模拟集成电路 实验报告
模拟集成电路实验实验四报告
单级电流源负载共源放大器设计集成电路设计与分析实验B（四）一、实验目的1.熟练掌握使用Cadence Virtuoso ADE5.1.41软件进行原理图的编辑2.使用器件设计参数表格的数据进行电路设计3.掌握电流源负载的共源放大器的设计方法二、实验软件：Cadence IC Virtuoso ADE 5.1.41三、实验要求：实验前请做好预习工作，实验后请做好练习，较熟练地使用Virtuoso软件对原理图进行编辑并熟练掌握常用的几种低频模拟电路的分析方法。
华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University）1单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）2 第一部分 单级共源放大器设计已知：VDD=3.3V ， I=100uA 要求：Av>30dB , 输出摆幅>2V1.1 单级共源放大器设计一、参数估算1.根据输出摆幅的要求，分配NMOS 和PMOS 的过驱动电压，电路如图1所示，1.30.35,0.5onN onP onP V V V V V V +<⇒==onN 可以取V2.估算共源放大器增益111211(||)()()v mN oN oP G thN n p onN n p I A g r r V V I V λλλλ===-++由此可知，电流源负载的共源放大器小信号增益只和过驱动电压和放大级的沟道长度调制系数有关，选择合理的过驱动电压和沟道长度调制系数使其满足设计要求。
选择的输入管的过驱动电压为0.35V ，L 取1um 时即可满足设计要求。
2.估算静态工作电压：共源放大器的输入电压0.350.350.550.9G thN V V =+=+=3.30.50.75 2.05Vbp =--=单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）3 输出节点的静态工作点(0.35 2.8)/2 1.575+= 3.验证增益是否满足设计要求：查表1.2可知，此时NMOS 的0.03n λ=，PMOS 0.11p λ=2200/0.35571/mN onNIg uA V uA V V === 11171.4()(0.030.11)100out n p D R k I V uAλλ-===Ω++⨯ 571/71.440.7v m out A g R uA V k ==⨯Ω=4.估算器件宽长比，查表1可知：92,43n p K K ==221(/)/()100/(920.35)8.8799/1MN n onN W L I K V u u =⨯=⨯=≈=221(/)/()100/(430.5)9.39.59.5/1MP p onP W L I K V u u =⨯=⨯=≈=二、仿真验证：1.静态工作点仿真结果如图所示，仿真结果显示单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）4 2．输出电压摆幅仿真结果如图所示：设置仿真时不需要从0扫到VDD ，只需要在静态工作点附近3.跨导m GSdIg dV，所以可以先扫描出I-VG 曲线然后在Tools 中选择Calculator …工具（计算器）点击wave 然后在显示的波形中选择你需要进行数学处理的曲线，如 选择后计算器中会有显示如本例中（IS(“M0/D ””/home/hww/…”)）接着对该曲线进行处理，需要对其微分，在计算器中Special Functions 下拉菜单中选择Deriv单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）5 选择完成后，最终需要将其显示出来： 在ADE 中OUTPUTs 选择Setup …选择Get Expression选择OK 后，该波形将进行数学处理显示出来： 点击Plot Outputs 将显示处理完的波形，如下所示：输入为900mV 时跨导约为320uA/V 。
集成电路实验日常实训报告
一、实训时间2022年X月X日至2022年X月X日二、实训地点XX大学电子实验室三、实训目的1. 熟悉集成电路的基本原理和实验方法；2. 培养动手能力和实验操作技能；3. 深入了解集成电路的设计与制造过程；4. 提高对电子电路的分析与解决实际问题的能力。
四、实训内容1. 集成电路基本原理及实验（1）半导体材料与器件：了解半导体材料的特性，掌握PN结、二极管、晶体管等基本器件的原理和特性。
（2）集成电路基本电路：学习放大器、稳压器、滤波器等基本电路的设计与实验。
（3）集成电路制造工艺：了解集成电路的制造工艺流程，包括光刻、蚀刻、离子注入、扩散等。
2. 集成电路设计及实验（1）模拟集成电路设计：学习模拟电路的基本原理，掌握运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法。
（2）数字集成电路设计：学习数字电路的基本原理，掌握逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法。
（3）集成电路版图设计：学习版图设计软件，掌握版图设计的基本规则和技巧。
3. 集成电路制造工艺实验（1）光刻实验：学习光刻原理，掌握光刻机的操作方法和光刻工艺流程。
（2）蚀刻实验：学习蚀刻原理，掌握蚀刻机的操作方法和蚀刻工艺流程。
（3）离子注入实验：学习离子注入原理，掌握离子注入机的操作方法和离子注入工艺流程。
五、实训过程及结果1. 集成电路基本原理及实验在实训过程中，我们学习了半导体材料与器件的基本原理，掌握了PN结、二极管、晶体管等基本器件的特性和应用。
通过实验，我们验证了放大器、稳压器、滤波器等基本电路的性能。
2. 集成电路设计及实验在模拟集成电路设计方面，我们学习了运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
在数字集成电路设计方面，我们掌握了逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
3. 集成电路制造工艺实验在光刻实验中，我们学会了光刻机的操作方法和光刻工艺流程，成功完成了光刻实验。
模拟cmos集成电路设计实验
模拟cmos集成电路设计实验实验要求：设计一个单级放大器和一个两级运算放大器。
单级放大器设计在课堂检查，两级运算放大器设计需要于学期结束前，提交一份实验报告。
实验报告包括以下几部分内容：1、电路结构分析及公式推导（例如如何根据指标确定端口电压及宽长比）2、电路设计步骤3、仿真测试图（需包含瞬态、直流和交流仿真图）4、给出每个MOS管的宽长比（做成表格形式，并在旁边附上电路图，与电路图一一对应）5、实验心得和小结单级放大器设计指标两级放大器设计指标实验操作步骤：a.安装Xmanagerb.打开Xmanager中的Xstartc.在Xstart中输入服务器地址、账号和密码Host：202.38.81.119Protocol: SSHUsername/password: 学号（大写）/ 学号@567& （大写）Command : Linux type 2然后点击run运行。
会弹出xterm窗口。
修改密码输入passwd，先输入当前密码，然后再输入两遍新密码。
注意密码不会显示出来。
d.设置服务器节点用浏览器登陆http://202.38.81.119/ganglia/,查看机器负载情况，尽量选择负载轻的机器登陆，（注：mgt和rack01不要选取）选择节点，在xterm中输入 ssh –X c01n?? (X为大写，??为节点名)如选择13号节点，则输入ssh –X c01n13e.文件夹管理通常在主目录中，不同工艺库建立相应的文件夹，便于管理。
本实验采用SMIC40nm工艺，所以在主目录新建SMIC40文件夹。
在xterm中，输入mkdir SMIC40然后进入新建的SMIC40文件夹，在xterm中，输入cd SMIC40.f.关联SMIC40nm 工艺库在xterm窗口中，输入gedit&,(gedit为文档编辑命令)将以下内容拷贝到新文档中。
SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/dfII/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/hdl/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/pic/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/sg/cds.libDEFINE smic40llrf /soft2/eda/tech/smic040/pdk/SPDK40LLRF_1125_2TM_CDS_V1.4/smic40llrf_1 125_2tm_cds_1P8M_2012_10_30_v1.4/smic40llrf保存为cds.lib 。
模拟集成电路实验报告
CMOS放大器设计实验报告一、实验目的1.培养学生分析、解决问题的综合能力；2.熟悉计算机进行集成电路辅助设计的流程；3.学会适应cadence设计工具；4.掌握模拟电路仿真方法6.掌握电子电路、电子芯片底层版图设计原则和方法；7.掌握使用计算机对电路、电子器件进行参数提取及功能模拟的过程；8.熟悉设计验证流程和方法。
二、实验原理单级差分放大器结构如下图所示：在电路结构中，M2和M3组成了NMOS差分输入对，差分输入与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰；M0和M1电流镜为有源负载，可将差分输入转化为单端输出；M5管提供恒定的偏置电流。
三、实验要求设计电路使得其达到以下指标：1.供电电压：2.输入信号：正弦差分信号3.共模电压范围为4.差分模值范围5．输出信号：正弦信号6.摆率大于7.带宽大于8.幅值增益：9.相位裕度：10.功耗：11.工作温度：四、差分放大器分析1、直流分析为了使电路正常工作，电路中的MOS管都应处于饱和状态。
1.1 M2管的饱和条件:1.2 M4管的饱和条件:2.小信号分析小信号模型如下：由图可得：2．1 增益分析其中2.2 频率响应分析由小信号模型易知：其中3．电路参数计算3．1确定电流根据摆率指标：根据功耗指标易知：根据带宽指标：综上，取:3.2宽长比的确定M4与M5：电流源提供的电流为，参数设为，根据电流镜原理，可以算出M2与M3：带入数据可得取值为20，则取M0与M1：这两个PMOS管对交流性能影响不大，只要使其下方的管子正常开启即可，实验中取值：五、仿真结果1、幅频特性信号名称信号类型参数VDD 直流V=3.3VGND 直流V=0VVin+ 交流小信号幅值1mV,频率50KHz 直流电压1.65V,初相0Vin- 交流小信号幅值1mV,频率50KHz 电压1.65V,初相180增益，，相位裕度为，满足指标要求。
2、摆率仿真信号名称信号类型参数VDD 直流V=3.3VGND 直流V=0VV1=0V,V2=3.3V Vin+ 方波周期2,占空比50%V1=3.3V,V2=0V Vin- 方波周期2,占空比50%仿真结果如下：得到：满足指标要求。
集成电路实验报告
班级：XX姓名：XXX学号：XXXXXX指导老师：XXX实验日期：XXXX年XX月XX日一、实验目的1. 理解集成电路的基本组成和工作原理。
2. 掌握基本的集成电路设计方法，包括原理图设计、版图设计、仿真分析等。
3. 学习使用集成电路设计软件，如Cadence、LTspice等。
4. 通过实验加深对集成电路理论知识的理解，提高动手能力和问题解决能力。
二、实验内容本次实验主要包括以下内容：1. 原理图设计：使用Cadence软件绘制一个简单的CMOS反相器原理图。
2. 版图设计：根据原理图，使用Cadence软件进行版图设计，并生成GDSII文件。
3. 仿真分析：使用LTspice软件对设计的反相器进行仿真分析，测试其性能指标。
4. 版图与原理图匹配：使用Cadence软件进行版图与原理图的匹配，确保设计正确无误。
三、实验步骤1. 原理图设计：- 打开Cadence软件，选择原理图设计模块。
- 根据反相器原理，绘制相应的电路符号，包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等。
- 设置各个元件的参数，如晶体管的尺寸、电阻和电容的值等。
- 完成原理图设计后，保存文件。
2. 版图设计：- 打开Cadence软件，选择版图设计模块。
- 根据原理图，绘制晶体管、电阻和电容的版图。
- 设置版图规则，如最小线宽、最小间距等。
- 完成版图设计后，生成GDSII文件。
3. 仿真分析：- 打开LTspice软件，选择仿真模块。
- 将GDSII文件导入LTspice，生成对应的原理图。
- 设置仿真参数，如输入电压、仿真时间等。
- 运行仿真，观察反相器的输出波形、传输特性和功耗等性能指标。
4. 版图与原理图匹配：- 打开Cadence软件，选择版图与原理图匹配模块。
- 将原理图和版图导入匹配模块。
- 进行版图与原理图的匹配，检查是否存在错误或不一致之处。
- 修正错误，确保版图与原理图完全一致。
四、实验结果与分析1. 原理图设计：- 成功绘制了一个简单的CMOS反相器原理图，包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等元件。
模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告
模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验报告一、概述在现代集成电路设计领域，模拟CMOS集成电路设计一直是一个备受关注的课题。
本实验旨在通过对模拟CMOS集成电路设计相关内容的学习和实践，加深对该领域的理解，并提升设计实践能力。
本文将介绍实验内容、实验过程和实验结果，并结合个人观点对模拟CMOS集成电路设计进行探讨。
二、实验内容1. 实验名称：基于CMOS工艺的运算放大器设计与仿真2. 实验目的：通过对基本运算放大器的设计与仿真，理解模拟CMOS 集成电路设计的基本原理和方法。
3. 实验要求：设计一个基于CMOS工艺的运算放大器电路，并进行仿真验证。
4. 实验器材与软件：PSPICE仿真软件、计算机、基本电路元件。
三、实验过程1. 设计基本运算放大器电路a. 根据理论知识，选择合适的CMOS工艺器件，并进行电路拓扑设计。
b. 计算电路的主要参数，如增益、带宽、输入输出阻抗等。
c. 优化设计，满足实际应用需求。
2. 运算放大器电路仿真a. 在PSPICE软件中建立电路模型。
b. 分析仿真结果，验证设计参数是否符合预期。
c. 优化设计，使得电路性能达到最佳状态。
四、实验结果经过反复设计与仿真，最终得到了一个基于CMOS工艺的运算放大器电路。
在PSPICE软件中进行仿真测试，结果表明设计的运算放大器电路性能良好，能够满足设计要求。
在输入端加入正弦波信号，输出端得到经过放大和处理的信号，验证了电路的正常工作。
五、总结与回顾通过本次实验，我深刻理解了模拟CMOS集成电路设计的基本原理和方法。
从初步设计到最终仿真，我逐步掌握了电路设计与优化的过程，并将理论知识应用到实践中。
在今后的学习和工作中，我将继续深入研究模拟CMOS集成电路设计，不断提升自己的技能。
六、个人观点与理解模拟CMOS集成电路设计是一个复杂而又具有挑战性的领域。
在实验过程中，我深刻意识到了理论知识与实际应用的紧密通联，只有不断实践与探索，才能够更好地理解与掌握。
集成电路工艺模拟实验
实验名称：集成电路工艺模拟；实验性质：设计性实验；实验时间20105.24实验集成电路工艺模拟一．实验目的IC工艺模拟由运行IC工艺模拟器来实现。
IC工艺模拟器由IC工艺模拟软件及能运行该软件的具有一定容量和速度的计算机等硬件组成。
IC工艺模拟软件大致可分为3类：第一类，用来模拟离子注入、扩散、氧化等以模拟掺杂分布为主的所谓狭义的IC工艺模拟软件；第二类，用来模拟刻蚀、淀积等工艺的IC形貌模拟软件以及第三类，用来模拟固有的和外来的衬底材料参数及制造工艺条件参数的扰动对工艺结果影响的所谓IC工艺统计模拟软件。
IC工艺模拟软件可用于模拟制造IC的全工序，也可用来模拟单类工艺或单项工艺。
IC工艺模拟有优化设计IC制造工艺以及快速分析工艺条件对工艺结果影响等功能，也是虚拟制造IC的重要组成部分。
在工艺条件参数中，以离子注入、扩散和氧化工艺为例，一般包括：离子注入的能量、剂量和杂质种类等；预淀积或再分布扩散的温度、时间、杂质种类及需要给出的浓度、气氛或携带气体的种类和分压等；氧化的温度、时间，携带的氧化剂类别和分压等衬底材料参数一般包括衬底材料的晶向、掺杂类型和浓度等。
必要的网格参数、扰动参数及输出参数等。
有一些电学参数如方块电阻、阈值电压等由得出的杂质分布、氧化层厚度及已知的衬底材料参数按有关解析计算公式计算得出。
工艺模拟软件是在建立各种模拟模型的基础上用数值技术求解，编程得出来的。
所以同一个工艺采用不同的模型，最后的模拟结果是不相同的。
SUPREM（Stanford University Process Engineering Models__斯坦福大学工艺模型）是第一个能模拟几乎全部IC制造工序的软件，它与1977年由美国Stanford大学IC实验室成功试制，由于存在数值不稳定，模型精度不够，未能使用。
经过修改在1978 年6月完成了第二代文本，称为SUPREM II, 在SUPREM II程序中已仔细考虑了磷扩散空位模型、氧化增强扩散等，提高了模型精度；由于这些改进，使在SUPREM II成为国际上第一个能实用的IC工艺模拟软件。
模电知识集成电路实训报告
一、实训背景随着电子技术的飞速发展，模拟电子技术（简称模电）在电子工程领域扮演着至关重要的角色。
为了更好地理解和应用模电知识，我们选择了集成电路实训作为实践学习的重要环节。
本次实训旨在通过实际操作，加深对模拟电路基本原理、集成电路工作原理及电路设计方法的理解。
二、实训目的1. 理解模拟电子技术的基本原理，包括放大、滤波、稳压等。
2. 掌握常用集成电路的应用，如运算放大器、比较器、整流器等。
3. 培养电路设计与调试能力，提高动手实践能力。
4. 增强团队合作精神，提高沟通协调能力。
三、实训内容1. 基本放大电路实训内容：搭建基本放大电路，包括共射、共集、共基等放大电路，观察并分析电路性能。
实训过程：首先，根据设计要求，选用合适的放大电路类型；然后，进行电路元件的选择和连接；最后，通过示波器观察输出波形，分析电路性能。
2. 运算放大器电路实训内容：利用运算放大器搭建非反相放大器、反相放大器、加法器、减法器等电路。
实训过程：选择合适的运算放大器型号，设计电路图，进行元件选择和连接；通过示波器观察输出波形，验证电路功能。
3. 滤波电路实训内容：搭建低通、高通、带通滤波电路，观察滤波效果。
实训过程：根据滤波需求，选择合适的滤波电路类型；进行元件选择和连接；通过示波器观察滤波效果，验证电路性能。
4. 整流电路实训内容：搭建全波整流、半波整流电路，观察整流效果。
实训过程：选择合适的整流元件，进行电路设计；通过示波器观察整流效果，验证电路性能。
5. 集成稳压器实训内容：搭建集成稳压器电路，观察稳压效果。
实训过程：选择合适的集成稳压器型号，进行电路设计；通过示波器观察稳压效果，验证电路性能。
四、实训结果与分析1. 基本放大电路实训结果表明，基本放大电路能够实现对输入信号的放大，但放大倍数和带宽受到电路元件的影响。
2. 运算放大器电路实训结果表明，运算放大器电路具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益等特点，能够实现多种功能。
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CMOS放大器设计实验报告
一、实验目的
1.培养学生分析、解决问题的综合能力；
2.熟悉计算机进行集成电路辅助设计的流程；
3.学会适应cadence设计工具；
4.掌握模拟电路仿真方法
6.掌握电子电路、电子芯片底层版图设计原则和方法；
7.掌握使用计算机对电路、电子器件进行参数提取及功能模拟的过程；
8.熟悉设计验证流程和方法。
二、实验原理
单级差分放大器结构如下图所示：
在电路结构中，M2和M3组成了NMOS差分输入对，差分输入与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰；M0和M1电流镜为有源负载，可将差分输入转化为单端输出；M5管提供恒定的偏置电流。
三、实验要求
设计电路使得其达到以下指标：
1.供电电压：VDD 3.3V GND 0V
2.输入信号：正弦差分信号
3.共模电压范围为1V
4.差分模值范围1 mV ~100 mV
5．输出信号：正弦信号
6.摆率大于10V/μs(C L=5pF)
7.−3dB带宽大于100KHz(C L=5pF)
8.幅值增益：40dB
9.相位裕度：≥60°
10.功耗：≤1mW
11.工作温度：0℃~85℃
四、差分放大器分析
1、直流分析
为了使电路正常工作，电路中的MOS管都应处于饱和状态。
1.1 M2管的饱和条件:
V DS2≥V GS2−V TN
V OUT−V S1≥V IC−0.5V ID−V S1−V TN
V OUT≥V IC−V TN
1.2 M4管的饱和条件:
V SD4≥V SG4−V TP
V DD−V OUT≥V SG4−V TP
V OUT≤V DD−V SG4+V TP
2.小信号分析
小信号模型如下：
由图可得：
2．1 增益分析
i out =
g m1g m3r p1
1+g m3r p1v gs1
−g m2v gs2
≈g m1v gs1−g m2v gs2=g md v id
其中
g m1=g m2=g md ,r p1=r ds1||r ds3
C =r ds2||r ds4 A V =V OUT V I
D =g md
g ds2+g ds4
A V =V OUT V ID =(K 1I SS W 1L 1⁄)12⁄(λ2+λ4)(I SS /2)=2λ2+λ4(K 1W 1I SS L 1
)1/2
2.2 频率响应分析
由小信号模型易知：
ω1≈
g ds2+g ds4
C
其中
C =C BD2+C BD4+C GB2+C L
3．电路参数计算 3．1确定电流
根据摆率指标：
SR ≥10V/μs(C L =5pF)
SR =I SS C L ⁄ I SS ≥50μA
根据功耗指标易知：
I SS ≤250μA
根据带宽指标：
f −3dB ≥100KHz(C L =5pF )
ω−3dB =1R OUT C L ⁄ R OUT ≤318KΩ
R OUT =2
(λN +λP )I S S
I SS ≥70μA
综上，取:
I SS =200μA
3.2宽长比的确定
M4与M5：电流源提供的电流为50μA ，参数设为L 4=1μM,W 4=2μM ，根据电流镜原理，可以算出L 5=1μM,W 8=8μM
M2与M3：
100=g m1R OUT =
g m1
g ds2+g ds4
带入数据可得
W 2L 2=W 3
L 3
=18.4 取值为20，则取L =360n,W =7.2u
M0与M1：这两个PMOS 管对交流性能影响不大，只要使其下方的管子正常开启即可，
实验中取值：
L0=L1=360nM W0=W1=1μM
五、仿真结果
1、幅频特性
设置激励如下：
进行ac仿真，仿真结果如下：
增益AV=41.66dB，f−3dB=189.5KHz，相位裕度为89.91°，满足指标要求。
2、摆率仿真
仿真结果如下：
得到：SR=3.286V
0.198μs
=18.82×106V/s满足指标要求。
3、共模电压范围仿真
为了测试共模电压范围，我们调整直流工作点分别在直流工作点为1.15V和2.15V是进行仿真。
3.1 直流工作点1.15V时，仿真结果如下
增益AV=42.42dB，f−3dB=108.7KHz，相位裕度为89.91°，满足指标要求。
3.2 直流工作点2.15V时，仿真结果如下
增益AV=40.99dB，f−3dB=171.7KHz，相位裕度为89.94°，满足指标要求。
4、差分模值范围
可以看到，放大器性能没有发生大的变化，满足要求
以上所有仿真中功率都明显小于1mw；综上，放大器大的所有指标在前仿中满足要求。
六、版图的绘制
由电路图绘制版图如下：
由于电容所占面积较大，考虑电容时版图如下：
版图绘制完成后，通过DRC检查，以及LVS验证，然后进行RCX参数提取，而后进行后仿。
提取RCX如下：
七、后仿结果
1、幅频特性
设置激励如下：
进行ac仿真，仿真结果如下：
增益AV=41.66dB，f−3dB=189.5KHz，相位裕度为89.98°，满足指标要求。
2、摆率仿真
通过加入方波激励进行测试摆率
仿真结果如下：
得到：SR=
3.3V
0.209μs
=15.79×106V/s满足指标要求。
3、共模电压范围仿真
为了测试共模电压范围，我们调整直流工作点分别在直流工作点为1.15V和2.15V是进行仿真。
3.1直流工作点1.15V时，仿真结果如下
增益AV=43.1dB，f−3dB=144.5KHz，相位裕度为90.02°，满足指标要求。
3.2 直流工作点2.15V时，仿真结果如下
增益AV=40.23dB，f−3dB=294.8Hz，相位裕度为89.72°，满足指标要求。
3.3差分模值范围
将输入信号按如下表格设置：
增益AV=41.8dB，f−3dB=244.3KHz，相位裕度为89.5°，满足指标要求。
综上，放大器在后仿中也满足指标要求。
八、总结
通过使用cadence软件设计仿真CMOS放大器，让我熟悉了使用计算机进行集成电路辅助设计的流程；在调节电路参数时有复习巩固了CMOS放大器的相关知识，受益匪浅。
11。