几种CVD制备金刚石薄膜的方法
cvd人造金刚石生产工艺流程
cvd人造金刚石生产工艺流程英文回答：CVD (Chemical Vapor Deposition) is a widely used method for the production of synthetic diamonds. This process involves the deposition of carbon atoms onto a substrate to form a diamond film. The CVD method offers several advantages over other diamond synthesis techniques, such as high purity, control over diamond quality, and the abilityto produce large and complex diamond shapes.The CVD process begins with a diamond seed or substrate, which acts as a template for the growth of the synthetic diamond. The substrate is placed in a reaction chamber, which is then filled with a mixture of gases. These gases typically include a carbon-containing gas, such as methane, and a hydrogen gas.Next, the reaction chamber is heated to a high temperature, typically around 800-1000 degrees Celsius.This temperature is necessary to activate the chemical reactions that will deposit carbon atoms onto the substrate. As the gases are heated, they break down and release carbon atoms.The carbon atoms then migrate to the surface of the substrate and arrange themselves in a diamond lattice structure. This process is facilitated by the presence of hydrogen gas, which acts as a carrier gas and helpstransport the carbon atoms to the substrate. The hydrogen gas also helps to remove any impurities that may be present during the diamond growth.The growth of the diamond film continues as long as the reaction conditions are maintained. This can take several hours or even days, depending on the desired thickness of the diamond film. During this time, the temperature, gasflow rates, and other parameters are carefully controlledto ensure the growth of high-quality diamonds.Once the desired thickness is achieved, the diamondfilm is cooled down and removed from the reaction chamber.It is then subjected to various post-growth treatments,such as polishing, cutting, and cleaning, to obtain thefinal synthetic diamond product.中文回答：CVD（化学气相沉积）是一种广泛应用于人造金刚石生产的方法。
宝石级人造钻石(大颗粒单晶金刚石)的设备介绍----MPCVD新型的方法
宝石级人造钻石(大颗粒单晶金刚石)的设备介绍----MPCVD新型的方法宝石级人造钻石（大颗粒单晶金刚石）的设备介绍----MPCVD新型的方法介绍CVD金刚石设备，主要为微波CVD设备，是被公认的能够制备高品级的大颗粒金刚石和大面积金刚石厚膜。
有需要CVD设备，主要提供1 kW 5 kW 8 kW 微波等离子体CVD 设备，也欢迎咨询！目前化学气相沉积（CVD）法制备金刚石主要有：热丝CVD，直流电弧CVD，微波等离子体CVD。
这些方法在本质上都是用某种形式的能量来激励和分解含碳化合物气体分子,并在一定条件下使金刚石在基片表面成核和生长。
用于刀具涂层的热丝设备能够工业化得直流设备能够制备高品级钻石的微波设备热丝CVD直流CVD微波CVD各自的内部结构图，可以发现三者就是激发等离子体的方式不一样，有各自的优缺点做出来的金刚石的质量也是不一样的哦，看对比就知道了热丝主要用于刀具涂层上直流法生长不够稳定微波法最好，但是耗资较大三者对比可是看的出来的哦，三种方法做出来的东西就是不一样的因此，只有微波法能做出高品级金刚石！直接看看微波CVD金刚石的应用就知道好了：光学级金刚石能够应用到各个领域更重要的是，可以做钻石的！apollo公司生产0.28-0.67克拉的粉红CVD钻石，目前无色钻石最大可达16克拉微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)是制备高品质金刚石膜的首选方法。
主要优点为：无内部电极,可避免电极放电污染;运行气压范围宽; 能量转换效率高;可以产生大范围的高密度等离子体;微波和等离子体参数均可方便地控制等. 所以,它是制备大面积均匀、无杂质污染的高质量金刚石膜的有开发前景的重要方法.MPCVD 装置通常分为微波系统、等离子体反应室、真空系统和供气系统等四大部分. 微波系统包括微波功率源、环行器、水负载、阻抗调配器,有时还包括测量微波入射和反射功率的定向耦合器及功率探头和显示仪表. 微波频率通常选用工业用加热频段的 2. 45GHz. 真空和统由真空泵、真空阀门和真空测量仪器(包括真空规管和显示仪器) 组成. 供气系统由气源、管道和控制气体流量的阀和流量计等组成. 这三个部分各自都是通用型的,可以适用于各种类型的MPCVD 装置和其他用途的实验装置. 等离子体反应室包括微波与等离子体的耦合器、真空沉积室以及基片台等. 不同类型的PCVD 装置的区别在于等离子体反应室形式的不同. 从真空沉积室的形式来分,有石英管式、石英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式. 从微波与等离子体的耦合方式分,有表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式.在过去的20年里，金刚石膜MPCVD装置经历了从早期的石英管、石英钟罩式，到后期的圆柱谐振腔式、椭球谐振腔式以及圆周天线式(CAP)谐振腔的发展。
CVD金刚石刀具材料的制备、性质与应用
Ａｒ ｉｓｅｓ ｂ ｓｅＮｗ ａｖ
■ 叠 曩 ■ 团 嗣
传 统 的ＣＶＤ法 是 以 大 量 氢 气 为 主 要 反 应 气
体 ，同 时加 入 少 量 的碳 源 气 体 （ 于５ ，沉积 出 少 ％）
３３要解 决大面 积沉 积 过程 中厚 膜 内应力 大 、圆 片 ． 易开 裂 、热 丝 易 断裂 、生 长 不均 匀 、生 长速 率低 等 技术 难题 ，长 期 以来 一直 困扰 着制造 商 。 ３４Ｃ Ｄ金 刚石 厚膜 与硬质 合 金基体 之 间 的焊 接 强 ． Ｖ
Ｎｏｔｎ 司宣 称 ，其 牌 号 为Ｄｉｍａ ａ 的Ｃ ｒ 公 ｏ ａ Ｐ ｋ ＶＤ
３６干 切 削是 未来 切 削的主 要方 向。随 着切 削速 度 ． 的提 高 （２０ ０ｍ／ ｎ ９ ０ ｍｉ ），Ｃ ＶＤ厚膜 切 削刀具 会 成 为干 式高速 切 削某些新 材料 的首 选工 具 。 ］
１０ ２ ０ ｔ ％～ ０ ％ 源自 ０美 国ＮｏｔｎＦｌ 司推 出的牌 号 为Ｄｉｍａ ａ ｒ ｉ ｏ ｍ公 ａ Ｐｋ 的Ｃ Ｄ金 刚石 复 合片 ，也 是０３ Ｖ － ｍｍ或 ０５ｍｍ厚度 ． 的Ｃ ＶＤ金 刚石 层 焊 接 到硬 质 合 金 基底 上 ，刀 片 总 厚度 为 １ ．ｍｍ，可 根据 用户 需要 提供 各种 形状 。 ６
小 晶粒 尺 寸 。在 纳 米 金 刚石 生 长 中 ，Ｃ 是 重 要 的 ２ 参与 者与 决定 性 的成分 。 Ｊ
度 ，是 决 定Ｃ ＶＤ刀具 用 于 断续 切 削 这种 高 要 求机
械 加工 的关键 。
Ｃ ＶＤ金 刚 石 用 于 切 削有 两 种 形 式 ： 聚 晶质 Ｃ ＶＤ金 刚 石 薄膜 和 单 晶质 Ｃ 金 刚石 厚膜 ，可切 ＶＤ 割成 不 同形状 。单 晶 质Ｃ ＶＤ金 刚 石 切割 工 具 主要 用于 加 工 强 度 高而 质 量 轻 的结 构材 料 ，如 金 属基 体 复合 材 料（ ＭＭＣ ） ，存 在 的 问题是 不能制 成 形 Ｓ等
金刚石薄膜选择生长技术
金刚石薄膜选择生长技术金刚石薄膜作为一种功能性材料，具有很广泛的应用前景，如在光电子学、生物医学、磁记录等方面都有重要的应用。
为了满足不同领域及应用场景的需求，需要选择合适的生长技术来制备金刚石薄膜。
本文将从几个方面介绍金刚石薄膜选择生长技术的步骤。
首先，选择金刚石薄膜生长的方法。
目前，金刚石薄膜的生长方法有多种，包括化学气相沉积（CVD）、磁控溅射（MPCVD）及分子束外延（MBE）等技术。
它们各自有其特点，如化学气相沉积法可以制备大面积的薄膜，而分子束外延法可制备较高质量的薄膜。
因此，选择生长方法应根据具体的要求和应用场景来确定。
其次，选择金刚石薄膜的基底。
金刚石薄膜的性质很大程度上取决于基底。
通常采用硅、二氧化硅、氮化硅、石英玻璃等材料作为基底。
选择基底时，应考虑其物理化学性质、热膨胀系数、热导率等因素，并且基底的表面质量也对薄膜质量有影响。
第三，选择金刚石薄膜生长的气氛和沉积参数。
金刚石薄膜生长需要在高温、真空或惰性气体保护下进行，而沉积参数如温度、气氛组成、流量、沉积时间等也会影响薄膜的质量和性能。
因此，需要根据实际情况确定合适的生长气氛和沉积参数。
最后，进行薄膜质量和性能的表征。
表征薄膜质量和性能是判断所选择的生长技术是否合适的重要步骤。
一般需要采用X射线衍射、原子力显微镜、拉曼光谱等手段进行薄膜的表征和分析，以评估其质量和性能。
综上所述，金刚石薄膜选择生长技术需要经过多个步骤，包括选择生长方法、选择基底、选择气氛和沉积参数以及表征薄膜质量和性能等。
在实际生产过程中，应根据实际需求和经济效益来综合考虑这些因素，选择适合自己的生长技术。
金刚石薄膜分类
金刚石薄膜分类金刚石薄膜是一种具有广泛应用前景的新型材料，其独特的性能和结构使其在各个领域中发挥着重要作用。
本文将从金刚石薄膜的制备方法、特性和应用领域等方面进行介绍，以期能够让读者对金刚石薄膜有一个全面的了解。
一、制备方法金刚石薄膜的制备方法主要有化学气相沉积法、物理气相沉积法和化学液相沉积法等。
其中，化学气相沉积法是最常用的制备金刚石薄膜的方法之一。
该方法通过在适当的反应条件下，使金刚石晶体在基底表面上沉积形成金刚石薄膜。
物理气相沉积法则是利用高能离子束或激光束对金刚石靶材进行轰击，使其脱离靶材并沉积在基底表面上。
化学液相沉积法则是利用一定的溶液体系，在适当的温度和压力下，使金刚石晶体在基底表面上沉积形成金刚石薄膜。
二、特性金刚石薄膜具有许多优异的特性，使其在各个领域中得到广泛应用。
首先，金刚石薄膜具有极高的硬度和耐磨性，是目前已知最硬的材料之一，能够抵抗各种外力的损伤和磨损。
其次，金刚石薄膜具有优异的导热性能，能够快速将热量传导到基底材料中，有效地提高了器件的散热效果。
此外，金刚石薄膜还具有良好的化学稳定性和生物相容性，不易受到化学物质的腐蚀和生物体的排斥，可以在恶劣的环境中长时间稳定地工作。
三、应用领域由于金刚石薄膜的特殊性能，它在多个领域中都有广泛的应用。
首先，在电子领域，金刚石薄膜被用作半导体材料的衬底，可以提高器件的性能和稳定性。
其次，在光学领域，金刚石薄膜被用于制备高效率的光学器件，例如激光器和太阳能电池等。
再次，在机械领域，金刚石薄膜被用作润滑材料，可以减少机械零件之间的摩擦和磨损。
此外，金刚石薄膜还可以应用于生物医学领域，用于制备生物传感器和人工关节等医疗器械。
金刚石薄膜是一种具有广泛应用前景的新型材料。
通过不同的制备方法，可以得到具有不同特性的金刚石薄膜。
这些特性使其在电子、光学、机械和生物医学等领域中得到了广泛的应用。
随着科技的不断进步和发展，相信金刚石薄膜将在更多领域中发挥重要作用，为人类的生活和工作带来更多的便利和创新。
金刚石的人工合成
金刚石的人工合成摘要：简要介绍了常见的人工合成金刚石技术，以及合成过程中的一些影响因素。
关键词：金刚石人工合成合成工艺影响因素前言金刚石是一种稀有、贵重的非金属矿产,在国民经济中具有重要的作用。
为满足工业上的需求和缓解金刚石日益匮乏的现状,人类已经在合成金刚石方面作了许多的探索,并取得了许多有实用价值的阶段性成果。
金刚石中宝石级金刚石因其折射率大,在光下有火彩现象而用来制作精美的首饰。
人造金刚石具有诸多优异特性,已被广泛地应用于工业、科技、国防、医疗卫生等很多领域。
例如:利用金刚石硬度大制作精细研磨材料、高硬切割工具、各类钻头、拉丝模,还被作为很多精密仪器的部件;由于导热率高、电绝缘性好,可作为半导体装置的散热板。
因此,人造金刚石被誉为“21世纪的战略性材料”。
因此对于人造金刚石的合成的研究具有非常重要的意义[1].金刚石的人工合成工艺金刚石、石墨及无定型碳都是由纯碳元素组成，合成钻石就是人为地模拟天然钻石的形成条件，将其他晶体结构的碳质材料在一定条件下转化为具有SP3 共价键的金刚石型晶体结构。
从理论上讲，各种形式的碳均可以转化为金刚石，但研究表明，不同的碳素材料对生长金刚石的数量、质量和颗粒大小均有相当大的影响，石墨转化为金刚石的自由能较低，因此石墨是合成钻石的最主要原料之一。
目前，人类已掌握了多种合成钻石方法。
人造金刚石的合成技术形成了静态高温高压法、动态超高压高温合成法、低压气相沉积法等[2]。
一般石墨在10GPa、3000℃左右可以转变成金刚石，如果加有金属触媒则所需要的条件将大为降低，通常在压力约为5．4GPa和温度约为1400℃的条件下就能发生转化。
常用的方法为合成条件较低的添加触媒催化的高温高压合成，即静态高温高压法。
这种方法中有生长磨料级金同q石(粒径小于1B)的膜生长法和合成宝石级金刚石(粒径大于lmm)的温度梯度法。
(1)膜生长法(FGM)金刚石膜生长法就是指在有金属触媒的参与下，石墨通过高温高压的作用透过金属膜沉积在金刚石核上使之长大[3]。
cvd人造金刚石生产工艺流程
cvd人造金刚石生产工艺流程英文回答：CVD (Chemical Vapor Deposition) is a widely used method for producing synthetic diamonds. The process involves the deposition of carbon atoms onto a substrate, creating a diamond film. This technique offers several advantages over other methods, such as high purity, control over diamond properties, and scalability.The CVD diamond production process begins with the selection of a suitable substrate, typically made ofsilicon or diamond. The substrate is prepared by cleaning and polishing to ensure a smooth surface. This step is crucial for the subsequent diamond growth.Next, a mixture of gases is introduced into a reaction chamber. The most commonly used gases are hydrogen and methane. Hydrogen acts as a carrier gas, while methane provides the carbon source. The gases are carefullycontrolled to achieve the desired diamond properties.The reaction chamber is then heated to a high temperature, typically around 800 to 1000 degrees Celsius. This temperature is necessary for the decomposition of methane and the release of carbon atoms. The carbon atoms are transported by the hydrogen gas to the substrate surface.Upon reaching the substrate surface, the carbon atoms undergo a series of chemical reactions, resulting in the formation of diamond. The process is facilitated by the high temperature and the presence of hydrogen, which acts as a reducing agent. The carbon atoms bond together in a crystal lattice structure, forming a diamond film.The diamond growth continues until the desired thickness is achieved. This can take several hours or even days, depending on the deposition rate and the desired film properties. During the growth process, the temperature, gas composition, and other parameters are carefully controlled to ensure the desired diamond quality.After the diamond growth is complete, the film iscooled down gradually to room temperature. This step is important to prevent thermal stress and ensure theintegrity of the diamond film. Once cooled, the diamondfilm is carefully removed from the substrate.The final step in the CVD diamond production process is the polishing and cutting of the diamond film. This step is necessary to remove any imperfections and shape the diamond into the desired form, such as a gemstone or a cutting tool. The polished diamond is then ready for various applications, such as jewelry, electronics, and industrial tools.中文回答：CVD（化学气相沉积）是一种广泛应用的人造金刚石生产方法。
CVD金刚石技术和应用
CVD金刚石技术和应用I. 引言A. CVD金刚石技术的历史回顾B. 本文的目的和意义II. CVD金刚石的制备方法A. CVD金刚石的基本原理B. CVD金刚石的制备流程C. CVD金刚石的制备条件III. CVD金刚石的结构和性质A. CVD金刚石的结构特征B. CVD金刚石的物理性质C. CVD金刚石的化学性质IV. CVD金刚石的应用A. 工具切削领域1. 刀具2. 电子加工3. 磨具B. 研磨领域1. 研磨片2. 研磨液C. 生物医学领域1. 医用刀具2. 人工关节V. CVD金刚石技术的发展趋势A. 大规模制备技术B. 先进加工技术C. 新型材料的开发VI. 结论A. 对CVD金刚石技术的总体评价B. 未来CVD金刚石技术的发展前景VII. 参考文献I. 引言A. CVD金刚石技术的历史回顾金刚石是一种天然的高温高压下形成的矿物，具有硬度大、热稳定性好、化学惰性等诸多优异的物理和化学性质。
金刚石因其卓越的性能被广泛应用于研磨、切削、电子加工等领域。
然而，天然金刚石存在产地有限、成本高昂、形状和尺寸难以控制等问题，制约了其在工业生产中的应用。
为了解决这些问题，人们开始尝试通过化学合成来制备人工合成的金刚石材料。
早在20世纪50年代，人们就已经开始尝试使用高温高压合成技术来制备合成金刚石。
这种方法需要在高温高压下合成金刚石晶体，虽然可以得到高质量的金刚石晶体，但是成本高昂、生产效率低，限制了其在工业生产中的应用。
随着化学气相沉积（CVD）技术的发展，人们开始尝试使用CVD技术来制备金刚石材料。
CVD技术是一种通过在高温、低压下向金属或非金属基材表面沉积金刚石薄膜的技术，相比高温高压合成法，CVD技术具有成本低、生产效率高、适用范围广等优点，逐渐成为了金刚石制备的主要方法。
B. 本文的目的和意义本文主要介绍CVD金刚石技术的制备方法、结构和性质、应用以及发展趋势，旨在深入探讨CVD金刚石技术的原理和应用，为工业生产和科学研究提供参考。
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几种CVD制备金刚石薄膜的方法
1.热丝CVD法
此法又称为热解CVD法，Matsumoto等人采用热丝CVD法成功地生长出了金刚石薄膜。该
法是把基片(Si、Mo、石英玻璃片等)放在石英玻璃管做成的反应室内，把石英管内抽成真
空后，把CH4和H2的混合气体输人到装在管中的钨丝附近(两种气体的流量比为0.5％-5％)。
用直流稳压电源加热钨丝到约2000℃，反应室内温度为700～900℃，基片温度为900℃左右，
室内气体压力为1×103-1×105Pa。在这样的反应条件下，CH4和H2混合气中的H2被热解，产
生原子态氢，原子态氢与CH4反应生成激发态的甲基，促进了碳化氢的热分解，促使金刚石
SP3杂化C-C键的形成，使金刚石在基片上沉积，获得立方金刚石多晶薄膜。沉积速率为8-
10μm/h 我国的金曾孙等人也用热丝CVD法生长出质量很好的金刚石薄膜。实验表明，基片
温度和甲烷的浓度是薄膜生长最为重要的参数，它们对金刚石薄膜的结构、晶形、膜的质
量和生长速率影响甚大。该法的特点是装置结构简单、操作方便、容易沉积出质量较好的
金刚石膜。
2.电子加速CVD法
此法是在用热丝CVD法沉积金刚石薄膜过程中，用热电子轰击基片表面，加速金刚石在
基片上沉积。与热丝CVD法不同的是，该法把电压正极接在用铝制成的基片架上，经加热的
钨丝发射电子，电子在电场作用下轰击阳极的基片。CH4和H2的混合气体被输送到基片表面，
由于热反应和热电子轰击的双重作用，使气体发生分解，形成各种具有活性的碳氢基团，
促使具有双键和三键的碳离解，加速金刚石的成核和生长。基片可选用Si、SiC、Mo、WC、
A12O3等材料。一般的工艺参数是：甲烷为ψ(CH4)=0.5％ ～2.0％；气体流速为5-50cm3/min；
基片温度在500～750℃之间；钨丝温度为2000℃ ；基片支架的电流密度为10mA/cm2，电压
150V。用此法沉积出的金刚石薄膜的性质与天然金刚石基本相同，晶形完整，生长速率一
般为3～5μm/h。此法的特点是通过电子轰击基片，从而加速了CH4和H2的分解，增加了基片
表面上金刚石的成核。不足之处是金刚石薄膜中夹杂有少量的无定形碳、石墨和氢。这可
通过调节工艺参数加以解决。
3.直流放电等离子体CVD法
等离子体CVD包括直流等离子体、高频等离子体和微波等离子体等3种。其原理是把CH
4
和H2混合气体等离子化，分解成C、H2、H、CxHy 基团，形成等离子体。等离子体中依靠电子
的适当浓度保持电中性。因此，电子的能量高于离子或中性粒子，有各种状态的游离基发
生，促使碳与基片接触，从而沉积出金刚石薄膜。由于等离子体化学反应过程很复杂，反
应的机理目前还不十分清楚。
Suzuki等人用直流等离子体装置，进行了沉积实验，取得了较好的结果。他们以CH4和
H2为气源，CH4浓度为ψ(CH4)=0.3％ 一4.0％(体积分数)，混合气体以20mL/min通人反应室，
反应室的压力保持在2.67×104Pa，安装基片的阳极位于阴极上方20mm处，在1kV的电压和4
A/cm2电流密度下进行直流放电。由于电子轰击，基片温度可达800℃ ，此时基片上便有金
刚石析出。其中基片温度可通过冷却水的流速来调节，用该法生长出的金刚石结晶形态好，
薄膜的生长速率高达2Oμm/h。该方法的特点是设备相对简单，放电区域大，可做出较大面
积且均匀的金刚石薄膜。
4.直流等离子体喷射CVD法
根据低压下生长金刚石的机理，如果氢原子、甲基原子团和其它活性原子团的密度很
高，则金刚石的生长速度较高。热等离子体使气体分解，产生高密度的原子团，但是，若
等离子体的温度太高(超过5000℃)，就难以直接应用。Kurihara等人利用淬灭热等离子体，
产生非平衡态结构的等离子体，从而能在低温下获得高密度的原子团。喷射热等离子体能
形成非平衡结构的等离子体．形成的等离子体流射向高速水冷的基片而淬灭，构成金刚石
生长的环境。
该法常用的装置中，等离子体管是由石墨(或钨)制成的圆柱形阳极和阴极构成，阳极
喷嘴直径一般为2mm，阳极与阴极之问的距离约为1mm，甲烷和氢气的混合气体通人两极之
间。通过直流放电在管的喷嘴周围产生等离子体，用铜做的基片座焊接在水冷的同轴不锈
钢管上。等离子体管喷嘴和基片的距离可用不锈钢管的支架来调节。一般的合成条件是：
Ar的流速为0—20L/min，H2的流速为5～20L/min，CH4的流速为10～200L/min；反应室的压
力为1.3×104-5.3×104Pa；放电电流为1O～2OA，电压为60～90V；基片与喷嘴之间的距离
为5—50mm；在基片温度为800～1500K时，在基片上可生长出结晶形态很好的金刚石多晶薄
膜。
该法以非常高的冷却速率(106K/s量级)使等离子体淬灭，产生非平衡态等离子体，从
而使生长速度达到930μm/h，是目前所有合成方法中生长速度最快的一种方法，为快速生
长金刚石薄膜提供了一种行之有效的方祛。其缺点是沉积面积相对较小，对等离子体发生
器的稳定性要求高，如果能进一步加大反应器的容积，使用大面积的基片，达到快速生长
出大面积的金刚石多晶膜，将会加快金刚石薄膜的商品化进程。
5.微波等离子体CVD法
以CH4一H2的混合气体为原料，利用微波辉光放电，可在非金刚石材料的基片上制备出
金刚石薄膜，以一定直径的石英玻璃管为沉积室，通过渡导管与微波发生器相接，微波通
过波导管输入反应室内，使CH4一H2气体在反应室内产生辉光放电，从而在基片上沉积出金
刚石工作条件是：压力为4.6×103Pa，气体流量为10～200mL/min，基片温度为600～
1000℃，微波频率为2.45GHz，微波功率为300—700W，CH4的浓度为0.5％～5.0％(体积分
数)，最大沉积速度达10μm/h，在实验中通过附加偏压的方法可以在很大程度上提高薄膜
沉积的速率。工作条件与微波功率和基片材料有关，基片的表面处理对获取质量优异的金
刚石薄膜是很重要的，微波等离子体CVD法的特点是：单位体积中的电子密度高，产生的原
子态H的浓度大，而且能在较高的压力下产生稳定的等离子体，因此生长的金刚石薄膜质量
很好。目前采用该法沉积的金刚石薄膜的尺寸可达Φ4O～Φ60mm，该法的不足之处是生长
速度较低，难以扩大实验装置，不容易生长出尺寸更大的金刚石薄膜。