(整理)液晶专业术语68128.

目前最全的液晶专业术语

Backlight:背光。

CCFL(CCFT) (Cold Cathode Fluorescent Light/Tube):冷阴极荧光灯。Composite vide复合视频。

Component vide分量视频。

COB(Chip On Board):IC裸片通过邦定固定于印刷线路板上。

COF(Chip On Film):将IC封装于柔性线路板上。

COG(Chip On Glass):将IC封装于玻璃上。

CRT(Cathode Radial Tube):阴极射线管。

DPI(Dot Per Inch):点每英寸。

Duty:占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率。DVI(Digital Visual Interface):（VGA）数字接口。

ECB(Electrically Controlled Birefringence):电控双折射。

EL(Electro luminescence):电致发光。EL层由高分子量薄片构成FSTN(Formulated STN):薄膜补偿型STN,用于黑白显示。

HTN(High Twisted Nematic):高扭曲向列的显示类型。

IC(Integrate Circuit):集成电路。

Inverter:逆变器。

ITO(Indium-Tin Oxide):氧化铟锡。

LCD(Liquid Crystal Display):液晶显示器。

LCM(Liquid Crystal Module): 液晶模块。

LED(Light Emitting Diode):发光二极管。

LVDS(Low Voltage Differential Signaling):低压差分信号。

NTSC(National Television Systems Committee):NTSC制式,全国电视系统委员会制式

OSD(On Screen Display):在屏上显示。

PAL(Phase Alternating Line)AL制式(逐行倒相制式)。

PCB(Print Circuit Board):印刷线路板。

PDP(Plasma Display Panel):等离子体显示。

SECAM(Sequential Couleur Avec Memoire):SECAM制式(顺序与存储彩色电视系统)

STN(Supper Twisted Nematic):超扭曲向列的显示类型。

S-videS端子，与复合视频信号比，将对比和颜色分离传输。

TAB(Tape Automated Bonding):柔性带自动连接。

TCP(Tape Carrier Package):柔性线路板。

TFT(Thin Film Transistor):薄膜晶体管显示类型。

TMDS(Transition Minimized Differential Signaling)

TN(Twisted Nematic):扭曲向列的显示类型。

VFD(Vacuum Fluorescence Display):真空荧光显示。

VGA(Video Graphic Array):视频图形阵列。

VOD(Video On Demand):视频点播。

有效显示区域( Active Area)

LCD Panel 的有效显示区域，即可显示文字图形的总面积，参考下图，白色区域即此片Panel 的有效显示区域。

开口率(Aperture Ratio)

开口率即是每个画素可透光的有效区域除以画素的总面积，开口率越高，整体画面越亮。

画面比率(Aspect Ratio)

Aspect Ratio为画面宽与高之比率。计算机画面及一般影像画面比率为4:3 HDTV则可提供16:9的宽平面屏幕画面。

B/M (Black Matrix) :

于Color Filter 上，用来遮住R、G、B 各Pixel 间之空隙，可大幅减少LCD光点间彼此干扰所产生的光害，呈现更稳定且清晰的影像品质，提升了阅读上的舒适度，同时也减轻了长期使用所造成的眼部压力及疲累感。

CCFL(冷阴极射线管)

Cold Cathode Fluorescent Lamp

将高压施加于灯管之两电极, 电子即由电极端射出, 电子因受高电压加速而与管内之水银原子撞击, 水银原子在被撞击后由不稳定状态急速返回稳定状态时, 会将过剩能量以紫外线(253.7 nm) 释放出来, 此释放出来之紫外线由萤光粉吸收转换成可视光.

C/F(彩色滤光片)(Color Filter) :

彩色滤光片上有排列整齐之RGB(三原色)画素，射入的光可经由滤光片转变混合成各种颜色。

LTPS 〈低温多晶硅〉

LTPS (Low Temperature Poly Silicon)低温多晶硅，就是在摄氏600oC或更低的温度下经过雷射回火(Laser anneal)的制程步骤所生产的多晶硅，具有高开口率、可内建驱动IC等外围电路于玻璃基板上、TFT 反应速度更快且面积缩小、接点数及零件数减少、系统设计简单化，面板可*度提升，以及降低材料成本等优点。

Luminance〈明亮度〉