2018-10-18模拟集成电路分析与设计习题
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2018年10月18日模拟集成电路分析与设计作业题(共2页)
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1.采用电流源负载的共源级增益是: 。
2.在差动信号中,中心电位称为 。
3.在GS TH V V <时,器件并没有被彻底关断,D I 也不是无限小,而是与成指数关系。这一效应称为 。
4.共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗( )。
A. 低
B.一般
C.高
D. 很高
5.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会( )
A.不断提高
B. 不断降低
C.可大可小
D. 不变
6.NMOS 管的导电沟道中依靠 导电,PMOS 管的导电沟道中依靠 导电。( )
A.电子、空穴
B. 负电荷、正电荷
C. 空穴、电子
D. 正电荷、负电荷
7.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( )。
A .可高可低 B.越低越好 C. 没有要求 D. 越高越好
8.如图1,/50/0.5W L =,假设3DS V V =,当||GS V 从0上升到3V 时,画出NFET 的漏电流GS V 变化曲线。(考虑沟道长度调制效应和有效沟道长度。)
2350//n cm V s μ=60.0810D L m -=⨯190.1,910n ox V t m λ--==⨯
1208.85410/F m ε-=⨯2 3.9
sio ε= 2032
3.83710/sio ox ox C F m t εε-==⨯ x
V
图1
9.请把图2箭头所指位置的名称在方框中写出。
图2
10.请写出对应公式并在坐标系中画出曲线。
/W
L
m g /W
L D
I