SK贴片二极管规格书
ss56贴片二极管的参数
ss56贴片二极管的参数摘要：1.SS56 贴片二极管的概述2.SS56 贴片二极管的主要参数3.SS56 贴片二极管的封装形式4.SS56 贴片二极管的正负极区分5.SS56 贴片二极管的替代型号正文：SS56 贴片二极管是一款常见的贴片二极管，具有体积小、性能稳定等特点，广泛应用于各种电子设备中。
本文将从SS56 贴片二极管的参数、封装形式、正负极区分以及替代型号等方面进行详细介绍。
首先，我们来了解SS56 贴片二极管的主要参数。
SS56 贴片二极管的正向压降约为0.55V，最大直流阻断电压为40V，最大正向平均整流电流为1.0A。
此外，其反向恢复时间非常短，仅为10ns 以下，这使得SS56 贴片二极管在高频应用中性能优异。
其次，我们来看看SS56 贴片二极管的封装形式。
SS56 贴片二极管有多种封装形式，如SMA、SMB、SMC 等。
其中，SMA 封装形式的SS56 贴片二极管具有较小的体积，适用于高密度安装的场合。
接下来，我们来探讨一下SS56 贴片二极管的正负极区分。
一般来说，贴片二极管的正极（阳极）标记为“A”，负极（阴极）标记为“K”。
在实际应用中，要根据电路需求正确连接二极管的正负极，以确保电路正常工作。
最后，我们来介绍一下SS56 贴片二极管的替代型号。
如果您无法购买到SS56 贴片二极管，可以考虑使用与其参数相似的其他型号的贴片二极管替代。
在选择替代型号时，应注意确保替代型号的参数与原型号相近，以保证电路性能不受影响。
综上所述，SS56 贴片二极管是一款性能稳定、体积小巧的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
ss560贴片二极管的参数
ss560贴片二极管的参数
SS560贴片二极管是一种肖特基二极管，其参数主要包括：
1.电流：额定正向平均电流为5A（即5安培）。
这是二极管可以安全承受的最大正向电
流。
2.电压：反向重复峰值电压为60V（即60伏特）。
这是二极管在反向偏置时可以承受的
最大电压。
3.封装形式：通常采用DO-214AC封装，也可能有其他封装形式，如SMBF等。
封装形式
决定了二极管的物理尺寸和引脚布局。
4.工作温度范围：一般在-55℃～+150℃之间。
这是二极管可以正常工作的温度范围。
此外，SS560还可能具有快速开关特性、低正向压降等特点，适用于各种需要高效率、低损耗的电路应用。
BAT54WS贴片肖特基二极管规格书
2.75(0.108) 2.30(0.091)
1.80(0.071) 1.60(0.063)
2.75(0.108) 2.30(0.091)
1.80(0.071) 1.60(0.063)
MECHANICAL DATA
0.4(0.016) .25(0.010) .177(.007) .089(.003) 1.00(.040) 0.80(.031) 0.1(0.004) MIN .305(0.012) .295(0.010)
.72(0.028) .69(0.027)
.08(.003) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Marking: L9
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT-IF(A)
FIG. 1- MAX.FORWARD VOLTAGE DROP CHARACTERISTICS(PER LEG)
1 1
FIG. 2-TYPICAL VALUES OF REVERSE CURRENT VS REVERSE VOLTAGE (PER LEG)
SYMBOLS SYMBOLS
LIMITS 21 100 200 300 600 200 625 125 -65 to +150 30
UNITS V mA mA mA mA mW K/W C C V
VR IO IFM IFRM IFSM Pd RΘJA Tj TSTG VRM
Min. 30
Typ.
ss14贴片二极管的参数代换
ss14贴片二极管的参数代换SS14贴片二极管是一种高速二极管，广泛应用于电源管理、逆变器、电动工具和家用电器等领域。
在进行参数代换时，我们需要了解SS14贴片二极管的主要参数，然后根据实际需求替换相应的参数。
下面将详细介绍SS14贴片二极管的主要参数代换。
1.最大正向电压（VFmax）：通常情况下，SS14贴片二极管的VFmax参数为1V。
如果需要替换该参数，我们可以选择其他具有相似VFmax值的二极管。
比如，比较常用的1A系列二极管，如1N4001、1N4002等也具有1V的VFmax，可以作为替代品。
2.平均整流电流（IFAV）：SS14贴片二极管的IFAV参数为1A。
如果需要更高的整流电流，我们可以选择其他具有更大IFAV值的二极管，比如1N5401(3A)、1N5402(4A)等，或通过并联多个SS14贴片二极管来实现更高的整流电流。
3.最大峰值电流（IFSM）：SS14贴片二极管的IFSM参数为30A。
如果需要更大的峰值电流，我们可以选择具有更大IFSM值的二极管，比如1N5817(1A)，它的IFSM为30A。
4.正向电流（IF）：SS14贴片二极管的正向电流为1A。
如果需要更低的正向电流，我们可以选择具有更小IF值的二极管。
例如，1N914或1N4148是常见的小信号二极管，它们的IF值通常在100mA以下，可以作为SS14的替代品。
5.正向功率损耗（Ptot）：SS14贴片二极管的Ptot参数为1W。
如果需要更高的功率承受能力，我们可以选择具有更大Ptot值的二极管。
例如，1N5401和1N5402的Ptot分别为3W和5W，可以用作更高功率的替代品。
6.反向击穿电压（VRWM）：SS14贴片二极管的VRWM参数为40V。
如果需要更大的反向击穿电压，我们可以选择具有更大VRWM值的二极管。
例如，1N4001和1N4002的VRWM分别为50V和100V，可以作为更高反向击穿电压的替代品。
二极管、三极管参数
"*" Trr TEST @ IF=1.0A, VR=30V, di/dt=50A /μs "△" Trr TEST @ IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A]The device number listed have a standard tolerance on the nominal Zener voltage of "*" Trr TEST @ IF=1.0A, VR=30V, di/dt=50A /μs "△" Trr TEST @ IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A]型号内部结构D80-004152500。
5540〈10共阴对管D82-004151500。
7045〈10---------C93-42303500。
4580〈10---------MBR1035101000。
5035〈10MBR1045101000。
5045〈10MBR1055101000。
5055〈10MBR1535151500。
5035〈10MBR1545151500。
6545〈10MBE1555151500。
7055〈10MBR2535253000。
7035〈10MBR3035303000。
7035〈10MBR3045303000。
7045〈10MBR3055303000。
7055〈10NUR6356600。
6035〈25SE50A25505000。
525〈30SE50A45505000。
5845〈30SE50A5510010000。
7355〈30SE100A4510010000。
7045〈30SE100A5510010000。
7355〈30EBC81-042。
61200。
5540〈45EBC84-0931200。
990〈45EB81-0095800。
990〈45EK031400。
5530〈30EK041400。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
二三极管规格书
2SD1626 2SD2170 BCV26 BCV27 BCV46 BST50 BST51 M M B TA 1 3 LT 1 M M B TA 1 4 LT 1 M M B TA 6 3 LT 1 M M B TA 6 4 LT 1 M M B TA 9 2 M M B TA 4 2 MMBT4403 MMBT4401 M M B TA 5 5 M M B TA 5 6 MMBT9013
复合三极管
1MD3A 1MX1 1MX2 1MX3 1MX4 1MX5 1MX6 1MX7 1MX8 1MX6 1MZ1A UMX1N UMX2N Rn1502 UMG6 UMG8 Xn2501 Xn4300 Xn4401 Xn4501 Xn4601 ……
带电阻三极管
D TA 11 4 E K A D TA 11 4 T K A D TA 1 4 3 E K A D TA 1 4 3 T K A D TA 1 4 3 X K A D TA 1 4 4 E K A D TA 1 4 4 T K A D TA 1 4 4 K X A D T C 11 4 E K A D T C 11 4 T K A D T C 11 4 E K A OTC124EKA DTK124TKA OTK143EKA DTK143TKA DTK143XKA DTK144EKA DTK144TKA DTK144XKA D TA 1 2 4 E K A D TA 1 2 4 T K A D TA 1 2 4 X K A D T B 11 4 E K A OTB123YKA O T D 11 4 E K A DTD123TKA DTD143TKA ……
PHILIPS
B B… B C V… B F… P M B T… B Z X 8 4… B A T… 系 列
SS24(DO-214AC SMA)肖特基二极管规格书
DO - 214AC(SMA)
0.071(1.80) 0.055(1.40) 0.177(4.20) 0.157(3.90)
0.106(2.70) 0.098(2.50)
0.012(0.305) 0.006(0.152) 0.087(2.22) 0.078(1.98) 0.060(1.52) 0.030(0.76) 0.008(0.203)MAX 0.222(5.65) 0.196(4.98)
SS22 THRU SS210
2.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE: 20 to 100 VOLTS
FEATURES
. For surface mounted applications . Metal silicon junction,majority carrier conduction . Low power loss,high efficiency . Built-in strain relief,ideal for automated placement . High forward surge current capability . High temperature soldering guaranteed: 250℃/10 seconds at terminals . The plastic material carries U/L recognition 94V-O
20 0 1.0 10 Number of Cycles at 60HZ 100
0
Lead Temperatrue(℃)
FIG. 3 -- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTIC
ss16二极管参数
ss16二极管参数
SS16是一种肖特基二极管，属于DO-214AC封装。
其主要特点包括正向导通压降小、反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速的半导体器件。
以下是SS16二极管的主要参数：
反向重复峰值电压（VRRM）：60 V
连续正向电流（IF）：1 A
非重复峰值正向电流（IFSM）：25 A
正向电压降（VF）： V（连续正向电流为1 A）
反向漏电流（IR）：300 μA（环境温度为25 ℃）
结电容（Cj）：80 pF
反向方均根电压（VR(RMS)）：42 V
封装：SMA
工作温度和存储温度范围：-55℃ to +150℃
DO-214AC封装尺寸：黑胶长最高值，最低值；总长最高值，最低值；宽最高值，最低值；高最高值，最低值。
这些参数为SS16二极管的基本性能提供了全面的概述，可以作为电路设计和应用时参考的依据。
如需了解更多关于SS16二极管的信息，建议查阅SS16二极管规格书或咨询专业人士。
PIN二极管规格参数 SOT-23
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电话：
南京南山半导体有限公司－样品申请单
技术支持：
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电邮：Service@
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公司名称
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姓名：
电话：
传真：
职务： 手机：
网址：
□技术 □采购 □贸易商 邮箱：
元器件明细资料
元器件名称 型号及封装
标记
A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ
公制尺寸(mm)
Min
Max
0.900
1.150
0.000
0.100
0.900
1.050
0.300
0.500
0.080
0.150
2.800
3.000
1.200
1.400
2.250
2.550
0.950TYP
1.800
单机用量 申请数量 备注
预计生产情况
预计小批量生产时间：
规模生产时间：
样品申请时间：
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写，可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送，并请客户将此单打印盖章后 邮件至：Service@nsc。 。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，及时确定该样品申请是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后，南京公司有现货24小时内发出，如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2 周。 5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量规定：单个型号5～20pcs， 或按单机数量2～5套。 6、特别说明：由于体制约束等不确定因素，我们并不保证样品数量和型号完全符合要求，也不承诺一定按期 交出。
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B5817W THRU B5819W
SCHOTTKY DIODE
Case : Molded plastic body
Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity : Polarity symbols marked on case
Marking : B5817W:SJ, B5818W:SK, B5819W:SL
FEATURES
MECHANICAL DATA
For use in low voltage, high frequency inverters Free wheeling, and polanty protection applications
Electrical ratings @T A =25C SYMBOLS
Test conditions V (BR)
Reverse breakdown voltage
Reverse voltage leakage current
Forward voltage
Diode capacitance PARAMETER
Min.Max.
Unit V V V
I R =1mA 0.450.750.55
0.8750.60.9
120191.5250500-65 to +150
30
Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @T A =25C SYMBOLS
UNITS V RRM V RWM V R Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC Blocking voltage RMS Reverse voltage
Average rectified output current
Peak forward surge current @=8.3ms Repetitive peak forward current Power dissipation
Thermal resistance junction to ambient Storage temperature
Non-Repetitive peak reverse voltage T STG V RM
V V A A A mW K/W C V
B5818W
3021V R(RMS)
I O Pd PARAMETER
I FSM R ΘJA I R
203040
pF
I FRM B5817W
B5819W 204014
28
2040
C D V F
1mA
V V V
V R =4V,f=1.0MHz
B5817W B5818W B5819W V R =20V V R =30V V R =40V
B5817W B5818W B5819W I F =1A I F =3A
B5817W
B5818W B5819W
SOD-123
Dimensions in millimeters and (inches)
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES B5817W THRU B5819W
0 10 100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T (A )
10.8
9.0
7.2
5.4
3.6
1.8
CASE TEMPERATURE( C )P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T (A )
0 20 40 60 80 100 120 140
FIG. 3- TYPICAL INSTANTANEOUS
I N
S T A N T A N E O
U S F O R W A R D C U R R E N T (A )
0 0.4 0.8 1.2 1.6INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE(V)FIG. 4- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T (m A )
0 20 40 60 80 100
100
10
1.0
0.1
0.010.001
PERCENT OF RATED PEAK PEVERSE VOLTAGE (%)
FIG. 5- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
J U N C T I O N C A P A C I T A N C E (p F )
REVERSE VOLTAGE (V)400
100
10
0.1 1 10 100
0.01 1 10 100
100
10
1
0.1
T R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E ( C /W )
FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
t--PULSE DURATION (sec.)
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】 |样品申请单模板。