烧结温度对CaBi2Nb209超高温压电陶瓷结构及性能影响

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锆钛比和烧结温度对PMS-PZT压电陶瓷性能的影响

锆钛比和烧结温度对PMS-PZT压电陶瓷性能的影响

1前言近年来,随着经济社会的发展,压电陶瓷雾化片因具有体积小、重量轻、无触点、无噪音、功耗低、高可靠、长寿命、可以适应恶劣的工作环境等特点,逐渐被广泛应用于环境工程、医疗器械以及家用电器等领域。

压电陶瓷超声雾化片用材料属于大功率硬性压电陶瓷材料。

对这种材料的要求是[1]:高压电常数,高机电耦合系数K p,低介质损耗和高的机械品质因数,较高的机械强度以及耐疲劳等特点;结合上述特点并通过查阅相关的文献资料[2-4],本实验选用锑锰-锆钛酸铅体系为研究对象,试验了不同锆钛比和烧结温度对压电陶瓷性能的影响,以期获得性能优良的适合制备超声雾化片的大功率压电陶瓷材料。

2试验刘长流,张珍宣,张元松,赖炜,张玉芬(贵州振华红云电子有限公司,贵州550018)Pb0.995Sr0.005(ZrxTi1-x)0.96(Sb2/3Mn1/3)0.04O3压电陶瓷,研究了锆钛比和烧结温度对该体系的压电陶瓷性能的影响,并测试其居里温度。

结果表明:陶瓷的压电性能随Zr/Ti减小先升高后下降,当Zr/Ti为50.5/49.5时,该体系的压电性能取得最大值;压电陶瓷的压电性能随烧结温度增加先升高然后下降,在1200℃烧结温度下,当Zr/Ti=50.5/49.5时,获得最优的综合性能,此时εT33/ε0=1628,tanδ=0.45%,K p=0.73,d33=409pC/N,Q m=700;在所研究的组成范围内,随着Zr/Ti的减小,介电常数温度图谱峰值向高温移动,当Zr/Ti=50.5/49.5时,介电峰值对应的居里温度为325℃。

锆钛比;烧结温度;压电介电性能;居里温度贵州省科技计划项目(合同编号:黔科合成果[2019]4004号)。

,(1978~),男,助理工程师,主要从事压电陶瓷元器件的研究。

,(1990~)男,工程师,主要从事压电陶瓷材料及元件的研究。

试验中所选用的原料为Pb 3O 4、TiO 2、ZrO 2、SrCO 3、MnO 2、Sb 2O 3。

烧结温度对BNBT压电陶瓷性能影响

烧结温度对BNBT压电陶瓷性能影响

烧结温度对压电性能的影响
100 90 98 92
80 70 60 56 50 48 40 1140 1150 1160 1170 1180 1190 为先增大后减小。 为先增大后减小。之 所以会出现1 所以会出现 160℃ ℃ 和1 170℃温度下的 ℃ 压电常数比1 压电常数比 140℃ ℃ 的低
烧结温度对体积密度的影响
6.4 6.2 6.13
6.12
6.14 5.94
体积密度/g · cm-3
6.0 5.93 5.8 5.6 5.4 5.33 5.2 1140 1150 1160 1170 1180 1190
从图中可以看出体 积密度大致变化趋 势是先增大后减小
1200
温度/℃
体积密度随烧结温度变化关系
实验思路
1 原料:Bi2O3、TiO2、Na2CO3、BaCO3、 原料: CeO2(其纯度均大于 其纯度均大于99%)。 )。
2 本次实验是采用固相烧结方法制备掺杂 本次实验是采用固相烧结方法制备掺杂CeO2的 BNBT陶瓷试片,烧结气氛为空气。 陶瓷试片, 陶瓷试片 烧结气氛为空气。
3 温度制度设定:预烧 温度制度设定:预烧960 ℃ ,保温 。烧 保温2h。 结温度设置为: 结温度设置为:1140 ℃ 、1160 ℃、 1170 ℃ 、1180 ℃ 、1190℃、1200 ℃,保温时 ℃ 间:2h。 。
压电常数 压电常数/pC· N-1
温度/℃
压电常数随温度变化关系
结 论
通过实验得出以下结论: 通过实验得出以下结论:
1 在1 190℃时达到最大值:ρ=6.14g/cm3 ℃时达到最大值:
2 在1 190℃处取得最大值: r=1 583 ℃处取得最大值:

烧结温度对Ti_(3)SiC_(2)SiC陶瓷材料性能的影响

烧结温度对Ti_(3)SiC_(2)SiC陶瓷材料性能的影响

第34卷第2期2021 年 4 月大学物理实验PHYSICAL EXPERIMENT OF COLLEGEVol.34 No.2Apr.2021文章编号:1007-2934(2021) 02-0010-03烧结温度对Ti 3 SiC 2 /SiC 陶瓷材料性能的影响解玉鹏**,孙添鑫,徐俊收稿日期:2021-02-17基金项目:吉林省教育厅科学研究资助项目(JJKH20190832KJ);吉林市科技创新发展计划项目(201831777) ;2020年吉林省大学生创新创业训练计划*通讯联系人(吉林化工学院理学院,吉林吉林132022)摘 要:以微米级TiC 粉和Si 粉为主要原料,Al 粉为烧结助剂,采用无压烧结工艺制备Ti s SiQ/SiC陶瓷材料,研究了烧结温度对陶瓷材料显微结构及力学性能的影响。

结果表明,随着烧结温度的升高,Ti s SiQ/SiC 陶瓷材料的弯曲强度先提高后降低。

烧结温度为1 500 t 的陶瓷材料力学性能最佳,其密度为 4.88 g/cm _3。

关 键 词:Ti 3SiC 2;陶瓷;弯曲强度;微观结构中图分类号:O469 文献标志码:A DOI :10.14139/22-1228.2021.02.003航空发动机热端、航天飞机热防护系统和火 箭发动机喷管等部件亟须由具有耐高温、高强度、高韧性和线性力学行为的材料制造而成。

相对于传统金属材料而言,陶瓷材料具有强度高、高温稳定性好、化学稳定性强和线性力学行为等优异性能。

但由于陶瓷材料本身脆性问题,其强韧化一直是陶瓷材料研究的核心问题之一[1-4]。

Ti 3SiC 2[5,6 ]既具有金属的性能,即常温下有很好的导热、导电性能,有较低的维氏硬度、较高 的弹性模量,有延展性,可像金属和石墨一样进行机械加工;同时,它又具有陶瓷的性能,即高屈服强度、高熔点、高热稳定性和较好的自润滑性能。

Ti 3SiC 2 添加到 Al 2O 3[7],2D C/SiC ⑻ 或 SiC f /SiC [9]中有助于改善界面结合强度,从而提高材料 的强韧性。

烧结温度对碳化硅陶瓷力学性能的影响

烧结温度对碳化硅陶瓷力学性能的影响

碳 化 硅 的 化 学 式 为பைடு நூலகம்SC, 强 共 价 化 合 物 , 有 i 是 具
的力学性 能 , 有关选 择烧 结助 剂 、 变压制 方法等 多 改 方 面 的研 究 已见报 道 。本 文作 者 采 用 硼 、 助 碳
耐 高温 、 耐腐 蚀 、 磨 损 、 密 度 和高 温 强 度高 等 优 耐 低
c r mis wih g o me h nia r pete r bti d t i e i tmpea u e f21 0 ~ 2 20 ̄ . I s eai e ea c t od c a c lp o ris a e o ane a sntrng e r t r o 9 2 C tha r ltv
9 % ; 弯 强 度 接 近 4 0 P ; 氏硬 度 2 G a以上 。在 试 验 温 度 范 围 内 , 度 与 抗 弯 强 度 之 间 的 关 系近 似 为 6 抗 0 M a维 3P 密
线 性 关 系 , 度越 高 抗 弯强 度 和 硬度 性 能 越 好 。 密 关键 词 : 化 硅 陶 瓷 ; 结 温 度 ; 微 结 构 ; 学性 能 碳 烧 显 力
d st fmo e ta en iy o r h n 96% ; e i te gh o e r4 0M Pa; Vik r a dn s fmo e h n 23GPa I te tsi b ndng sr n t fn a 0 c e s h r e s o r ta . n h e t ng t mp r t e rng e e aur a e,t e r lto u v e we n d nst n n i g sr n t s a p o i t o ln a n . Th ihe h eain c r e b t e e iy a d be d n te gh i p r x mae t i e ro e ehg r de st te betri h ndng srngh a he h r ne s n iy, h t st e be i te t nd t a d s . e Ke r y wo ds:slc n c r i e a c ;sntrngt mp r t e;mi r tu t r iio a bde c r mi s i e i e e aur cosr c u e;m e ha ia r p ry c nc lp o e t

tio2烧结温度

tio2烧结温度

tio2烧结温度TIO2烧结温度引言二氧化钛(TiO2)是一种重要的半导体材料,具有广泛的应用前景,如光催化、太阳能电池、传感器等。

其中,烧结是制备TiO2陶瓷的重要工艺之一。

烧结温度是影响TiO2陶瓷性能和微观结构的关键因素之一。

本文将从TiO2的物理性质、烧结机理以及影响烧结温度的因素三个方面来探讨TIO2烧结温度。

一、 TiO2的物理性质1. 晶体结构TiO2晶体属于四方晶系,空间群为P42/mnm。

其中,锐钛矿型(rutile)和金红石型(anatase)是常见的两种多晶形态。

2. 热膨胀系数TiO2具有较小的线膨胀系数和较大的体膨胀系数。

在高温下,其线膨胀系数随着温度升高而增大。

3. 熔点TiO2具有较高的熔点(1840℃),因此难以通过传统方法加工成形。

二、 TiO2的烧结机理TiO2的烧结是指将粉末在一定温度下加压成型,通过晶粒间的扩散和重结晶使其形成致密陶瓷的过程。

其中,烧结温度是影响TiO2陶瓷性能和微观结构的关键因素之一。

1. 热力学机制在高温下,TiO2粉末表面会发生氧化反应,生成气体。

当气体压力达到一定值时,会引起晶粒间的空隙闭合,从而实现致密化。

2. 动力学机制随着温度升高,TiO2粉末中晶粒间距离减小,扩散速率加快。

同时,在高温下晶界处也会发生重结晶现象,从而促进致密化。

三、影响TIO2烧结温度的因素1. 初始粉末性质初始粉末性质包括晶相、粒径、分布以及表面性质等。

其中,晶相对于其他因素更为重要。

锐钛矿型TiO2比金红石型TiO2更易于实现致密化。

2. 烧结条件烧结条件包括温度、压力、时间等。

其中,温度是影响致密化的关键因素。

过低的温度会导致晶粒间距离过大,致密性差;过高的温度会导致晶粒长大、晶界消失,从而影响材料性能。

3. 添加剂添加剂可以改变TiO2粉末表面性质、促进晶粒生长和重结晶等,从而影响烧结温度和致密化程度。

常用的添加剂包括氧化铝、氧化锆等。

4. 热处理热处理可以改变TiO2陶瓷的微观结构和物理性能。

烧结升温速率对钛酸钡陶瓷压电性能的影响

烧结升温速率对钛酸钡陶瓷压电性能的影响

第46卷第7期 人工晶体学报Vol.46No.7 2017年7月________________________JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS_________________Ju ly,2017烧结升温速率对钛酸钡陶瓷压电性能的影响朱强\周恒为\张超、尹红梅w(1.伊犁师范学院物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁835000;2.南京大学物理学院,国家固体微结构重点实验室,南京210093)摘要:采用固相反应方法在不同烧结升温速率下制备了 BaTi03陶瓷,并对陶瓷样品的晶体结构、表面形貌、介电、压电和铁电性能进行了测试和分析。

结果表明:当烧结升温速率为3 t/min和5 t/min时陶瓷均为四方钙钛矿晶格结构,随升温速率的增大,四方相程度增强,材料平均晶粒尺寸减小,压电系数和铁电性能随之降低,但介电常数随之增大,当烧结升温速率为5 t/min介电常数最大,其值为3144。

当烧结升温速率为1t/min时陶瓷为正交钙钛矿晶格结构‘和&最大,其值为&= 1〇pC/cm2和‘ =193 PC/N。

关键词:钛酸钡陶瓷;固相反应法;升温速率;压电性能中图分类号:TQ174.1文献标识码:A文章编号:1000-985X(2017) 07-1333-05 Effect of Sintering Heating Rate on Barium TitanateCeramic Piezoelectric PropertiesZHU Qiang1, ZHOU Heng-wei1, ZHANG Chao1, YING Hong-mei1 2(1. Xinjiang Laboratory of Phase Transitions and Microstructures in Condensed Matter Physics, School of Physical Science,Yili Normal University, Yining 835000, China;2. State Key Laboratory of Solid Microstructure,School of physics, Nanjing University, Nanjing 210093 , China)Abstract : BaTi03ceramics were prepared by traditional solid state reaction method at different heating rates and the crystal structure, surface morphology, dielectric, piezoelectric and ferroelectric properties of ceramic samples were tested and analyzed. The results show that when the sintering temperature rate is 3 Tl/min and 5 Tl/m in,the ceramic is tetrahedral perovskite lattice structure. With the increase of the heating rate, the tetragonal phase increases while the average grain size decreases, electrical coefficient and the ferroelectric properties decrease with it. However, the dielectric constant increases. When the sintering temperature rate is 5 Tl/m in, dielectric constant is the largest with the value of 3144. When the sintering temperature rate is 1Tl /min, the ceramic is orthorhombic perovskite lattice structure, of which the d33and P r is the maximum, its value is P r=10 [jiC/cm2while d33= 193 pC/N.Key words:BaTi03ceramics;solid state reaction method;temperature rate;piezoelectric property1引言钛酸钡陶瓷是历史上最早发现的一种多晶压电材料,是电子陶瓷元器件的基础母体原料,被誉为“电子基金项目:新疆维吾尔自治区自然科学基金(2015211C296)作者简介:朱强(1991-),男,河南省人,硕士研究生。

烧结温度对(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.94Sb0.06)O3陶瓷结构和电学性能的影响

烧结温度对(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.94Sb0.06)O3陶瓷结构和电学性能的影响
( 1 .广安市环境监测站 ,四川 广安 6 3 8 0 0 0 ; 2 .四川 师范大学 化学与材料科学学院 ,四川 成都 6 1 0 0 6 6 )
摘要 : 采用 传统陶瓷烧结工艺制备 了( K 。 N a 。 L i 。 ) ( N b 。 s b ㈣ ) O , 无铅压 电陶瓷 , 研究 了不 同烧结
着课 题 组在 0 . 9 4 K N N一 0 . 0 6 L i S b O 的基 础上 , 重点
研 究 了不 同 N a和 K 的配 比对 陶 瓷 的影 响 , 研 究显
9 4一x N a L i o o 6 ) ( N b o 9 4 S b o o 6 ) O 3陶 瓷 在 示 出( K 0
2 0 1 4年 1月 第3 7卷 第 1 期
四川师范大学学报 ( 自然科学版 )
J o u r n a l o f S i c h u a n N o r ma l U n i v e r s i t y ( N a t u r a l S c i e n c e )
行的 , 但 近年 来研 究发 现各 个碱 金 属 的挥 发 能 力 不
不 同烧 结温 度下 的结 构和 性能 .
同, 不同 N a和 K配 比对 陶瓷 的性能 有很 大 的影 响 ,
如0 . 9 5 ( K 0 . 4 2 N a n 8 ) N b O 3— 0 . 0 5 L i S b O 3 、 0 . 9 5 ( K 0 4 9 N a 1 )N b O 3—0 . 0 5 L i S b O 3 、 0 . 9 6( K 0 . 4 8 N a 2 )( N b o 9 5 T a o o 5 ) O 3—0 . 0 4 L i S b O 3 、 ( N a o 5 2 K o 4 4 L i 0 【 Ⅵ)( N b o 8 6 3 S b o . 0 3 7 T a 0 1 )O 3 、 0 . 9 5( K 0 5 N a o 5 )N b O 3— 0 .0 5 L i S b O 3 和 ( K o 3 4 N a o . 6 7 5 )

烧结方式对(K,Na,Li)(Nb,Sb,Ta)O3压电陶瓷的微观结构和物理性能的影响

烧结方式对(K,Na,Li)(Nb,Sb,Ta)O3压电陶瓷的微观结构和物理性能的影响

第34卷第7期无机材料学报Vol. 34No. 7 2019年7月Journal of Inorganic Materials Jul., 2019文章编号: 1000-324X(2019)07-0721-06 DOI: 10.15541/jim20180447烧结方式对(K,Na,Li)(Nb,Sb,Ta)O3压电陶瓷的微观结构和物理性能的影响张晓晨1, 王雪梅2, 王春雷2(1. 四川大学物理科学与技术学院, 成都610065; 2. 山东大学物理学院, 济南250100)摘要: (K,Na)NbO3基陶瓷(KNLNST陶瓷)是一类很有发展潜力的无铅压电材料, 目前对其进行两步烧结相关的研究还很少。

本工作分别采用普通烧结(Conventional Sintering, CS)和两步烧结(Two-step Sintering, TSS)制备了(K0.4425Na0.52Li0.0375)(Nb0.8825Sb0.08Ta0.0375)O3陶瓷, 并进行微观结构与物性的对比研究。

TSS可将(K,Na)NbO3基陶瓷的相对密度ρ'由CS时的95.0%提高至97.0%, 压电系数d33由CS时的363 pC/N增大到387 pC/N。

两种烧结方式制备的KNLNST陶瓷的微观组织结构和电畴结构有着很大的差异。

KNLNST-CS陶瓷的晶粒尺寸较小而且分布较为均匀, 极化后多数晶粒的电畴图案为简单的平行条纹。

KNLNST-TSS陶瓷的晶粒尺寸则大小分布不均匀, 极化后许多大晶粒中呈现带状条纹内部又存在着精细的平行条纹的电畴图案。

关键词: (K,Na)NbO3基陶瓷; 两步烧结; 压电性能; 相变; 微观组织结构; 电畴结构中图分类号: TQ174文献标识码: AInfluences of Sintering Methods on Microstructure and PhysicalProperty of (K,Na,Li)(Nb,Sb,Ta)O3 Piezoelectric CeramicsZHANG Xiao-Chen1, WANG Xue-Mei2, WANG Chun-Lei2(1. College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610065, China; 2. School of Physics, ShandongUniversity, Jinan 250100, China)Abstract: (K,Na)NbO3-based ceramics (KNLNST ceramics) are a very promising type of lead-free piezoelectric ma-terials. However, only limited studies were reported on them prepared by two-step sintering. Here, a comparison study was performed between two kinds of (K0.4425Na0.52Li0.0375)(Nb0.8825Sb0.08Ta0.0375)O3 ceramics that were prepared by ei-ther conventional sintering (CS) or two-step sintering (TSS). It was found that TSS largely increases the relative den-sity ρ'and piezoelectric coefficient d33from 95.0% and 363 pC/N of CS to 97.0% and 387 pC/N, respectively.KNLNST ceramics prepared by two kinds of sintering methods show significant differences between microstructure and domain structure. The KNLNST-CS ceramic has small grain sizes but distributed uniformly, and their domain pat-terns in most grains are simply a group or groups of parallel stripes. In contrast, the KNLNST-CS ceramic has a non-uniform grain-size distribution, with many large grains displaying broad bands, and existing fine strips.Key words:(K,Na)NbO3-based ceramics; two-step sintering; piezoelectric property; phase transitions; micro-structure; domain structure收稿日期: 2018-09-20; 收到修改稿日期:2018-11-13基金项目:国家自然科学基金(51672159) National Natural Science Foundation of China (51672159)作者简介:张晓晨(1997–), 女, 本科生. E-mail: zhangxiaochen166@722 无机材料学报第34卷压电陶瓷是一类能够实现机械能与电能之间相互转换的重要功能材料, 可用于制造超声换能器、滤波器、驱动器、传感器等电子元件和器件, 在国民经济、科学技术、现代国防等各领域有着广泛的应用。

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的核心问题 ; ②剩余极化 : 剩余极化与陶瓷的压电性能具有重 要的关联 ; ③矫顽场 : 矫顽场的高低对陶瓷的人工极化的难易 具有 重要影 响 。 图 6是 CB bO aiN : 陶瓷 的 电 滞 回线 。从 图 中可以看 出, 电滞 回线呈橄榄 球状 , 未达 到饱 和 , 是 因为 这 CB bO a i 陶瓷 的 自发极 化受 二 维 空 间结 构 的 限制 , N 矫顽 场
的扭 曲模 ,8.9和 8 87 m 对应 的是 N 560 1.9c b—O的拉伸
畸变程 度增大 , 强 了极 化 。 增 2 2 不 同烧 结温度 下 C B: bO . a i : 陶瓷 的微观 形貌 N
c a e td f rn e e au e e misa i ee t mp r tr f t
空军工程大学学报 ( 自然科学版 )

21 0 2芷
2 A型压 电测试 仪测 量压 电 陶瓷 的压 电常数 d, ,。
2 结 果 与 讨 论
2 1 不 同烧 结温 度下 C B2 b O . a i 2 陶瓷的相 结构 N
图 1 a 是在 10 5 、 0 0C、 5 o 110 、 1 ℃烧结 温度下 , 温 2h制备 的 C B2 bO () 6 ℃ 1 9 o 11 0C、 8 ℃ 1 0 2 保 a i 2 9陶瓷 N
烧 结 温 度 对 C B2 b 9 a iN 2 O
超 高 温 压 电陶瓷 结构 及 性 能 影 响
田晓霞 , 屈绍 波 , 王斌科 , 周 瑜
( 空军工程大学理学 院 , 陕西西安 7 05 ) 10 1
摘要 采用传统 固相合成法制备 了铋层状结构 CB bO a i : 压 电陶瓷, 究 了烧结温度对样 品 N 研
看出, 随着 烧结 温度 的升 高 ,15 晶面 向低 角方 向移动 , 是 由于 随着 热处 理 温度 的升 高 , (1) 这 晶粒逐 渐 长 大 ,
晶胞体积增大 。烧结温度从 1 6 一 5℃到 1 1 o 08晶面指数强度逐渐增大 , 10℃时达到最强 , 0 0 C, 2 0 15 后
D 1 . 9 9 ji n 10 OI 0 3 6 /.s . 0 9—3 . 0 2 0 . 1 s 5 6 2 1. 5 0 1 8
中图分类 号
C B bO a i : 。陶瓷 的居里 温度 为 90℃ , 电常 数 d, 5p / 是 目前 报道 的铋 层 状结 构 中居 里 温 N 4 压 约 C N, 度最 高 的材 料 , 压 电活 性 相 对 较 低 -] a _ 首 次 采 用 等离 子 火 花 烧 结 技 术 (P ) 但 4。Y h2 s s 制备 了 C B bO aiN
室温时的 x射线衍射图, 1 b 是衍射角 2 = 6 一 2 特征峰的放大图。通过与 x射线衍射仪的标准衍 图 () 0 2 。 3。 射卡 JP F中 N . 9— 6 8相 比较 , 图 1 a 可 以看 出 , CD o 4 00 从 () 其最 高特征 峰沿 ( 1 ) 15 晶面 , 表 明从 1 6 这 5o 0 C到 120℃均得 到 了 C B bO 陶 瓷 , 于正交 晶系 , 1 ai : N 属 但在 温度 较高 时 有少 量 的杂 峰 出现 。从 图 1 b 中 可 以 ()
8 8
空军工程大学学 报( 自然科 学版)
2 5 C B2 b O . a iN : ,陶瓷 的铁 电及 压 电性能
电滞回线是铁 电体的重要特征 。一般来讲 , 电滞 回线 可 以表达出 3 个重要特征 : 自发极化 : ① 自发极化是铁电体研究

I 二
1i

1J
1J
第1 3卷第 5期
21 02年 1 0月







报( 自然科学版 )
V0 . 3 No 5 11 . 0 t2 2 c . 01
JU N LO I O C N IE RN NV R IY N T R LSIN EE IIN O R A FARF R EE GN E IGU IE S ( A U A E C DTO ) T C
m n图谱。由图 2 a 可以看出, 拉曼光谱的形状基本没有变化 ,
这也 说 明在不 同 的烧 结温 度下 均得 到 了相 同的晶体结 构 。在 10—120c 范 围 内 , 0 0 m 拉曼 频 移 在 20、8.9 887 0 5 60 、1.9 c 左 右都 出 现 了较 强 的拉 曼 声 子 模 , 242 、2. 1 m 在 9.2 322 、 4 69 m 左右都 出现 了较 弱 的拉曼 声 子 模 , 4 .5c 由于 N O b 八
是传统固相法制备压电陶瓷制备过程中的重要工序 , 高温烧结 时,i 。 B: 易挥发而引起材料成分波动并导致 O 介 电性 能和 压 电性 能 恶化 , 因此 研究 烧结 温 度对 压 电 陶瓷 的结 构 和性 能 的影 响具 有 重 要 的意 义 。本 文 采 取
固相反应法制备 了 C B N a i bO 陶瓷 , 研究 了制备温度 、 保温时间对其相结构、 形貌及介 电性能的影响 , 探索
陶瓷, 与采用传统的固相烧结方法相比较 ,P 制备的样品致密性高 , 电损耗低 , SS 介 文献 中对传统 固相法制备
C B: bO a i 。陶瓷并 没有 做详 细 的报 道 , S S技 术设 备成 本 高 、 N 但 P 工艺 复 杂 , 不适 合 于大 规 模工 业 生 产 。烧结
图 2 不 同烧 结 温 度 下 C B bO ai 。 N
面体 内部 的离子 间作用力较强 , 以强频模 与 N O 八面体 所 b
内部 的振动 或扭 曲有关 。一般 认 为 , = 0 m 处是 N 1 2 0c , b—O
陶瓷的 R m n光谱 aa
F g 2 R ma p cr fC B 2 b 9 i . a n s e tao a i N 2 O
相 结构 、 微观 形貌 、 密度 和 介 电 、 电性 能 的影 响。采 用 x射 线衍 射衍 射仪 、 铁 电子 扫描 电镜 、 曼 拉 光谱 、 电温谱 以及 电滞 回线 对制 备 陶 瓷样 品进 行 表 征分 析 和 性 能 测试 。 结 果表 明 : 有 陶瓷 介 所 样 品的相 组 成均 为纯 铋层 状 结构 , 晶粒 呈棒 状 , 向异 性 明 显 , 着烧 结 温 度 的 升高 , 各 随 晶粒 逐 渐 长大, 陶瓷 密度 先 变 大 后 变 小 。 固 相 法 制 备 的 C B bO a i : 压 电 陶 瓷 的 最 佳 烧 结 温 度 为 1 N
逐渐 变 弱 , ( 1 ) 且 15 晶面特 征峰在 110℃ 时峰形尖 而细 , 明该烧 结温度 下 晶体 的结 晶度 最好 。 5 说
图 1 不 同烧结温度下 C B: bO 陶瓷的 X射线衍射 ai 2 9 N
F g 1 XRD s e t fC B 2 b e mis a i ee ttmp r t r i. p cr o a i N 2 c a c td f r n e e au e a O9 f
曼 光谱 仪 , 54 5n 为 激 发 波 长 , 试样 品拉 曼 光谱 ; 用 R 0 0 V 以 1. m 测 采 T6 0 H S铁 电测 试 系统 测 量 样 品 电滞 回 线 , 试频 率 为 1H ; H 4 9 A型 阻抗 分 析仪 测 量样 品介 电性能 , 用 中国科 学 院声 学研 究 所 生 产 的 z 测 z用 P 12 采 J
呈片状生长 , 各向异性明显 , 呈棒状结构 , 这种形貌特征是铋层状化合物 自身的层状结构所具有的特点 , 这是 由于 晶粒沿着 ab面方 向 的生 长速 度大 于沿 C 方 向 的生长 速 率不 同所造 成 的。随 着温 度 的 升 高 , , 轴 晶粒 逐 渐长大 , 温度达到 1 5 0℃ , 1 晶粒的形貌变得清晰 , 当温度达到 1 8 0℃、 20℃时 , 1 11 由于晶粒部分熔融而使 陶瓷表面出现了晶粒相互粘连现象。同时我们从不 同烧结温度的断面 S M 图中可以看出, E 随着烧结温度升 高, 晶粒 的纵 横 比逐渐减 小 , 究 结果表 明这 种变化 使得 陶瓷 极化变 得容 易 - 研 4 。
拉曼光 谱是 一种对 材料 中局 部结 构变化 非常 敏感 的测量
方法 , 以用来 判断层 状 钙钛 矿 结 构铁 电材料 微 结 构 变化 及 可
掺 杂离 子 的取 代位 置 。图 2是样 品在 1 6 、 9 、 10C 5 1 01 5o 0 0 烧结 温度 下 , 温 2h制备 的 CB bO 保 a i 陶 瓷室 温 时 的 R — N a
10C, 电温谱 显 示 C B2 b O 5o 介 a i 2 9陶 瓷 的居 里 温度 为 9 3c 。 N 4 I =
关键词
压 电陶瓷; 微结构 ; 电性能 介
T 34 N 8 文献标 识码 A 文章 编号 10 3 1 (02 0 0 8 0 09— 56 2 1 )5— 05— 5
模 。随 着烧结 温度 升高 , 明显 的拉 曼峰位 置几 乎不 受影 响而强 度 明显 增 加 , 明温度 升 高会 使 材料 晶格 3个 说
图 3是在 1 6 C、 0 0℃ 、 10o 110o 120℃烧 结温 度下 , 5o 1 9 0 1 5 8 1 C、 C、 保温 2h制 备 的 C B2 bO a i 2 。的表 N 面和断面形貌的 S M 图。从不 同烧结温度的表面 S M 图中可以看出 ,a i bO 晶粒沿着 ab面的方 向 E E CB N 。 、

定的热处理温度下烧结成陶瓷 , 上下表面涂导电铂浆 , 以备测试其性能。将用作铁 电性能测试 的样 品, 打
磨到厚度 05m . m左右后继续抛光至 0 3m 用超声波清洗后上电极 。 . m, 采用 Rgk / a 0 V P X型 x射线衍射仪( R 分析样品的相结构 ; i uD m x 50 C a 2 X D) 使用 JO 70 E L60 F型环境扫 描 电 子显微 镜 ( E 观察 其 晶粒形 貌 ; s M) 采用 阿基 米德 法测 定 样 品 密度 ; 用英 国 R nsa 采 ei w公 司 IA A 型拉 h NI
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