数据存器读选通信号，低电平有效RST：复位信号输入端，高电平有效ALE：低8位地址锁存信号。
在访问外部存储器时，用ALE 信号下降沿锁存从P0口输出的低8位地址信息A7～A0，以便随后将P0作为数据总线使用在正常情况下ALE输出信号恒定为1/6振荡频率，并可用作为外部始终或定时信号。
注意每次访问外部数据时一个ALE脉冲将被忽略，ALE可以通过置位SFR 的auxliary.0禁止ALE输出，这样ALE只能在执行MOVX指令时为激活PSEN：外部程序存储器读选通信号，低电平有效。
从外部程序存储器取指令时，没个机器周期PSEN信号被激活两次。
只有执行外部程序存储器中的指令时，PSEN有效，而其他操作PSEN无效EA/VPP：外部程序存储器选择信号，低电平有效。
在复位期间CPU检测并锁存EA／Vpp引脚电平状态，当发现该引脚为高电平时，从片内存储器取指令，只有当程序计数器PC超出片内程序存储器地址范围时，才转到外ROM中取指令;当该引脚为低电平时，一律从外部程序存储器中取指令XTAL1：片内晶振电路反相放大器输入端XTAL2：片内晶振电路反相放大器输出端80C51是INTEL公司MCS-51系列单片机中最基本的产品，它采用INTEL公司可靠的CHMOS工艺技术制造的高性能8位单片机，属于标准的MCS-51的HCMOS产品。
它结合了HMOS的高速和高密度技术及CHMOS的低功耗特征，它继承和扩展了MCS-48单片机的体系结构和指令系统。
80C51内置中央处理单元、128字节内部数据存储器RAM、32个双向输入/输出(I/O)口、2个16位定时/计数器和5个两级中断结构，一个全双工串行通信口，片内时钟振荡电路。
此外，80C51还可工作于低功耗模式，可通过两种软件选择空闲和掉电模式。
在空闲模式下冻结CPU而RAM定时器、串行口和中断系统维持其功能。
掉电模式下，保存RAM数据，时钟振荡停止，同时停止芯片内其它功能。
80C51有PDIP(40pin)和PLCC(44pin)两种封装形式。
6、LED 显示：LED是发光二极管的缩写。
LED显示器是由发光二极管构成的，所以在显示器前面冠以“LED ”。
LED显示有理LED显示器由7个发光二极管组成，因此也称之为7段LED显示器，其排列形状如下：此外，显示器中还有一个圆点型发光二极管（在图中以dp表示），用于显示小数点。
通过7段发光二极管共有两种连接方法：共阳极接法把发光二极管的阳极连在一起构成公共阳极。
使用时公共阳极接+5V。
这样阴极端输入低电平的段发光二极管就导通点亮。
共阴极接法把发光二极管的阴极连在一起构成公共阴极。
使用时公共阴极接地，这样阳极端输入高电平的段发光二极管就导通点亮，而输入低电平的则不点亮。
使用LED显示器时要注意区分这种不同的接法。
为了显示数字或符号，要为LED显示器提供代码，因为这些代码是为显示字形的，因此称之为字形代码。
7段发光二极管，再加上一个小数点位，共计八段。