模拟集成电路课程设计
基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计课程设计 (2)
基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计课程设计一、前言本课程设计基于模拟电子技术中的运算放大器和模拟集成电路知识，旨在通过对电路设计的实践操作，增加学生对于电路设计的理论知识的深入理解、提高学生动手能力以及解决实际设计问题的能力。
二、课程设计目标通过本课程设计，我们的目标是让学生：1.掌握运用运算放大器和模拟集成电路设计具有特定功能的基本电路原理和方法；2.能够熟练使用多种电路元件进行电路设计和分析；3.能够进行实验调试并对电路的主要性能指标进行测试和分析；4.通过满足实际电路设计的需求，提高学生的工程实践能力和创新能力。
三、课程设计内容本课程设计主要内容包括以下三部分：1. 基于运算放大器的电路设计本部分主要让学生掌握运用运算放大器进行电路设计的基本原理和方法。
课程设计将以多种典型的电路为例，让学生深入了解不同放大器电路的优缺点，掌握运用运算放大器解决具体问题的方法。
2. 基于模拟集成电路的电路设计本部分主要让学生学习模拟集成电路的基本理论，了解不同的模拟集成电路的特点和应用，通过实验操作的方式熟悉常用模拟集成电路的特性，如放大器、滤波器、比较器等等。
3. 电路仿真与PCB设计本部分主要引导学生掌握现代电路设计中应用电路仿真和PCB设计的基本流程和指导思想，同时要求学生在基础上进行创新，尝试将已学知识应用于实际生产中，从而提高学生的创造和实践能力。
四、教学方式本课程设计采用实验室教学为主、辅以理论讲解的方式，主要包括以下几个方面：1.理论讲授：掌握运算放大器和模拟集成电路基本原理、电路设计与分析方法；2.实验操作：掌握电路调试方法、工具操作技巧和主要性能指标测试方法等；3.仿真设计：掌握电路仿真计算的方法、步骤和工具以及PCB设计技巧等。
五、课程设计考核本课程设计考核主要通过三个方面来评价学生的综合能力：1.设计报告：对于每个课程设计要求学生提交一份评估报告，详细介绍电路设计的背景、思路、电路设计过程以及实验测试结果，并且总结提出自己的设计体会和不足之处；2.实验表现：对于每个课程设计任务，要求学生进行实验室操作、调试电路，并且记录测试结果，评分主要在于实验操作的娴熟程度、实验数据的准确性及其分析解读能力等；3.课程考试：用以检验课程设计中所涉及的理论知识掌握程度和应用能力。
CMOS模拟集成电路分析与设计 ppt课件
如果栅电压为负，则耗尽层变薄，栅 与衬底间电容增大。
对于大的负偏置，则电容接近于CGC。
PPT课件
24
1.2 MOS管的极间电容(1)
G
S
C1
C2 C4
C3
Cbs
反型层 耗尽层
d
L
d
p型衬底
D
Cbd
PPT课件
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1.2 MOS管的极间电容(2)
栅与沟道之间的栅氧电容：
C2=WLCox，其中Cox为单位面积栅氧电容εox/tox；
CMOS模拟集成电路分析与设计
主讲教师：吴建辉 Tel：83795677
E-mail：wjh@
PPT课件
1
教材及参考书
教材：
吴建辉编著：“CMOS模拟集成电路分析与设 计”(第二版)，电子工业出版社。
参考书：
Razavi B: Design of analog CMOS integrated circuits
11
1、有源器件
主要内容：
1.1 几何结构与工作原理 1.2 极间电容 1.3 电学特性与主要的二次效应 1.4 低频及高频小信号等效模型 1.5 有源电阻
PPT课件
12
1.1 MOS管几何结构与工作原理(1)
B p+
G
tox
S
D
G D
n+
n+
p+
n阱 p型衬底
(a)
S
B
p+
n+
W
多晶
d p+接触孔
PPT课件
3
模拟电路与模拟集成电路
分立元件音频放大电路
晶体管数 匹配性 电阻值 电容值 寄生效应影响
CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计 (2)
CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计一、设计目标本次课程设计目标是：通过对CMOS模拟集成电路设计第二版中的一个电路设计实例进行仿真分析、电路优化及布局设计，深入理解和掌握CMOS模拟集成电路的基本原理及设计方法，培养学生分析和设计模拟集成电路的能力。
二、课程设计内容1.复习：基本模拟电路的分析和设计方法在进行CMOS模拟集成电路设计前，学生需要具备基本模拟电路的分析和设计方法。
本节将对常见的放大电路（比如共射放大电路，共基放大电路和共集放大电路等）的分析和设计方法进行复习。
2.CMOS反相器设计实例讲解本部分将讲解CMOS反相器的结构及原理，并通过具体的例子进行电路设计分析和仿真。
帮助学生了解CMOS反相器的设计方法、电路特性及其影响因素。
3.电路优化与参数选择在本部分，我们将重点介绍电路优化及参数选择的方法。
从电路的性能和稳定性等方面进行优化选择，并通过仿真结果来证明优化参数的效果。
4.布局设计与模拟验证本部分将介绍CMOS模拟集成电路的布局设计及模拟验证方法。
布局设计不仅可以影响电路的性能，也会影响电路的稳定性和可靠性。
通过模拟验证对电路进行分析验证。
三、设计评分方案本次课程设计采用滚动评分的方式，共计100分，具体评分如下：1.复习及设立问题：10分2.设计实例介绍及分析：20分3.参数选择及电路优化：30分4.布局设计及模拟验证：40分四、设计要求1.学生需要独立完成所有实验任务，不允许抄袭2.电路模拟软件使用HSPICE或者Spectre等，本节课程以HSPICE为例3.学生需要提交电路仿真截图、仿真结果以及电路设计原理图等作为实验报告。
五、总结通过本次课程设计的学习，学生可以深入了解CMOS模拟集成电路设计的基本原理及设计方法，并且培养分析和设计模拟集成电路的能力，为以后的研究或工作打下更好的基础。
同时，通过本次课程设计，学生能进一步加深对学过的知识的理解，增强把理论知识转化为实际工程应用的能力，提高实际应用能力和工程素质。
模拟集成电路设计 相关课程
模拟集成电路设计相关课程模拟集成电路设计是电子工程领域中一门重要的课程，涉及到模拟电子电路的设计、分析和优化。
本文将从课程的基本概念、设计流程、常用工具和技术以及实际应用等方面，对模拟集成电路设计进行介绍。
一、基本概念模拟集成电路是指由多个电子元件（如晶体管、电容、电阻等）组成的集成电路，它能够对连续变化的信号进行处理和放大。
模拟集成电路设计是指根据特定的功能需求，设计出能够满足这些需求的集成电路。
二、设计流程模拟集成电路设计的一般流程包括需求分析、电路拓扑设计、参数选择、电路仿真、电路布局和版图设计等步骤。
1. 需求分析：确定电路的功能需求，并对输入输出信号的特性进行分析和量化。
2. 电路拓扑设计：根据需求分析的结果，选择合适的电路拓扑结构，确定电路中各个元件的连接方式。
3. 参数选择：根据电路的性能指标要求，选择合适的元件参数，如晶体管的工作点、电容的容值等。
4. 电路仿真：使用专业的电路仿真工具对设计的电路进行仿真，验证电路的性能指标是否满足要求。
5. 电路布局：将电路中的元件进行布局，考虑元件之间的连接方式、电源线的走向等因素。
6. 版图设计：根据电路布局的结果，进行版图设计，确定元件的具体位置和尺寸，并进行连线。
三、常用工具和技术在模拟集成电路设计中，常用的工具和技术包括电路仿真软件、版图设计软件、器件参数测量仪器等。
1. 电路仿真软件：如Cadence、SPICE等，可以对设计的电路进行仿真，分析电路的性能指标。
2. 版图设计软件：如Cadence Virtuoso、Mentor Graphics等，用于进行电路的版图设计和布局。
3. 器件参数测量仪器：如示波器、频谱仪等，用于对电路中的元件进行性能测试和分析。
四、实际应用模拟集成电路设计在各个领域中都有广泛的应用，例如通信、医疗、汽车等。
1. 通信：模拟集成电路在通信系统中起着重要的作用，例如射频收发器、功率放大器等。
2. 医疗：模拟集成电路在医疗设备中的应用非常广泛，如心电图机、血压计等。
《模拟集成电路设计》实验指导
尺寸 W/L
2um/0.7um=2.86 0.35um/2um=0.175 1um/0.7um=1.43 1um/1.4um=0.71
4、增益 AV 的估算
1 W AV g m1 ro1 / / ro3 2nCox I1 398 52dB ，符合要求。 L 1 n p I1
5、转换速率 Sr 的估算。 Sr=ISS/CL==1.2V/us 满足要求。 6、CMRR 的估算
CMRR ADM 1 1 W W g m3,4 (ro1,2 || ro3,4 )(1 2 g m1,2 RSS ) 2 pCox I3 (1 2 2nCox I 3 ) ACM L 3 n p I3 L 1 n I RSS
估算共模抑制比。 7、PSRR(电源抑制比)的估算 根据第 9 章 p275 对有源电流镜差动对的电源抑制比的计算和分析，电源抑制比的计算 公式为 PSRR gm1 ro1 / / ro3 。 8、输入共模电平和输出共模电平的确定。 根据题目要求，要求输入共模电平 Vin,CM=1.6V；Vout,CM=1.6V。 在以上的设计下，可以得到各个管子等的参数，从而确定电路参数的设计。 9、电路的总功率的估算。 电路的总功率为电压源和电流源的功率之和，即：
9、电路的总功率的估算。 电路的总功率为电压源和电流源的功率之和，即：
PD=PV+PI=VDD (ISS+IREF)-(VDD-VGS6) IREF
电压源的功率为：
Pv=VDD (ISS+IREF)=3.3V (6 3)A=29.7 W
电流源的功率为：
PI=-VI IREF=-(VDD-VGS6) IREF=-(3.3-0.9)V 3uA=-7.2uW
模拟CMOS集成电路设计课程设计
模拟CMOS集成电路设计课程设计一、需求分析1. 需求背景在集成电路领域，模拟CMOS集成电路设计是一个非常重要的领域。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）技术是当今集成电路制造业中最主流的技术之一。
在CMOS技术下，设计出高性能、低功耗、可靠性高的模拟电路是一个十分挑战的任务。
本课程设计旨在培养学生对模拟CMOS集成电路设计的兴趣和能力，提高他们对于模拟电路的理解和掌握。
通过本课程设计，学生将能够掌握深入了解CMOS集成电路的构造，以及掌握电路设计与仿真的能力，为未来的工程实践提供坚实的基础。
2. 需求目标在完成本课程设计后，学生应该掌握以下知识：•理解基本的模拟CMOS电路的设计原理和方法；•掌握CMOS基本电路单元的设计与仿真；•掌握模拟电路的基本设计思路和流程；•能够将所学理论知识应用到实际电路设计当中。
二、设计方案本课程设计采用以下方案：1. 设计内容本课程设计共选取了如下内容：1.理论基础：模拟电路基础知识，CMOS工艺基础知识，CMOS放大电路设计。
2.课程实践：设计CMOS基本电路单元，如MOS晶体管，CMOS反向器，两级放大器等；设计一个完整的模拟CMOS电路，并进行电路仿真。
2. 设计方法本课程设计主要采用以下方法：1.理论讲授：通过PPT等方式，讲授相关理论知识。
2.实验操作：通过仿真软件，进行实验操作。
3.实验报告：要求学生对每次实验操作进行总结和分析，撰写实验报告。
3. 设计时长课程设计时长为一学期，大约为15周。
4. 设计人员本课程设计的设计人员为教师以及学生。
1. 实验平台本课程所使用的仿真软件为Cadence Virtuoso。
2. 实验步骤步骤一：基本电路单元设计1.设计MOS晶体管：需要学生掌握MOS晶体管的基本结构和工作原理，以及P、N沟道MOS晶体管的特点，并仿真其放大特性，如增益、输出电阻、输入电导等。
《模拟集成电路设计》实验指导2
3
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Email: mwy@
一些操作 Tips： 可以将输入输出曲线分开进行对比。横向拉开，从而得到更细致的图形。
②可以放置 marker 获得某一点的坐标。方法是点击 marker->place->trace marker (vert marker, horiz marker)。然后点击图形上的某一点，便可显示该点的坐标。 7、静态工作点参数的查看。 DC 分析之后，在 ADE 窗口选择 Tools-Results Browser(这是结果浏览窗口)，弹出直流分 析结果的窗口。依次选择 psf-dcOpInfo-info-M0(M0 的静态工作点)。可以找到 M0 各个参数 值。选中某一项参数点击右键，选择 Tab，可以查看此项参数值。其他管子的参数亦同样查 看。 例如，①在本例中，我们可以查看 M2 管(NMOS)的静态跨导 gm，漏源间的跨导 gds(输出 电阻 ro=1/gds)， 以及 M0 管(PMOS)的漏源跨导 gds， 从而能够手动计算增益。 例如， 当 W=2μm， -4 -5 -5 L=0.18μm 时，可以查看得 gmN=7.33*10 ；gdsN=2.124*10 ；gdsP=1.844*10 。根据增益公式
9、利用计算器(或结合 outputs->setup)获得自己想要的参数值。 计算器功能非常强大，也是我们常用的工具。在 ADE 窗口点击 tools->calculator，可以 调出计算器。也可以在某个波形显示页面用相同的办法调出。计算器显示页面如下： 选择一种分析模式，可以计算的数 据类型会跟随改变。主要的数据类型有：
2 copy right @mwy; Email: mwy@
合工大模拟电路课程设计
合工大模拟电路课程设计一、课程目标知识目标：1. 理解并掌握模拟电路的基本原理，包括放大器、滤波器、振荡器等关键组成部分的工作原理。
2. 学习并识别常见的模拟电路元件，如电阻、电容、二极管、晶体管等，并了解其特性及应用。
3. 掌握电路分析方法，能够进行简单的电路设计和分析，并解读模拟电路的原理图。
技能目标：1. 能够运用所学知识，使用适当的测试仪器和设备对模拟电路进行搭建、调试和故障排查。
2. 培养学生动手能力，通过课程设计项目，独立完成小型模拟电路的设计和实现。
3. 培养学生的问题解决能力，能够针对特定需求，设计并优化模拟电路解决方案。
情感态度价值观目标：1. 激发学生对模拟电路及电子工程领域的兴趣，培养探索精神和创新意识。
2. 培养学生的团队合作精神，在课程设计和实验过程中学会相互协作、共同进步。
3. 引导学生树立正确的工程伦理观念，注重实践操作的安全性和环保意识。
课程性质分析：本课程为合肥工业大学模拟电路课程设计，旨在通过理论教学与实践操作相结合的方式，帮助学生深入理解模拟电路原理，并能够应用于实际工程设计。
学生特点分析：考虑到学生处于高年级阶段，具备一定的电子工程基础知识，具有较强的逻辑思维能力和动手操作能力，课程设计将注重理论与实践相结合，提升学生的综合应用能力。
教学要求分析：在教学过程中，注重启发式教学，引导学生主动探索、积极思考，同时强调实践环节，确保学生能够将理论知识转化为实际技能，满足未来职业发展的需求。
通过具体的学习成果分解，为教学设计和评估提供明确依据。
二、教学内容1. 模拟电路基础理论- 放大器原理及其分类- 滤波器、振荡器的工作原理- 模拟电路中常见的反馈类型及作用2. 模拟电路元件- 电阻、电容、电感的特性及应用- 二极管、晶体管的基本工作原理及参数- 运算放大器、比较器等集成电路的功能与应用3. 电路分析方法- 简单电路的搭建与测试- 交流、直流电路分析方法- 模拟电路的频率响应分析4. 课程设计项目- 小型放大器电路设计- 滤波器、振荡器电路设计- 模拟电路综合设计案例5. 教学大纲与进度安排- 第1周：模拟电路基础理论- 第2周：模拟电路元件及集成电路- 第3周：电路分析方法- 第4周：课程设计项目启动，分组讨论- 第5-7周：课程设计项目实施与调试- 第8周：课程设计项目验收与总结教学内容关联教材：《模拟电子技术基础》第1-3章，包括放大器、滤波器、振荡器等内容；《电子线路》第4-6章，涉及电路分析方法和模拟电路元件；《模拟电路课程设计指导书》作为课程设计项目参考。
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模拟集成电路课程设计设计目的：复习、巩固模拟集成电路课程所学知识，运用EDA 软件，在一定的工艺模型基础上，完成一个基本功能单元的电路结构设计、参数手工估算和电路仿真验证，并根据仿真结果与指标间的折衷关系，对重点指标进行优化，掌握电路分析、电路设计的基本方法，加深对运放、带隙基准、稳定性、功耗等相关知识点的理解，培养分析问题、解决问题的能力。
实验安排：同学们自由组合，2 人一个设计小组选择五道题目中的一道完成，为了避免所选题目过度集中的现象，规定每个题目的最高限额为 4 组。
小组成员协调好每个人的任务，分工合作，发挥团队精神，同时注意复习课堂所学内容，必要时查阅相关文献，完成设计后对验收与考核：该门设计实验课程的考核将采取现场验收和设计报告相结合的方式。
当小组成员完成了所选题目的设计过程，并且仿真结果达到了所要求的性能指标，可以申请现场验收，向老师演示设计步骤和仿真结果，通过验收后每小组提交一份设计报告（打印版和电子版）。
其中，设计指标，电路设计要求和设计报告要求的具体内容在下面的各个题目中给出了参考。
成绩的评定将根据各个小组成员在完成项目中的贡献度以及验收情况和设计报告的完成度来确定。
时间安排：机房开放时间：2013 年10 月28 日～11 月8 日，8:30~12:00，14:00~18:00课程设计报告提交截止日期：2012 年11 月15 日该专题实验的总学时为48 学时（1.5 学分），请同学们安排好知识复习，理论计算与上机设计的时间，该实验以上机设计为主，在机房开放时间内保证5 天以上的上机时间，我们将实行每天上下午不定时签到制度。
工艺与模型：采用某工艺厂提供的两层多晶、两层金属（2p2m）的0.5um CMOS 工艺，model 文件为/data/wanghy/anglog/model/s05mixdtssa01v11.scs 。
绘制电路图时，器件从/data/wanghy/ anglog/st02 库中调用，采用以下器件完成设计：1）PMOS 模型名mp，NMOS 模型名mn；2）BJT 三种模型可选：qvp5，qvp10，qvp20；3）电阻模型rhr1k；4）电容模型cpip。
答疑：代课教师：许江涛：Tel: ，Email：西一楼二楼C 段255 教研室注意事项：1. 所给定的设计指标仅供参考，可以进行适当的修改，但需要说明原因；2. 根据设计指标，可以在参考电路结构的基础上确定参数并改进设计，非常鼓励通过查找参考文献，采用其它结构的电路，或者创新电路结构；3. 需要阅读模型文件/data/jtxu/analog/05umpdk/05model/s05mixdtssa01v11.scs 了解可以选用的器件类型、尺寸和关键参数等；这里给出MOS 管的几个关键参数供大家参考：NMOS：model name mnV th0=719.2 mV μ0=495.1 cm2/V/s t ox=13 nmPMOS: model name mpVth0=972.6 mV μ0=283.3 cm2/V/s tox=13.7nm真空介电常数：ε0=8.85*10-12 F/m sio2 的相对介电常数：εr,sio2=3.94. 设计过程中可以参考模型库中的mn_fitting.pdf 等文件，这些文件给出了各种不同尺寸MOS 管的Vds、Vgs、Ids、Gm 等的变化曲线，和计算结果相印证，指导电路设计过程；5. 电路仿真时，所加载的model 文件地址在3 中已经给出，需要说明的是需根据电路中所使用的元器件分别加载器模型项，例如电路中包含了MOS 管、电阻、电容和三极管，则模型文件需要add 四次，并在section 一栏分别填写对应的工艺角项，依次为tt、restypical、captypical 和biptypical。
这些是典型工艺角的设置情况，如果仿真其它工艺角，可以参考model 文件中对已其它工艺角的定义。
例如对于MOS 管除了定义了tt（typical NMOS/typical PMOS），还定义了ff、ss、fs 和sf 四种情况，分别对应fast NMOS/fast PMOS、slow NMOS/slow PMOS、fast NMOS/slow PMOS 和slow NMOS/fast PMOS。
而对于电阻则定义了三种情况：restypical、resslow 和resfast。
题目一：带隙基准的设计基于所给的CMOS 工艺设计一个带隙基准，带隙基准的原理和设计方法请参考教材《模拟CMOS 集成电路设计》（陈贵灿等译）第11 章内容。
设计指标（供参考）：注：上述PSRR 是指从电源端到基准输出端增益的倒数。
设计要求：1．确定设计指标（以上指标供参考，可以进行适当修改，但需讲清楚原因）；2．根据设计指标，可以在参考电路结构基础上确定参数和改进设计，也可以查找文献采用其它结构的电路或创造新的电路结构进行设计；3．阅读模型文件，了解可以选用的器件类型、尺寸范围、关键参数；4．手工设计：根据拟定的设计指标，尝试初步确定满足指标的各元件的模型与参数：MOS：沟道长度与宽度，并联个数；电阻：宽度、长度、串并联个数；电容：宽度、长度、并联个数；三极管：并联个数。
5．采用全典型模型, 27℃，验证带隙基准是否满足设计指标；（偏置可用理想电流源代替）6．设计偏置电路：a) 选定电路结构；b) 手工设计：确定各元件的模型与尺寸；c) 采用全典型模型，仿真验证偏置电流源的性能；7．将偏置电路和带隙基准电路合在一起仿真（采用全典型模型，27℃），验证带隙基准的性能参数（应包括但不限于以下内容）：a) VDD 从0V 上升到5.5V 过程中的基准电压波形，观察基准的建立过程与电源电压对基准的影响（线路调整率），以及工作电流曲线（直流扫描）；b) VDD 在1μS 内由0V 上升到3.6V 然后保持不变时的基准电压波形，观察快速上电时基准的建立过程（瞬态扫描）；c) VDD 在10mS 内由0V 上升到3.6V 然后保持不变时的基准电压波形，观察慢速上电时基准的建立过程（瞬态扫描）；d) 在VDD＝3.6V 时，PSRR 对于频率（1Hz～100KHz）的特性曲线（交流扫描）；e) 在VDD＝3.6V 时，温度由-40℃上升到125℃的带隙输出电压曲线（温度扫描）；要求全典型模型下，电路要达到“设计指标”要求，否则应对电路结构和参数进行修改与优化，直至满足要求（可能需要多次调整）。
8．采用全慢模型，电源电压2.5V，温度-40℃进行仿真，观察以上参数的变化；9．采用全快模型，电源电压5.5V，温度125℃进行仿真，观察以上参数的变化；10．根据以上仿真结果，分析模型变化时，基准输出电压变化的分析。
设计报告要求：1. 设计指标的确定及其原因（如果需要对上面的指标进行修改的话）；2. 电路结构的确定及其原因；3. 电路原理论述（具体到每个器件的作用）；4. 每个晶体管的沟道宽度与长度的确定依据，电阻电容尺寸的选取依据；5. 手工设计过程（可能要迭代）；6. 报告“设计要求”中的各种波形和性能指标。
7. 仿真结果的分析与设计总结（感想、改进）；8. 组内成员的具体分工与任务量（以％表示）；9. 参考文献；10. 附录（整体电路与网表文件）。
参考电路：题目二：差分电路设计基于所给的CMOS 工艺设计运算放大器（单端输出）和迟滞比较器。
（可分别设计运放和比较器，也可以设计一个复用电路，通过控制信号实现运放和比较器的转换。
）设计指标：（供参考）设计要求：1．确定设计指标（以上指标供参考，可以进行适当修改，但需说明原因）；2．根据设计指标，可以在参考电路结构基础上确定参数和改进设计，也可以查找文献采用其它结构的电路或创造新的电路结构进行设计；3．阅读模型文件，了解可以选用的器件类型与尺寸范围；4．手工设计：根据拟定的设计指标，初步确定满足指标的各元件的模型与参数：MOS：沟道长度与宽度，并联个数；电阻：宽度、长度、串并联个数；电容：宽度、长度、并联个数；三极管：并联个数。
5．采用全典型模型, 27℃，验证差分电路是否满足设计指标；（偏置可用理想电流源代替）6．设计偏置电路：a) 选定电路结构；b) 手工设计：确定各元件的模型与尺寸；c) 采用全典型模型，仿真验证偏置电流源的性能；7．将偏置电路和差分电路合在一起仿真（采用全典型模型，27℃，VDD=3.6V），确定差分电路的最终性能参数（应包括但不限于以下内容）：运放应用：a) 一输入端固定为1V 参考电压，另一输入端从0V 上升到2V 时的输出电压曲线与静态电流曲线，确定低频增益；以输出1.8V 为输出参考电压，确定输入失调电压（直流扫描）；b) 一输入端固定为1V 参考电压，另一输入端为信号输入时的放大特性：增益、相位、带宽、相位裕量等（交流扫描）；c) PSRR 对于频率（1Hz～100KHz）的特性曲线（交流扫描）；迟滞比较器：一输入端固定为1V 参考电压，另一输入端由低变高和由高变地时的输出曲线，观察迟滞量（直流扫描）；要求全典型模型下，运放和比较器达到“设计指标”要求，否则应对电路结构和参数进行修改与优化，直至满足要求（可能需要多次调整）。
8．采用全慢模型，电源电压2.5V，温度-40℃进行仿真，观察以上参数的变化；9．采用全快模型，电源电压5.5V，温度125℃进行仿真，观察以上参数的变化；10．对以上仿真结果进行分析总结，归纳模型、电压、温度对性能的影响，分析原因，探讨减小影响的方法。
设计报告要求：1. 设计指标的确定及其原因；（如果需要对上面的指标进行修改的话）2. 电路结构的确定及其原因；3. 电路原理论述（具体到每个器件的作用）；4. 每个晶体管的沟道长度的确定及其原因；5. 手工设计过程（可能要迭代）；6. 报告“设计要求”中的各种波形和性能指标。
7. 仿真结果的分析与设计总结（感想、改进）；8. 组内成员的具体分工与任务量（以％表示）；9. 参考文献；10. 附录（整体电路与网表文件）。
参考电路：自1"VCo nt ro lV ou t1'"题目三：过温保护电路设计基于所给的CMOS 工艺设计一个温度系数尽量小的电流源与一个过温保护电路。
基准电流源可以给过温保护电路提供一个不随温度变化的偏置电流，保证过温保护电路自身的特性不随温度变化，因此需要改基准电流的温度系数尽量小。
过温保护电路的核心为一个比较器，其一个输入端接不随温度变化的基准电压VREF，而另一输入端接随温度变化的三极管的V BE 电压。
随着温度的变化，三极管的V BE 发生改变，当大于或小于VREF 时，比较器的输出电压都会发生跳变，从而实现指示温度的功能。