密勒电容与密勒效应
1、密勒电容与密勒效应
简单说来：
对电子管，屏极与栅极之间的电容；
对晶体管，集电极与基极之间的电容；
对场效应管，漏极与栅极之间的电容。
这些管子作共阴极(共发射极、共源极)放大器时，输出端与输入端电压反相，使得该电容的充电放电电流增大，从输入端看进去，好像该电容增大了k倍，k是放大倍数。这种现象叫密勒效应。
也可以这样解释，在反相放大器中，输入极与输出极间的等效电容会扩大到1-Av倍反射到输入极的效应。
比如，考虑共源（或共射）的单管放大器，设C为GD （BC）电容，则有，
i = (vi-vo) * jwC = vi * (1-Av) * jwC = vi * jw[(1-Av)*C]
这里[(1-Av)*C]即可看作在GS（BE）处的等效电容。
详见维基百科
（https://www.360docs.net/doc/e89541341.html,/wiki/%E5%AF%86%E5%8B%92%E6%95%88%E5%BA%94）
2、密勒效应
密勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。
输入电容的增长值为
A v是放大器的放大，C是反馈电容。
密勒效应是米勒定理的一个特殊情况。
2.2 引导
假设一个放大率为A v的理想电压放大器，其输入和输出点之间的阻抗为Z。其输出电压因此为V o = A v V i，输入电流则为
这个电流流过阻抗Z，上面的方程显示由于放大器的放大率实际上一个更大的电流流过Z，实际上Z就好像它小得多一样。电路的输入阻抗为
假如Z是电容的话，则
由此导出的输入阻抗为
因此密勒效应显示的电容C M为实际上的电容C乘以(1 ?A v)[1]。
2.3 注释
大多数放大器是反向放大器，即A v < 0。因此输入的有效电容比较大。对于非反向放大器密勒效应其效应为放大器的输入电容是负的（负阻抗变换器）。
当然这个提高的电容会破坏高频反应。比如達靈頓電晶體的小连接和电容会由于密勒效应和达零顿电晶体的高放大率大大降低高频反应。
密勒效应适用于所有阻抗，不仅电容。纯电阻或者纯电感被除以1 ?A v。假如放大器不是反向的话密勒效应能够产生负电阻和电感。
值得注意的是密勒电容是向输入看进去的电容。在寻找所有RC时间常数时非常重要的
是也注意输出的阻抗。输出的阻抗往往被忽视，原因是，而放大器的输出一般
为低阻抗。但假如放大器是高阻抗输出的话，比如一个放大阶也是输出阶，则RC对放大器的效应有非常大的影响。这个技术被称为极点分离。
使用共源共栅或者使用级联放大器来取代共射电极可以减轻密勒效应。在反馈放大器中密勒效应甚至有优点，因为否则的话需要用来稳定住放大器的电容器太大了，无法包含在电路中，一般在集成电路中电容需要的面积最大，因此大的电容往往很麻烦。
2.4 对频率响应的影响
图2：带反馈电容C C的运算放大器
图3：同上图，但是使用密勒效应，输入端有密勒电容
图2显示了一个放大器电路，图1中联系输出和输入的阻抗在这里是电容C C。一个戴维南电源V A通过一个戴维南电阻R A驱动这个电路。在输出端一个RC电路作为负载（这个负载在这里的讨论中不重要，它仅仅被用来完整整个电路）。图中的电容向输出电路提
供的电流。
图3中的电路与图2的一样，但是使用了密勒效应。反馈电容在输入端被密勒电容C M 取代，它与图2中的反馈电容C C吸取同样多的电流。因此在两个电路中输入电路看到的负载是一样的。在输出端上一个相关电流电源向输出负载提供与图2一样大的电流。也就是说流经RC负载的电流在两图中一样大。
由于流过图3中的密勒电容的电流与流过图2中的反馈电容一样大，米勒效应被用来把C M与C C联系到一起。在这个例子中这个转换相当于把电流设为相等，即
或
这个结果即引导章中的C M。
图中的运算放大器A v的放大率与频率无关，但是它显示了密勒效应，也就是说C C对这个电路的频率反响的影响。这个影响对于密勒效应来说是典型的。假如C C = 0F，则电路的输出电压为A v v A，它与频率无关。但是加入C C不等于0的话，图3显示在电路的输入端上出现了一个大电容，电路的输出电压为
在频率足够高，ωC M R A > 1的情况下输出电压下降。因此整个电路是一个低通滤波器。在模拟放大器中密勒效应对电路的频率反响有非常大的影响。在这个例子中频率ω3dB在ω3dB C M R A = 1时标志着低频反响的终点，局限着放大器的带宽或者截止頻率。
需要注意的是C M对放大器带宽的限制在阻抗驱动器低（假如R A小的话C M R A也小）的情况下比较小。因此减小密勒效应对带宽的影响的一个方法是使用低阻抗驱动器。比如在驱动器和放大器之间放一个电压跟随器，这个方法降低放大器看到的驱动器阻抗。
这个简单电路的输出电压总是A v v i。但是真正的放大器有输出电阻。假如在分析时考虑到放大器输出电阻的话放大器的输出电压随频率的变化就非常复杂了，输出端的受频率影响的电流电源的影响需要被考虑。由于密勒电容的影响这些效应只有在频率远高于截止频率的情况下才出现，因此这里做的推导适用于测定密勒效应决定的放大器带宽。
密勒近似
在上面的例子中我们假设A v不受频率影响，但是实际的运算放大器往往本身就受频率影响。受频率影响的A v使得密勒电容也受频率影响，因此C M不再像一个普通的电容那样反应。不过一般A v只有在频率远远高于截止频率的情况下才反映出它受频率的影响，因此在截止频率以下A v可以被看作是不受频率影响的。在低频下使用A v来计算C M被称为密勒近似[1]。在这种情况下C M可以看作是不受频率影响的。
2.5 参考资料
2.6 参考文献
MOS管的米勒效应-讲的很详细
米勒效应的影响： MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。 由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降） 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS 电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢？因为，在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。（MOS管不能很快得进入开关状态） 所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择MOS时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。 MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志 用用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。 米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台，原理如下。 理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的。 下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。
光刻中常见的几种效应
光刻中常见的效应和概念 1、驻波效应（Standing Wave Effect） 现象：在光刻胶曝光的过程中，透射光与反射光（在基底或者表面）之间会发生干涉。这种相同频率的光波之间的干涉，在光刻胶的曝光区域内出现相长相消的条纹。光刻胶在显影后，在侧壁会产生波浪状的不平整。 解决方案：a、在光刻胶内加入染色剂，降低干涉现象；b、在光刻胶的上下表面增加抗反射涂层（ARC，Anti-Reflective Coating）；c、后烘（PEB，Post Exposure Baking）和硬烘（HB，Hard Baking）。 2、摆线效应（Swing Curve Effect） 现象：在光刻胶曝光时，以相同的曝光剂量对不同厚度的光刻胶曝光，从而引起关键尺寸（CD，Critical dimension）的误差。 3、反射切口效应（Notching Effect） 现象：在光刻胶曝光时，由于接触孔尺寸的偏移等原因使入射光线直接照射到金属或多晶硅上发生发射，使不希望曝光的光刻胶被曝光，显影后，在光刻胶的底部出现缺口。 解决方案：a、提高套刻精度，防止接触孔打偏；b、涂覆抗反射涂层。 4、脚状图形（Footing Profiles） 现象：在光刻胶的底部，出现曝光不足。使显影后，底部有明显的光刻胶残留。 解决方案：a、妥善保管光刻胶，不要让其存放于碱性环境中；b、在涂覆光刻胶之前，硅片表面要清洗干净，防止硅基底上有碱性物质的残余。 5、T型图形（T-Top Profiles） 现象：由于表面的感光剂不足而造成表层光刻胶的图形尺寸变窄。
解决方案：注意腔室中保持清洁，排除腔室中的碱性气体污染。 6、分辨率增强技术（RET，Resolution Enhanced Technology） 包括偏轴曝光（OAI，Off Axis Illumination）、相移掩膜板技术（PSM，Phase Shift Mask）、光学近似修正（OPC，Optical Proximity Correction）以及光刻胶技术等。 a、偏轴曝光（OAI，Off Axis Illumination） 改变光源入射光方向使之与掩膜板保持一定角度，可以改善光强分布的均匀性。但同时，光强有所削弱。 b、相移掩膜板技术（PSM，Phase Shift Mask） 在掩膜板上，周期性地在相邻的图形中，每隔一个图形特征对掩膜板的结构（减薄或者加厚）进行改变，使相邻图形的相位相差180度，从而可以达到提升分辨率的目的。 相移掩膜板技术使掩膜板的制作难度和成本大幅增加。 c、光学近似修正（OPC，Optical Proximity Correction） 在曝光过程中，往往会因为光学临近效应使最后的图形质量下降：线宽的变化；转角的圆化；线长的缩短等。需要采用“智能型掩膜板工程（Clever Mask Engineering）” 来补偿这种尺寸变化。 7、显影后检测（ADI，After Development Inspection） 主要是检查硅片表面的缺陷。通常将一个无缺陷得标准图形存于电脑中，然后用每个芯片的图形与标准相比较，出现多少不同的点，就会在硅片的defect map 中显示多少个缺陷。 8、抗反射涂层（ARC，Anti-Reflective Coating） 光刻胶照射到光刻胶上时，使光刻胶曝光。但同时，在光刻胶层的上下表面也会产生反射而产生切口效应和驻波效应。 a、底部抗反射涂层（BARC，Bottom Anti-Reflective Coating）。将抗反射涂层涂覆在光刻胶的底部来减少底部光的反射。有两种涂层材料：有机抗反射涂层（Organic），在硅片表面旋涂，依靠有机层直接接收掉入射光线；无机抗反射涂层（Inorganic），在硅片表面利用等离子增强化学气相沉积（PECVD，Plasma
油浸箔式电容器与金属化电容器的比较
油浸箔式电容器与金属化电容器的比较 作者：王小妮 （西安华超特种电子有限公司，西安710075）摘要：本文详细阐述了油浸箔式电容器与金属化电容器的优点与缺点和对两类电容器在电力电子线路使用过程中出现的质量问题进行了剖析，并以试验数据进一步验证。 关键词：油浸箔式金属化阻尼吸收 一、概述： 电容器的品种很多，应用也很广泛，所以，对我们使用电容器的工程技术人员来讲，合理选用电容器就成为关键问题。因而了解和熟悉电力电子电容器的材料、结构、性能就尤为重要。特别是在阻尼吸收电路中，究竟选择油浸箔式电容器还是金属化自愈电容器？不少
厂家的工程技术人员提出疑问。为此，我简单谈以下几点看法。 1、阻尼吸收电路中常出现的几种现象。 1.1选用的电容器耐压保险系数很高，加2-3倍电压都没有问题， 可是用上一年甚至几个月就没容量了。例如：常州机车厂整流所用电容器，所用的型号规格：CJ48-2-1600V-2μF；产品起用日期：2003年10月；使用场合：整流电源柜用做阻容吸收； 工作条件：长期连续工作；出现问题时间：2004年4月；出现问题现象：电容器在运行过程不工作，拆下后检测电容器无容量。 1.2电容器在使用一年后出现漏液、鼓肚、爆炸等现象。例如： 青铜峡铝厂使用的电容器；型号规格：CJ48-2-1600V-4μF； 起用日期：2003年9月；使用场合：整流电源柜用做阻容吸收；工作条件：长期连续工作；出现问题日期：2004年9月； 出现问题现象：80%的电容器漏蜡。整流柜上检测漏蜡电容器的温度比正常电容器的温度高3-5℃。 1.3对于上述两种质量问题我个人认为存在两方面的原因： （1）、电容器本身质量问题。2000年后电解铝升温，全国许多铝厂“疯狂上马”。全国整流器厂出现了供不应求的局面。在元件的采购上也相继出现“饥不择食”的情况，导致产品在制作工艺上比较粗糙，选材上比较盲目。有些电容器过早地暴露出了自身存在的缺陷。（2）、电容器选型问题。因上述两种电容器用于整流柜阻容吸收线路中，此线路的特点为具有多种高次谐波，因此考验的是电容器的线载流能力而不是电容器的耐压
MOS管的米勒效应-讲的很详细讲解学习
M O S管的米勒效应-讲 的很详细
米勒效应的影响： MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET 进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。 由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降） 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢？因为，在MOS 开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。（MOS管不能很快得进入开关状态）
所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择MOS时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。 MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志 用用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。 米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台，原理如下。 理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的。 下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。
心理学中的各种效应大全
心理学中的各种效应大全 1、罗密欧与朱丽叶效应 罗密欧与朱丽叶相爱，但由于双方世仇，他们的爱情遭到了极力阻碍。但压迫并没有使他们分手，反而使他们爱得更深，直到殉情。这样的现象我们叫它罗密欧与朱丽叶效应。所谓罗密欧与朱丽叶效应，就是当出现干扰恋爱双方爱情关系的外在力量时，恋爱双方的情感反而会加强，恋爱关系也因此更加牢固。 2、从众现象 一则笑话这样说到：一日闲逛街头，忽见一长队绵延，赶紧站到队后排队，唯恐错过什么购买紧缺必需品的机会。等到队伍拐过墙角，发现大家原来是排队上厕所，才不禁哑然失笑。这就是从众闹出的笑话。从众指个人的观念与行为由于群体的引导或压力，而向与多数人一致的方向变化的现象。用通俗的话说，从众就是“随大流”。可以表现为在临时的特定情境中对占优势的行为方式的采纳，也可以表现为长期性的对占优势的观念与行为方式的接受 3、晕轮效应 许多青少年因崇拜某位明星的某些特征，比如长相啊，歌声啊，于是就不顾一切模仿明星的行为，搜集他们用过的一切东西。这其实就是晕轮效应在作怪。晕轮效应就是一种以偏概全的倾向，即人们在对一个人的某种特征形成好的或坏的印象后，倾向于据此推论该人的其他方面的特征。平时说的“爱屋及乌”就是晕轮效应的一个 突出表现。 4、异性效应 心理学家曾在一次测试中发现，男性在男、女同桌就餐地要比单纯男性就餐时要文明许多，这是由于大多数人在异性面前更注意自己 的言行。 5、马太效应 《圣经·马太福音》有这样一则故事：一个富翁给他的三个仆人每人一锭银子去做生意。一年后他召集仆人想知道他们各自赚了多少，其中第一个人赚了十锭，第二个人赚了五锭，最后一个人用手巾包了那锭银子，捂了一年没赚一个子儿，这位富翁就命令后者把那锭银子交给赚钱最多者。该书第二十五章说：“凡有的，还要加
补充营养素存在“木桶效应”
补充营养素存在“木桶效应” 来源：科技日报 本报记者李颖 “当你缺乏任何一种营养素时，其他营养素的补充也达不到营养效果。”在近日由辉瑞健康药物部和北京卫视《养生堂》共同主办的“善存健康”巡讲系列活动中，北京协和医院临床营养科教授、主任医师于康提出营养素补充的“木桶效应”。 中国健康教育中心2012年的调查显示，全国18—69岁城乡居民中，只有6.48％的人具备基本健康素养，也就是100个人中只有不到7个人会主动去获取、理解健康知识或者卫生服务，改变自己的行为。这一点在慢性病上尤为突出。由于缺乏科学健康的养生理念和前期预防知识，患慢性病的人口在不断增加。 于康表示，人们随着年龄增长，50岁后消化吸收功能衰退，容易导致维生素、矿物质的缺乏，再加上机体抗氧化功能也在减退，导致免疫力下降，容易产生多种慢性疾病。“大家要将80%的健康投资用在平日的预防上，让20％的前期投入产生80％的健康效果，这样中国老百姓才能真正拥有健康人生。” “木桶效应”告诉我们：一只木桶由诸多块木板组成，其盛水量的多少取决于最短的一块木板。如果这只木桶要想装满水，那么每块木板都得一样高。 于康通过“木桶效应”生动地阐述了慢性病与维生素缺乏、膳食不均衡之间的缘由。“营养补充剂是快速改善目标人群维生素矿物质不足的方法，有助于预防和降低维生素矿物质缺乏风险、纠正已存在的维生素矿物质缺乏、改善营养状况、预防多种慢性疾病。而维生素矿物质补充剂是维护健康、预防疾病的重要手段。对已形成的疾病，维生素矿物质有助于改善患者营养状况、提高生活质量。” 于康建议，如果由于各种原因，做不到日常膳食平衡，可以在医生和营养师的科学指导下，适当服用多种维生素及矿物质补充剂，这样可有效改善相关人群维生素矿物质不足的情况，并有助于降低维生素矿物质缺乏风险，预防多种慢性疾病。
功率MOS管烧毁的原因(米勒效应)
mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗（不同mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因： 过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁； 过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿； 静电----------静电击穿。CMOS电路都怕静电； Mos开关原理（简要）。Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，就是导通电阻
改善负载效应的方法
负载效应定义为：空载或最小负载下的输出电压和满载输出电压之间的差值与满载输出电压的百分比。它表征了负载变化对电源输出电压的影响程度。 电源与负载之间的导线电阻和接点上的接触电阻越小，对负载效应的影响越小。当负载电流较大时，很小的导线电阻和接触电阻也会对负载效应有明显的影响，因而很多大电流电源在内部调整电路上设置了一对引出端子称之为遥测端。我们可以利用遥测端可直接检测负载两端的电压，减少导线电阻对负载效应的影响。 (一)尽量减少导线电阻及接触电阻 电源最简单的应用如图2-3所示。图中电源输出电压5V，负载电流4A。如果使用50cm长的18号铜线，两根导线共有21mΩ电阻，因此，导线上就有84mV 电压降，占输出电压的1.68%。如果电源本身负载效应值为0.1%，而在此电路中实际负载效应值为1.78%，达不到指标要求值。解决这种问题的方法是尽可能缩短导线长度或选择较粗的导线。 影响负载效应的另一个重要因素是电源端与负载连接处的接触电阻，特别在大电流时更要注意。与上述负载导线过长一样，这些连接可存在几毫伏的接触电阻和几个百分点的负载效应的变化。应记住一些重要参考数值：一个5V输出，从空载到满载有5mV变化，则负载效应为0.1%；一个12V输出，从空载到满载有2.4mV变化，则负载效应为0.02%。显然，大电流触点应适当处理与焊接。型铲式接线片、插头等必须精心进行除锈处理。平面电路板应为大电流负载提供几个并行接点，并保证干净。 (二)正确利用电源的遥测端 许多大电流电源都有遥测端（+S、-S）。遥测端可使电源内部调整电路通过检测线与负载相连，从而补偿大电流线路压降对负载效应值的影响。
营养学 第三章
第三章主要内容 ?一、三大产能营养素 ?二、热能需要的组成部分 ?三、人体能量消耗的测定方法 ?四、能量代谢失衡 ?五、来源及供给量 ?体内的能量，一方面不断地释放出热量，维持体温的恒定并不断地向环境中散发，另一方面作为能源可维持各种生命活动的正常进行。 ? 1. 能量的来源 ?人体所需要的能量通常主要由食物来提供。食物中所含有的营养素当中只有碳水化合物、脂肪、蛋白质能够在体内产生能量，营养学上将这三种营养素称为?°产能营养素?±。另外，酒中的乙醇也能提供较高的热能。 2. 能值 （1）食物能值： ?食物能值是食物彻底燃烧时所测定的能值，亦称?°物理燃烧值?±，或称?°总能值?±。食物能值通常是用弹式测热器进行测定。 （2）生理能值： ?生理能值即机体可利用的能值。 ?三大产能营养素的生理能值分别确定为： ?碳水化合物17.15kJ×0.98（消化率98%）=16.8kJ/g ? 4.1kcal×0.98 =4kcal/g ?脂肪39.54kJ×0.95（消化率95%）=37.6kJ/g ?9.45kcal×0.95=9kcal/g ?蛋白质（23.64-5.44）kJ×0.92（消化率92%）=16.7kJ/g ?（5.65-1.3）kcal×0.92=4kcal/g 一、三大产能营养素 1、碳水化合物： ?一般来说，机体所需能量的50%以上是由食物中的碳水化合物提供的。 ?食物中的碳水化合物经消化产生的葡萄糖被吸收后，一部分产能被机体利用，另一部分以糖原的形式贮存在肝脏和肌肉中。 ?通常情况下，脑组织消耗的能量均来自碳水化合物在有氧条件下的氧化，因而脑组织细胞对缺氧非常敏感。另外，脑组织细胞贮存的糖原细胞又极少，代谢消耗的碳水化合物主要来 自血糖，所以脑功能对血糖水平有很大的依赖性。 ?2、脂肪： ?脂肪含能量最高，是体内各种能源物质的主要贮存形式。正常情况下，人体所消耗的能源物
MOS管的米勒效应 讲的很详细
米勒效应的影响：（主要的输入电容可以简单的理解为驱动源对MOSFETMOSFET 的栅极驱动过程，就会进达到门槛电压之后， MOSFET是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs进开始上升，此时MOSFET开通后，Vds开始下降，Id入开通状态；当MOSFET已经达到会持续一段时间不再上升，此时Id入饱和区；但由于米勒效应，Vgs又上升到驱动电压的值，直到米勒电容充满电，Vgs而Vds还在继续下降，最大，Vds彻底降下来，开通结束。此时MOSFET进入电阻区，此时的下降，这样就会使损Vds由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了下降）Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds耗的时间加长。 （ 在管的米勒电容引发的米勒效应，他是由MOS米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，GS电压有一段稳定值，过后电压上升到某一电压值后GSMOS管开通过程中，GS 开通前，在为什么会有稳定值这段呢？因为，MOS电压又开始上升直至完全导通。极储存的电量需要在其导通时注入G极电压，MOS寄生电容CgdD极电压大于G。米勒效应会严极电压G完全导通后极电压大于D与其中的电荷中和，因MOS管 不能很快得进入开关状态）的开通损耗。（MOS重增加MOS越小开通损耗就越小。米勒CgdMOS时，所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择效应不可能完全消失。MOSFET处于“放大区”的典型标志MOSFET中的米勒平台实际上就是电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就GS用用示波器测量是米勒平台。管开通过程会产生米勒平台，原理如下。MOS米勒效应指在但此时开级之间加 足够大的电容可以消除米勒效应。G级和S理论上驱动电路在的电容值是有好 处的。关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess 下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平 台。．
营养支持的最新进展及观点
维持性血液透析(HD)是治疗慢性肾衰竭的有效方法之一，可显著提高透析患者的生活质量。HD患者虽然存活时间延长，但营养不良的发生率很高。欧美6个透析中心的联合评价显示，33%有轻至中度营养不良，8%为重度营养不良，国内发生率更高，为57%～85%［1］。随着存活时间的延长，HD患者营养状况逐步恶化，并发症和病死率也随之增加，故营养不良是HD患者长期存活的重要障碍之一［2］。营养支持治疗及护理，营养支持疗法有经肠营养支持疗法和全胃肠外营养两种。经肠营养支持疗法是针对不能经口摄取食物或摄入不完全的患者,以及因肠道疾患等原因引起的营养吸收功能低下患者,为改善其低营养状态而采取的营养支持疗法。实施营养支持时,将导管插入病人的胃或十二指肠、空肠,然后将所配置的营养液经导管注入,达到提供营养的目的。随着社区服务和家庭护理的开展,经肠营养支持疗法在家庭中的应用也不断增加。3．1合理饮食3．1．1摄入足够的蛋白质HD可丢失一定量的蛋白质和氨基酸，同时有促进蛋白异化作用，造成负氮平衡，故HD患者应比保守疗法患者摄取更多的蛋白质。高生物效价优质蛋白质少于50%，就易发生营养不良。有研究发现30%～50%的HD患者摄入的蛋白质不足1．0g/(kg·d)［3］。蛋白质摄入量以1．2～1．5g/(kg·d)较为合适，注意蛋白质的优质化，80%应给予高生物效价优质蛋白质。3．1．2摄入足够的热量充分热量供应能保证机体利用摄入的蛋白质，61岁以下者热量摄入应为146．54kJ/(kg·d);61岁以上者应为125．6～146．5kJ/(kg·d)。一般患者热量摄入为96．3～113．0kJ/(kg·d)，故应鼓励多进食［4］。每日糖提供的热量占总热量的55%～60%，应以多糖类为主。3．1．3控制脂肪和胆固醇脂肪提供的热量不应超过30%，以不饱和脂肪酸为主，饱和脂肪酸不超过10%，不饱和脂肪酸与饱和脂肪酸之比为2:1，胆固醇摄入量为0．78～1．04mmol/d。控制摄入动物脂肪，如动物内脏、鱿鱼、鱼子、蟹黄、蛋黄及油炸食品，以免加重高脂血症，增加动脉硬化发生率。3．1．4控制入水量为使患者透析期间维持理想的干体重，避免因水负荷过多引起心力衰竭、高血压和肺水肿等并发症。根据不同食物中水分的含量，鼓励患者进食干饭、馒头、面条等含水量较少而又不易消化的食物，忌食水分多的食物，如西瓜、梨等。教会患者计算24h出入量、自测体重、血压、自查有无水肿等情况，控制两次透析间体重增加不超过干体重的3%～4%。3．1．5控制钠的摄入随着透析膜的改进，透析过程中可以除去过剩的钠。因此，钠的摄入量要适当，减少饮水量，防止水潴留、高血压、心力衰竭和透析中的并发症。每周2次透析者，通常为3～5g/d;每周3次透析者可以放宽至5～8g/d。透析患者应避免高钠食物、咸菜、咸蛋、酱及各种腌制食品，不能用代用盐，因为其含钾高。3．1．6控制钾的摄入在营养支持治疗中多种食物都含有一定的钾，但肾功能受损时，排钾减少，故应严格控制钾的摄入量。每天钾的摄入量应低于2g，以防止高钾血症的发生，同时避免食用橙子、橘子、冬菇、带鱼、香蕉、枣、浓茶等含钾高的食物。3．1．7控制磷的摄入在透析时，磷的清除率仅为肌酐的60%［5］。因此，单独依靠透析不能保持血磷的正常水平，限制磷的摄入量，透析患者磷水平应限于1．45～1．78mmol/L，磷摄入量应控制在0．6～1．2g/d。患者应避免食用含磷高的食物，如内脏、奶粉、硬核果类、全麦面包等。3．1．8增加钙及水溶性维生素的摄入透析患者因缺少维生素D或对维生素D不敏感，故应多食含钙食物。饮食中补钙要注意限制磷摄入，易造成血钙浓度偏低，应在严密监测血清钙磷水平条件下，给患者补充足够的钙剂和维生素D。患者在透析中不可避免地丢失水溶性维生素的摄入，应及时给予补充，特别是叶酸和维生素B。3．1．9微量元素的摄入微量元素在维持性HD患者的治疗过程中起着重要的作用，合理的补锌可促进吻合口愈合，补充铁可改善患者的贫血状况。为了补充铁质，提高血红蛋白含量，患者可多食肉类、动物肝脏等。限制饮食中铜的摄入量。通过加强饮食护理及对患者进行膳食指导，使其能主动配合调整日常饮食，可有效地改善机体微量元素的含量。3．1．10饮食指导为减少能量消耗，减轻饥饿感，HD中患者也应进食。HD开始前进适量碳水化合物、蛋白质，透析2h协助患者进餐，以补充能量消耗，防止低血糖。但有低血压倾向的患者应避免在HD
食品营养与健康
第一章作业 一、选择题 1、有关矿物质的共同特点叙述不正确的是? ( D) A在体内不能合成 B不会在代谢过程中消失 C必须由膳食不断补充 D具有药理作用 2、一般蛋白质提供能量占人体能量的多少? B A、 7%~10% B、 11%~14% C、 20%~25% D、 25%以上 3、对维生素的特点描述不正确的是 B A、不供给能量 B、参与肌体组织构成 C、天然食物的微量成分 D、不能大量储存在组织中 4、对于维生素D的生理功能描述错误的是 A A、减少过氧化脂质的生成 B、维持血浆钙磷的正常值 C、促进小肠对钙磷的吸收
D、调节钙磷的代谢 5、测定基础代谢时, 受试者应处于安静的松弛状态, 下面哪种情况不符合上述要求 (B) A、清醒 B、站立 C、空腹 D、周围环境安静 E、温度在18~25℃ 6、体力活动消耗的能量与哪项有关(ABC) A、活动强度 B、持续时间 C、动作的熟练程度 D、肌肉力量 7、属于水溶性膳食纤维的是C A、果胶 B、木质素 C、琼脂 D、纤维素 8、下列是人体所必须的氨基酸有? ABCD A、蛋氨酸 B、苯丙氨酸
C、苏氨酸 D、色氨酸 E、组氨酸 9、下列哪些是水的生理功能? ABCD A、调节体温 B、参与体内物质代谢 C、润滑作用 D、体内的重要溶剂 10、人体所需的微量元素有哪些? DE A、钙 B、磷 C、钾 D、铁 E、锌 11、维持人体基本生命活动应包括 ABCDE A、维持体温 B、呼吸 C、血液循环 D、腺体分泌 E、肌肉的一定紧张度 12、多数蛋白质中含有的元素是ABCE
A、碳 B、氢 C、氧 D、锌 E、氮 13、下列不属于完全蛋白质的是AB A、小麦中的麦胶蛋白 B、玉米胶蛋白 C、大豆蛋白 D、肌肉蛋白 二、判断题 1、人体内不同组织含水量不一样, 以血液中最少, 脂肪组织中较 多。 X 2、女性体内脂肪较多, 水分含量不如男性高。Y 3、成人中肌肉发达的体型消瘦者水分所占比例高于体内脂肪多的 胖体型者。 X 4、必须脂肪酸是合成前列腺素的原料。 X 5、必须脂肪酸对增强视力, 维护视力正常有良好作用。 Y 6、三种产能营养素( 蛋白质、脂肪、碳水化合物) 在体内能被 完全消化吸收。X 7、每克脂肪在体内氧化产生37.6KJ的能量, 与蛋白质和碳水化合
营养支持和评价
北京大学人民医院呼吸内科卢冰冰 对合并营养不良的COPD患者进行营养补充治疗的效果并不确切，目前认为和以下因素有关：热量补充不足、蛋白质补充不足、食欲不振、能量消耗增加、系统性炎症反应、机体构成分布改变。 第一章能量代谢的基础知识 一、机体的能量代谢 机体每日的能量消耗（total energy expenditure，TEE）包括以下几个部分：基础能量消耗（basal energy expenditure，BEE）或静息能量消耗（resting energy expenditure，REE）；食物的生热效应（diet-induced thermogenesis）；兼性生热作用（facultative thermogenesis）；运动的生热效应（the thermic effect of exercise）。 基础能量消耗由于测定基础代谢率的条件极其严格，故临床上通常测定的是静息能量消耗。 静息能量消耗REE一般较BEE高10%左右。REE可在全天24小时的任何时候测定。 食物的生热效应又被称为食物的特殊动力作用。 兼性生热作用是由环境温度、进餐、情绪应激和其他因素变化而引起的能量消耗变化，占每日总能量消耗的10～15%。 运动的生热效应代表高于基础能量代谢水平的体力活动所产生的能量消耗。对一个中等活动强度的成人来说，运动的生热效应约占总能量需要的15～30%。 二、机体能量代谢的测定 临床上精确估计危重患者的能量需求是相当困难的，这里介绍三种最常用的方法。 （一）间接测热法 原理：机体在消耗一定量的蛋白质、脂肪及碳水化合物时，会产生一定量的热量，同时相应消耗一定量的氧和产生一定量的二氧化碳。因此测定机体在单位时间内所消耗的氧和产生的二氧化碳量，即可计算出机体在该时间内产热即能量消耗。间接热量测定是现代临床医学的金标准，危重病人在其病程早期至少应测量一次，5～7d需重复检测。 现代能量代谢测量装置一般由氧气分析仪、二氧化碳分析仪、体积测量仪和微型计算机组成。例如，MMCI（Beckman Metabolic Measurement Cart）。 （二）预计公式估算方法 目前最经典的是诞生于1919年的Harris-Benedict公式，它根据身高、体重、年龄及性别来计算机体基础能量消耗。 男：BEE（kcal/d）=66.4730+13.7513W+5.0033H-6.7750A 女：BEE（kcal/d）=655.0955+9.5634W+1.8496H-4.6756A W：体重（kg）；H：身高（cm）；A：年龄（y） 需要注意的是，Harris-Benedict公式是健康机体基础能量消耗的估算公式，它并不适用于临床上各种疾病状态下的病人。临床上病人病情复杂多变，实际能量消耗变化较大，很难用某公式进行估算。目前临床上估算创伤、应激状态病人的能量消耗的估算常采用应激系数×Harris-Benedict公式，应激系数预计如下：外科小手术1.2，创伤1.3，脓毒败血症1.6，烧伤2.1。当然，应激系数的划分本身带有很大的主观性。总之如有条件，对危重病人最好测定每日的实际能量消耗。 （三）经验性估计 现代医学观点认为，每24小时平均消耗的能量比既往提出的要低。成人平均每天25～35kcal/kg。 三、能量代谢的几个概念 （一）三大营养物质氧化代谢所产生的能量
MOS管的米勒效应-讲的很详细
创作编号：BG7531400019813488897SX 创作者：别如克* 米勒效应的影响： MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后，MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。 由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降） 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢？因为，在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。（MOS管不能很快得进入开关状态） 所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择MOS时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。 MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志 用用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，
这就是米勒平台。 米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台，原理如下。 理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的。下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。 删荷系数的这张图在第一个转折点处：Vds开始导通。Vds的变化通过Cgd 和驱动源的内阻形成一个微分。因为Vds近似线性下降，线性的微分是个常数，从而在Vgs处产生一个平台。 米勒平台是由于mos 的g d 两端的电容引起的，即mos datasheet里的Crss 。 这个过程是给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平的时候，Vgs才开始继续上升。 Cgd在mos刚开通的时候，通过mos快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台
微电子前沿复习(带答案)
微电子技术前沿复习提纲 1.请给出下列英文缩写的英文全文，并译出中文： CPLD: Complex Programmable Logic Device复杂可编程逻辑器件 FPGA: Field－Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL:generic array logic 通用阵列逻辑 LUT: Look-Up-Table 显示查找表 IP: Intellectual Property 知识产权 SoC: System on Chip 片上系统 2.试述AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理; 试说明为什么 AGC BJT的工作频率范围受限? AGC 即自动增益控制（Automatic Gain Control） ? AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理：当输入增加时，输出会同时增加，我们 可利用双极型晶体管的大注入效应和大电流下的基区扩展--kirk效应，衰减增益， 使放大系数降低，则达到了稳定输出的目的。 ?工作频率范围受限原因： 1) 、自动增益控制特性与频率特性是相矛盾，实现AGC需要基区展宽，而器件 的工作频率与基区宽度的平方成反比，要实现大范围的自动增益控制，要求 宽基区，使得工作频率范围受限。 2) 、实现AGC要求基区大注入,基区掺杂浓度低时，易于发生大注入效应，而基 区掺杂浓度动愈低，器件高频噪声愈差，使得工作频率范围受限。 3.为什么双栅MOSFET具有良好的超高频(UHF)特性？ 双栅MOSFET结构如图： 1) 、双栅MOS的端口 Gl靠近源极，对应的基区宽度短，加高频信号，称信号栅，可以实现超高频。 G2靠近漏极，对应的基区宽度较宽，有良好的AGC性能，加固定偏置或AGC电压，作增益控制栅。 2) 、它通过第二个栅极G2交流接地, 可在第一个栅极G1和漏极D之间起到有效的 静电屏蔽作用, 从而使得栅极与漏极之间的反馈电容(是Miller电容)大大减小，则 提高了频率。 4.为什么硅栅、耐熔金属栅能实现源漏自对准，而铝栅不行？实现 源漏自对准的目的是什么？
米勒平台
MOS管是一种在模拟和数字电路中应用的非常广的器件。只要接触电子电路设计，就无可避免的要接触它。在MOS管使用过程中，有一种现象被称为米勒现象，这种现象通常会在MOS管的开通期间发生。本篇文章来自于对论坛高手发言的总结，希望能够帮助大家更高的理解MOS 管中的米勒平台。 米勒电容是指MOSFET的GD之间的电容，那么电源中的米勒效应究竟指的是什么呢? 图1 to~t1: Vgs from 0 to Vth。Mosfet没通。电流由寄生二极管Df。 t1~t2: Vgs from Vth to Va。Id t2~t3: Vds下降。引起电流继续通过Cgd。Vdd越高越需要的时间越长。 Ig 为驱动电流，开始降的比较快，当Vdg接近为零时,Cgd增加。直到Vdg变负,Cgd 增加到最大，下降变慢。t3~t4: Mosfet 完全导通,运行在电阻区。Vgs继续上升到Vgg。 如图2所示，在这个平台期，MOS管是要开通的，也就是DS电压下降，那么原来DG 之间的电容就要放电，电流为由G到D，也就是说，驱动的电流实际是从G流向了D，没有对GS电容充电，因此VGS电压就出现一个平台。
图2 当斜率为dt 的电压V施加到电容C上时（如驱动器的输出电压），将会增大电容内的电流： I=C×dV/dt (1) 因此，向MOSFET施加电压时，将产生输入电流Igate = I1 + I2，如图3所示。 图3 在右侧电压节点上利用式(1)，可得到：
I1=Cgd×d(Vgs-Vds)/dt=Cgd×(dVgs/dt-dVds/dt) (2) I2=Cgs×d(Vgs/dt) (3) 如果在MOSFET上施加栅-源电压Vgs，其漏-源电压Vds 就会下降（即使是呈非线性下降）。因此，可以将连接这两个电压的负增益定义为： dAv=- Vds/Vgs (4) 将式(4)代入式(2)中，可得： I1=Cgd×(1+Av)dVgs/dt (5) 在转换（导通或关断）过程中，栅-源极的总等效电容Ceq为： Igate=I1+I2=(Cgd×(1+Av)+Cgs)×dVgs/dt=Ceq×dVgs/dt (6) 式中(1+Av)这一项被称作米勒效应，它描述了电子器件中输出和输入之间的电容反馈。当栅-漏电压接近于零时，将会产生米勒效应。 Cds分流最厉害的阶段是在放大区。为什么? 因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成。可认为：门电流Igate完全被Cds吸走，而没有电流流向Cgs。 当Cgd通过mos放电结束后，MOS进入了饱和阶段，Vd变化缓慢。虽然Vgs的增长也能够让部分电流流想Cds，但主要的门电流是流向Cgs 。门电流的分流比：I1：I2 = Cds：Cgs ，看看电流谁分的多? 当mos放电结束后，近似地认为门电流全部流过Cgs，因此：Vgs重新开始增长。
著名心理学效应
1、蝴蝶效应:上个世纪70年代，美国一个名叫洛伦兹的气象学家在解释空气系统理论时说，亚马逊雨林一只蝴蝶翅膀偶尔振动，也许两周后就会引起美国得克萨斯州的一场龙卷风。紊乱学家把这种现象称为“蝴蝶效应”，并作出了理论表述：一个极微小的起因，经过一定的时间及其他因素的参与作用，可以发展成极为巨大和复杂的影响力。 蝴蝶效应是说，初始条件十分微小的变化经过不断放大，对其未来状态会造成极其巨大的差别。有些小事可以糊涂，有些小事如经系统放大，则对一个组织、一个国家来说是很重要的，就不能糊涂。 “蝴蝶效应”告诉我们，沟通无小事。一句话的表述、一件事的处理，正确和恰当的，可能影响别人的一生；错误和武断的，则可能贻误别人一生。 2、青蛙现象：把一只青蛙直接放进热水锅里，由于它对不良环境的反应十分敏感，就会迅速跳出锅外。如果把一个青蛙放进冷水锅里，慢慢地加温，青蛙并不会立即跳出锅外，水温逐渐提高的最终结局是青蛙被煮死了，因为等水温高到青蛙无法忍受时，它已经来不及、或者说是没有能力跳出锅外了。 青蛙现象告诉我们，一些突变事件，往往容易引起人们的警觉，而易致人于死地的却是在自我感觉良好的情况下，对实际情况的逐渐恶化，没有清醒的察觉。 3、鳄鱼法则：其原意是假定一只鳄鱼咬住你的脚，如果你用手去试图挣脱你的脚，鳄鱼便会同时咬住你的脚与手。你愈挣扎，就被咬住得越多。所以，万一鳄鱼咬住你的脚，你唯一的办法就是牺牲一只脚。 譬如在股市中，鳄鱼法则就是：当你发现自己的交易背离了市场的方向，必须立即止损，不得有任何延误，不得存有任何侥幸。 4、鲇鱼效应：以前，沙丁鱼在运输过程中成活率很低。后有人发现，若在沙丁鱼中放一条鲇鱼，情况却有所改观，成活率会大大提
米勒效应会对MOSFET管造成怎样的影响
米勒效应会对MOSFET管造成怎样的影响 米勒平台形成的基本原理 MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后，MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds 彻底降下来，开通结束。 由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降） 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS 管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢？因为，在MOS开通前，D极电压大于G 极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。（MOS 管不能很快得进入开关状态） 所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择MOS时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。 MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志。 用用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。 米勒平台形成的详细过程 米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台，原理如下。 理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间