等离子体化学

等离子体化学
等离子体化学

等离子体的概念

从在学校里的时候起,我们就一直习惯于认为物质有三态:固态、液态和气态。通常见到的物质基本上是以固体、液体或气体三态中的任一态存在。在一定的温度和压力下,某一物质的存在状态取决于构成物质的分子间力和无规则热运动剧烈程度在宏观上的表现。在较低温度下,分子无规则热运动不太剧烈,分子在分子间力的作用下被束缚在各自平衡的位置附近做微小的振动,分子排列有序,表现为固态。温度升高时,无规则热运动剧烈到某一程度,分子的作用力已不足以将分子束缚在固定的平衡位置附近做微小振动,但还不至于使分子分散远离,这时就表现为具有一定体积而无固定形态的液态。温度在升高时,无规则热运动进一步加剧,分子间力已无法使分子间保持一定的距离,这时分子相互分散远离,分子的移动几乎是自由移动,这就表现为气态。可见,在一定的条件下物质的三态之间可以相互转化,各种物态之间可以相互转化,各种物态之间的相互转化都和温度(T )、压强(p )有关,那么,对气态物质进一步加热,当温度足够高时,构成分子的原子也获得足够大的动能,开始彼此分离,这一过程称为离解。在此基础上进一步提高温度,就会出现一种全新的现象,原子的外层电子将摆脱原子核的束缚而成为自由电子,失去电子的原子变成带正电的离子,这一过程叫做电离。由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞也会使气体分子产生电离,这样物质就变成由自由运动并相互作用的正离子和电子组成的混合物(如蜡烛的火焰)。把物质的这种状态称为物质的第四态,即等离子体(plasma )。因为电离过程中正离子和电子总是成对出现,所以等离子体中的正离子和电子的总数大致相等,总体看来为准电中性。从更广泛的意义上讲,有些固体、液体也呈现等离子体特征。固体金属中的晶格上正离子和运动的自由电子构成固体等离子体,半导体中电子和空穴也构成固态等离子体。电解质溶液(比如食盐水溶液)内部有数目相等的运动着的正钠离子和负离子,也能导电,该溶液也属于等离子体。为此,从广义上把等离子体定义为凡包含足够多的电荷数目近于相等的正、负带电粒子的物质聚集状态,称为等离子体。

等离子体的特点

物质的第四态等离子体有着许多独特的物理、化学性质。主要表现如下:

(1)温度高、粒子动能大。

(2)作为带电粒子的集合体,具有类似金属的导电性能。等离子体从整体上看是一种导电流体。

(3)化学性质活泼,容易发生化学反应。例如将甲烷与氢气在闭合容器中混合并使之放电,若保持适宜的壁温度,就会在壁上析出一层金刚石薄膜。

(4)发光特性,可以用做光源。例如日常生活中不可缺少的日光灯、夜晚街灯绚丽多彩的霓虹灯和利用钠、水银等发光的照明灯,都是经常见到的等离子体发光现象。 等离子体主要的应用

等离字体技术现在广泛的应用于诸多专业领域,而且变得越来越重要。

首先,在能源领域,利用超高温等离子体的核聚变发电受到广泛瞩目。在不久的将来,不仅燃化资源将枯竭,而且其燃烧产物2CO 带来的全球温室效应也不可忽视。另一方面,基于核裂变反应的核发电站,主要燃料铀的储存有限,其次反应堆的安全问题和放射性废物的处理还没有得到根本的解决。而核聚变反应是以氢同位素为燃料,它们大量存在于海水中。实现核聚变发电,可使人类掌握永久性的绿色能源。核聚变的基本反应原理如下所述。一个高能氘核(D )和一个高能氚核(T )碰撞发生核聚变反应,生成一个氦核(He),并放出一个中子(n),反应如下:

n H T D +→+e 432

该反应出现的质量亏损0.019amn (原子质量单位)会转化为He 和n 的巨大动能释放出来,而中子撞击到反应堆四周的吸收介质,从而转化成热能发电。要实现上式所示的核聚变的自持反应,必须要生成约一亿度(10kev )的高密度(>-320m 10)的D ,T 等离子体并将其保持1s 以上。为此,现在普遍采用的方法是将氘(D )和氚(2T )的混合气体电离,加热到超高温,同时采用磁场约束。目前,国内外均在致力于这种核聚变的大规模研究与开发。

其次,等离子体发光特性的应用包括常见的荧光灯、霓虹灯等照明用的等离子体放电管,以及气体激光、等离子体显示等。目前,等离子体平板显示的研究热点是大画面和高清晰度。

在新材料和加工领域,等离子体工艺(plasma process)或叫做等离子体加工(plasma processing)的有关技术正在广泛地被人利用。高气压电弧等离子体热是一个巨大的热潮,可将混入其中的陶瓷或金属等的微粒材料瞬间熔化。等离子体的这个性质被用于喷涂、精炼、表面改性和生成微粒材料等。另外,等离子体化学活性的薄膜沉积(deposition)与刻蚀(0),也是微电子制造中必不可少的工艺。主要通过通入工作气体,然后使其放电。高能量的电子足以使气体分子键断裂,产生大量活性基团。这些基团不断吸附在基板表面,由于基团之间的表面化学反应最终会在表面生成一层具有新化学结构的薄膜。这就是等离子体CVD (等离子体化学气相沉积,plasma chemical vapor deposition )技术,它可以用来研制太阳能电池,液晶显示器及聚合物薄膜,金刚石薄膜以及纳米管等新材料。还有,用电子束把金属等固体原料蒸发,注入到等离子体中,电离出的离子在加速电压作用下轰击基板,基板表面就会沉积一层可改进表面性能的薄膜,称为离子镀膜(ion plating )。

最后,把目光投向环境、宇航领域。近年来。应用等离子体技术于地球环保方面的期待正日益增高。目前,正研究如何利用等离子体进行城市垃圾处理,排放废气处理等环境课题,通常的方式选择大气压下的热等离子体、电晕放电等技术。宇宙领域,正在进行等离子体隐身、高功率等离子体填充真空器件方面的研究工作。

等离子体的发生

4.1 气体放电法

当作用于气体的电场强度超过某临界值时将出现气体放电现象,即气体从绝缘状态转变为导电状态。雷电和极光等是人们常见的自然气体放电现象。

在实验室中研究气体放电时可通过改变实验条件,例如气体压强、电压和限流电阻等参数以获得不同的放电形式。通常,气体放电发生时常伴随着热、光、声和X 射线等物理效应和形成新物质等的化学反应。不同形式的气体放电将表现出不同的电压和电流特性,即具有不同的伏安特性。伏安特性是判别气体放电的重要参量之一。

早在上一世纪三十年代,Faraday 在数百Pa(几毫米汞柱)的低压强下观察到一种气体放电,这种放电在阴极附近出现一系列明暗相间的区域,各有不同的长度和颜色,他把这种放电称为辉光放电。辉光放电的典型伏-安特性曲线如下图所示。实验所用放电管的参数为:平板的电极直径为2cm ,电极之间的距离(放电管长)0.5m ,气体压强133.3Pa ,电压变化范围0~1000V 。这种电极间距离比放电管直径大得多的放电称为长间隙辉光放电。

当电极间的电压从零开始慢慢增加时,最初测到的电流是一种随机脉冲,它是由外界催离素在放电空间引起的原始电离造成的。由于原始电离很弱,所以在很小的电压下电流即达到饱和值,通常饱和电流在A 14-10数量级,其大小与外界催离素密切相关。在电流主要由原始电离构成的情况下,在相当大的电压范围内电流与电压的数值无关。但到某一临界电压,电流开始随电压按指数关系增长,这时就转入汤生(Townsend )放电(曲线B 段)。如果继续

增加电压,则在伏-安特上将出现电流的急剧上升的C段,随后在电压几乎毫无增加的情况下电流可增大几个数量级(曲线上的D段)。从这时候开始,电流不再受外界催离素影响,放电开始转为自持(self-sustained)。与此相应,图中A、B和C段的放电称为非自持放电。对于非自持放电,一旦外界催离素停止作用,电流立即减小到零。

图一辉光放电的伏-安特性

在出现自持的汤生放电后,如减少外电路电阻,电流将进一步增大,而放电压降开始减小,并在电极周围出现微光,这时气体开始击穿(breakdown)。这种只在电极周围产生光辉的放电叫电晕放电。继续减小电阻,则相继出现伏安特性上的“次正常”(subnormal)和“正常”(normal)辉光放电的F区和G区。正常辉光具有较低的放电压降。此后,随着电流的继续增加,放电压降重新上升,这时就转入“异常”(abnormal)辉光放电。异常辉光放电的等离子体有着广泛的应用,在进入异常辉光放电以后,当外电路电阻减小到一定值时,电流将突然增大,最后形成电弧(arc)。

图二黑暗放电、辉光放电和电弧放电的电流密度、压强和电强强度范围在大气压或更高气压下,气体放电的形式与低气压式有所不同。这时常常不经过辉光放电而是从黑暗放电直接过渡到电弧。如图二所示。气体密度、压力和电流密度时决定放电形

式的重要因素。通常在小的电流密度下产生辉光放电,而当电流密度大时则产生电弧放电。在高气压下,电源内阻或极限输出功率对放电形式也有重要的影响。对于高内阻电源,当放电从非自持向自持过渡时,通常发生脉冲火花放电,大气中闪电就是这种形式的放电。

在大气压下,当电场强度不均匀时可能出现局部击穿的电晕放电。例如,夜间在高压输电线周围,常常可以看到有一层淡蓝色光圈包围,这就是电晕放电。在高气压下的电弧中,单位体积内带电粒子数量很多,能量大,具有很高的温度,常常产生强烈的原子激发,所以发出白炽的强光。

4.2 射线辐照法

利用各种射线或粒子束辐照使气体电离也能发生等离子体,具体有以下几种:

(1)利用放射性同位素发出的α,β,γ射线

α粒子实际上是氦核He2+,因此α射线引起的电离气体相当于高速正离子的碰撞电离,

A+α→A++e+α

碰撞前后α粒子的能量有变化。但是一般α射线的能量不是太高,往往只导致局部离子化。

β射线是一束高能电子流,它所引起的电离相当于高速电子的碰撞电离。但因碰撞作用时间太短,所以电离能力较低,γ射线具有极高的能量,在气体中的穿透力很强,对气体的电离作用十分显著,可以在辐照空间引起均匀粒子化。

(2)利用X射线

X射线也能象γ射线一样引起均匀电离,但是难以获得高密度的等离子体。

(3)利用带电离子束

经过加速器加速的电子束或离子束在与中性粒子碰撞时也能使其电离。这种方法可以离子束的加速能量、强度、脉冲特性等加以控制。因此比以上几种射线要优越的多。实际工作中,尤以利用电子束的情况居多。装置为静电加速器或电子直线加速器。近年来利用束流强度很高的电子束加速装置产生的电离气体密度相当高,而且在纳秒级的瞬间即可发生。

微波等离子体

微波等离子体 ●微波等离子体反应器特点: 微波:为交流能量(信号),通过波导传输,每一种波导 具有一定的特征阻抗 (射频传输线理论) 等离子体的反应器:本质上是具有一定阻抗的负载。 微波等离子体工作要求:波导特征阻抗=等离子体负载 阻抗。 微波反射波能量将至最低。 ●微波等离子体反应器发展: 小尺寸共振腔---->表面波长细等离子体--->大面 积(体积)表面波等离子体。 ●微波等离子体反应器结构: ⊙单模谐振腔 谐振腔尺寸: λ λ= R,(谐振条件) =d 阻抗匹配: 好,可以不设置附加匹配。 激励电场 单模(单一本征模) 方向:图中电场沿轴向。 状态:驻波

缺点:体积小(?) 电场不均匀-----〉等离子体空间均匀性差。应用:放电灯,光谱分析。

⊙多模腔 谐振腔尺寸: λ λ>> R;(非谐振) >>d 阻抗匹配: 差,需要附加匹配。 优点:电场较均匀-----〉等离子体空间均匀性好。 ⊙表面波等离子体(surface microwave plasma,SWP)源 尺寸: λ = R(谐振条件),轴向尺寸没有限制阻抗匹配: 需要设置附加匹配。 激励电场 单模或多模(单一本征模) 状态:行波 优点:大体积,细长 缺点:面积小 应用:气体反应(甲烷--->乙炔),有害气体处理

侧视图

多管SWP源

●大面积/体积SWP源 两种方式:(a)顶面馈入;(b)侧面馈入 三种典型装置:(a)日本平面狭缝(顶面)耦合; (b) 德国环状狭缝(侧面)耦合; (c)法国改进型表面波导(侧面)耦合美国: 中国(中国科大、合肥等离子体物理所----> 德国版)●日本顶面狭缝(重点) (1)两种加热模式

等离子体增强化学气相沉积技术基础

等离子体增强化学气相沉积技术基础 §1.1等离子体概论 §1.1.1等离子体的基本概念和性质 近代科学研究的结果表明,物质除了具有固态、液态和气态的这三种早为人们熟悉的形态之外,在一定的条件下,还可能具有更高能量的第四种形态——等离子体状态。例如通过加热、放电等手段,使气体分子离解和电离,当电离产生的带电粒子密度达到一定的数值时,物质的状态将发生新的变化,这时的电离气体已经不再是原来的普通气体了。由于这种电离气体不管是部分电离还是完全电离,其中的正电荷总数始终和负电荷总数在数值上是相等的,于是人们将这种由电子、离子、原子、分子或者自由基团等粒子组成的电离气体称之为等离子体[ 1]。 不管在组成上还是在性质上,等离子体不同于普通的气体。普通气体由电中性的分子或原子组成,而等离子体则是带电粒子和中性粒子的集合体。等离子体和普通气体在性质上更是存在本质的区别,首先,等离子体是一种导电流体,但是又能在与气体体积相比拟的宏观尺度内维持电中性;其次,气体分子间不存在净电磁力,而等离子体中的带电粒子之间存在库仑力;再者,作为一个带电粒子体系,等离子体的运动行为会受到电磁场的影响和支配。因此,等离子体是完全不同于普通气体的一种新的物质聚集态。 应当指出,并非任何的电离气体都是等离子体。众所周知,只要绝对温度不为零,任何气体中总存在有少量的分子和原子电离。严格地说来,只有当带电粒子地密度足够大,能够达到其建立的空间电荷足以限制其自身运动时,带电粒子才会对体系性质产生显著的影响,换言之,这样密度的电离气体才能够转变成等离子体。除此之外,等离子体的存在还有其特征的空间和时间限度,如果电离气体的空间尺度L不满足等离子体存在的空间条件L>>λD(德拜长度λD为等离子体宏观空间尺度的下限)的空间限制条件,或者电离气体的存在的时间不满足τ>>τp(等离子体的振荡周期τp为等离子体存在的时间尺度的下限)时间限制条件,这样的电离气体都不能算作等离子体[2]。 §1.1.2等离子体的特性参数描述

微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石或类金刚石薄膜

一实验目地 . 了解等离子体产生地基本原理和方法,掌握多功能微波等离子体装置地使用方法; . 利用等离子体化学气相沉积地方法制备金刚石或类金刚石薄膜材料; . 观察薄膜形貌、测试薄膜地显微硬度. 二实验仪器与原材料 多功能微波等离子体装置、超声清洗机、高倍光学显微镜、显微硬度仪、硅片、金刚石微粉、氢气、甲烷或甲醇、乙醇等有机溶液资料个人收集整理,勿做商业用途 三实验原理 .等离子体 自然界中物质地形态除了固、液、气三种形态之外,还存在第四态,即等离子体状态,其实在浩渺地宇宙中,等离子体态是物质存在地最普遍地一种形态,包括恒星,星云等.从将等离子体划为物质地第四态这个角度来看,等离子体地产生过程为:固体物质在受热地情况下熔化成液体,液体进一步受热后变成气体,气体进一步受热后,中性地原子和分子电离成离子和电子,形成等离子体.因此,只要给予稀薄气体以足够地能量将其离解,便可使之成为等离子体状态.资料个人收集整理,勿做商业用途 .气体被能量激励或激发成为等离子体后,等离子体中地离子或离子基团以及原子和原子基团之间地相互作用力将达到稳定或平衡.由于等离子体中含有大量具有高能量地活性基团,这使得等离子体能够参与或发生许多不同地化学或物理反应.制备功能薄膜便是其中地一例.资料个人收集整理,勿做商业用途 .等离子体化学气相沉积 等离子体在进行化学气相沉积时,活性基团与载体或活性基体之间发生一系列复杂地化学或物理反应,最终形成所需要地功能薄膜.资料个人收集整理,勿做商业用途 (气)(气)→ (固)(气) 反应气体、被激发为等离子体状态,其活性基团发生反应生成所需要地固态物沉积在基片上,可广泛用于功能薄膜或纳米材料地合成.如金刚石薄膜、氮化碳薄膜、生物或医用薄膜、碳纳米材料等.资料个人收集整理,勿做商业用途 .微波地产生、传导及利用其激发产生等离子体 本实验装置中,频率为地微波由磁控管来产生,依靠调整短路活塞使微波能量集中到反应腔中. .仪器工作原理 本实验在微波源地石英管式微波等离子体装置上进行地,其技术原理是:由微波源产生地频率为地微波,沿矩形波导管以模式传输,经过调整短路活塞,最后在水冷谐振腔反应室内激励气体形成轴对称地等离子体球,等离子体球地直径大小取决于真空沉积室中气体压力和微波功率.基片温度以微波等离子体地自加热方式来达到.对于气体系统而言,在高能量、高密度等离子体和合适地工艺条件下,气体发生离解而产生大量地含碳基团和原子氢.含碳基团在基片表面进行结构重组,由于原子氢对键地刻蚀作用远比对键强烈,这样重组后地碳碳键具有金刚石结构地键保留下来,开始金刚石晶粒地优先成核、生长阶段,逐渐在基片表面上得到完整地金刚石薄膜.该装置产生地微波等离子体有许多优点:无内部电极,可避免放电污染,运行气压范围宽,能量转换效率高,可产生大范围地高密度等离子体.资料个人收集整理,勿做商业用途 四实验内容及步骤 . 线路连接与检查:连接并检查总电源,冷却水,气路.冷却水箱中水位至约%地位置且水质正常,检查气路是否已经连接安置到位.资料个人收集整理,勿做商业用途

等离子体化学的基本原理及应用

等离子体化学的基本原理及应用等离子体化学是20世纪六十年代发展起来的一门新兴交叉科学。经过40多年的研究发展,已经广泛地引用于化工、冶金、机械、纺织、电子、能源、半导体,医药等不同领域。本文对等离子体化学在材料、电子、光学、医药、化学合成、环境保护几个方面的一些应用进行综述。[1-2] 1理论概述[3] 对常温常压条件下的气体通过高温加速电子加速离子给物质以能量,物质被解离成阴、阳离子的状态,由于整个体系阴、阳离子总电荷相等,故称为等离子体。而从通常的能量排布:气体>液体>固体的角度来说,等离子的能量比气体更高,能表现出一般气体所不具有的特性,所以也被称为物质的第四态。 当气体电离生成电子正离子一般在段时间内发生结合,回到中性分子状态,这个过程产生的电子、离子的一部分能量以电磁波等不同形式消耗,在分子离解时常生成自由基,生成的电子结合中性原子,分子形成负离子。因此,整个等离子体是电子正负离子激发态原子,原子以及自由基的混合状态。因为各种化学反应都是在高激发态下进行的,与经典的化学反应完全不同。这样使等离子体的原子或分子的本性通常都发生改变,即使是较稳定的惰性气体也会变得具有很强的化学活泼性。 在放电气体中发生的反应称为等离子体化学反应,用电子温度Te和离子温度Ti作为参数。若Te ≈Ti称为平衡等离子体或高温等离子体。若Te >>Ti称为非平衡等离子体或低温等离子体。这两种不同的情况在不同的领域都有广泛的运用。 2设备与装置[3-4] 可以将等离子的产生理解为:一定的真空度,外加电场/磁场,通电条件下射频放电产生的特殊物质。各国学者一直努力研制一种能得到均匀稳定的等离子的设备。可以通过(1)解光放电、(2)电晕放电、(3)寂静放电、(4)RF放电、(5)微波放电这5种放电方式(基本特征见图1)来得到等离子体,但为了保证反应产物不分解,一般采用辉光放电形式。这类仪器通过外加电场可以有效地把能量直接传递给反应体系中的气体分子,反应腔里将发生气体放电,产生非平衡等离子体,这种能量传递方法不仅经济有效,而且产生的等离子体具有能量高密度大的特点,所以应用较为广泛。根据反应器的结构不同分为内部电极方式的反应器、外部电极方式的反应器、直流放电反映器、采用商业频率的反映器、微波放电反映器(见图2)。而大多数工业活动需在常压或加压(高气体浓度)条件下进行,尤其化学工业、环境工程和材料工业等还不具备在低气压条件下进行化学反应的工艺条件。

等离子体的应用

等离子体技术与应用 学号 队别 专业 姓名

摘要 等离子体作为物质存在的一种基本形态,自18世纪中期被发现以来,对它的认识和利用不断深化。我们知道,普通化学反应和化工设备中所产生的温度只有二千多度。而在各种形式的气体放电所形成的低温等离子体中电子温度可达一万度以上,足以造成各种化学键的断裂,或使气体分子激发电离,产生许多在通常条件下不能发生的化学反应,获得通常条件下不能得到的化合物或化工产品,并且获得的化合物与化工产品不会产生热分解。目前,等离子体技术已被广泛的用于国防、工业、农业、环境、通信等一系列国民经济发展领域,极大地推动了信息产业的发展,促进了工业科技进步。 关键词等离子体微波放电隐身技术材料的表面改性微波等离子灯 引言 等离子体是由带电的正粒子、负粒子(其中包括正离子、负离子、电子、自由基和各种活性基团等)组成的集合体,其中正电荷和负电荷电量相等故称等离子体。他们在宏观上呈电中性的电离态气体(也有你液态、固态)。当温度足够高时,构成分子的原子也获得足够大的的动能,开始彼此分离,这一过程称为离解。在此基础上进一步提高温度,就会出现一种全新的现象,原子的外层电子将摆脱原子核的束缚而成为自由电子,失去电子的原子变成带正电的离子,这个过程叫电离。等离子体指的就是这种电离气体,它通常由光子、电子、基态原子(或分子)、激发态原子(或分子)以及正离子和负离子六种基本粒子构成的集合体。因此,等离子体也被称为物质的第四态。 内容 一、等离子的性质 物质的第四态等离子体有着许多独特的物理、化学性质。只要表现如下: 1) 温度高、粒子动能大。 2) 作为带电粒子的集合体,具有类似金属的导电性能。等离子体从整体上看是一种导体电流体。 3) 化学性质活泼,容易发生化学反应。 4) 发光特性,可以作光源。 二、等离子技术的应用 2.1微波放电等离子体技术与应用 通常,低气压、低温等离子体是在1~100pa的气体中进行直流或射频放电产生的。直流辉光发电首先被研究和应用,但该等离子体是有极放电,而且密度低、电离度低、运行气压高,这就限制了其应用的广泛性。随后,射频放电技术逐步被发展起来,这是一种无极放电,且等离子体工作与控制参数比辉光放电有所提高,因而获得了较广泛的应用。但是其密度和电离度仍较低,应用范围依然受到限制。 微波放电初始阶段的物理过程如下。微波引入反应腔中建立起电磁场,反应气体中的电子在微波场作用下获得能量,与气体分子碰撞使其电离,从而得到更多的

微波与低温等离子体相互作用的二维FDTD模拟

微波与低温等离子体相互作用的二维FDTD模拟 等离子体隐身是一种利用等离子体回避雷达探测的方法和技术,此方法就其原理而言优点突出,极具发展前景。几个主要的军事大国都积极开展该领域的研究和发展工作。目前,此方法和技术尚未发展成熟,诸多问题有待解决,还需要继续进行广泛、深入、细致的理论研究和实验研究。近年来,数值模拟计算研究成效显著,受到多方面的重视。本文针对两种进气管模型(直型腔体和S型腔体),分别设置结构对照组(直型腔体和S型腔体),和等离子体模型组(腔体内壁覆盖低温离子体层),采用时域有限差分(FDTD)方法,进行数值模拟计算,研究腔体结构和等离子体层对于雷达波(电磁波)的屏蔽作用。结果表明,(1)直型金属腔体对电磁波具有强反射特性,S型金属腔体对电磁波的反射相对较弱,反映了 结构隐身的作用;(2)腔体内壁覆盖等离子体层后电磁波的回波能量均明显减少,且金属直型腔体加入等离子体对电磁波的吸收更加强,反映了等离子体隐身的作用;(3)结构隐身与等离子体隐身相结合,有助于进一步改善和优化对于电磁波的隐身作用;(4)等离子体碰撞频率、等离子体电子数密度和入射电磁波频率等因素对于其隐身效果都有程度不同的影响。本文的研究方法和结果,可以为低温等离子体隐身方法和技术研究提供有价值的参考。 同主题文章 [1]. 朱晋生,陆继珍. 异向介质板应用于吸波隐身的FDTD方法分析' [J]. 电讯技术. 2008.(08) [2]. 谭维翰,顾敏. 等离子体钢丝二次谐波辐射的线性转换理论' [J]. 光学学报. 1988.(09) [3]. C.Ngo ,景成祥. 从核的多重碎裂到夸克—胶子等离子体' [J]. 原子核物理评论. 1989.(02) [4]. 顾琅. 等离子体加工过程中尘埃微粒行为的研究' [J]. 力学进展. 1997.(01) [5]. 董全力,王军,张少龙,满宝元,王象泰,于衍宏. 激光等离子体产生条件的实验研究' [J]. 光电子.激光. 1999.(05) [6]. 邱华盛. 中日签署沙尘合作研究协议及等离子体和核聚变合作研究协议' [J]. 中国科学院院刊. 2000.(06) [7].

等离子体增强化学气相沉积法

PECVD PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等离子体增强化学气相沉积法PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD). 实验机理:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。 优点: 基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。 缺点如下: 1.设备投资大、成本高,对气体的纯度要求高; 2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害; 3.对小孔孔径内表面难以涂层等。 例子:在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路最后的钝化保护层,提高集成电路的可靠性。 几种PECVD装置 图(a)是一种最简单的电感耦合产生等离子体的PECVD装置,可以在实验室中使用。 图(b)它是一种平行板结构装置。衬底放在具有温控装置的下面平板上,压强通常保持在133Pa左右,射频电压加在上下平行板之间,于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电,并产生等离子体。 图(c)是一种扩散炉内放置若干平行板、由电容式放电产生等离子体的PECVD装置。它的设计主要为了配合工厂生产的需要,增加炉产量。

微波等离子体气相沉积

等离子体合成金刚石 在20世纪80年代初,一种新的方法出现了,那就是微波等离子体化学气相法合成金刚石薄膜(CVD)制备金刚石薄膜,它成本低,质量高,有利于大规模合成利用,且装置简单,能量集中,反应条件易于控制,产物比较纯净,成为当前研究的主要方向和热点。现在该领域的最新进展是用微波化学气相合成法合成纳米级的金刚石薄膜,纳米级金刚石薄膜除了有普通微米级金刚石薄膜的性质外,还具有高光洁度,高韧性,低场放射电压,是具有广阔应用前景的新材料。摩擦系数低,光洁度高,颗粒极细,硬度高,耐磨度高,可广泛应用医疗,交通,航空航天,工业制造领域的涂料,涂层,钻头,更可为微型机电领域带来革命性的飞跃.许多科学家纷纷预言:21世纪将是金刚石的时代。 合成与机理:等离子态是物质的第四态,之所以把等离子体视为物质的又一种基本存在形态,是因为它与固、液、气三态相比无论在组成上还是在性质上均有本质区别。即使与气体之间也有着明显的差异。首先,气体通常是不导电的,等离子体则是一种导电流体而又在整体上保持电中性。其二,组成粒子间的作用力不同,气体分子间不存在净电磁力,而等离子体中的带电粒子间存在库仑力,并由此导致带电粒子群的种种特有的集体运动。第三,作为一个带电粒子系,等离子体的运动行为明显地会受到电磁场的影响和约束。需说明的是,并非任何电离气体都是等离子体。只有当电离度大到一定程度,使带电粒子密度达到所产生的空间电荷足以限制其自身运动时,体系的性质才会从量变到质变,这样的“电离气体”才算转变成等离子体。否则,体

系中虽有少数粒子电离,仍不过是互不相关的各部分的简单加合,而不具备作为物质第四态的典型性质和特征,仍属于气态。按热力学分析只要压力适当,石墨转变成金刚石在低温下并非不能自发进行,问题在于反应速率太低,以致必须提供苛刻的高温高压条件。但若借助非平衡等离子体,情况就不同了。如用微波放电把适当比例的CH4和H2气激发成等离子体,便可在低于1.0133×104Pa,800—900℃条件下以相当快的生长速率(1μm/h)人工合成金刚石薄膜。 依照此原理设计的CVD合成金刚石薄膜的装置都有一共同特性,即使低分子碳烃气体稀释在过量氢气中,在一定电磁能激发产生等离子体,在等离子体中形成局部的高温高压条件,通过适宜的沉积工艺在基片(硅片)上沉积出金刚石薄膜。常用的方法有热丝法、微波法、等离子体炬和燃烧火焰法等。热丝法是利用高温金属丝激发等离子体,装置简单,使用比较方便。但由于金属丝的高温蒸发会将杂质引入金刚石膜中,因此该方法不能制备高纯度的金刚石膜;微波法是利用微波的能量激发等离子体,具有能量利用效率高的优点。同时由于无电极放电,等离子体纯净,是目前高质量、高速率、大面积制备金刚石膜的首选方法;等离子体炬是利用电弧放电产生等离子体,制备的金刚石膜质量高。但由于电弧面积的限制,金刚石膜的面积较小;同时由于电弧点燃及熄灭的热冲击,对金刚石膜的附着力影响很大,设备的磨损大,反应气体的消耗也高;燃烧火焰法是利用乙炔在氧气中燃烧产生的高温激发等离子体,可以在常压下工作,也存在着金刚石膜沉积面积小,不均匀等问题。

等离子体化学气相沉积法合成石英玻璃(英文)

朱洪波等:矿渣粉、高钙灰及其改性材料对水泥早期水化进程的影响· 531 ·第36卷第4期 等离子体化学气相沉积法合成石英玻璃 宋学富1,孙元成2,钟海2,王宏杰2,顾真安2 (1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨 150001;2. 中国建筑材料科学研究总院,北京 100024) 摘要:用高频等离子体作为热源,采用化学气相沉积法合成了石英玻璃样品。实验分别使用O2和空气作为等离子体电离气体和冷却保护气体,改变等离子体电离工作气体种类时,等离子体火焰长度和石英玻璃沉积温度变化较大,而灯具冷却保护气体的改变对等离子火焰长度和石英玻璃沉积温度的影响不大。当等离子体电离气体和灯具保护气体均为O2时,等离子体火焰长度为12cm,石英基体温度为1300℃,当等离子体电离气体和灯具保护气体均为空气时,等离子体火焰长度可达24cm,石英基体温度升高到1840℃,可确保气相沉积过程进行,合成的石英玻璃在波长190nm处光透过率达84%,羟基含量3.5×10–6,可达到全光谱透过的要求。 关键词:等离子火焰;化学气相沉积;石英玻璃 中图分类号:TQ171;O643 文献标识码:A 文章编号:0454–5648(2008)04–0531–04 SYNTHESIS OF SILICA GLASS BY PLASMA CHEMICAL V APOR DEPOSITION METHOD SONG Xuefu1,SUN Yuancheng2,ZHONG Hai2,WANG Hongjie2,GU Zhen’an2 (1. School of Material Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001; 2. China Building Materials Academy, Beijing 100024, China) Abstract: Silica glass was synthesized by plasma chemical vapor deposition method, which uses inductively coupled plasma as the heat source. Air and oxygen were separately used as ionized gas and protecting gas. The influence of ionized gases on the length of plasma flame and the temperature of substrate is more significant than that of the protecting gases. A length of 24cm plasma flame and a deposition temperature of 1300℃were obtained when oxygen was used as both ionized gases and protecting gases, but in the case of air, the length of plasma flame was 24cm and the deposition temperature was 1840℃. Both of the longer plasma flame and the higher deposition temperature offered a good condition to deposit high quality silica glass. The silica glass has 84% transmittance at a wavelength of 190nm and 3.5 10–6 of the hydroxyl group, which is the glass of full-spectrum transmittance. Key words: plasma flame; chemical vapor deposition; silica glass Silica glass has the low thermal expansion coefficient, low conductivity, good thermal shock resistance, corro-sion resistance and excellent spectrum transmittance, because of the high bond energy and compactness of the network structure. Thus it has become the fundamental material of the high-tech field and has been widely used in optics, photoelectrons and dielectric materials.[1–2] Higher properties of silica glass are required with the development of space technology, and the silica glass prepared by common chemical vapor deposition (CVD) method does not meet these requirements, because it contains a large quantity of hydroxy groups. Recently, the plasma chemical vapor deposition (PCVD) method has been widely used to prepare optical fiber, nanomaterials and thin films, and in heat treatment of materials.[3–4] The cleanliness of its heat source ensures the purity of materials and avoids secondary pollutant. In this paper, silica glass was synthesized by PCVD. 1 Experimental procedure A high frequency current was obtained by a modified 收稿日期:2007–10–01。修改稿收到日期:2008–01–30。第一作者:宋学富(1978—),男,博士研究生。 通讯作者:顾真安(1936—),男,中国工程院院士。Received date:2007–10–01. Approved date: 2008–01–30. First author: SONG Xuefu (1978–), male, postgraduate student for doctor degree. E-mail: songxuefu@https://www.360docs.net/doc/eb16627213.html, Correspondent author: GU Zhen’an (1936–), male, academician of the Chinese Academy of Engineering. E-mail: guzha@https://www.360docs.net/doc/eb16627213.html, 第36卷第4期2008年4月 硅酸盐学报 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY Vol. 36,No. 4 April,2008

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)综述知识交流

等离子体增强化学气相沉积(P E C V D)综述

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)综述 摘要:本文综述了现今利用等离子体技术增强化学气相沉积(CVD)制备薄膜的原理、工艺设备现状和发展。 关键词:等离子体;化学气相沉积;薄膜; 一、等离子体概论——基本概念、性质和产生 物质存在的状态都是与一定数值的结合能相对应。通常把固态称为第一态,当分子的平均动能超过分子在晶体中的结合能时,晶体结构就被破坏而转化成液体(第二态)或直接转化为气体(第三态);当液体中分子平均动能超过范德华力键结合能时,第二态就转化为第三态;气体在一定条件下受到高能激发,发生电离,部分外层电子脱离原子核,形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种集合体形态,从而形成了物质第四态——等离子体。 只要绝对温度不为零,任何气体中总存在有少量的分子和原子电离,并非任何的电离气体都是等离子体。严格地说,只有当带电粒子密度足够大,能够达到其建立的空间电荷足以限制其自身运动时,带电粒子才会对体系性质产生显著的影响,换言之,这样密度的电离气体才能够转变成等离子体。此外,等离子体的存在还有空间和时间限度,如果电离气体的空间尺度L下限不满足等离子体存在的L>>l D(德拜长度l D)的条件,或者电离气体的存在的时间下限不满足t>>t p(等离子体的振荡周期t p)条件,这样的电离气体都不能算作等离子体。

在组成上等离子体是带电粒子和中性粒子(原子、分子、微粒等)的集合 体,是一种导电流体,等离子体的运动会受到电磁场的影响和支配。其性质宏观上呈现准中性(quasineutrality ),即其正负粒子数目基本相当,系统宏观呈中性,但是在小尺度上则体现电磁性;其次,具有集体效应,即等离子体中的带电粒子之间存在库仑力。体内运动的粒子产生磁场,会对系统内的其他粒子产生影响。 描述等离子体的参量有粒子数密度n 和温度T 。 通常用n e 、n i 和n g 来表示等离子体内的电子密度、粒子密度和中性粒子密度。当n e =n i 时,可用n 来表示二者中任一带电粒子的密度,简称等离子体密度。但等离子体中一般含有不同价态的离子,也可能含有不同种类的中性粒子,因此电子密度与粒子密度不一定总是相等。对于主要是一阶电离和含有同一类中性粒子的等离子体,可以认为n e ≈ n i ,对此,定义:a =n e /( n e + n g )为电离度。在热力学平衡条件下,电离度仅取决于粒子种类、粒子密度及温度。用T e 、T i 和T g 来表示等离子体的电子温度、离子温度和中性粒子温度,考虑到“热容”,等离子体的宏观温度取决于重粒子的温度。在热力学平衡态下,粒子能量服从麦克斯韦分布,单个粒子平均平动能KE 与热平衡温度T 关系为: 21322 kT KE mv == 等离子体的分类按照存在分为天然和人工等离子体。按照电离度a 分为: a<<0.1称为弱电离等离子体,当a > 0.1时,称为为强电离等离子体;a =1 时,则叫完全等离子体。按照粒子密度划分为致密等离子体n >1518310cm -,若n<1214310cm -为稀薄等离子体。按照热力学平衡划分为完全热力学平衡等离子体,即

微波等离子体设备技..

微波等离子体设备 技术方案 1.设备简述: 微波等离子体设备由椭球谐振腔、真空室、沉积台、真空系统、气体流量控制系统、真空测量系统、水冷循环水压报警系统以及机架等组成。 示意图 2.设备结构 2.1椭球谐振腔 2.1.1材料:椭球谐振腔采用优质不锈钢1Cr18Ni9Ti; 2.1.2尺寸:径向450mm×轴向600mm,壁厚5mm,椭球边界满足方程式:(X2 /4502)+ (Y2 /6002)=1;2.1.3连接法兰:椭球谐振腔上下连接法兰可以独立拆卸,对微波密封; 2.1.4 观察窗:在椭球谐振腔的适当位置设置多个观察孔,使视线能看到石英钟罩内的等离子体和衬底, 衬底和等离子体的位置,观察孔的尺寸以不泄漏微波为准(直径为≤2 mm的孔); 2.2 真空室、沉积台 2.2.1 真空室:真空室采用石英钟罩Ф230mm; 2.2.2 沉积台:真空室内沉积台采用优质不锈钢,能够下降开启,方便移出真空室内样品;对沉积台设置

水冷,水冷的主要部位为中心位置为50mm的圆及胶圈的密封部位,冷却能力今后要达到5kW;沉积台中心设置光纤测温孔 2.2.3 其它 2.2. 3.1 沉积台设有轴向位置标尺; 2.2. 3.2 Ф6mm手动放气阀; 2.2. 3.3 进气口; 2.3 真空系统 2.3.1 真空机组: 机械泵,抽速2L/S; 2.3.2 真空阀门:手动挡板阀、针阀各1只; 2.3.3 真空测量:采用电阻真空计测量; 2.4 进气系统 采用三路质量流量计控制,每路均设有手动截止阀 ●Ar: 200 ml /min ●H2: 200 ml /min ●CH4: 30 ml/min 2.5微波电源系统 采用800W微波电源,矩形波导传输微波,同轴天线进行模式转换和将微波导入椭球谐振腔; 2.6 电气控制系统 2.6.1整套控制系统采用手动按钮控制,独立的电气控制柜; 2.6.2.控制内容: 2.6.2.1.机械泵的起、停; 2.6.2.2.在缺水情况下的报警系统; 2.6.2.3.气体流量显示; 2.6.2.4. 真空显示; 3.系统配置

等离子体及其技术的应用

等离子体及其技术的应用 摘要: 随着等离子体技术的迅速发展,逐渐形成了一个新兴的等离子体化工体系。我们知道,普通化学反应和化工设备中所产生的温度只有二千多度。而在各种形式的气体放电所形成的低温等离子体中电子温度可达一万度以上,足以造成各种化学键的断裂,或使气体分子激发电离,产生许多在通常条件下不能发生的化学反应,获得通常条件下不能得到的化合物或化工产品,并且获得的化合物与化工产品不会产生热分解。这势必会造就很多性能优良的新物质,其也将会有广泛的应用前景。 关键词:等离子体;喷涂;焊接;尾气处理;隐身技术

Plasma and its technical application ABSTRACT With the rapid development of plasma technology, and gradually formed a new plasma chemical system.We know, the common chemical reaction and chemical engineering equipments only produce two thousand degrees temperature.The temperatures that in low temperature plasma electronic produced by all forms of gas discharge up to ten thousand degrees or above,more enough to fracture all sorts of the chemical bonds, or make the gas molecule ionization, produce many chemical reactions that can't happened in usual conditions , get compound or chemical products that can't achieved in usual conditions , and the products won't occur thermal decomposition.It will produce a lot of new substances that performance excellent ,and have a broad application prospect. keywords:plasma;flame plating;soldering;tail gas treatment;invisible technology

化学气相沉积技术的应用与研究进展汇总

化学气相沉积技术的应用与研究进展 摘要:本文主要围绕化学气相沉积(cvd )技术进行展开,结合其基本原理与特点,对一些CVD 技术进行介绍。同时也对其应用方向进行一定介绍。 关键词:cvd ;材料制备;应用 引言 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术是近几十年发展起来的主要应用于无机新材料制备的一种技术。[1] CVD 是一种以气体为反应物(前驱体),通过气相化学反应在固态物质(衬底)表面生成固态物质沉积的技术。它可以利用气相间的反应, 在不改变基体材料的成分和不削弱基体材料的强度条件下,赋予材料表面一些特殊的性能。 本文论述了化学气相沉积技术的基本原理、特点和最新发展起来的具有广泛应用前景的几种新技术, 同时分析了化学气相沉积技术的发展趋势, 并展望其应用前景。 1 CVD 原理 化学气相沉积( CVD, Chemical Vapor Deposition) 是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室, 在衬底表面发生化学反应, 并把固体产物沉积到表面生成薄 膜的过程。 图1 CVD 法示意图 CVD 的化学反应主要可分两种:一是通 过一种或几种气体之间的反应来产生沉积,如超纯多晶硅的制备、纳米材料(二氧化钛)的制备等;另一种是通过气相中的一个组分与固态基体(有称衬底)表面之间的反应来沉积形成一层薄膜,如集成电路、碳化硅器皿和金刚石膜部件的制备等。 它包括 4 个主要阶段: ① 反应气体向材料表面扩散; ② 反应气体吸附于材料的表面; ③ 在材料表面发生化学反应; ④ 气态副产物脱离材料表面。 在 CVD 中运用适宜的反应方式, 选择相应的温度、气体组成、浓度、压力等参数就能得到具有特定性质的薄膜。但是薄膜的组成、结构与性能还会受到 CVD 内的输送性质( 包括热、质量及动量输送) 、气流 的性质( 包括运动速度、压力分布、气体加热等) 、基板种类、表面状态、温度分布状态等因素的影响。[2][3][4] 2 CVD 技术特点 ① 在中温或高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。 ② 可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好)。 ③采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应,使沉积可在较低的温度下进行。

高功率微波与等离子体相互作用理论和数值研究

高功率微波与等离子体相互作用理论和数值研究? 袁忠才时家明? (脉冲功率激光技术国家重点实验室,电子工程学院,合肥230037) (2013年10月23日收到;2013年11月27日收到修改稿) 研究高功率微波与等离子体的相互作用,对于微波放电和电磁兼容研究均具有重要意义.基于波动方程、等离子体的流体力学方程以及波尔兹曼方程,建立高功率微波脉冲与等离子体相互作用的理论模型,并结合等离子体的特征参数,采用时域有限差分方法分析了等离子体电子密度和高功率微波传输特性的变化.结果表明,由于高功率微波的电子加热作用,等离子体中的非线性效应明显,发生击穿使得等离子体电子密度增大,从而导致微波的反射增强,透过率降低.所提出的模型和相关结果对于高功率微波和电磁脉冲防护具有指导意义. 关键词:等离子体,高功率,电磁防护,时域有限差分 PACS:52.25.Os,52.40.Db DOI:10.7498/aps.63.095202 1引言 作为一种新概念武器,高功率微波和电磁脉冲已经严重威胁到电子设备的安全[1,2].为此,近年来有人提出利用等离子体的吸波特性,用其来进行电子设备的电磁脉冲防护[3?6].Macheret等对于在高重复频率纳秒高功率微波脉冲作用下空气的放电特性进行了实验研究,证实了受入射场的影响等离子体电子温度明显升高,从而非线性效应变得显著[7].Bonaventura等对于高功率微波脉冲导致的N2等离子体参数变化进行了系统研究.首先通过求解波尔兹曼方程得到了N2等离子体电离率、复合率、迁移率等随入射场强的变化[8];然后通过数值模拟的方法得到了等离子体电子密度随入射场强的变化,并分析了由此导致的微波脉冲传输特性的变化[9];最后通过实验研究了微波放电中密度的时间变化特征[10].Liu等理论分析了利用高功率微波击穿空气的阈值,同时进行了初步的实验研究[11].但是,他们在进行微波脉冲与等离子体相互作用的数值仿真时,将等离子体视为一种具有电损耗的介质,并利用各区域场的展开和边界条件来求解波动方程,而等离子体作为一种色散媒质,上述处理会导致一定的误差.Anderson等利用微波放电时带电粒子加热与吸收微波功率之间的热平衡关系来求解微波击穿阈值等特征参数,但是他们在计算过程中设定带电粒子的扩散系数等参数与场强大小无关,同时认为电离频率的变化与入射场强的平方成正比[12?14].而在Tang等和周前红等的研究中,设定电离频率的变化直接与入射场强或相对场强的5.33次方成正比[15,16].通过与其他文献的比较(如文献[17,8—10])可以看出,这些假设只能在很小的范围内适用,通常等离子体电离率、复合率、迁移率等随入射场强的变化较为复杂,应通过碰撞截面或求解波尔兹曼方程来获得. 为此,我们建立了描述电磁波传播的波动方程,表征等离子体的流体力学方程以及考察入射场对带电粒子温度、反应速率、迁移率以及碰撞频率等影响的波尔兹曼方程,利用考察色散媒质的时域有限差分方法交互地求解上述三个耦合方程,从而获得高功率微波入射条件下等离子体电子密度、碰撞频率以及微波传输特性的变化. ?国防预研基金资助的课题. ?通讯作者.E-mail:sjmeei@https://www.360docs.net/doc/eb16627213.html, ?2014中国物理学会Chinese Physical Society https://www.360docs.net/doc/eb16627213.html,

微波等离子体技术在新材料中的应用

微波等离子体技术在新材料中的应用 摘要:微波等离子休的研究已有三十多年的历史,近十年来的研究已使微波子离子体技术扎根于高技术新材料领域中。进人九十年代以来,国内微波等离子体合成新材料研究发展较快,如在合成功能材料原料、合成特殊导体材料、沉积磁性材料、制备纳米粒子等实验研究均见成效,研究结果揭示了微波能在合成新材料方面具有巨大的潜力与工业应用价值。本文主要讨论了陶瓷微波等离子烧结技术、MPCVD制备金刚石薄膜和光导纤维、微波ECR制备纳米固休薄膜和微波刻蚀技术等。 关键词:微波等离子体 近十几年来,国内外有关微波等离子体在材料制备中的应用发展十分迅速,如制备纳米材料、烧结材料、气相沉积等方面均已见成效,诸多研究结果表明,微波等离子体在材料制备方面的应用具有巨大潜力和工业价值。其依据在于微波等离子体独有的特点:1)活性强:微波等离子体对气体的电离和离解程度比其他类型的等离子体(如电弧等离子体)可高10倍以上,因此微波等离子体更能增加气体分子的反应性强;2)反应区内没有电极,消除了放电电极自身造成的污染,因而适合于高纯度物质的制备和处理,而且工艺效率高;3)反应区内的压力能在很宽范围内进行调整,工艺调控性好;4)微波等离子体中自由电子的温度高于离子的温度,其中的化学反应可有更高的反应平衡常数,效率高。正因如此,微波等离子体在材料合成、烧结、沉积以及表面刻蚀、表面处理等方面的应用日益引起人们的重视。与其它方法相比,经微波等离子法得到的材料往往有更高的品质,同时工艺过程有更好的可控性、重复性以及更高的效率,尤其是在难合成材料的制备上这些优点更加突出。基于上述分析,本文将从以下几个方面论述微波等离子体在新材料中的应用。 一、微波等离子体合成纳米粉体材料 1.1、高纯度纳米碳管的低温合成[2] 1.1.1实验仪器与原料 合成纳米碳管所用仪器是微波等离子体化学气相沉积装置,制备催化剂用原料为Co(NO3)2·6H2O,Ca(NO3)2·4H2O,HNO3,NaHCO3和Na2CO3,均为化学纯试剂.合成纳米碳管用碳源为分析纯甲醇,载气为氢气,纯度大于99.9%。

论述物理气相沉积和化学气相沉积的优缺点

论述物理气相沉积和化学气相沉积的优缺点 物理气相沉积技术表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有,真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜,及分子束外延等。发展到目前,物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。 真空蒸镀基本原理是在真空条件下,使金属、金属合金或化合物蒸发,然后沉积在基体表面上,蒸发的方法常用电阻加热,高频感应加热,电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料,使蒸发成气相,然后沉积在基体表面,历史上,真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。 溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下,使氩气进行辉光放电,这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+),氩离子在电场力的作用下,加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电,称直流(Qc)溅射,射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下,用引弧针引弧,使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电,阴极表面快速移动着多个阴极弧斑,不断迅速蒸发甚至“异华”镀料,使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体,并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑,所以也称多弧蒸发离化过程。 离子镀基本原理是在真空条件下,采用某种等离子体电离技术,使镀料原子部分电离成离子,同时产生许多高能量的中性原子,在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下,离子沉积于基体表面形成薄膜。 物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤: (1)镀料的气化:即使镀料蒸发,异华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。 (2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。 (3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。 物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。 随着高科技及新兴工业发展,物理气相沉积技术出现了不少新的先进的亮点,如多弧离子镀与磁控溅射兼容技术,大型矩形长弧靶和溅射靶,非平衡磁控溅射靶,孪生靶技术,带状泡沫多弧沉积卷绕镀层技术,条状纤维织物卷绕镀层技术等,使用的镀层成套设备,向计算机全自动,大型化工业规模方向发展。 化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料,这些功能材料必须是高纯的,或者是在高纯材料中有意地掺人某种杂质形成的掺杂材料。但是,我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求,也难以保证得到高纯度的产品。因此,无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。 化学气相沉积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。目前,化学气相

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