实验报告_半导体泵浦激光原理

半导体泵浦激光原理实验

学号：09327085 ：武班别：光信二班合作人：程昌、谭宇婷实验日期：3-14 组别：B11

【实验目的】

1、了解与掌握半导体泵浦激光原理及调节光路方法。

2、掌握腔倍频技术，并了解倍频技术的意义。

3、掌握测量阈值、相位匹配等基本参数的方法。

【实验仪器】

808nm半导体激光器、半导体激光器可调电源、Nd:YV O4晶体、KTP倍频晶体、输出镜（前腔片）、光功率指示仪

【实验原理】

光与物质的相互作用可以归结为光与原子的相互作用，有三种过程：吸收、自发辐射和受激辐射。

如果一个原子，开始处于基态，在没有外来光子，将保持不变，如果有一个能量为hυ21的光子接近，则它吸收这个光子，处于激发态E2.在此过程中不是所有光子都能被原子吸收，只有当光子能量正好等于原子能级间距O1−O2时才能被吸收。

激发态寿命很短，在不受外界影响时，它们会自发地返回基态，并放出光子。自发辐射过程与外界作用无关，由于各个原子的辐射都是自发、独立进行的，因而不同原子发出来的

光子的发射方向和初相位是不同的。

处于激发态的原子，在外的光子的影响下，会从高能态向低能态跃迁，并在两个状态的能量差以辐射光子的形式发出去。只有外来光子的能量正好为激发态与基态的能级差时，才能引起受激辐射，且受激辐射发出的光子与外来光子的频率、发射方向、偏振态和相位完全相同。激光的产生主要依赖受激辐射过程。

激光器主要有：工作物质、谐振腔、泵浦源组成。工作物质主要提供粒子数反转。

泵浦过程使粒子从基态E1抽运到激发态E3，E3上的粒子通过无辐射跃迁（该过程粒子从高能级跃迁到低能级时能量转变为热能或晶格振动能，但不辐射光子），迅速转移到亚稳态E2。E2是一个寿命较长的能级，这样处于E2的粒子不断累积，E1上的粒子又由于抽运过程而减少，从而实现E2与E1能级间的粒子数反转。

激光产生必须有能提供光学正反馈的谐振腔。处于激发态的粒子由于不稳定性而自发辐射到基态，自发辐射产生的光子各个方向都有，偏离轴向的光子很快逸出腔外，只有沿轴向的光子，部分通过输出镜输出，部分被反射回工作物质，在两个反射镜间往返多次被放大，形成受激辐射的光放大即产生激光。

光的倍频是一种最常用的扩展波段的非线性光学方法。激光倍频是将频率为ω的光，通

过晶体中的非线性作用，产生频率为2ω的光。

当光与物质相互作用时，物质中的原子会因感应而产生电偶极矩。单位体积的感应电偶极矩叠加起来，形成电极化强度矢量。电极化强度产生的极化场发射出次级电磁辐射。当外加光场的电场强度比物质原子的场强小得多时，物质感生的电极化强度与外界电场强度成正比。

P=ε0χE

在激光没有出现前，当有几种不同频率的光波同时与该物质作用时，各种频率的光都线性独立地反射、折射和散射，满足波的叠加原理，不会产生新的频率。

当外界光场的电场强度足够大时（如激光），物质对光场的响应与场强具有非线性关系：

P=αE+βO2+OO3+⋯

式中α，β，γ，…均为与物质有关的系数，且逐次减小。

考虑电场的平方项

E=O0OOOOO

O(2)=OO2=OO02OOO2OO=O O02

2(1+OOO2OO)

出现直流项和二倍频项cos2ωt,直流项称为光学整流，当激光以一定角度入射到倍频晶体时，在晶体产生倍频光，产生倍频光的入射角称为匹配角。

倍频光的转换效率为倍频光与基频光的光强比，通过非线性光学理论可以得到：

η=O2O

O O∝OO

2O O

OOO2(ΔOO/2)

(ΔOO/2)

式中L为晶体长度，Iω、I2ω分别为入射的基频光、输出的倍频光光强。

在正常色散情况下，倍频光的折射率n2ω总是大于基频光的折射率，所以相位失配，双折射晶体中的o光和e光折射率不同，且e光的折射率随着其传播方向与光轴间夹角的变化而改变，可以利用双折射晶体中o光、e光间的折射率差来补偿介质对不同波长光的正常色散，实现相位匹配。

【实验装置】

图4 实验装置示意图

实验使用808nm LD泵浦晶体得到1.064μm近红外激光，再利用KTP晶体进行腔倍频得到0.53μm的绿激光，长度为3x3x1mm掺杂浓度3at% α轴向切割Nd:YVO4晶体作为工作介质，入射到部的光约95%被吸收，采用ΙΙ类相位匹配2x2x5mmKTP晶体作为倍频晶体，它的通光面同时对1.064μm、0.53μm高透，采用端面泵浦以提高空间耦合效率，用等焦距为3mm的梯度折射率透镜收集808LD激光聚焦成0.1μm的细光束，使光束束腰在Nd:YVO4晶体部，谐振腔为平凹型，后腔片受热后弯曲。输出镜用K9玻璃，R为50mm，对808.5，1.604高反，0.53增透。用632.8nmHe-Ne激光器作为准直光源。

【操作步骤】

1、将808nmLD固定在二维调节架，将He-Ne 632.nm红光通过白屏小孔聚到折射

率梯度透镜上。让He-Ne激光和小孔及808nmLD在同一轴线上。

2、将Nd:YV O4晶体安装在二维调节架，将红光通过晶体并将返回的光点通过小孔。

3、将输出镜固定在四维调节架上。调节输出镜使返回光点通过小孔。对于有一定曲率

的输出镜，会有几个光斑，应区分从球心返回的光斑。

4、在Nd:YV O4晶体和输出镜之间插入KTP晶体，接通电源，调节多圈电位器。

5、产生532nm倍频绿激光。调节输出镜，LD调节架，使532nm绿光功率最大。

【实验数据记录与分析】

表1 光源电流与光功率关系

将数据导入Origin8.5，并拟合为平滑曲线如下： 0

20

40

6080

100

120激光功率P /m W 可调电源输出电流I/mA

图4 实验测得LD 的PI 特性曲线

由激光原理可知：工作物质一定时，LD 输出激光频率与谐振腔长度和激励源强度有关，即输出频率取决于PN 结温度和注入电流大小。

一般半导体激光器的发光特性如图5所示。可以看出在温度一定时，驱动电流低于阈值电流（门限电流）时，激光器输出功率趋近于零，此即为LD 荧光区；只有当驱动电流高于阈值电流时才能产生激光，即为激光区，在这个区域，输出功率随电流I 的增大而迅速呈似线性式增大。