微电子器件与IC设计基础_第2版_刘刚_陈涛_课后答案
课后习题答案1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。
然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。
因此，经典物理无法准确描述电子的状态。
在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢k 建立联系的，即 k n c h p h E ====υωυ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢k 。
1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？解：波函数ψ是空间和时间的复函数。
与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。
如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ∆∆∆中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ∆∆∆2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。
解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不能导电。
半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。
所以半导体在室温下就有一定的导电能力。
而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。
1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。
由此产生的载流子称为本征载流子。
本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。
对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。
1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？解：当半导体中掺入施主杂质后，在其导带底的下方，距离导带底很近的范围内可以引入局域化的量子态能级。
该能级位于禁带中，称之为施主杂质能级。
同理，当半导体中掺入受主杂质后，在其价带顶的上方，距离价带顶很近的范围内也可引入局域化的受主杂质能级。
施主能级距离导带底很近，施主杂质电离后，施主能级上的电子跃迁进入导带，其结果向导带提供传导电流的准自由电子；而受主能级距离价带顶很近，受主杂质电离后，价带顶的电子跃迁进入受主能级，其结果向价带提供传导电流的空穴。
1.6 试比较N 型半导体与P 型半导体的异同。
解：对同种材料制作的不同型号的半导体来说，具有以下相同点：二者都具有相同的晶格结构，相同的本征载流子浓度，都对温度很敏感。
不同点是，N 型半导体所掺杂质是施主杂质，主要是靠电子导电，电子是多数载流子，空穴是少数载流子：而P 型半导体所掺杂质是受主杂质，主要靠空穴导电，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
1.7 从能带的角度说明杂质电离的过程。
解：杂质能级距离主能带很近，其电离能一般都远小于禁带宽度。
因此，杂质能级与主能带之间的电子跃迁也比较容易完成。
以施主杂质为例，施主能级上的电子就是被该施主原子束缚着的电子。
它在室温下吸收晶格振动的能量或光子的能量（只要其能量高于杂质的电离能）后，就可以挣脱施主原子核对它的束缚，跃迁进入导带成为准自由电子。
这一过程称之为杂质电离。
电离以后的杂质带有正电荷，电离以前的杂质是电中性的。
1.8 什么是迁移率？什么是扩散系数？二者有何关系？解：迁移率是描述载流子在电场作用下输运能力的一个物理量；扩散系数是描述载流子在其浓度梯度作用下输运能力的物理量。
二者可以通过以下爱因斯坦关系建立联系：qkT =μD1.9 说明载流子的两种输运机制，并比较它们的异同。
解：载流子的输运机制可分为扩散运动和漂移运动两种。
扩散运动是在半导体中存在载流子的浓度梯度时，高浓度一边的载流子将会向低浓度一边输运。
这种运动称为载流子的扩散运动。
扩散运动的强弱与浓度梯度的大小成正比，即与载流子的分布梯度有关。
漂移运动是半导体中的载流子在电场力作用下的定向运动。
其强弱只与电场的大小成正比，与载流子的分布没有关系。
1.10 什么是费米能级？什么是准费米能级？二者有何差别？解：在热平衡条件下，半导体中能量为E 的能级被电子占据的几率f(E)服从费米-狄拉克分布()kT E E Fe Ef -+=11式中的E F 就是费米能级。
它是一个描述半导体电子系统中电子填充能带水平的标志性参数，也称为热平衡系统的化学势。
准费米能级是半导体系统在非平衡条件下（如关照或有电注入下），有非平衡载流子存在时，为了描述导带电子在导带各能级上的分布以及价带空穴在价带各个能级上的分布而引入的一个参考量。
其大小也反映了电子和空穴填充能带的水平。
值得注意的是，一个能带内消除非平衡的影响仅仅需要s 121110~10--，而少子寿命约为s 610-。
所以，在非平衡载流子存在的绝大部分时间内主能带的电子都处于平衡分布。
1.11 什么是扩散长度？扩散长度与非平衡少数载流子寿命有何关系？解：扩散长度是描述载流子浓度随着扩散深度增加而衰减的特征长度。
扩散长度与非平衡少数载流子寿命的关系如下：n n n p p D L ττ==,D L p1.12 简述半导体材料的导电机理。
解：半导体的导电机理与金属是不同的。
金属中只有一种载流子（电子）参与导电，而半导体中同时有两种载流子（电子和空穴）参与导电。
本征半导体中导电的载流子是由于本征激发而产生的电子和空穴。
它们是同时出现的，且i n p n ==00，两种载流子对电流的贡献相同。
但是，在杂质半导体中往往有00p n >>，或者00p n <<，存在着多数载流子和少数载流子。
所以，多数载流子对电流的贡献占据主要地位，而少数载流子对电流的贡献却可以忽略不计。
习 题11.1 计算速度为s cm 710的自由电子的德布洛意波长。
解：()m mv h p h 9531341028.710101.910626.6---⨯=⨯⨯⨯===λ 1.2 如果在单晶硅中分别掺入31510的磷和31510cm 的硼，试计算300K 时，电子占据杂质能级的概率。
根据计算结果检验常温下杂质几乎完全电离的假设是否正确。
解：查表可知，磷作为硅晶体中的施主杂质，其电离能为eV 0.044E D =∆, 硼作为硅晶体中的受主杂质，其电离能为eV 0.045E A =∆。
于是有()eV E E D gi 516.0044.056.02E -E E -E D F D =-=∆-==能级为E D 的量子态被被电子占据的几率为9104.21026.0516.0ex p 1ex p 1-⨯=+⎪⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎭⎫ ⎝⎛-=kT E E f i D E D 上述结果说明，施主能级上的电子几乎全部电离。
能级为E A 的量子态被空穴占据的几率为9104.21026.0515.0ex p 11ex p 1A -⨯=+⎪⎭⎫ ⎝⎛=+⎪⎭⎫ ⎝⎛-=kT E E f A i E 上述计算结果说明受主能级上的空穴几乎全部被电离。
1.3 硅中的施主杂质浓度最高为多少时材料是非简并的。
解：若假设非简并的条件为kT E E F C 2≥-, 那么，非简并时导带电子浓度为()3182190108.3108.22ex p ex p -⨯=⨯=⎪⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎭⎫ ⎝⎛-=cm e kT kT N kT E E N n C F C C 非简并时，最高施主杂质浓度为()3180108.3-⨯==cm n N D1.4某单晶硅样品中每立方厘米掺有1510个硼原子，试计算K 300时该样品的准自由电子浓度、空穴浓度以及费米能级。
如果掺入的是磷原子它们又是多少？解：硼原子掺入硅晶体中可以引入受主杂质，材料是P 型半导体：351A 10-=cm N该样品的空穴是多子，其浓度为351A 010-==cm N p 电子是少子，其浓度为()()35152100201004.1101002.1-⨯=⨯==cm p n n i 费米能级为()eV E E eV n p kT E E i i i i F 299.01002.110ln 026.0ln 10150-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-= 即费米能级在本征费米能级的下方0.299eV 处。
1.5某硅单晶样品中掺有31610-cm 的硼、31610-cm 的磷和31510-cm 镓，试分析该材料是N 型半导体还是P 型半导体？准自由电子和空穴浓度各为多少？解：由硼、磷、镓掺入硅中分别成为受主、施主和受主，它们在硅晶体中引入的杂质浓度依次为316110-=cm N A 、31610-=cm N D 、315210-=cm N A由于01031521>=-+-cm N N N D A A ，即受主原子总数大于施主原子总数，所以该材料是P 型半导体。
此时，硅材料中空穴浓度为 315010-=cm p准自由电子浓度为 ()()351521002010101002.1-≈⨯==cm p n n i 1.6有两块单晶硅样品，它们分别掺有31510-cm 的硼和磷，试计算300K 时这两块样品的电阻率，并说明为什么N 型硅的导电性比同等掺杂的P 型硅好。
解：查P.22图 1.4.2可得空穴迁移率()s V cm p ⋅≈2400μ，电子迁移率)s V cm n ⋅≈21200μ 于是，掺硼的单晶硅电阻率为cm q p p B ⋅Ω=⨯⨯⨯==-625.15400106.1101119150μρ 掺磷的单晶硅电阻率为cm q n n p ⋅Ω=⨯⨯⨯==-208.51200106.1101119150μρ 因为电子的迁移率大于空穴的迁移率，所以在其它条件不变的情况下，N 型硅的导电性较P 型硅的导电性高。
1.7实验测出某均匀掺杂N 型硅的电阻率为cm ⋅Ω2，试估算施主杂质浓度。
解：本查P.301附录A 可得315103.2-⨯=cm N D ，再查P.22图1.4.2可得电子的迁移率为)s V cm n ⋅≈21200μ。
则施主杂质的浓度为()31519106.21200106.1211--⨯=⨯⨯⨯==cm q N n n D μρ1.8假设有一块掺有31810-cm 施主杂质的硅样品，其截面积为m m μμ5.02.0⨯，长度为m μ2。
如果在样品两端加上5V 电压，通过样品的电流有多大？电子电流与空穴电流的比值是多少？解：掺有施主杂质浓度31810-=cm N D 的硅样品，其电子浓度为()318010-==cm N n D ，再查P.22可得电子的迁移率)s V cm n ⋅≈2380μ，于是，该材料的电导率为()cm q n n ⋅Ω=⨯⨯⨯==-18.60380106.11019180μσ在该样品两端加上5V 电压后的电场强度为()cm V L V E 44105.21025⨯=⨯==- 于是，电子电流密度为()2641052.1105.28.60cm A E j n ⨯=⨯⨯==σ 如果在样品两端加上5V 电压，通过样品的电流为()A A j I n n 34461052.1105.0102.01052.1---⨯=⨯⨯⨯⨯⨯=⋅= 平衡空穴浓度为()()318202004.104101002.1-=⨯==cm n n p i 再查P.22图1.4.2可得空穴迁移率为()s V cmp ⋅≈2190μ，于是电子电流与空穴电流的比值为 1618001092.119010438010⨯=⨯⨯==p n p n p n I I μμ1.9有一块掺杂浓度为31710-cm 的N 型硅样品，如果在m μ1的范围内，空穴浓度从31610-cm 线性降低到31310-cm ，求空穴的扩散电流密度。
电子线路第二版课后练习题含答案
电子线路第二版课后练习题含答案电子线路是电子信息专业的重要基础课程，本文将为大家提供电子线路第二版的课后练习题及答案，帮助大家更好地掌握该领域的知识。
一、选择题1.能进行电流放大的电路是（） A. 集电极接地放大电路 B. 基极接地放大电路 C. 发射极接地放大电路 D. 集电极与发射极都接地的电路答案：B2.某同步触发器两个触发器输入端Q和Q’之间如果连接（）电路，则能实现T触发器功能。
A. 或B. 与C. 非D. 与或答案：C3.以下不属于单切开关功能的是（） A. 加法器 B. 减法器 C. 翻转器 D. 反相器答案：A二、填空题1.鉴别类比信号中信息的主要手段是__________。
答案：频率分析2.FPGA的相对速度比ASIC慢，原因是FPGA的__________。
答案：资源共享3.放大电路的动态指标一般有__________和__________。
答案：截止频率，增益带宽积三、简答题1.请简述反相器的输入输出特性。
答：反相器的输入输出特性是输入电压为高电平时，输出电压为低电平；输入电压为低电平时，输出电压为高电平。
即输出信号与输入信号相反，因此称为反相器。
2.请简述同步触发器的构成及工作原理。
答：同步触发器由两个锁存器和一组控制电路构成。
当控制电路电平为高电平时，第一个锁存器将数据输入进行锁存，第二个锁存器输出上一个周期的锁存数据。
当控制电路电平为低电平时，第二个锁存器将数据输入进行锁存，第一个锁存器输出上一个周期的锁存数据。
同步触发器主要应用于数字电路中零延迟的数据传输。
四、计算题1.已知一个放大电路的输入电阻为10kΩ，输出电阻为2kΩ，放大倍数为50。
求该电路的截止频率和增益带宽积。
答：根据公式截止频率fT=1/2πRC计算得到截止频率fT=7.96Hz；根据公式增益带宽积GBW=A*fT（A为放大倍数），可得增益带宽积GBW=397.93Hz。
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16 32位微机原理、汇编语言及接口技术(第二版)陈涛 钱晓捷 2-3章课后习题答案
第二章2.5 1M=220 因为最小的一个段的大小为16个字节(一个小段)，所以 最多有220/24=216(1) 0FFFFH:0 物理地址为 0FFFF0H(2) 40H:17H 物理地址为 400H+17H=417H(3) 2000H:4500H 物理地址为200000H+4500H=24500H(4) 0B821H:4567H 物理地址为 0B8210H+4567H=0BC777H2.9 (1) CX 16位 DL 8位 操作数宽度不一样（类型不一致）(2) IP 不能作为源操作数，也不能作为目的操作数(3) 立即数不能直接赋给段寄存器(4)段寄存器间不能直接赋值(5) 类型不一致，立即数300超过8位，不能赋给8位寄存器AL(6) 寄存器间接寻址方式不能使用sp 寄存器(7)+作为算术运算符，它的操作数为常量(8)20h 为立即数不能作为目的操作数2.12 (1) ADD DX, BX(2) ADD AL,BYTE PTR [BX+SI] 或ADD AL,BYTE PTR [BX][SI](3) ADD [BX+0B2H],CX(4)ADD WORD PTR [0520H],3412H(5)ADD AL,0A0H21203h 20100h20101h 20102h 20103h 21201h 21201h 21202h2.16(1)1256H (2)20A1H+1256H+20000H=232F7H又[232F7H]=3280H所以EA=3280H 2.17(1)当AX=1E1EH时(2)当AX的D7和D0位不同时为0时(3)无符号数cx<64H时3.9 (1) 67h (2) 133h (3) 230h (4)41h (5)7654H3.11(1) my1b db 'Personal Computer'(2) my2b db 20(3) my3b db 14h(4)my4b db 00010100B(5) my5w dw 20 dup (?)(6) my6c equ 100(7)my7c = 'Personal Computer'3.14109h 10ah 113h114hAX=114H AX=6AX=0DH AX=02H 100h。
《电工电子技术(第2版)》课后习题一答案
03 电子技术基础题目解析
半导体器件题目解析
半导体材料特性
二极管与三极管
解答涉及半导体材料的导电性、热敏 性和光敏性等特性，以及其在电子器 件中的应用。
针对二极管和三极管的符号、工作原 理、特性曲线及主要参数进行深入解 析，并讨论其在电路中的应用。
PN结形成与特性
详细解析PN结的形成过程、工作原理 和特性，包括单向导电性、击穿电压 等概念。
提高实践能力
除了理论学习外，还需要注重实践能力的培养和提高，通 过参加实验、课程设计等实践活动来加深对理论知识的理 解和应用。
关注新技术发展
随着科技的不断发展，电工电子技术也在不断更新换代， 需要关注新技术的发展动态和应用前景。
拓展相关学科知识
电工电子技术与其他学科有着密切的联系和交叉，可以拓 展相关学科知识的学习和应用，如物理学、数学、计算机 科学等。
05 电机与变压器基础题目解 析
变压器工作原理及特性参数计算
变压器工作原理
基于电磁感应原理，通过变换电 压和电流来实现电能的传输和分 配。主要构件包括铁芯和绕组， 铁芯上绕有一次绕组和二次绕组。
特性参数计算
包括额定电压、额定电流、额定 容量、变比、空载电流、空载损 耗、短路阻抗和效率等。这些参 数对于变压器的选择和使用具有
02 电路基础题目解析
直流电路题目解析
电阻、电容、电感等元件的串并联计算
掌握元件的基本性质，熟练运用串并联公式进行计算。
欧姆定律和基尔霍夫定律的应用
理解定律原理，能够准确运用在复杂直流电路的分析中。
电源的等效变换
掌握电压源、电流源的等效变换方法，能够简化电路结构。
叠加定理和戴维南定理的应用
理解定理条件，能够运用定理求解复杂直流电路。
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.线性缓变结的耗尽层宽度正比于【图片】。
参考答案:正确2.反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
参考答案:正确3.减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽取电流。
参考答案:错误4.在异质结双极型晶体管中，通常用（）。
参考答案:宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区5.( )的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BVCBO。
参考答案:发射极开路时，使6.【图片】对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，【图片】的存在意味着【图片】必须先付出对势垒区充放电的多子电流【图片】后，才能建立起一定的【图片】。
这一过程需要的时间是（）。
参考答案:发射结势垒电容充放电时间常数7.某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，则其长度方向的电阻为（）。
参考答案:1KW8.要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。
参考答案:减小基区掺杂浓度_减小基区宽度9.防止基区穿通的措施是提高（）。
参考答案:增大基区宽度_增大基区掺杂浓度10.从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生三方面的影响( )。
参考答案:时间延迟使相位滞后_渡越时间的分散使减小_复合损失使小于111.晶体管的共发射极输出特性是指以输入端电流【图片】作参量，输出端电流【图片】与输出端电压【图片】之间的关系。
参考答案:正确12.电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，功率增益降为四分之一。
参考答案:正确13.特征频率【图片】代表的是共发射极接法的晶体管有电流放大能力的频率极限，而最高振荡频率【图片】则代表晶体管有功率放大能力的频率极限。
参考答案:正确14.模拟电路中的晶体管主要工作在（）区。
参考答案:放大15.共发射极电路中，基极电流IB是输入电流，集电极电流IC是输出电流。
集成电路设计基础 课后答案
班级：通信二班姓名：赵庆超学号：200712012977，版图设计中整体布局有哪些注意事项？答：1版图设计最基本满足版图设计准则，以提高电路的匹配性能，抗干扰性能和高频工作性能。
2 整体力求层次化设计，即按功能将版图划分为若干子单元，每个子单元又可能包含若干子单元，从最小的子单元进行设计，这些子单元又被调用完成较大单元的设计，这种方法大大减少了设计和修改的工作量，且结构严谨，层次清晰。
3 图形应尽量简洁，避免不必要的多边形，对连接在一起的同一层应尽量合并，这不仅可减小版图的数据存储量，而且版图一模了然。
4 在构思版图结构时，除要考虑版图所占的面积，输入和输出的合理分布，较小不必要的寄生效应外，还应力求版图与电路原理框图保持一致（必要时修改框图画法），并力求版图美观大方。
8，版图设计中元件布局布线方面有哪些注意事项？答：1 各不同布线层的性能各不相同，晶体管等效电阻应大大高于布线电阻。
高速电路，电荷的分配效应会引起很多问题。
2 随器件尺寸的减小，线宽和线间距也在减小，多层布线层之间的介质层也在变薄，这将大大增加布线电阻和分布电阻。
3 电源线和地线应尽可能的避免用扩散区和多晶硅布线，特别是通过较大电流的那部分电源线和地线。
因此集成电路的版图设计电源线和地线多采用梳状布线，避免交叉，或者用多层金属工艺，提高设计布线的灵活性。
4 禁止在一条铝布线的长信号霞平行走过另一条用多晶硅或者扩散区布线的长信号线。
因为长距离平行布线的两条信号线之间存在着较大的分布电容，一条信号线会在另一条信号线上产生较大的噪声，使电路不能正常工作。
、5 压点离开芯片内部图形的距离不应少于20um，以避免芯片键和时，因应力而造成电路损坏。
电子技术基(第二版)础答案
电子技术基础1.1 检验学习结果1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？答：由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发；同时进行的价电子定向连续填补空穴的的现象称为复合。
掺入三价杂质元素后，由于空穴数量大大增加而称为多子，自由电子就是少子；掺入五价元素后，由于自由电子数量大大增加而称为多子，空穴就是少子。
即多数载流子和少数载流子的概念是因掺杂而形成的。
2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？答：金属导体中存在大量的自由电子载流子，因此金属导体导电时只有自由电子一种载流子；而半导体内部既有自由电子载流子又有空穴载流子，在外电场作用下，两种载流子总是同时参与导电，这一点是它与金属导体导电机理的区别。
3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？答：原子排列得非常整齐、结构完全对称的晶体称为本征半导体．．．．．。
本征半导体掺入五价元素后形成N型半导体；掺入三价元素后形成P形半导体。
4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。
这种说法正确吗？为什么？答：这种说法不正确。
因为，虽然N型半导体中有多子和少子之分，造成定城的离子带正电，但是整个晶体上的正、负电荷总数在掺杂过程中并没有失去或增加，所以晶体不带电。
5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。
6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？说说PＮ结有什么特性？答：由多子形成的导通电流称扩散电流，由少子形成的电流称为漂移电流；当PN 结的阳极P接电源正极，阴极N接电源负极时称为正向偏置，反之为反向偏置；PN结具有“正向导通、反向阻断”的单向导电性。
1.2 检验学习结果1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？答：二极管虽然具有单向导电性，但是当正向电压较小时，由于外加正向电压的电场还不足以克服PN结的内电场对扩散运动的阻挡作用，二极管仍呈现高阻态，所以通过二极管的正向电流几乎为零，即基本上仍处于截止状态，这段区域通常称为死区．．。
最新-电路基础第二版课后习题答案详解 精品
第一章 答案 1-3 求电路中未知的u 、i 、R 或p 的值。
解：(a) i = -0.5A ；(b) u = -6V ； (c) u = -15V t e -； (d) i = 1.75cos2t A ； (e) R =3Ω； (f ) p = 1.8 2cos 2t W ．1-13 图示电路中的电源对外部是提供功率还是吸收功率？其功率为多少？解：(a) 供12W ； (b) 吸40W ；(c) 吸2W ；(d) 2V 供26W ；5A 吸10W （总共向外供16W ）。
1-15 求图示各电路中电压源流过的电流和它发出的功率。
解：(a) i = 0.5A,p 发 = 1W(b) i = 2A, p 发 = 4W ；(c) i = - 1A, p 发= - 2W ； (d) i = 1A, p发= 2W.1-18 (1) 求图(a)电路中受控电压源的端电压和它的功率；(2) 求图(b)电路中受控电流源的电流和它的功率；(3) 试问(1)、(2)中的受控源可否用电阻或独立源来替代，若能，所替代元件的值为多少？并说明如何联接。
解：W 72 ,V 242 )1(1==p U (发出)；(a)5Ω7cos2t V +- R-6t 15+12e V+ -(d) (e) ( f )-6t p =?-t (b) (c)(a) (b)(c)(d)(b)(c)(d)(a)(b)(a)W 15 ,A 36 )2(2==p I (吸收)；(3) 图(a)中的VCVS 可用下正上负的24V 电压源替代； 图(b)中的CCCS 可用3A ↓的电流源或(5/3)Ω的电阻替代。
1-19 试用虚断路和虚短路的概念求图示两电路中的 i 1 、i 2 及u 0 的表达式。
解：(a) i 1 = 0，u 0 = U S ，i 2 = U S /L (b) i 1 = i 2 = U S /R 1 ，u 0 = - R f U S /R 1 .1-22 求图示各电路中的u ab ，设端口a 、b 均为开路。
版图-tanner
摘要供电电路是提电路工作的电能，无论是生活还是电路板都必须要有供电电路，电路才能正常工作。
具体什么时候要什么电源，必须有控制电路来控制。
Tanner Pro集成电路设计软件是由Tanner Research 公司开发的基于Windows平台的用于集成电路设计的工具软件。
该软件功能十分强大，易学易用，包括S-Edit，T-Spice，W-Edit，L-Edit与LVS，从电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。
L-Edit是Tanner EDA软件公司所出品的一个IC 设计和验证的高性能软件系统模块，具有高效率，交互式等特点，强大而且完善的功能包括从IC设计到输出，以及最后的加工服务，完全可以媲美百万美元级的IC设计软件。
L-Edit包含IC设计编辑器、自动布线系统、线上设计规则检查器（DRC）、组件特性提取器、设计布局与电路netlist的比较器，这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案。
关键词供电，控制，电路，版图设计目录摘要 (I)1 设计内容及目的 (2)1.1设计内容 (2)1.2设计目的 (2)2 三输入两级供电控制电路图设计 (3)2.1电路模型图 (3)2.2电路真值表 (3)2.3电路原理图 (4)2.4电路仿真 (5)3 三输入两级供电控制电路版图实现 (8)3.1版图设计 (8)3.2DRC验证 (8)3.3功能仿真 (9)3.4LVS检测 (14)总结 (18)参考文献 (19)1.设计内容及目的1.1 设计内容三输入两级供电控制电路设计完成三输入两级供电控制电路设计的整个设计流程，包括电路图和版图设计。
1.2设计目的1). 培养学生严谨认真的工作态度2). 培养学生独立分析和解决实际问题的能力3). 进一步熟悉Tanner Pro工具的使用4). 进一步熟悉集成电路设计方法5). 学会撰写课程设计总结报告2 三输入两级供电控制电路图设计2.1电路模型图A、B、C分别为三个不同电源电流流入控制电路，三个电路并联，一起组成第一级控制，D为控制电源输入控制电路，为第二级控制。
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三输入与非门版图设计
1绪论1.1 设计背景随着集成电路技术的日益进步，使得计算机辅助设计（CAD）技术已成为电路设计师不可缺少的有力工具[1]。
国内外电子线路CAD软件的相继推出与版本更新，使CAD技术的应用渗透到电子线路与系统设计的各个领域，如芯片版图的绘制、电路的绘图、模拟电路仿真、逻辑电路仿真、优化设计、印刷电路板的布线等。
CAD技术的发展使得电子线路设计的速度、质量和精度得以保证[2]。
tanner 是用来IC版图绘制软件，许多EDA系统软件的电路模拟部分是应用Spice程序来完成的，而tanner软件是一款学习阶段应用的版图绘制软件。
Tanner集成电路设计软件是由Tanner Research 公司开发的基于Windows 平台的用于集成电路设计的工具软件。
该软件功能十分强大，易学易用，包括S-Edit，T-Spice，W-Edit，L-Edit与LVS，从电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。
其中的L-Edit版图编辑器在国内应用广泛，具有很高知名度。
L-Edit Pro是Tanner EDA软件公司所出品的一个IC设计和验证的高性能软件系统模块，具有高效率，交互式等特点，强大而且完善的功能包括从IC设计到输出，以及最后的加工服务，完全可以媲美百万美元级的IC设计软件L-Edit Pro包含IC设计编辑器(Layout Editor)、自动布线系统(Standard Cell Place & Route)、线上设计规则检查器（DRC）、组件特性提取器（Device Extractor）、设计布局与电路netlist的比较器(LVS)、CMOS Library、Marco Library，这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案。
L-Edit Pro丰富完善的功能为每个IC设计者和生产商提供了快速、易用、精确的设计系统。
1.2设计目标1.用tanner软件中的原理图编辑器S-Edit编辑三输入与非门电路原理图。