模拟集成电路实验报告
模拟集成电路实验实验四报告
单级电流源负载共源放大器设计集成电路设计与分析实验B（四）一、实验目的1.熟练掌握使用Cadence Virtuoso ADE5.1.41软件进行原理图的编辑2.使用器件设计参数表格的数据进行电路设计3.掌握电流源负载的共源放大器的设计方法二、实验软件：Cadence IC Virtuoso ADE 5.1.41三、实验要求：实验前请做好预习工作，实验后请做好练习，较熟练地使用Virtuoso软件对原理图进行编辑并熟练掌握常用的几种低频模拟电路的分析方法。
华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University）1单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）2 第一部分 单级共源放大器设计已知：VDD=3.3V ， I=100uA 要求：Av>30dB , 输出摆幅>2V1.1 单级共源放大器设计一、参数估算1.根据输出摆幅的要求，分配NMOS 和PMOS 的过驱动电压，电路如图1所示，1.30.35,0.5onN onP onP V V V V V V +<⇒==onN 可以取V2.估算共源放大器增益111211(||)()()v mN oN oP G thN n p onN n p I A g r r V V I V λλλλ===-++由此可知，电流源负载的共源放大器小信号增益只和过驱动电压和放大级的沟道长度调制系数有关，选择合理的过驱动电压和沟道长度调制系数使其满足设计要求。
选择的输入管的过驱动电压为0.35V ，L 取1um 时即可满足设计要求。
2.估算静态工作电压：共源放大器的输入电压0.350.350.550.9G thN V V =+=+=3.30.50.75 2.05Vbp =--=单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）3 输出节点的静态工作点(0.35 2.8)/2 1.575+= 3.验证增益是否满足设计要求：查表1.2可知，此时NMOS 的0.03n λ=，PMOS 0.11p λ=2200/0.35571/mN onNIg uA V uA V V === 11171.4()(0.030.11)100out n p D R k I V uAλλ-===Ω++⨯ 571/71.440.7v m out A g R uA V k ==⨯Ω=4.估算器件宽长比，查表1可知：92,43n p K K ==221(/)/()100/(920.35)8.8799/1MN n onN W L I K V u u =⨯=⨯=≈=221(/)/()100/(430.5)9.39.59.5/1MP p onP W L I K V u u =⨯=⨯=≈=二、仿真验证：1.静态工作点仿真结果如图所示，仿真结果显示单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）4 2．输出电压摆幅仿真结果如图所示：设置仿真时不需要从0扫到VDD ，只需要在静态工作点附近3.跨导m GSdIg dV，所以可以先扫描出I-VG 曲线然后在Tools 中选择Calculator …工具（计算器）点击wave 然后在显示的波形中选择你需要进行数学处理的曲线，如 选择后计算器中会有显示如本例中（IS(“M0/D ””/home/hww/…”)）接着对该曲线进行处理，需要对其微分，在计算器中Special Functions 下拉菜单中选择Deriv单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）5 选择完成后，最终需要将其显示出来： 在ADE 中OUTPUTs 选择Setup …选择Get Expression选择OK 后，该波形将进行数学处理显示出来： 点击Plot Outputs 将显示处理完的波形，如下所示：输入为900mV 时跨导约为320uA/V 。
集成电路实验日常实训报告
一、实训时间2022年X月X日至2022年X月X日二、实训地点XX大学电子实验室三、实训目的1. 熟悉集成电路的基本原理和实验方法；2. 培养动手能力和实验操作技能；3. 深入了解集成电路的设计与制造过程；4. 提高对电子电路的分析与解决实际问题的能力。
四、实训内容1. 集成电路基本原理及实验（1）半导体材料与器件：了解半导体材料的特性，掌握PN结、二极管、晶体管等基本器件的原理和特性。
（2）集成电路基本电路：学习放大器、稳压器、滤波器等基本电路的设计与实验。
（3）集成电路制造工艺：了解集成电路的制造工艺流程，包括光刻、蚀刻、离子注入、扩散等。
2. 集成电路设计及实验（1）模拟集成电路设计：学习模拟电路的基本原理，掌握运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法。
（2）数字集成电路设计：学习数字电路的基本原理，掌握逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法。
（3）集成电路版图设计：学习版图设计软件，掌握版图设计的基本规则和技巧。
3. 集成电路制造工艺实验（1）光刻实验：学习光刻原理，掌握光刻机的操作方法和光刻工艺流程。
（2）蚀刻实验：学习蚀刻原理，掌握蚀刻机的操作方法和蚀刻工艺流程。
（3）离子注入实验：学习离子注入原理，掌握离子注入机的操作方法和离子注入工艺流程。
五、实训过程及结果1. 集成电路基本原理及实验在实训过程中，我们学习了半导体材料与器件的基本原理，掌握了PN结、二极管、晶体管等基本器件的特性和应用。
通过实验，我们验证了放大器、稳压器、滤波器等基本电路的性能。
2. 集成电路设计及实验在模拟集成电路设计方面，我们学习了运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
在数字集成电路设计方面，我们掌握了逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
3. 集成电路制造工艺实验在光刻实验中，我们学会了光刻机的操作方法和光刻工艺流程，成功完成了光刻实验。
模拟cmos集成电路设计实验
模拟cmos集成电路设计实验实验要求：设计一个单级放大器和一个两级运算放大器。
单级放大器设计在课堂检查，两级运算放大器设计需要于学期结束前，提交一份实验报告。
实验报告包括以下几部分内容：1、电路结构分析及公式推导（例如如何根据指标确定端口电压及宽长比）2、电路设计步骤3、仿真测试图（需包含瞬态、直流和交流仿真图）4、给出每个MOS管的宽长比（做成表格形式，并在旁边附上电路图，与电路图一一对应）5、实验心得和小结单级放大器设计指标两级放大器设计指标实验操作步骤：a.安装Xmanagerb.打开Xmanager中的Xstartc.在Xstart中输入服务器地址、账号和密码Host：202.38.81.119Protocol: SSHUsername/password: 学号（大写）/ 学号@567& （大写）Command : Linux type 2然后点击run运行。
会弹出xterm窗口。
修改密码输入passwd，先输入当前密码，然后再输入两遍新密码。
注意密码不会显示出来。
d.设置服务器节点用浏览器登陆http://202.38.81.119/ganglia/,查看机器负载情况，尽量选择负载轻的机器登陆，（注：mgt和rack01不要选取）选择节点，在xterm中输入 ssh –X c01n?? (X为大写，??为节点名)如选择13号节点，则输入ssh –X c01n13e.文件夹管理通常在主目录中，不同工艺库建立相应的文件夹，便于管理。
本实验采用SMIC40nm工艺，所以在主目录新建SMIC40文件夹。
在xterm中，输入mkdir SMIC40然后进入新建的SMIC40文件夹，在xterm中，输入cd SMIC40.f.关联SMIC40nm 工艺库在xterm窗口中，输入gedit&,(gedit为文档编辑命令)将以下内容拷贝到新文档中。
SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/dfII/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/hdl/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/pic/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/sg/cds.libDEFINE smic40llrf /soft2/eda/tech/smic040/pdk/SPDK40LLRF_1125_2TM_CDS_V1.4/smic40llrf_1 125_2tm_cds_1P8M_2012_10_30_v1.4/smic40llrf保存为cds.lib 。
集成电路工艺模拟实验
实验名称：集成电路工艺模拟；实验性质：设计性实验；实验时间20105.24实验集成电路工艺模拟一．实验目的IC工艺模拟由运行IC工艺模拟器来实现。
IC工艺模拟器由IC工艺模拟软件及能运行该软件的具有一定容量和速度的计算机等硬件组成。
IC工艺模拟软件大致可分为3类：第一类，用来模拟离子注入、扩散、氧化等以模拟掺杂分布为主的所谓狭义的IC工艺模拟软件；第二类，用来模拟刻蚀、淀积等工艺的IC形貌模拟软件以及第三类，用来模拟固有的和外来的衬底材料参数及制造工艺条件参数的扰动对工艺结果影响的所谓IC工艺统计模拟软件。
IC工艺模拟软件可用于模拟制造IC的全工序，也可用来模拟单类工艺或单项工艺。
IC工艺模拟有优化设计IC制造工艺以及快速分析工艺条件对工艺结果影响等功能，也是虚拟制造IC的重要组成部分。
在工艺条件参数中，以离子注入、扩散和氧化工艺为例，一般包括：离子注入的能量、剂量和杂质种类等；预淀积或再分布扩散的温度、时间、杂质种类及需要给出的浓度、气氛或携带气体的种类和分压等；氧化的温度、时间，携带的氧化剂类别和分压等衬底材料参数一般包括衬底材料的晶向、掺杂类型和浓度等。
必要的网格参数、扰动参数及输出参数等。
有一些电学参数如方块电阻、阈值电压等由得出的杂质分布、氧化层厚度及已知的衬底材料参数按有关解析计算公式计算得出。
工艺模拟软件是在建立各种模拟模型的基础上用数值技术求解，编程得出来的。
所以同一个工艺采用不同的模型，最后的模拟结果是不相同的。
SUPREM（Stanford University Process Engineering Models__斯坦福大学工艺模型）是第一个能模拟几乎全部IC制造工序的软件，它与1977年由美国Stanford大学IC实验室成功试制，由于存在数值不稳定，模型精度不够，未能使用。
经过修改在1978 年6月完成了第二代文本，称为SUPREM II, 在SUPREM II程序中已仔细考虑了磷扩散空位模型、氧化增强扩散等，提高了模型精度；由于这些改进，使在SUPREM II成为国际上第一个能实用的IC工艺模拟软件。
模电知识集成电路实训报告
一、实训背景随着电子技术的飞速发展，模拟电子技术（简称模电）在电子工程领域扮演着至关重要的角色。
为了更好地理解和应用模电知识，我们选择了集成电路实训作为实践学习的重要环节。
本次实训旨在通过实际操作，加深对模拟电路基本原理、集成电路工作原理及电路设计方法的理解。
二、实训目的1. 理解模拟电子技术的基本原理，包括放大、滤波、稳压等。
2. 掌握常用集成电路的应用，如运算放大器、比较器、整流器等。
3. 培养电路设计与调试能力，提高动手实践能力。
4. 增强团队合作精神，提高沟通协调能力。
三、实训内容1. 基本放大电路实训内容：搭建基本放大电路，包括共射、共集、共基等放大电路，观察并分析电路性能。
实训过程：首先，根据设计要求，选用合适的放大电路类型；然后，进行电路元件的选择和连接；最后，通过示波器观察输出波形，分析电路性能。
2. 运算放大器电路实训内容：利用运算放大器搭建非反相放大器、反相放大器、加法器、减法器等电路。
实训过程：选择合适的运算放大器型号，设计电路图，进行元件选择和连接；通过示波器观察输出波形，验证电路功能。
3. 滤波电路实训内容：搭建低通、高通、带通滤波电路，观察滤波效果。
实训过程：根据滤波需求，选择合适的滤波电路类型；进行元件选择和连接；通过示波器观察滤波效果，验证电路性能。
4. 整流电路实训内容：搭建全波整流、半波整流电路，观察整流效果。
实训过程：选择合适的整流元件，进行电路设计；通过示波器观察整流效果，验证电路性能。
5. 集成稳压器实训内容：搭建集成稳压器电路，观察稳压效果。
实训过程：选择合适的集成稳压器型号，进行电路设计；通过示波器观察稳压效果，验证电路性能。
四、实训结果与分析1. 基本放大电路实训结果表明，基本放大电路能够实现对输入信号的放大，但放大倍数和带宽受到电路元件的影响。
2. 运算放大器电路实训结果表明，运算放大器电路具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益等特点，能够实现多种功能。
电子科技大学集成电路实验报告——模拟集成电路
CMOS 模拟集成电路设计及HSPICE 使用实验学时：4学时实验一 CMOS 工艺参数测量 一、实验目的：学习和掌握EDA 仿真软件Hspice ；了解CMOS 工艺技术及元器件模型，掌握MOSFET 工作原理及其电压电流特征；通过仿真和计算，获得CMOS 中NMOS 和PMOS 的工艺参数,,,,,p n p n tp tn k k V V λλ，为后续实验作准备。
二、实验内容：1） 通过Hspice 仿真，观察NMOS 和PMOS 管子的I-V 特性曲线；2）对于给定长宽的MOSFET ，通过Hspice 仿真，测得几组栅-源电压、漏-源电压和漏-源电流数据，代入公式21()()(1)2DSn n n GS tn n DS WI K V V V Lλ=-+，求得对应的工艺参数,,,,,p n p n tp tn k k V V λλ 。
三、实验结果：本实验中所测试的NMOS 管、PMOS 管L=1u ，W 由学号确定。
先确定W 。
W 等于学号的最后一位，若学号最后一位=0，则W=10u 。
所以，本实验中所测试的NMOS 管、PMOS 管的尺寸为：L=1u ，W=（ 8 ）u 。
（1） 测0.5um 下NMOS 和PMOS 管的I-V 特性曲线所用工艺模型是 TSMC 0.50um 。
所测得的Vgs=1V 时，NMOS 管Vds 从0V 到2.5V 变化时的I-V 特性曲线为：所测得的Vds=1.2V时，NMOS管Vgs从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：所测得的Vsg=1V时，PMOS管Vsd从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：所测得的Vsd=1.2V时，PMOS管Vsg从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：（2）计算TSMC 0.50um工艺库下mos管对应的工艺参数测试NMOS管相关参数，Hspice中仿真用源文件（.sp文件）为：NOMS I-V CharacteristicM1 OUT IN 0 0 CMOSn L=1U W=8UVIN IN 0 1VOUT OUT 0 1.2.OPTIONS LIST NODE POST*.DC VOUT 0 2.5 0.1.DC VIN 0 2.5 0.1*.DC VOUT 0 2.5 0.1 VIN 0.8 1.0 0.2.PRINT DC I(M1).LIB "C:\synopsys\project\tsmc_050um_model.lib" CMOS_MODELS .END所测得的NMOS 管电流曲线为：所测的数据如下表：Ids Vds1V 1.5V Vgs 1V65．4uA 66．5 1.2V14．014．4根据公式21()()(1)2DSn n n GS tn n DS I K V V V Lλ=-+，计算,,n n tn k V λ，分别为： -611910,0.028, 1.37n n tn k V λ≈⨯≈≈测试PMOS 管相关参数，Hspice 中仿真用源文件（.sp 文件）为： POMS I-V CharacteristicM1 OUT IN Vdd Vdd CMOSP L=1U W=8UVIN Vdd IN 1 VOUT Vdd OUT 1.2.OPTIONS LIST NODE POST *.DC VOUT 0 2.5 0.1 .DC VIN 0 2.5 0.1*.DC VOUT 0 2.5 0.1 VIN 0.8 1.0 0.2.PRINT DC I(M2).LIB "C:\synopsys\project\tsmc_050um_model.lib" CMOS_MODELS .END所测得的PMOS 管电流曲线为：所测的数据如下表：Isd Vsd1V 1.5VVsg 1V 1．17 1．181.2V 4．87 5．15计算TSMC 0.50um 工艺中 pmos 参数p p tp ，分别为：-654.8910,0.017,0.927p p tp K V λ≈⨯≈≈综上所述，可得：TSMC 0.50um 工艺参数=n λ0.028=p λ0.017=tn V 0.37V=tp V 0.927V2/119V A K n μ=2/89.54V A K p μ=四、思考题2） 不同工艺，,p n λλ不同。
集成电路仿真实验报告
集成光路仿真实验报告班级：电信1004姓名：梁建洋学号：1404100605使用OptiFDTD软件对输入波的安装实验步骤:1、创建布局（1）打开 OptiFDTD Waveguide Layout Designer。
创建新的项目，选择File > New.（2）点击 Profiles and Materials.在Materials 文件下，右击FDTD-Dielectric 文件，选择New.输入以下参数（如图所示），（3）点击Store.2、定义通道剖面（1）在 Profiles文件下, 右击 Channel 文件，选择New.输入以下参数定义通道剖面（如图所示）（2）点击 Add.3、定义晶片和波导的性质在Initial Properties对话框中，根据给定的参数输入。
4、创建 PBG 晶体构造（1）在Draw菜单下，选择PBG Crystal Structure.（2）在布局窗口点击，创建PBG 区域（3）设置 PBG 性质，双击在布局窗口的PBG Crystal Structure。
5、设置原子的性质（1）在 Atom Waveguide in Unit Cell, Add New, 从下拉菜单中选择 Elliptic Waveguide，选择 New.（2）在In Center, Offset, 输入以下参数（如图所示）（3）点击OK，关闭The Elliptic Waveguide Properties对话框（4）点击 OK ，关闭Crystal Lattic Properties对话框。
6、设置band solver 仿真参数。
（1）从 Simulation 菜单中，选择2D Band Solver Parameters.（2）输入以下参数（如图所示）（3）点击Run，开始 OptiFDTD_BandSolver实验心得：通过本次实验，我对OptiFDTD软件有了一个初步的了解。
集成电路实验报告
集成电路实验报告第一篇：集成电路实验报告集成电路实验报告班级：姓名：学号：指导老师：实验一：反相器的设计及反相器环的分析一、实验目的1、学习及掌握cadence图形输入及仿真方法；2、掌握基本反相器的原理与设计方法；3、掌握反相器电压传输特性曲线VTC的测试方法；4、分析电压传输特性曲线，确定五个关键电压VOH、VOL、VIH、VIL、VTH。
二、实验内容本次实验主要是利用 cadence 软件来设计一基本反相器(inverter)，并利用仿真工具Analog Artist(Spectre)来测试反相器的电压传输特性曲线(VTC，Voltage transfer characteristic curves)，并分析其五个关键电压:输出高电平VOH、输出低电平VOL、输入高电平VIH、输入低电平VIL、阈值电压 VTH。
三、实验步骤1.在cadence环境中绘制的反相器原理图如图所示。
2.在Analog Environment中，对反相器进行瞬态分析(tran)，仿真时间设置为4ns。
其输入输出波形如图所示。
分开查看：分析：反相器的输出波形在由低跳变到高和由高跳变到底时都会出现尖脉冲，而不是直接跳变。
其主要原因是由于MOS管栅极和漏极上存在覆盖电容，在输出信号变化时，由于电容储存的电荷不能发生突变，所以在信号跳变时覆盖电容仍会发生充放电现象，进而产生了如图所示的尖脉冲。
3.测试反相器的电压传输特性曲线，采用的是直流分析(DC),我们把输入信号修改为5V直流电源，如图所示。
4.然后对该直流电源从0V到5V进行线性扫描,进而得到电压传输特性曲线如图所示。
5.为反相器创建symbol，并调用连成反相器环，如图。
6.测量延时，对环形振荡器进行瞬态分析，仿真时间为4ns，bcd 节点的输出波形如图所示。
7.测量上升延时和下降延时。
(1)测量上升延时：可以利用计算器(calculator)delay函数来计算信号c与信号b间的上升延时和下降延时如图所示。
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CMOS放大器设计实验报告
一、实验目的
1.培养学生分析、解决问题的综合能力；
2.熟悉计算机进行集成电路辅助设计的流程；
3.学会适应cadence设计工具；
4.掌握模拟电路仿真方法
6.掌握电子电路、电子芯片底层版图设计原则和方法；
7.掌握使用计算机对电路、电子器件进行参数提取及功能模拟的过程；
8.熟悉设计验证流程和方法。
二、实验原理
单级差分放大器结构如下图所示：
在电路结构中，M2和M3组成了NMOS差分输入对，差分输入与
单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰；M0和M1电流镜为有源负载，可将差分输入转化为单端输出；M5管提供恒定的偏置电流。
三、实验要求
设计电路使得其达到以下指标：
1.供电电压：
2.输入信号：正弦差分信号
3.共模电压范围为
4.差分模值范围
5．输出信号：正弦信号
6.摆率大于
7.带宽大于
8.幅值增益：
9.相位裕度：
10.功耗：
11.工作温度：
四、差分放大器分析
1、直流分析
为了使电路正常工作，电路中的MOS管都应处于饱和状态。
1.1 M2管的饱和条件:
1.2 M4管的饱和条件:
2.小信号分析
小信号模型如下：
由图可得：
2．1 增益分析
其中
2.2 频率响应分析由小信号模型易知：
其中
3．电路参数计算3．1确定电流
根据摆率指标：
根据功耗指标易知：
根据带宽指标：
综上，取:
3.2宽长比的确定
M4与M5：电流源提供的电流为，参数设为，根据电流镜原理，可以算出
M2与M3：
带入数据可得
取值为20，则取
M0与M1：这两个PMOS管对交流性能影响不大，只要使其下方的
管子正常开启即可，实验中取值：
五、仿真结果
1、幅频特性
设置激励如下：
信号名
称
信号类型参数
VDD直流V=3.3V
GND直流V=0V
Vin+交流小信号幅值1mV,频率50KHz
直流电压1.65V,初相0 Vin-交流小信号幅值1mV,频率50KHz
电压1.65V,初相180进行ac仿真，仿真结果如下：
增益，，相位裕度为，满足指标要求。
2、摆率仿真
通过加入方波激励进行测试摆率
信号名称信号类型参数
VDD直流V=3.3V
GND直流V=0V
Vin+方波V1=0V,V2=3.3V
周期2,占空比50%
Vin-方波V1=3.3V,V2=0V
周期2,占空比50%仿真结果如下：
得到：满足指标要求。
3、共模电压范围仿真
为了测试共模电压范围，我们调整直流工作点分别在直流工作点为1.15V和2.15V是进行仿真。
3.1 直流工作点1.15V时，仿真结果如下
增益，，相位裕度为，满足指标要求。
3.2 直流工作点2.15V时，仿真结果如下
增益，，相位裕度为，满足指标要求。
4、差分模值范围
将输入信号按如下表格设置:
信号名称信号类型参数
VDD直流V=3.3V
GND直流V=0V
Vin+交流小信号幅值100mV,频率50KHz
直流电压1.65V,初相0
Vin-交流小信号幅值100mV,频率50KHz
电压1.65V,初相180仿真结果如下：
可以看到，放大器性能没有发生大的变化，满足要求
以上所有仿真中功率都明显小于1mw；综上，放大器大的所有指
标在前仿中满足要求。
六、版图的绘制
由电路图绘制版图如下：
由于电容所占面积较大，考虑电容时版图如下：
版图绘制完成后，通过DRC检查，以及LVS验证，然后进行RCX
参数提取，而后进行后仿。
提取RCX如下：
七、后仿结果
1、幅频特性
设置激励如下：
信号名称信号类型参数VDD直流V=3.3V GND直流V=0V
Vin+交流小信
号
幅值1mV,频率50KHz 直流电压1.65V,初相0
Vin-交流小信
号幅值1mV,频率50KHz 电压1.65V,初相180
进行ac仿真，仿真结果如下：
增益，，相位裕度为，满足指标要求。
2、摆率仿真
通过加入方波激励进行测试摆率
信号名称信号类型参数
VDD直流V=3.3V
GND直流V=0V
Vin+方波V1=0V,V2=3.3V
周期2,占空比50%
Vin-方波V1=3.3V,V2=0V
周期2,占空比50%仿真结果如下：
得到：满足指标要求。
3、共模电压范围仿真
为了测试共模电压范围，我们调整直流工作点分别在直流工作点为1.15V和2.15V是进行仿真。
3.1直流工作点1.15V时，仿真结果如下
增益，，相位裕度为，满足指标要求。
3.2 直流工作点2.15V时，仿真结果如下
增益，，相位裕度为，满足指标要求。
3.3差分模值范围
将输入信号按如下表格设置：
信号名称信号类型参数
VDD直流V=3.3V
GND直流V=0V
Vin+交流小信号幅值100mV,频率
50KHz
直流电压1.65V,
初相0
Vin-交流小信号幅值100mV,频率
50KHz
电压1.65V,初相
180
仿真结果如下：
增益，，相位裕度为，满足指标要求。
综上，放大器在后仿中也满足指标要求。
八、总结
通过使用cadence软件设计仿真CMOS放大器，让我熟悉了使用计算机进行集成电路辅助设计的流程；在调节电路参数时有复习巩固了CMOS放大器的相关知识，受益匪浅。