2018-10-18模拟集成电路分析与设计习题

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

2018年10月18日模拟集成电路分析与设计作业题(共2页)

姓名: 学号: 班级: 评分:

1.采用电流源负载的共源级增益是: 。

2.在差动信号中,中心电位称为 。

3.在GS TH V V <时,器件并没有被彻底关断,D I 也不是无限小,而是与成指数关系。这一效应称为 。

4.共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗( )。

A. 低

B.一般

C.高

D. 很高

5.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会( )

A.不断提高

B. 不断降低

C.可大可小

D. 不变

6.NMOS 管的导电沟道中依靠 导电,PMOS 管的导电沟道中依靠 导电。( )

A.电子、空穴

B. 负电荷、正电荷

C. 空穴、电子

D. 正电荷、负电荷

7.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( )。

A .可高可低 B.越低越好 C. 没有要求 D. 越高越好

8.如图1,/50/0.5W L =,假设3DS V V =,当||GS V 从0上升到3V 时,画出NFET 的漏电流GS V 变化曲线。(考虑沟道长度调制效应和有效沟道长度。)

2350//n cm V s μ=60.0810D L m -=⨯190.1,910n ox V t m λ--==⨯

1208.85410/F m ε-=⨯2 3.9

sio ε= 2032

3.83710/sio ox ox C F m t εε-==⨯ x

V

图1

9.请把图2箭头所指位置的名称在方框中写出。

图2

10.请写出对应公式并在坐标系中画出曲线。

/W

L

m g /W

L D

I

相关文档
最新文档