半导体泵浦激光原理实验
半导体激光泵浦源

半导体激光泵浦源的原理、优势及应用前景一、引言半导体激光泵浦源是一种利用半导体材料作为增益介质,通过电注入或光激发方式实现粒子数反转并产生激光输出的器件。
它具有体积小、重量轻、效率高、可靠性好等优点,因此在通信、医疗、工业加工等领域得到了广泛应用。
本文将从原理、优势及应用前景等方面对半导体激光泵浦源进行详细介绍。
二、半导体激光泵浦源的原理半导体激光泵浦源的工作原理基于半导体材料的能带结构和粒子数反转机制。
当外界注入电流或光激发时,半导体材料中的电子从价带跃迁至导带,形成粒子数反转分布。
在满足一定条件下,这些反转分布的粒子通过受激辐射过程发射出相干光,即激光。
具体来说,半导体激光泵浦源通常由P型半导体和N型半导体组成的PN结结构构成。
当正向偏置电压施加在PN结上时,空穴和电子分别从P区和N区注入到有源层,并在有源层内复合发光。
通过调整注入电流、有源层厚度和掺杂浓度等参数,可以控制激光的输出功率和波长。
三、半导体激光泵浦源的优势1. 体积小、重量轻:与传统的固体激光器相比,半导体激光泵浦源具有更小的体积和重量,便于集成和携带。
2. 效率高:半导体激光泵浦源的电光转换效率较高,通常在百分之几十到百分之几百之间,远高于传统的灯泵浦固体激光器。
3. 可靠性好:半导体激光泵浦源采用电注入方式实现粒子数反转,无需机械运动部件,因此具有较高的可靠性和稳定性。
4. 调制速度快:半导体激光泵浦源的调制速度较快,可以实现高速光通信和光信号处理。
5. 波长可调谐:通过调整有源层的材料和厚度等参数,可以实现半导体激光泵浦源的波长调谐,满足不同应用需求。
6. 成本低:随着半导体材料制备技术的不断发展和规模化生产的实现,半导体激光泵浦源的成本不断降低,具有较高的性价比。
四、半导体激光泵浦源的应用前景1. 通信领域:半导体激光泵浦源是光通信系统中的关键器件之一,用于实现信息的传输和放大。
随着5G、云计算等技术的快速发展,对高速率、大容量光通信系统的需求不断增长,将进一步推动半导体激光泵浦源的发展和应用。
LD泵浦NdYVO4 Cr4+YAG被动调Q激光特性研究

LD泵浦Nd:YVO4 /Cr4+:YAG被动调Q激光特性研究光信息科学与技术专业指导教师摘要:半导体激光(LD)泵浦的固体激光器具有全固化、体积小、泵浦效率高等特点,在激光通讯、遥感探测、工业加工、军事、医疗等领域有着广泛的应用前景,受到人们极大的关注。
使用连续激光二极管泵浦Nd:YVO4晶体,得到1064nm 的连续红外激光输出,在激光谐振腔中加入慢饱和吸收晶体Cr4+:YAG,得到了调Q脉冲激光输出,从实验上得到了泵浦功率、Cr4+:YAG小信号透过率以及输出镜透过率对输出脉冲特别是脉冲宽度的影响,并通过数值求解速率方程对实验结果进行了理论分析,实验结果与理论模拟基本相符。
关键词:LD 泵浦;Nd∶YVO4;Cr4+∶YAG;被动调Q;脉冲宽度Characteristic of a laser diode pumped passively Q switched Nd:YVO4laser with Cr4+:YAG saturable absorberStudent majoring in optics information science and technologyHeng SunTutor Xiuqin YangAbstract:Laser-diode (LD) Pumped solid-state laser has wide applications in the fields such as laser telecommunication ,remote-sensing detection ,industry and military as wellashealthduetoitsadvantagessuchasallsolidstate,high pump efficiency,smallvolumeandlonglongevity,andhasbeen ing continuous laser diode pumped Nd: YVO4crystalgets 1064 nm infrared laser outputcontinuously.Then addingslow saturable absorbercrystals Cr4 + : YAG in the laser cavity to obtain the output of theQ-switched pulse laser. Study the influence of the pump power, output transmission and cavity length to the output pulse in particularthe influence of pulse width from experiments.Through the numerical solution of rate equation to carry on the theoretical analysis with the result of the experiment and thenumericalsolutionsoftheequationsagreewiththeexperimentalresults.Keywords:LDpumped;Nd: YVO4; Cr4+:YAG; passively Q switched;pulse width第一章前言自上世纪六十年代世界上首台激光器发明以来,各类激光器和激光技术得到了迅速的发展,其中固体激光器的发展尤为突出。
半导体泵浦激光器原理

半导体泵浦激光器原理
半导体泵浦激光器是一种特殊的半导体激光器。
相对于其他激光器,
它的优势在于尺寸小、功率高和效率高,因此被广泛应用于光通信、
医疗、生物科技和材料加工等领域。
半导体泵浦激光器的工作原理是通过电流注入半导体材料(通常是双
异质结或量子阱结构),使得电子和空穴在材料中复合并释放出光子。
这些光子被镜子反射,反复在腔体中反射,从而产生聚集和增强的光。
相比于其他激光器,半导体泵浦激光器的优势在于其工作时不需要高
能输入激光器,因此可以实现高效率转化电能为光能。
此外,由于其
结构较小,积累的热量比其他激光器少,因此可以实现更小的散热系
统和更高的功率密度。
然而,半导体泵浦激光器也存在一些问题,其中最主要是光子漫反射
导致的散射损耗和上行波的影响。
为了解决这些问题,研究人员正在
努力改进半导体材料和腔体结构,以增加激光的强度和时间,从而实
现更高效的反射和收集。
将来,随着我们对半导体泵浦激光器的理解和知识的深入,其应用领
域可能会得到更广泛的扩展。
我们期望,随着时间的推移,人们可以
创造出更高性能、更稳定的半导体泵浦激光器,从而推动发展更广泛的应用场景。
半导体泵浦激光原理实验(精)

hvE 2 1(a)2 1(b)2 E 1(c)光与物质作用的吸收过程半导体泵浦激光原理实验【实验目的】1. 了解激光特别是半导体激光器工作原理2. 调节激光器光路,观察倍频现象,测量阈值、相位匹配等基本参数,加深对激光技术理解。
【实验仪器】808nm 半导体激光器、半导体激光器可调电源、Nd:YVO4晶体、KTP 倍频晶体、输出镜(前腔片)、光功率指示仪【实验原理】1. 激光产生原理光与物质的相互作用可以归结为光与原子的相互作用,有三种过程:吸收、自发辐射和受激辐射。
如果一个原子,开始处于基态,在没有外来光子,它将保持不变,如果一个能量为hv 21的光子接近,则它吸收这个光子,处于激发态E 2。
在此过程中不是所有的光子都能被原子吸收,只有当光子的能量正好等于原子的能级间隔E 1-E 2时才能被吸收。
激发态寿命很短,在不受外界影响时,它们会自发地返回到基态,并放出光子。
自发辐射过程与外界作用无关,由于各个原子的辐射都是自发的、独立进行的,因而不同原子发出来的光子的发射方向和初相位是不相同的。
处于激发态的原子,在外的光子的影响下,会从高能态向低能态跃迁,并两个状态间的能量差以辐射光子的形式发射出去。
只有外来光子的能量正好为激发态与基态的能级差时,才能引起受激辐射,且受激辐射发出的光子与外来光子的频率、发射方向、偏振态和相位完全相同。
激光的产生主要依赖受激辐射过程。
激光器主要有:工作物质、谐振腔、泵浦源组成。
工作物质主要提供粒子数反转。
泵浦过程使粒子从基态E 1抽运到激发态E 3,E 3上的粒子通过无辐射跃迁(该过程粒子从高能级跃迁到低能级时能量转变为热能或晶格振动能,但不辐射光子),迅速转移到亚稳态E 2。
E 2是一个寿命较长的能级,这样处于E 2上的粒子不断积累,E 1上的粒子 又由于抽运过程而减少,从而实现E 2与E 1能级间的粒子数反转。
激光产生必须有能提供光学正反馈的谐振腔。
处于激发态的粒子由于不稳定性而自发辐射到基态,自发辐射产生的光子各个方向都有,偏离轴向的光子很快逸出腔外,只有沿轴向的光子,部分通过输出镜输出,部分被反射回工作物质,在两个反射镜间往返多次被放大,形成受激辐射的光放大即产生激光。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源808nm光纤耦合半导体激光泵浦源是一种利用光纤耦合技术,将激光器的输出光束耦合到光纤中进行激光泵浦的一种光纤耦合激光器源。
它具有方便性、高效性和稳定性等特点,在现代光通信和光电器件领域有着广泛的应用。
本文将从原理、结构和应用领域等方面介绍808nm 光纤耦合半导体激光泵浦源。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的原理是利用半导体激光器产生808nm波长的光束,通过透镜将光束聚焦到光纤的输入端,然后通过光纤传输到输出端,从而实现对目标物质的泵浦。
在光纤耦合激光器源中,光纤起到了光束传输的作用,避免了传统激光器泵浦源中存在的激光束扩散、气动光损耗等问题,提高了光能利用率和泵浦效率。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的结构主要包括激光器、透镜、光纤和输出端。
激光器是光源,产生波长为808nm的激光光束。
透镜起到聚焦和耦合的作用,通过调整透镜的位置和焦距,实现光束的聚焦和耦合效果。
光纤作为传输媒介,将激光光束从输入端传输到输出端。
输出端通常配备有滤光片和准直透镜,用于过滤杂散光和调整激光的准直性。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的应用非常广泛,主要包括以下几个方面:首先,光通信领域。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源可以作为光纤放大器的泵浦源,用于放大光信号,提高光通信系统的传输距离和信号质量。
另外,它还可以用于光纤激光器的泵浦源,产生窄线宽、高功率的激光光束,用于光纤光通信系统中的光谱分析、光纤传感器等应用。
其次,光电子器件领域。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源可以用于激发固体或半导体材料中的光电子材料,产生特定波长的光激发物质的电子跃迁过程,实现电子的能级转移和激发态的产生,从而实现激光器、光电二极管、光电晶体管等光电子器件的制备。
再次,生物医学领域。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源可以用于激发生物标记物(如荧光染料)的荧光发射过程,实现生物体内的光学成像、光热治疗、光动力疗法等应用。
半导体泵浦固体连续激光器实验原理

半导体泵浦固体连续激光器实验原理文章标题:半导体泵浦固体连续激光器实验原理引言:半导体泵浦固体连续激光器(也称作DPSSL)是一种重要的激光器技术,它被广泛应用于科学研究、工业生产、材料加工等领域。
本文将深入探讨半导体泵浦固体连续激光器的实验原理,通过介绍其构造、工作原理和关键技术,帮助读者更全面、深刻地了解该激光器技术。
第一节:半导体泵浦固体连续激光器的构造和工作原理1.1 构造概述半导体泵浦固体连续激光器由激光工作物质、泵浦源、光学谐振腔等组成。
详细介绍每个组成部分的功能和作用。
1.2 工作原理半导体泵浦固体连续激光器的工作原理是基于半导体激光二极管对工作物质进行泵浦,从而实现能量转换。
解释能量转换的过程和原理,包括吸收、激发、跃迁等关键步骤。
第二节:半导体泵浦固体连续激光器的实验关键技术2.1 泵浦源选择介绍如何选择合适的半导体泵浦源,包括波长匹配、功率要求、热效应等因素的考虑。
2.2 激光工作物质选择探讨如何选择适用于半导体泵浦固体连续激光器的工作物质,包括钕掺杂YAG(钇铝石榴石)晶体、钇铝石榴石陶瓷等,比较它们的优缺点和应用领域。
2.3 光学谐振腔设计和优化介绍光学谐振腔的设计原理和方法,包括准稳态、长腔和短腔等不同谐振腔结构的选择和优化。
第三节:实验过程与结果分析3.1 实验步骤详细描述半导体泵浦固体连续激光器实验的步骤,包括调整泵浦源、控制温度、测量输出功率等操作。
3.2 实验结果分析对实验结果进行分析和讨论,包括激光输出功率与输入功率的关系、温度对输出功率的影响等方面。
第四节:对半导体泵浦固体连续激光器的观点和理解4.1 对半导体泵浦固体连续激光器的观点提供对半导体泵浦固体连续激光器技术的观点和评价,包括其优势、局限性以及应用前景等。
4.2 对实验原理的理解总结总结半导体泵浦固体连续激光器的实验原理,回顾文章中的关键内容,以帮助读者更全面、深入地理解该技术。
结论:通过对半导体泵浦固体连续激光器实验原理的细致讲解,读者可以加深对该激光器技术的理解,并在科学研究和工业应用中充分发挥其潜力。
实验1NdYAG固体激光器实验

hv21(a) 2 1 (b) 2 E 1(c) 图1、光与物质作用的吸收过程Nd :YAG 固体激光器实验一、 实验内容与器件1、了解半导体激光器的工作原理和光电特性2、掌握半导体泵浦固体激光器的工作原理和调试方法二、 实验原理概述1. 激光产生原理光与物质的相互作用可以归结为光与原子的相互作用,有三种过程:吸收、自发辐射和受激辐射。
如果一个原子,开始处于基态,在没有外来光子,它将保持不变,如果一个能量为hv 21的光子接近,则它吸收这个光子,处于激发态E 2。
在此过程中不是所有的光子都能被原子吸收,只有当光子的能量正好等于原子的能级间隔E 1-E 2时才能被吸收。
激发态寿命很短,在不受外界影响时,它们会自发地返回到基态,并放出光子。
自发辐射过程与外界作用无关,由于各个原子的辐射都是自发的、独立进行的,因而不同原子发出来的光子的发射方向和初相位是不相同的。
处于激发态的原子,在外的光子的影响下,会从高能态向低能态跃迁,并两个状态间的能量差以辐射光子的形式发射出去。
只有外来光子的能量正好为激发态与基态的能级差时,才能引起受激辐射,且受激辐射发出的光子与外来光子的频率、发射方向、偏振态和相位完全相同。
激光的产生主要依赖受激辐射过程。
激光器主要有:工作物质、谐振腔、泵浦源组成。
工作物质主要提供粒子数反转。
hv 21 2 E 1(a) E 2E 1(b)hv 21 hv 21图2、光与物质作用的受激辐射过程泵浦过程使粒子从基态E 1抽运到激发态E 3,E 3上的粒子通过无辐射跃迁(该过程粒子从高能级跃迁到低能级时能量转变为热能或晶格振动能,但不辐射光子),迅速转移到亚稳态E 2。
E 2是一个寿命较长的能级,这样处于E 2上的粒子不断积累,E 1上的粒子 又由于抽运过程而减少,从而实现E 2与E 1能级间的粒子数反转。
激光产生必须有能提供光学正反馈的谐振腔。
处于激发态的粒子由于不稳定性而自发辐射到基态,自发辐射产生的光子各个方向都有,偏离轴向的光子很快逸出腔外,只有沿轴向的光子,部分通过输出镜输出,部分被反射回工作物质,在两个反射镜间往返多次被放大,形成受激辐射的光放大即产生激光。
半导体泵浦激光原理

③、 — 曲线的斜率
该斜率为 以上的 — 曲线的斜率,表示波长为808nm的泵浦功率有多少转换成1064nm固体激光器的输出功率。
二、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器光斑尺寸的测量
在各种不同光强分布形式中,基横模的光强分布不均匀性最小,因此需要激光器工作在基横模状态。激光基横模的光强分布是高斯分布,能够方便地测量光斑的大小。
用刀口法可以测定光斑的大小和验证光斑的光强分布是高斯分布。实验中使刀口平行于y轴,沿垂直于x轴方向移动。当刀口缓慢推入光束时,设刀口挡住了x≤a的所有点。最后,归一化的高斯分布和相对功率与刀口位置关系曲线如下图所示:
相对功率为0.25和0.75的点分别位于高斯分布曲线极大值两侧,其距离为ep=0.6745σ。由实验得到的相对功率与刀口位置的关系曲线可确定ep的值。用ep的值可计算出光斑大小:
自发辐射:在没有外界作用下,原子中的电子自发的由高能级向低能级跃迁,跃迁时将产生光辐射,此即为自发辐射。辐射光子能量为:
原子的自发辐射过程完全是一个随机过程,所辐射的光之间完全没有联系。
波尔兹曼分布规律:在通常的热平衡条件下,处于高能级 上的原子数密度 ,远比处于低能级的原子数密度低。处于能级E的原子数密度N的大小随能级E的增加而指数减小,即N∝ 。于是,在上、下两个能级上的原子数密度比为
4、缓慢旋转螺旋测微器,推进刀口,每0.04mm测一对应的激光功率P,记录下来;
5、重复4,直到光斑全部被刀片挡住,即功率计显示为零,由此建立P—x曲线;
6再将刀口拉回,重新测量一组P—x数据;
7、数据拟合及处理得出光斑尺寸及基横模的判断结果。
三、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器远场发散角的测量
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半导体泵浦激光原理实验
理工学院光信息2班贺扬10329064 合作人:余传祥
【实验目的】
1、了解与掌握半导体泵浦激光原理及调节光路方法。
2、掌握腔内倍频技术,并了解倍频技术的意义。
3、掌握测量阈值、相位匹配等基本参数的方法。
【实验仪器】
808nm半导体激光器、半导体激光器可调电源、晶体、KTP倍频晶体、输出镜(前腔片)、光功率指示仪
【实验原理】
激光的产生主要依赖受激辐射过程。
处于激发态的原子,在外的光子的影响下,从高能态向低能态跃迁,并在两个状态的能量差以辐射光子的形式发出去。
只有外来光子的能量正好为激发态与基态的能级差时,才能引起受激辐射,且受激辐射发出的光子与外来光子的频率、发射方向、偏振态和相位完全相同。
激光器主要有:工作物质、谐振腔、泵浦源组成。
工作物质主要提供粒子数反转。
泵浦过程使粒子从基态抽运到激发态,上的粒子通过无辐射跃迁,迅速转移到亚稳态。
是一个寿命较长的能级,这样处于的粒子不断累积,上的粒子又由于抽运过程而减少,从而实现与能级间的粒子数反转。
激光产生必须有能提供光学正反馈的谐振腔。
处于激发态的粒子由于不稳定性而自发辐射到基态,自发辐射产生的光子各个方向都有,只有沿轴向的光子,部分通过输出镜输出,
部分被反射回工作物质,在两个反射镜间往返多次被放大,形成受激辐射的光放大即产生激光。
激光倍频是将频率为的光,通过晶体中的非线性作用,产生频率为的光。
当外界光场的电场强度足够大时(如激光),物质对光场的响应与场强具有非线性关系:
式中均为与物质有关的系数,且逐次减小。
当E很大时,电场的平方项不能忽略。
,直流项称为光学整流,当激光以一定角度入射到倍频晶体时,在晶体产生倍频光,产生倍频光的入射角称为匹配角。
倍频光的转换效率为倍频光与基频光的光强比,通过非线性光学理论可以得到:
式中L为晶体长度,、分别为入射的基频光、输出的倍频光光强。
在正常色散情况下,倍频光的折射率总是大于基频光的折射率,所以相位失配,双折射晶体中的o光和e光折射率不同,且e光的折射率随着其传播方向与光轴间夹角的变化而改变,可以利用双折射晶体中o光、e光间的折射率差来补偿介质对不同波长光的正常色散,实现相位匹配。
【实验装置】
图2 实验装置示意图
实验使用808nm LD泵浦晶体得到1.064近红外激光,再利用KTP晶体进行腔内倍频得到0.53的绿激光,长度为3x3x1mm掺杂浓度3at% 轴向切割晶体作为工作介质,入射到内部的光约95%被吸收,采用类相位匹配2x2x5mmKTP晶体作为倍频晶体,它的通光面同时对1.064高透,采用端面泵浦以提高空间耦合效率,用等焦距为3mm的梯度折射率透镜收集808LD激光聚焦成0.1的细光束,使光束束腰在
,谐振腔为平凹型,后腔片受热后弯曲。
输出镜用K9玻璃,R为50mm,对808.5,1.604高反,0.53增透。
用632.8nmHe-Ne激光器作为准直光源。
【操作步骤】
1、将808nmLD固定在二维调节架,将He-Ne 632.nm红光通过白屏小孔聚到折射率梯度透
镜上。
让He-Ne激光和小孔及808nmLD在同一轴线上。
2、将晶体安装在二维调节架,将红光通过晶体并将返回的光点通过小孔。
3、将输出镜固定在四维调节架上。
调节输出镜使返回光点通过小孔。
对于有一定曲率的输
出镜,会有几个光斑,应区分从球心返回的光斑。
4、在和输出镜之间插入KTP晶体,接通电源,调节多圈电位器。
5、产生532nm倍频绿激光。
调节输出镜,LD调节架,使532nm绿光功率最大。
【实验数据及处理】
1.808nmLD源电流与光功率关系:
P /m w
I/mA
图3.808nmLD 源电流与光功率曲线
根据激光原理,驱动电流低于阈值电流时,输出功率趋于0,只有当驱动电流高于阈值电流 时,激光器可产生激光。
观察得,此激光器的阈值电流大概在70mA 处。
在做此部分实验时,一切正常,很顺利。
应该和808LD 源与接受器相离很近有关,相对 与下一个实验,光的损耗很小(几乎全被接受器接受到)。
2.激励源电流与532nm 绿光激光光功率关系:
P /m w
I/mA
图4激励源电流与532nm 绿光激光光功率曲线
表3激励源电流与532nm 绿光激光光功率转化率
B
I/mA
图5. 激励源电流与532nm 绿光激光光功率转化率曲线
由图3可得,随着电流增大,转化效率整体呈上升趋势。
此次实验所得转换效率远小于一般LD 泵浦激光器的转换效率。
造成偏低的原因可能有:
(1)光路调节不准直,主要器件的光轴不在同一条水平线上。
(2)光功率计示数上下波动,读数时会有误差。
(3)透镜或出射窗有污渍影响光强输出。
此部分实验分为两个部分:1用上一组同学调好的仪器测量激励源电流与532nm 绿光激光光功率;2自己重新搭建仪器。
[实验过程中遇到的问题]:
1.当I=0时,P 为0.017*10^-3mw 。
分析原因:1.在测量前未调0.
2. 实验室内日光灯的影响,因为当关闭日光灯后,示数明显减小。
由于0.017*10^-3很小,当打到2mw 档时,可忽略不计。
2.在第一次测量时,150mA —180mA ,280mA —300mA.有不正常变化(经查资料得,正常应为线性),第二次测量亦然。
第三次150mA —180mA 处恢复正常。
分析原因:1在示数未稳定时,但是前两次测量等了一段时间,但示数仍上下波动。
2,280mA —300mA ,可能和温度有关。
由激光原理可知:工作物质一定时,
LD 输出激光频率与谐振腔长度和激励源强度有关,即输出频率取决于PN 结温度和注入电流大小。
3.重新组装调整完仪器后,出现绿光,但功率很小,后来黄老师过来进行调整,重新准直后绿光再未出现。
分析原因:1.由于此次实验仪器808LD光头据说是斜的,所以调整准直等没用,可以说越调越斜。
2.可能在调整仪器是,不小心调动了KTP倍频晶体的角度。
但由于不知正确
角度无法判断。
(为找到正确角度,又拿出两个备用的KTP倍频晶体。
三个
角度均不同)
3.仪器坏了。
很有可能是KTP倍频晶体,因为可以检查出有红光射到滤光片
上,但不管怎样移动KTP倍频晶体,绿光就是不出现。