集成电子技术基础教程 第三篇第二章(10)
数字电子技术基础简明教程(第三版)全
三、二进制代码 编码： 用二进制数表示文字、符号等信息的过程。 二进制代码： 编码后的二进制数。
二-十进制代码：用二进制代码表示十个数字符号 0 ~ 9，又称为 BCD 码（Binary Coded Decimal ）。 8421码 2421码 5211码
几种常见的BCD代码： 余 3 码 余 3 循环码
Y2 1 0 1 0 11 0 0
& ≥1
Y3
(真值表略)
(4) 异或运算 A
=1
(Exclusive—OR) B
Y4 = A ⊕ B = AB + AB
(5) 同或运算 (异或非)
(Exclusive—NOR)
Y5 = A ⊕ B A =1 B
= AB + AB A=
= A⊙B B
Y4
A B Y4 00 0
10 1 11 1
（3）非运算：
真
A
Y
值
0
1
表
1
0
逻辑函数式 Y = A + B 逻辑符号
A B
≥1 Y 或门（OR gate)
逻辑函数式 逻辑符号
Y= A
A1
Y 非门（NOT gate)
二、逻辑变量与逻辑函数及常用复合逻辑运算
1. 逻辑变量与逻辑函数 逻辑变量：在逻辑代数中，用英文字母表示的变量称
¾ 1.3.1 几种表示逻辑函数的方法 ¾ 1.3.2 几种表示方法之间的转换
基本概念
一、逻辑代数（布尔代数、开关代数）
逻辑： 事物因果关系的规律
逻辑函数: 逻辑自变量和逻辑结果的关系 Z = f ( A, B, C L)
逻辑变量取值：0、1 分别代表两种对立的状态
电工电子技术简明教程高玉良答案第三版
电工电子技术简明教程高玉良答案第三版篇一：一、题目（电路基础章节的课后练习题，中等难度）已知一个由电阻R1 = 20Ω、R2 = 30Ω和R3 = 40Ω组成的串联电路，电源电压为U = 180V。
求电路中的电流I以及每个电阻上的电压U1、U2和U3。
二、答案1. 首先，根据串联电路的总电阻公式\(R = R1+R2 + R3\)，可得\(R=20 + 30+40=90\Omega\)。
2. 然后，根据欧姆定律\(I=\frac{U}{R}\)，可得\(I=\frac{180}{90} =2A\)。
3. 接着，根据欧姆定律\(U = IR\)分别求每个电阻上的电压：\(U1=IR1 = 2\times20 = 40V\)。
\(U2=IR2=2\times30 = 60V\)。
\(U3=IR3 = 2\times40 = 80V\)。
三、解析1. 解题思路着眼点：这是一个串联电路问题，首先要想到串联电路的基本性质，即电流处处相等，总电阻等于各电阻之和。
然后利用欧姆定律来求解电流和各个电阻上的电压。
题目条件分析：已知三个电阻的阻值和电源电压，这是求解电路基本参数的关键信息。
运用知识点：串联电路的电阻计算、欧姆定律\(I = \frac{U}{R}\)和\(U = IR\)。
2. 关键信息与陷阱关键信息：电阻值和电源电压。
陷阱：要注意这是串联电路，不要错误地使用并联电路的公式。
在计算过程中，要确保计算的准确性，特别是在代入数值进行计算时。
3. 步骤意图和作用计算总电阻的步骤是为了后续使用欧姆定律求电流做准备。
因为欧姆定律中的电阻是电路的总电阻。
求出电流后，再根据欧姆定律分别计算每个电阻上的电压，这是基于串联电路电流处处相等的性质。
4. 解题技巧与策略对于这类串联电路的题目，首先要确定电路的连接方式，然后根据连接方式选择合适的公式。
例如，对于串联电路，总是先求总电阻，再求电流，最后求各部分电压。
比如，再给出一个串联电路，有\(R1 =10\Omega\)，\(R2 = 15\Omega\)，电源电压\(U = 50V\)，按照同样的步骤可以轻松求解。
集成电路课程心得体会(2篇)
第1篇随着科技的飞速发展，集成电路作为现代电子技术的核心，其重要性不言而喻。
在过去的一年里，我有幸学习了集成电路这门课程，通过系统的学习和实践，我对集成电路有了更为深入的了解，以下是我对这门课程的心得体会。
一、课程概述集成电路课程是一门理论与实践相结合的课程，主要介绍了集成电路的基本概念、设计方法、制造工艺以及应用领域。
课程内容涵盖了从集成电路的基础理论到具体的设计实例，使我全面了解了集成电路的整个生命周期。
二、课程学习心得1. 基本概念的理解在学习集成电路课程的过程中，我对基本概念的理解有了很大的提升。
例如，集成电路的基本结构、晶体管的原理、电路的组成等。
这些基本概念是后续学习和设计的基础，只有对这些概念有深入的理解，才能在后续的学习中游刃有余。
2. 设计方法的掌握集成电路设计方法主要包括模拟电路设计、数字电路设计以及混合信号电路设计。
在学习过程中，我通过大量的实例分析和实践操作，掌握了这些设计方法的基本原理和技巧。
例如，模拟电路设计中的运算放大器设计、数字电路设计中的组合逻辑和时序逻辑设计等。
3. 制造工艺的了解集成电路制造工艺是课程中的重要内容之一。
通过学习，我了解了集成电路制造的基本流程，包括硅片制备、光刻、蚀刻、离子注入、化学气相沉积等。
这些工艺对于集成电路的性能和可靠性至关重要，掌握这些工艺对于成为一名优秀的集成电路设计师具有重要意义。
4. 应用领域的拓展集成电路应用领域广泛，包括通信、消费电子、医疗、汽车、工业控制等。
在学习过程中，我了解了不同领域对集成电路的需求和特点，为今后从事相关工作打下了基础。
5. 实践能力的提高集成电路课程注重实践操作，通过实验和课程设计，我提高了自己的动手能力。
在实验过程中，我学会了使用各种实验设备，如电子显微镜、半导体测试仪等，掌握了实验技能。
在课程设计中，我独立完成了一个简单的数字电路设计，这对我今后从事集成电路设计工作具有重要意义。
三、课程收获与感悟1. 提升了自己的综合素质通过学习集成电路课程，我在理论知识、实践能力和综合素质方面都有了很大的提升。
电子技术基础数字部分(ppt)
数字电子技术——电子技术基础精品课程
优选电子技术基础数字部分
前言
课程介绍
1. 课程的性质及特点 2. 教学目标 3. 课程研究内容 4. 课程的学习方法及要求 5. 参考书
前言
1. 课程的性质及特点
是电气信息类专业具入门性质的重要的专业基础课。
•特点
（1） 发展快、应用广 （2）非纯理论课程，实践性较强 （3）常以工程实践及试验方法处理分析数字电路的问题
1.数字逻辑基础
1.数字逻辑基础
1.1 数字电路与数字信号 1.2 数制 1.3 二进制数的算术运算 1.4 二进制代码 1.5 二值逻辑变量与基本逻辑运算 1.6 逻辑函数及其表示方法
作业：1.2.2, 1.4.1, 1.6.1
1.数字逻辑基础
1.1 数字电路与数字信号 1.1.1 数字技术的发展及其应用 1.1.2 数字集成电路的分类及特点 1.1.3 模拟信号与数字信号 1.1.4 数字信号的描述方法
1.1数字电路与数字信号
1.1数字电路与数字信号
1.1.1数字技术的发展及其应用
60~70代- IC技术迅速发展：SSI、MSI、LSI 、VLSI。 10万个晶体管/片。
80年代后- ULSI ， 1 0 亿个晶体管/片 、 ASIC 制作技术成熟 90年代后- 97年一片集成电路上有40亿个晶体管。 目前-- 芯片内部的布线细微到亚微米(0.13~0.09m)量级
前言
4.课程的学习方法及基本要求
打好基础、 关注发展、 主动更新、 注重实践 a、掌握基本概念、基本电路和基本分析、设计方法 b、具有独立的应用所学的知识去分析和解决数字电路的 实际问题的能力。
（1）逻辑代数是分析和设计数字电路的重要工具，应熟练掌握。 （2）重点掌握各种常用数字逻辑电路的逻辑功能、外部特性及 典型应用。对其内部电路结构和工作原理不必过于深究。 （3）本课程实践性很强。应重视习题、基础实验和课程设计等 实践性环节。 （4）注意加强查阅数字集成电路产品手册等技术资料的能力。
《电子技术基础》数字电路教案(张兴龙主编教材)
学生情况分析该门课程所授对象是电子20和电子22班，两个班的学生都接近50人，均为二年一期学生。
该批学生已经学习了《电子技术基础》的模拟电路的大部分，对专业都有了较为全面的了解，对专业课的学习方法都有一定的掌握，并学习过《电工基础》课程且有部分同学通过了电工证的考试，还学习过电子技能训练，掌握了基本工具的使用，具备一定的制作能力并有浓厚的兴趣。
他们都还处于入门期，对知识的渴望较高，对专业课的反映很好。
这些都是有利的方面。
不利的方面也是有的，诸如存在学生之间发展不平衡：有的课外参加过制作培训，甚至有少部分同学对电视机维修都有较好的掌握，而有同学对起码的制作还没入门，更有甚者有学生还不会使用万用表。
还存在班级发展不平衡：由于电子20班与电子22班在以前的授课中专业老师不一样，各任课教师的侧重点也各不相同，使得班级之间有各方面的差异。
随着《电子技术基础》一年二期的学习，有部分同学产生了畏难情绪，失去了学习兴趣。
这两个班都有少部分同学是从电子23班转入的，在学生不平衡方面就尤为明显。
当然，教学过程本身就是要针对学生的不同状况做出相应的布置，让学生能学有所获。
在对教材处理上，在教学方法上，在教学辅导等等各教学环节上都要有针对性的去解决问题，达到建立学生的学习兴趣，构成学生的知识个性。
使学生能成为社会的中等技术工人，并具备后绪发展能力。
教材分析该课程选用的由张龙兴主编的《电子技术基础》，由高等教育出版社出版，是教育部规划教材。
全书分两篇，第一篇模拟电路基础，第二篇数字电路基础。
第一篇学生已经在一年二期学习了大部分内容，只有集成运放一节没有学习。
第二篇数字电路包括逻辑门电路、数字逻辑基础、组合逻辑电路、集成触发器、时序逻辑电路、脉冲的产生和整形电路、数模和模数转换、智能化电子系统简介八个章节。
在教学中不可能面面具到，就需要适度的对教材进行处理，只能以部分为重点，根据学生的实际情况和教材内容，在教学中侧重于逻辑门电路（8课时）、数字逻辑基础（10课时）、组合逻辑电路的教学（14课时）、集成触发器（16课时）、时序逻辑电路（16课时）；对脉冲波形的产生和整形电路让学生了解性掌握（4课时）。
电子技术(实训篇 第二版)综合基础实训
2.在输入端接lkHZ信号，用示波器观察输出波形； 3.断开1、8之间的电路（即去掉10u电容和电位器的串联电路）， 重复上述实训。 4.1、8之间只接入C2，重复上述实训。 5.改变电源电压(选5V，9V两档)重复上述实训。
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目录
电子技术
五
实训报告
1.根据实训测量值、计算各种情况下PoM、Pv及η 。 2.作出电源电压不输出电压、输出功率的关系曲线。
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目录
实训2
直流恒流源设 计制作与调试
电子技术
一
实训目的
1.制作直流恒流源电路板，了解直流恒流源原理。 2.通过认识相应的元器件更多的了解相关知识。
二
实训要求
设计普通直流恒流电源，输入AC220V，输出电流稳定，在20mA至 100mA范围可调，输出电流误差范围。
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目录
电子技术
六
实训报告要求
1.绘出详绅的实训线路图，定量绘出观测到的波形。 2.分析、总结实训结果。 3.绘出每个谐振电路充放电时的等效电路图。 4.按实训要求选定各电路参数，并计算输出脉冲的宽度和频率。
预习要求
1. 2. 3. 4. 复习集成功率放大器工作原理。 图3-16电路中，若VCC=l2V，RL=8Ω估算该电路的POm、PV值。 阅读实训内容，准备记录表格。 用multisim仿真电路，测量电路的POm、PV值。
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目录
电子技术
四
实训内容
1. 按图3-17电路在实验板上插装电路。丌加信号时测静态工作电 流。
3
综合基础实训
电子技术
3
综合基础实训
1.电源电路模块
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行PPT课件第三章
0.707Aum
BW
O
fL
fH
f
图 3.1.1
fL ：下限频率； fH ：上限频率 BW ：通频带
BW = fH - fL
3.1.3 频率失真
(a)幅频失真
(b)相频失真
图 3.1.2 频率失真
3.1.4 波特图
放大电路的对数频率特性称为波特图。
表 3 - 1 Au 与 20 lg Au 之间的对应关系
f fT 时，由式
得：
0
1；
1
fT f
2
fT 0 f
3.2.3 共基截止频率 f 值下降为低频 0 时 的 0.707 时的频率。
0
1 j f f
f 与 f 、 fT 之间关系：
因为
1
，
0
1 j f f
0
0
可得
1 1
j
f / f
0
1 0
1 j
f
1 j f / f
(1 0 ) f
A u
0.01 0.1 0.707 1 2 2 10 100
20 lg Au - 40 - 20 - 3 0 3 6 20 40
一、RC 高通电路的波特图
A u
UUOi
R
R
1
jC
+
U i
1
1 1
jRC
_ 图 3.1.2
C
+
R
U O
_
RC 高通电路
令：
fL
1 2RC
1
2 L
A u
1
1 1
1 1- j fL
定性分析：
中频段：各种电 抗影响忽略，Au 与 f 无关；
(完整)《模拟电子技术基础教程》华成英——第三章习题解答
PTER半导伸二嘏管及其基市应用电路3. 1判断下列说法的正、误，在相应的括号内蔺表示正确・画“X”衣示错谋.(1)本征半导体是指没冇博杂的纯净晶体半导体.( )(2)本征半异体温度升高后两种栽流子浓度仍然相等.( )(3)P®半导体帯正电( ),N®半导体带负电( ).(4)空间电荷区内的潦移电流址少数戏流子在内电场作用下形成的.Z )(5)二极管所加正向电压增大时，其动态电限增大.( )(6)只耍在稳圧管两端加反向电压就能起稳压作用.( )解(2) 7 (3) X.X (4> V (5)X (6) X3.2选择正确的答案填空.(1) N凤半导体是空本征半导体中捧人 ____________ » P51半导体是在本征半导体中掺人 _______ ・A.三价元索，如硼導B.四价元索，如错铮C.五价元素•如磷等(2) PN结加正向电压时.由__________ 形成电流，其耗尽层__________ I加反向电压时, 由 _______ 形成电流，其耗斥煨__________ ・A.扩散运动B.漂移运动C.变龙D.变牢(3) 当温度升高时•二极管的反向饱和电流___________ ・A.增大.B.不变C.减小(4) 硅二极管的正向导通电压比诸二极管的_____________ ，反向饱和电流比緒二极管的 _______ ・A.大B.小C.相等(5) 稳压暂工作在槍压区时，其丁•作状态为_________ .A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解 (1) Cl A (2) Al D» B ； C (3) A (4) A» B (5> C 3.3填空(1) PN 结的导电特性定 __________ ・(2) 徃外加直流电压时，理想二极管正向导通阻抗为 _________________ ，反向截止阻抗为 ________ 。
(3) PN 结的结电容包插 __________ 电容和 _________ 电容。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
第一章 半导体二极管及其应用电路 第六章 运放应用电路
第二章
半导体三极管及其放大电路
第七章
功率放大电路
第三章
场效应晶体管及其放大电路
第八章
波形发生和变换电路
第四章
集成运算放大器
第九章
直流稳压电源
第五章
负反馈放大电路
第十一章～第二十一章
应用篇
第一章 半导体二极管及其应用电路
一、填空： 绝缘体 之间的物 导体 和_______ 1．半导体是导电能力介于_______ 质。 掺杂 特性，制成杂质半导体；利 2．利用半导体的_______ 光敏 特性,制成光敏电阻，利用半 用半导体的_______ 热敏 特性,制成热敏电阻。 导体的_______ 导通 ，加反向电压时 3．PN结加正向电压时_______ 截止 ，这种特性称为PN结的 单向导电 _______ _______ 特性。
饱和 8.当三极管工作在＿＿＿＿区时， UCE ≈0。发射极 正向 正向 ＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。 9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 集电 发射 以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低， 基 发射 ＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。 0.7V 10.当 PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低， 发射 集电 UBE等于＿＿＿＿。 -0.3V 三个电极的电位分别为 11.晶体三极管放大电路中 ,试判断三极管的 V ,V2 1.2V ,V3 1.5V 类型是 ＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。 1 4V 锗 PNP
T 10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足 RLC （3～5） 2 时，负载电阻上的平均电压为_______。 A.1.1U2 B. 0.9U2 C. 1.2 U2 D. 0.45U2
电子技术基础试题9篇.pptx
.二进制加法计数器从0计数到十进制数25时，需要个触发器构成,
有个无效状态。
.半导体存储器的种类很多，从制作工艺上可以分为
和
两大类。
,和
是衢量A/D转换器和D/A转换器性能优劣的
晶体管的击穿电压与法度有关，会发生变化； 4、PNP型与NPN型晶体管都可以看成是反向串联的两个PN结： 5、带阻尼晶体管是将晶体管、阻尼二极管、与保护电祖封装在一起构成的; 6,差分对管是将两只性能参数相同的晶体管骨装在一起构成的； 7.达林顿管的放大系数很高，主要用于高增益放大电路等； 8、场效应晶体管可分为结型和绝缘栅型两大类： 9,结型场效应不仅仅依靠沟道中的自由电子导电； 10、场效应晶体管的输出转性曲线可分为四个区域； «5:效宇电子技术基碉试题 数字电子技术基础武题 数字电子技术为了适应高职高专人才培养的帘要,根据国家教育部最新制定的高职高专教育数字电子技术课程。 分享了敕字电子技术的基础试题，一起来看看吧! 一.选择诞： .下列各式中哪个是四变量A、B、C、D的最小项？（） A,+B'+Cb.AB'Cc.ABC,Dd.ACD
个。
.茶叶序电路如题29图所示，设原状态为。l。=。,当送入一个CP脉冲
后的新状态。I。=
.简单可编程逻辑器件包括PR。M、P1.Λ、PA1.等，它们都是器件。
三、分析邈（本大题共8小题,每小题5分，共40分） .电路如题31图所示，已如R1=1。,R2=2Ω,R3=3。,R4=4。,fs=5V,计算电流I。的值。 .固定偏置放大电路如题32图所示，已知晶体管的B=80,UBE。=。∙6V,欲使IBMoμA.UC=6V.试计算电阻RB和RC 的值。 .题33图所示电路中的运放为理想运放， 要求：U）写出Uol与Ui的关系式； （2）写出U。与ui的关系式。 .设开关A接通为1,断开为0；灯F亮为1,灭为0。 要求：用舆值表表示题34图所示电路A和F之间的漫横关系，并写出其表达式. .利用公式法化简下列表达式,写出最简与或式。 .题36图所示组合逻辑电路，写出的逻辑表达式，完成下列真值表，并说明该电路的逻辑功能。 .题37图所示为二位二进制编码修。要求：写出A、B的表达式，并列出其编码表。 .题38图所示为异步时序电路。 要求：列出其状态转换真值表，并分析该电路的遂耕功能。
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变 化 时 VC1Q、VC2Q 始 终 相 等，VOQ＝0，有效地抑制 温漂和零漂。
若Rc1≠Rc2，则两个三极 管的ICQ和VCQ是否相等？
L CD
集成电子技术基础教程
➢差分放大电路的工作原理
被测信号 单端输入方式
的输入方式 双端输入方式
差模成分
两个输入信号之差 vId vI1 vI 2
L CD
集成电子技术基础教程
运放输入级―差分放大电路 ❖差分放大电路的基本形式和工作原理
➢直流分析 IC1Q＝IC2Q＝IE=I0/2 VO1Q＝VO2Q＝VCC－ICQRc VOQ＝VO1Q－VO2Q＝0 VE＝-VBE＝-0.7V
L CD
集成电子技术基础教程
由于电路结构对称，元件
参数和特性相同，及恒流
中间级采用CE(CS)电路
输出级采用互补对称式 射极跟随器结构
L CD
集成电子技术基础教程
低温漂、高共模抑 制比、高输入电阻
高电压增益
低输出电阻、较 强带负载能力
集成运放的主要特点
同一硅片 相同工艺
元件参数具有良好的 一致性和同向偏差
采用结构对称 为特征的电路
芯片面积小 功耗很低
工作电流极小 (如几~几十微安)
L CD
集成电子技术基础教程
vI1
vI 2
vId 2
iB1
iB2
v I 1 rbe
vId 2rbe
vO1 vOd1 iB1Rc
vO2 vOd2 iB2 Rc
vO1 vO2
二个输出端上的差模输出 电压大小相等而极性相反
Avd1
vOd1 vId
Rc 2rbe
Avd 2
vOd 2 vId
vId 2
vI 2
vIc
vId 2
vO vOd vOc Avd vId Avc vIc
差模输入方式：只考虑差模输入电压，即差分放大 电路的输入端加上两个幅度相同而极性相反的信号
Avd大
共模输入方式：只考虑共模输入电压，即差分放大电 路的输入端加上两个极性相同且幅度也相同的信号
Avc小
差分放大电路具有对差模信号进行放大、 对共模信号进行抑制的能力。
共模成分 两个输入信号平均值
vIc
vI1
vI 2 2
输 入
vI1
vIc
vId 2
信 号
vI 2
vIc
vId 2
L CD
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差模成分反映被测信号的变化， 需要进一步放大。
共模成分反映测量的初始条件或 外界干扰，不但不必放大，而且 还需要加以抑制。
差分放大电路的输入
vI1vIcFra bibliotek集成电子技术基础教程
第三篇 模拟电路和系统
第二章 集成运算放大器
L CD
集成电子技术基础教程
第二章 集成运算放大器
3.2.1 集成运算放大器的典型结构及特点
集成运算放大器是通过半导体集成工艺制 成的一种高增益直接耦合式多级放大器
集成运放的典型结构
L CD
集成电子技术基础教程
输入级采用差分放大电路
采用微电流源作为 偏置及有源负载
无法制造 大容量电
容
采用直接耦合方式
L CD
集成电子技术基础教程
❖电路符号
❖低频小信号模型
理想 运放
Rid→∞ Rod→0 Aod→∞
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3.2.2 集成运放的组成
集成运放中的恒流偏置电路
❖跟随型镜像电流源电路
两只特性完全相同 的晶体管T1、T2组成镜 像电流源，电阻RREF确 定参考电流IREF，T３管 减小输出电流与参考电 流的误差。
vO2 vOc2 vO1
RL'
Rc
//
RL 2
L CD
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Avd
vOd vId
RL' rbe
➢差模输入电阻Rid ➢差模输出电阻Ro
Rid
v Id iId
2rbe
Ro 2Rc1
➢共模抑制比KCMR
KCMR
Avd Avc
定义为差模电压放大倍数与共模电压放大 倍数之比的绝对值。
常用分贝表示：
K CMR
20 lg
Avd Avc
(dB)
L CD
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共模交流通路
vI1 vI 2 vIc
iB1 iB2
vIc iB1rbe iE1 2R0e
iB1 rbe 2(1 )R0e
vIc
rbe 2(1 )R0e
L CD
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vO1
vOc1
iC Rc
rbe
Rc vIc 2(1 )R0e
vO Avd vId Avc vIc 800.02V (0.01)5.0V
1.6V 0.05V 1.65V
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❖差分放大电路动态性能指标的计算
➢差模电压放大倍数Avd
Avd
vOd vId
vOd vI1 vI 2
差模交流通路
流过恒流源的电流保持不变，ΔvE＝0，E点交流接地
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I L I C2 I C1 I REF
VCC 2VBE VCC
RREF
RREF
I B3
I E3 1
2I B1 1
2I C1 (1 )
当β≥50时，输出电流IL与参考电 流IREF的相对误差小于0.08%
温度补偿作用： T IC1 (IL) I REF VREF IC1 (IL) IB VBE
电阻Re3作用： 增大T3管工作电流，从而提高T3管的β
L CD
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❖多路电流源电路
当参考电流IREF确 定后，在各支路 串入不同的射极 电阻，可得到不 同的输出电流。
VBE I E Re VBE1 I E1Re1 VBE2 I E2 Re2 VBE3 I E3 Re3 I E Re I E1Re1 I E2 Re2 I E3 Re3 I REF Re I C1Re1 I C 2 Re2 I C3 Re3
L CD
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【例3.2.1】已知差分放大电路
ΔvI1=5.01V、ΔvI2=4.99V，Avd＝ -
80，Avc＝ -0.01，求ΔvO＝？
解：vI d vI1 vI 2
5.01V 4.99V 0.02V
vI c
vI 1
vI 2 2
5.01V 4.99V 5.0V 2
Rc 2rbe
vO vO1 vO2 2vO1 2vO2
L CD
集成电子技术基础教程
Avd
vO v Id
Rc rbe
接上负载后
vId iB1rbe1 iB2rbe2 rbe iB1 iB2
vOd vo1 vo2 iB1RL' iB2 RL' RL' iB1 iB2