英特尔芯片的封装和测试工艺
Intel最新64位处理器Atom Z3580详细解析

Intel最新64位处理器Atom Z3580详细解析华硕发布了最新的ZenFone 2手机,在2000以内的手机市场掀起了不小波动,跟着这款手机一起备受关注的还有Intel Atom Z3580处理器。
很多网友对这款处理器的性能、游戏兼容性,耗电等问题产生疑问。
那么Intel Atom Z3580到底怎么样呢?带着这些疑问,我们开始今天的文章吧!Atom 从诞生之初就是一个不讨人喜欢的孩子,其核心脱胎于Intel万亿次(TeraScale)项目,为了降低成本和功耗,还从桌面的乱序指令(out of order)改成了顺序指令执行(in order),最终Atom的性能及功耗都大幅缩水,用在上网本上还算合适。
只不过上网本的命不长久,这个市场爆发很快,沉沦的更快。
失去了最大市场之后,Atom也曾在NAS、二奶机之类的市场发了发光,但是这些市场实在太小众了,根本支撑不起Atom的远大前景。
于是伟大的Intel 在接下来的四五年时间里没有为Atom升级工艺和架构,然而在这期间适逢移动市场大爆炸,高通、苹果、三星及NVIDIA等小公司凭借低功耗的ARM 处理器崛起,智能手机、平板等设备一跃成为主流。
Intel看到移动市场的甜头很大,于是就尝试用Atom处理器进军移动市场。
12年推出面向智能手机的Atom Z2000双核系列,13年推出了Z3000四核32位系列,到今天我们才看到搭载Z3000系列的64位处理器Atom Z3580。
Intel Atom Z3580架构解析Intel Atom Z3580采用四核四线程设计,和入门级平板机上的Bay Trail一样都是22nm工艺制造,主频达到2.3GHz,全新乱序执行Silvermont CPU架构。
只不过GPU图形核心没有使用自家核显HD Graphics,而是升级为PowerVR G6430,频率提升到了533MHz。
内存支持LPDDR3-1066,最大容量4GB以及256GB存储;支持1300万像素后置摄像头和210像素前置摄像头,可支持最新的Android 4.4.2系统(未来支持安卓5.0)。
铜柱凸点将成为倒装芯片封装的主流

铜柱凸点将成为倒装芯片封装的主流铜柱凸点和微焊点将改变倒装芯片的市场和供应链。
之所以这样说,是因为除了移动产品用处理器和内存外,其他CMOS半导体也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽,并采取更好的散热措施。
目前全球倒装芯片市场规模为200亿美元,以年增长率为9%计算,到2018年将达到350米亿美元。
在加工完成的倒装芯片和晶圆中,铜柱凸点式封装的年增长率将达到19%。
到2014年,已形成凸点的晶圆中将有50%使用铜柱凸点,从数量上来说,铜柱凸点式封装将占到倒装芯片封装市场的2/3。
这意味着铜柱凸点或微焊点将席卷倒装芯片市场,300mm倒装芯片和晶圆的数量在今后6年内将增加2600万,达到现在的3倍——4000万(按300mm晶圆换算)。
无铅焊锡也将取代Sn-Pb焊锡实现顺利增长,不过需求到2015年或2016年将见顶。
金球凸点和镀金凸点方面的投资和推广将少有进展。
2012年,电脑和笔记本电脑的逻辑芯片占了倒装芯片封装市场的一半以上,其次是手机和高性能计算机芯片。
但是,这种情况将发生改变。
因为采用28nm工艺的器件需要比焊锡凸点密度更高的连接方法,尤其是面向移动应用的应用处理器,对铜柱凸点的需求越来越高。
其次是内存。
DDR4和Wide I/O要实现高带宽和多I/O以降低延迟和耗电量,就必须采用小间距。
因为引线键合的寄生电容问题越来越严重。
在比28nm更微细的工艺中,质量回流焊存在可靠性问题。
因此,业内决定转向铜柱凸点和热压焊。
另外,3D IC和2.5D转接板也将使用铜柱凸点。
其他超越摩尔定律的应用也会因各种原因而采用铜柱凸点。
比如,需要高密度的图像传感器以及需要采取良好散热措施的功率器件等。
拥有平整侧面和高深宽比的铜柱凸点和尺寸更小的微铜柱凸点与圆形焊锡凸点相比,更能实现小间距。
由于柱间空间大,因此产生的噪声减小,导电性也比焊锡高,从而能提高性能。
但缺点是成本高,有几个工艺(尤其是检测和测试)还不成熟。
详解:英特尔服务器处理器技术编年史

详解:英特尔服务器处理器技术编年史1995年:首款服务器CPU-Pentium Pro提起计算机,就不能不提CPU;说起CPU,就不能不说英特尔。
英特尔不仅是IT产业的推动者,更是全球信息技术的领跑者。
自从1971年英特尔公司推出全球第一款微处理器,时值四十载,正值“四十不惑”之年。
英特尔推出的首款微处理器4004,是一款定位于商用领域的处理器芯片,是人类历史上最具创新性的产品之一。
后来在服务器领域,英特尔持续发力。
目前广为人知的至强处理器,在服务器市场领域占绝大份额。
基于此认识,在迎来英特尔微处理发展四十周年之际,我们将为广大读者全方位扫描英特尔在服务器领域的CPU发展史。
1995年:第一款专为服务器设计的处理器-Pentium ProPentium Pro产品真图Pentium Pro内核1995年11月1日,英特尔发布了Pentium Pro处理器。
Pentium PRO是英特尔首个专门为32位服务器、工作站设计的处理器,可以应用在高速辅助设计、机械引擎、科学计算等领域。
Pentium Pro处理器背面英特尔在Pentium PRO的设计与制造上达到了历史性新的高度,它总共集成了550万个晶体管,并且整合了高速二级缓存芯片,它采用了socket 8方形多针脚插座(专为PentiumPro CPU而设计)。
Socket 针脚Pentium ProPentium Pro 200(1MB)外观根据国外维基百科介绍,英特尔在1995年和1997年,陆续推出了166MHz、180MHz、200MHz的Pentium Pro多个版本。
其中1997年8月18日推出的Pentium Pro,制程工艺0.35微米,二级缓存1MB。
官方披露的Pentium Pro信息Pentium Pro 200(1MB)参数点评:专门针对服务器、工作站应用领域,为运行32位程序而优化设计,但在16位程序上运行效果不佳。
Pentium Pro 不支持当时很流行的MMX指令集。
Intel酷睿i5四代和i5三代的区别分析

Intel酷睿i5四代和i5三代的区别分析篇一:Intel四种Ivy i5处理器区别有多大Intel四种Ivy i5处理器K.标准.S.T之间区别有多大四种Core i5横向测试在Ivy Bridge的首发名单中,Core i5系列共有_个型号,其中比较有代表性的是 i5-3570K.i5-3550.i5-3550S以及i5-3570T,他们分别代表不锁倍频版.标准版.低电压版和超低电压版中的高规格型号.我们都知道,Ivy Bridge的一大特点是采用了先进的_nm工艺制作,具备比Sandy Bridge更低的功耗与发热量.而S后缀.T后缀型号身为低电压版,功耗.发热量理论上也会比普通版本更低.Intel 官方给出了这几款处理器的热设计功耗(TDP),其中i5-3570K和i5-3550的TDP是77W,i5-3550S的TDP是65W,i5-3570T则是45W.TDP不代表最终功耗.发热量,因此我们也想知道这几款处理器的功耗.发热量的差距具体有多大.为解答这个疑问,国外媒体收集到了这几款处理器,并做了横向测试,我们一起来看看.四款Core i5处理器的CPU截图:Core i5 3570TCore i5 3550SCore i5 3550Core i5 3570K这几款处理器均采用了四核四线程设计,核芯显卡都是HD25_;不同是TDP和主频.对比Ivy/Sandy旗舰测试在测试平台方面,Toms将Sandy Bridge架构的Core i7-27_K和Ivy Bridge 架构的Core i7-3770K也一并加入了测试,前者内建HDG3_0核心显卡,后者则是HDG4_0.测试项目主要是一些热门游戏和常用软件.PCMark 7综合性能测试篇二:Intel Haswell 酷睿四代i3.i5最新性能参数在Haswell发布之前我们就已经得知,Intel今年会推出嵌入式第四代酷睿,除了已知的R系列之外,还有四款酷睿级别的处理器,分别是Core i5-44_E/44_E.Core i3-41_E/41_E.最近网上已经曝光了这四款处理器的详细规格,最低功耗仅25W.虽然名字带Core i5,但这四款处理器都是双核心四线程.BGA封装,3MB三级缓存,集成GT2级别核芯显卡(具体名称不详),基础频率4_-9_MHz,比桌面型号低了不少内存支持双通道DDR3L-__ ECC,技术支持PCI-E 3.0.SSE4.AV_,热设计功耗2E结尾的25W.0E结尾的37W,BGA封装.曝光的Intel Haswell嵌入式处理器参数型号核心/线程 CPU频率三级缓存 GPU频率支持内存 TDPi3-41_E 2/4 2.4GHz 3MB 4_-9_MHz DDR3L-__ 37wi3-41_E 2/4 1.6GHz 3MB 4_-9_MHz DDR3L-__ 25wi5-44_E 2/4 2.7-3.3GHz 3MB 4_-9_MHz DDR3L-__ 37wi5--44_E 2/4 1.6-2.7GHz 3MB 4_-9_MHz DDR3L-__ 25wCore i5系列自然还会有睿频动态加速,并额外支持T_T.VT-d技术.具体频率,两款Core i3分别为 1.6GHz.2.4GHz,两款Core i5则分别是1.6-2.7GHz.2.7-3.3GHz,预计在今年四季度发布.篇三:英特尔第四代酷睿处理器详解英特尔此次公布的产品以高端四核处理器为主,其中包括酷睿i7和酷睿i5产品,分为_款桌面处理器和_款移动处理器.如果用户关注U系列和Y系列低电压处理器,即针对超极本的产品,或酷睿i3.奔腾和赛扬系列产品,那么还需要等待更长时间.我们将回顾Haswell处理器的CPU.GPU和芯片组改进,随后将讨论英特尔此次发布的CPU型号,以及将采用这些CPU的系统.这些信息全部来自英特尔,我们将在今年夏季晚些时候对Haswell处理器计算机的评测中对这些信息进行验证. CPU:性能小幅提升,功耗大幅下降第四代酷睿处理器的最主要部分就是Haswell架构,这一新CPU架构将替代Ivy Bridge和Sandy Bridge架构.在英特尔的〝Tick-Tock(嘀嗒)〞升级策略中,Haswell是一次〝Tock〞,表明这是一款基于英特尔现有_纳米3D三栅极制造工艺的全新架构.明年代号为〝Broadwell〞的升级将采用同样的架构,但将转向_纳米的制造工艺.与以往升级类似,Haswell比Ivy Bridge的性能更强大,而功耗相仿或较低.不过这一次,英特尔更多地注重降低功耗,将Haswell称作〝英特尔史上产品换代中电池续航时间最大幅度的提升〞.根据英特尔的数据,采用Haswell处理器的笔记本电池续航时间比采用Ivy Bridge处理器的笔记本最多长1/3.不过这样的说法仍需要在实际产品中验证.在这样的情况下,许多硬件厂商可能会选择维持当前的电池续航时间不变,同时缩小电池尺寸,从而使笔记本更轻薄.另一方面,硬件厂商也可能引入更耗能的功能,例如高清显示屏.Haswell的节能主要是由于,这是第一款针对_纳米制造工艺设计的CPU架构,而此前Ivy Bridge架构针对上一代制造工艺,仅仅只是为了适应_纳米工艺对架构进行了微调.Haswell其他方面的改进还包括空闲功耗,以及在空闲状态和激活状态切换过程中的功耗.英特尔引入了一种新的〝激活空闲〞功耗状态,这也被英特尔称作SOi_.在这种状态下,系统可以继续收发数据,同时不必完全激活CPU和GPU.这意味着系统在非〝激活〞状态下能完成更多工作,减少了激活CPU 所需的能耗.不过,Haswell低功耗设计的一个副作用在于,英特尔需要针对不同类型的应用,例如工作站.服务器.超极本.变形本和平板电脑,设计不同的处理器芯片.在某些情况下,这些处理器将与凌动处理器的应用发生重叠,这一问题已在采用Ivy Bridge处理器的Windows 8平板电脑中出现.随着凌动处理器越来越强大,这样的产品线重叠还将在更大范围内发生.英特尔此前正在推动超极本和变形本采用Sandy Bridge和Ivy Bridge处理器,预计未来将继续推动Haswell处理器的应用.有消息人士表示,随着英特尔改进Android战略,一些厂商已计划推出采用Haswell处理器的Android平板电脑和笔记本.大部分此类应用将基于为超极本设计的双核CPU,而英特尔尚未发布这些产品.考虑到超极本和低功耗CPU已成为英特尔产品线的重要一部分,因此英特尔很可能会在今年的台北国际电脑展(Compute_)上发布这些处理器.GPU:更强大.更多选择.更令人迷惑过去两年中,英特尔的集成GPU获得了突飞猛进的发展,而Haswell将延续这一趋势.不过更强大的性能带来了更高的复杂程度:Haswell处理器将有至少5种不同的集成GPU,而此前的Ivy Bridge只有3种.5种集成GPU都有公共的基本功能:Direct3D _.1.OpenCL 1.2.OpenGL 4.1.为加强对4K分辨率支持的DisplayPort 1.2,以及英特尔QuickSync视频编码引擎的更快版本.英特尔新的〝Iris〞GPU可能将得到最多关注,但大部分Haswell处理器不会配备这一GPU.大部分情况下,Iris 51_的性能能达到HD 4_0的两倍.不过这一集成GPU只能应用在笔记本和大型超级本中,因为其TDP(热设计功耗)达到28瓦,而通常应用在超极本中的低电压Haswell处理器TDP不到_瓦.Iris Pro 5_集成了_8MB eDRAM,从而进一步提升性能,达到HD 4_0的2.5倍,但只能应用在大型笔记本中,因为其TDP高达47瓦.在台式机中,唯一一款配备Iris Pro 5_的Haswell 处理器图形性能超过HD 4_0的3倍,这可能是由于台式机有着更充裕的散热空间.部分Haswell处理器仍保留了英特尔此前的HD GPU.尽管不太引人关注,但这些GPU相对于HD 4_0仍有一定提升.英特尔提供的材料显示,HD 5_0和HD 46_的性能均超过HD 4_0的1.5倍,两者的不同在于, HD 5_0是针对_瓦TDP的新设计,而HD 46_与当前主流GPU的设计类似.根据英特尔提供的信息,HD 46_.HD 44_和HD 4_的差异不大,其主要不同可能在于一些小功能,以及时钟频率.此外,英特尔还提供了一种低档HD GPU,目前外界对这一GPU所知甚少.根据以往经验,这一GPU只会提供基本功能,而QuickSync等额外功能都将被关闭,并只会应用在基于Haswell技术的奔腾和赛扬处理器中.芯片组:PCI的告别与以往一样,新一代CPU将配备新款芯片组:英特尔8系列芯片组.6系列和7系列芯片组分别配合Sandy Bridge和Ivy Bridge处理器推出,而Haswell处理器必须配合8系列芯片组使用.Haswell台式机处理器采用了新的封装LGA _50,而下一代Broadwell预计也将采用这一封装.从顶层来看,8系列芯片组基于7系列来开发.两款芯片组均支持_个USB接口和6个SATA接口.不过8系列提供了6个USB 3.0接口,多于此前的4个,以及6个SATA III接口,而此前为2个SATA III和4个SATA II.所有USB 2.0和USB 3.0接口都由_HCI控制器来控制,这简化了驱动堆栈,在空闲状态下功耗比EHCI更低.此前只有USB 3.0接口由_HCI控制.PCI-E的配置与此前类似.由芯片组控制的PCI-E通道仍基于2.0规范.由于CPU内部的支持,专用显卡将支持PCI-E 3.0,这与Ivy Bridge类似.内存控制器仍被集成在CPU内部,Haswell处理器官方最高支持的内存频率为__MHz,与Ivy Bridge一致.对台式机用户来说,8系列芯片组的一个重大改变是彻底放弃了对传统PCI插槽的支持.作为一款已有_年历史的接口规范,PCI目前已真正被_年推出的.更强大的PCI-E替代.不过与软驱和光驱类似,PCI的消失也将给许多人带来不便.Haswell芯片组最大的不同可能并不在于其设计,而在于其如何封装.低功耗的_瓦和27瓦移动处理器可以使用一体封装的芯片组,不过处理器和芯片组仍将是两块芯片.而对高功耗处理器来说,独立的处理器和芯片组芯片仍是必须的.具体产品:全部四核我们将首先看看英特尔的桌面芯片,随后再看看移动芯片.英特尔此次发布了6款针对台式机的酷睿i7处理器,其中超过5款型号为i7-4770,不过功能略有不同.这些i7处理器均为支持超线程技术的四核处理器,其不同之处主要是时钟频率和TDP.i7-4770R拥有6MB三级缓存,而不是8MB.而i7-4770R和i7-4770K均不支持英特尔的vPro.T_T.VT-d和SIPP功能.Haswell处理器型号后缀字母的含义大部分与Ivy Bridge相同.字母T表示这是一款低TDP处理器,功耗和基本时钟频率均较低.字母S表明时钟频率和TDP 均为中等,而字母K表明未锁定频率,可用于CPU超频.英特尔此次新增了字母R作为后缀,表明其中配备了高性能GPU.在Haswell 处理器中,这意味着Irid Pro 5_.需要指出,i7-4470R仅支持BGA封装,这意味着这款处理器主要将被用在高集成度PC或一体式电脑中,而用户无法单独购买这款处理器并插在自己的PC中.不带字母R的i7 Haswell处理器均配备HD 46_ GPU.此外,35瓦的i7-4765T处理器频率较慢,但也带来了最低的TDP,因此适用于希望提升性能的低功耗系统.i5处理器方面,英特尔仍提供了四个处理器核心,但价格比大部分i7处理器低约1_美元.不过i5处理器不支持超线程技术,三级缓存也从8MB减少至6MB.与i7处理器类似,i5处理器不同的后缀代表了时钟频率,不过i5处理器并没有带字母R后缀的版本,以及35瓦TDP的版本.所有i5 Haswell处理器均配备HD 46_ GPU.英特尔此次发布的移动处理器均为i7处理器.与桌面处理器类似,这些处理器均为支持超线程技术的四核处理器,不同的主要是后缀.移动版Haswell处理器的后缀包括M_和MQ(Ivy Bridge此前的后缀为QM和Q_),这类处理器均配备HD 46_ GPU.而后缀为HQ的版本大多配备了Iris Pro 5_ GPU.一个不同的情况是,i7-47_HQ和MQ,以及i7-47_HQ和MQ.这两组处理器拥有同样的GPU.TDP和时钟频率,唯一的不同在于是否支持vPro技术.HQ版本支持该技术,而MQ版本不支持.因此,如果用户需要某一特定功能,那么在购买CPU时应注意这些细节.在MQ和HQ系列产品中,主要的不同之处仍是时钟频率和TDP.HQ系列芯片采用更快的Irsi Pro GPU,但基本时钟频率低于MQ系列芯片.这类芯片提供了额外的处理能力和eDRAM,而英特尔做出了一些调整,使得功耗仍在英特尔期望的范围内.预期中的升级Haswell带来了预期中的英特尔处理器升级.相对于去年的产品,Haswell处理器提供了增量的更新,升级的时间点也在此前计划中.不过我们仍需要一个真实的系统,从而对英特尔宣称的这些数据进行验证.但至少从纸面上看,Haswell 是一个正确的发展方向:加强了GPU性能,从而应对Nvidia和AMD的挑战,同时降低了总功耗,从而与ARM竞争.不过,英特尔尚未发布专门与ARM竞争的产品.四核处理器性能强大,但这并非针对超极本的产品.预计在今年的台北国际电脑展上,多家厂商将推出采用这类处理器的超极本.变形本和平板电脑.届时我们将了解更多关于Haswell处理器的信息.(维金)。
英特尔芯片组资料详解

815:因为810不支持外接 显卡,限制了它在DIY市 场的发展,Intel又推出了 最初的815芯片,与810主 板相比,815主板支持 PC133 SDRAM,配有 AGP 4X显示接口,但依 然集成显示核心。
i815
i845:最初的i845为填补 850的尴尬而推出,CPU 接口变换为478针,但因 为与RDRAM存在技术协 议,仍然只支持PC133 SDRAM,与DDR背道而 驰,同样没有普及。 i850:支持奔四最初的主 板芯片组,插口是423针 的,搭配的内存是 RDRAM(就是必须成对 使用的RAMBUS内存), 因为内存成本高昂,没怎 么普及。
主板芯片 集成芯片:声卡/网卡 芯片厂商:Intel 主芯片组:Intel Z77 芯片组描述:采用Intel Z77芯片组 显示芯片:CPU内置显示芯片(需要CPU 支持) 音频芯片:集成8声道音效芯片 网卡芯片:板载Intel 82579V双千兆网卡 处理器规格 CPU平台:Intel CPU类型:Core i7/Core i5/Core i3 CPU插槽:LGA 1155 CPU描述:支持Intel 22/32nm处理器 支持CPU数量:1颗 内存规格 内存类型:DDR3 内存插槽:4×DDR3 DIMM 最大内存容量:32GB 内存描述:支持双通道DDR3 2400MHz 内存
430FX
Intel 430FX芯片组是Intel公司生产 的第一款芯片组,当时Intel公司就 凭它在芯片组领域一炮打红,从此 Intel CPU配Intel芯片组主板性能 极佳的说法被人们广为流传。人们 一般称它为Triton First芯片组,其 是当时最早提供对EDO DRAM支 持的奔腾级芯片组,它所构建的以 高速EDO DRAM与第一代原始 Pentium处理器相配和的方案在很 长一段时间内都是追求高性能用户 的理想选择。此款芯片组的 CACHE类型为管线突发式,最大 容量为512KB,缓存容量为64MB。 在内存方面,他最大支持128MB的 内存容量,EDO DRAM读取时间 为7-2-2-2 FPM DRAM读取时间为 7-3-3-3,数据带宽为64BIT,这在 当时是很难想象的。
14nm芯片

14nm芯片14nm芯片是一种由英特尔公司开发和制造的微处理器芯片,目前已经广泛应用于计算机、移动设备、物联网和人工智能等领域。
14nm(纳米)指的是芯片制造工艺所用的晶体管尺寸。
纳米是一种衡量尺寸的单位,1纳米相当于十亿分之一米。
14nm芯片相较于之前的制程工艺,拥有更小的晶体管尺寸,意味着更多的晶体管可以被集成在芯片上,从而提升了芯片的性能和功耗表现。
14nm芯片的制造过程中采用了一系列复杂的技术,包括光刻、化学蚀刻和沉积、离子注入、金属化和封装等步骤。
其中,光刻技术是一种通过使用光刻胶和光罩将电路的图案转移到芯片上的制造过程。
化学蚀刻和沉积技术则用于在硅片上构建微小的电路结构和导线。
离子注入技术则用于在晶体管中注入不同类型的离子,以改变晶体管的导电性能。
金属化和封装技术是将芯片连接到外部器件的步骤,使得芯片可以正常工作和交换信息。
14nm芯片相较于之前的制程工艺,带来了许多显著的优势。
首先,14nm芯片相对于较大的制程工艺,拥有更高的集成度,可以在相同尺寸的芯片上容纳更多的晶体管。
这使得芯片可以拥有更强大的计算能力和处理速度。
其次,14nm芯片的功耗表现更好,能够在相同的能源消耗下提供更高的性能。
这对于移动设备和物联网设备等对电池寿命和能源效率要求高的应用非常重要。
此外,14nm芯片还具备更好的散热能力和更高的可靠性,增加了芯片的稳定性和寿命。
14nm芯片在各种应用领域都有广泛的应用。
在计算机领域,14nm芯片被用于制造高性能的中央处理器(CPU)和图形处理器(GPU),提供卓越的计算能力和图形渲染性能,用于进行复杂的计算和游戏。
在移动设备领域,14nm芯片被用于制造手机和平板电脑的处理器,提供高效的移动计算和多媒体体验。
在物联网领域,14nm芯片被用于制造用于物联网设备和传感器的低功耗芯片,用于连接和控制各种智能设备。
在人工智能领域,14nm芯片被用于制造用于深度学习和机器学习的芯片,提供强大的计算和处理能力。
半导体行业

半导体行业半导体产业作为现代科技产业的重要组成部分,扮演着至关重要的角色。
半导体是一种特殊的材料,具有在一定条件下既能导电又能绝缘的特性。
半导体行业包括从半导体材料的生产到芯片制造的全过程。
在当今数字化时代,半导体行业的发展对于信息技术、通信、医疗、汽车、工业控制等各个领域都有着深远影响。
产业链和主要参与方半导体产业的价值链常被分为半导体材料的生产、芯片设计、芯片制造、封装测试和应用系统五个环节。
其中,半导体材料的生产环节包括硅单晶、氧化物、氮化物等,是半导体产业的基础。
芯片设计环节则涉及集成电路的设计和验证,需要高度专业的技术和知识。
芯片制造环节包括晶圆制造、光刻、刻蚀、清洗等,是半导体制造中最关键的一环。
封装测试环节是将芯片封装成最终产品,并进行功能测试。
应用系统环节则是指半导体产品在各行各业的应用领域。
在半导体产业中,主要参与方包括芯片制造商(如英特尔、台积电等)、芯片设计公司(如英伟达、高通等)、半导体设备和材料供应商(如应用材料、光峰科技等)、以及各种终端应用系统制造商。
行业现状和趋势目前,全球半导体产业呈现出几个明显的趋势。
首先是技术升级换代加速,随着半导体制造工艺的不断进步和芯片功能的不断提高,产业竞争更加激烈。
其次是垂直整合愈发明显,一些大型半导体公司更加倾向于实现生产链与价值链的垂直整合。
再者是产业链的全球化程度不断提高,不同环节的企业之间逐渐形成全球合作的产业链网络。
最后是市场需求的多样化和差异化,半导体产品的应用领域越来越广泛,需求也更加多元。
未来,半导体行业仍将面临许多挑战和机遇。
人工智能、5G、物联网等新兴技术的崛起将推动半导体产业的发展,并有望成为新的增长点。
同时,全球产业链调整和国际贸易形势变化也将对半导体产业造成一定影响,产业发展需要面对更多的不确定性。
因此,半导体行业需要继续加强技术创新,提高自主创新能力,保持产业的竞争力。
总的来说,半导体行业是一个快速发展、技术密集、复杂多变的产业,对于推动高新技术产业发展、提升国家综合竞争力具有重要意义。
芯片制造流程简介

差分放大电路(消除了信号中的噪声并放大信号)
1.3 仿真与测试
电路图绘制
版图绘制(按客户给的规则排版)
版图与电路匹配检查
2.芯片制造:从沙子到芯片,CPU是如何制 造出来的(短片)
2.1、沙子 / 硅锭
硅是地壳中含量位居第二的元素。常识:沙子含硅量很高。硅 --- 计算机芯片的 原料 --- 是一种半导体材料,也就是说通过掺杂,硅可以转变成导电性良好的导 体或绝缘体。[注:半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的一种材料。掺杂是一 种手段,通常加入少量其它某种元素改变导电性。熔融的硅 --- 尺寸:晶圆级 (~300毫米 / 12英寸) 为了能用于制造计算机芯片,硅必须被提纯到很高的纯度(10亿个原子中至多有 一个其它原子,也就是99.9999999%以上) 硅在熔融状态被抽取出来后凝固,该 固体是一种由单个连续无间断的晶格点阵排列的圆柱,也就是硅锭。单晶硅锭 --尺寸:晶圆级(大约300毫米/12英寸) 硅锭的直径大约300毫米,重约100千克。 单晶硅就是说整块硅就一个晶体,我们日长生活中见到的金属和非金属单质或化 合物多数以多晶体形态存在。
2.4、离子注入 离子注入
--- 尺寸:晶圆级(大约300毫米/12英寸) 覆盖着光刻胶的晶圆经过离子束(带正电荷或负电荷的原子)轰击后,未被光刻 胶覆盖的部分嵌入了杂质(高速离子冲进未被光刻胶覆盖的硅的表面),该过程 称为掺杂。由于硅里进入了杂质,这会改变某些区域硅的导电性(导电或绝缘, 这依赖于使用的离子)。这里展示一下空洞(well)的制作,这些区域将会形成晶 体管。[注:据说这种用于注入的带电粒子被电场加速后可达30万千米/小时] 去 除光刻胶--- 尺寸:晶圆级(大约300毫米/12英寸)离子注入后,光刻胶被清除, 在掺杂区形成晶体管。 晶体管形成初期 --- 尺寸:晶体管级(大约50~200纳米) 图中是放大晶圆的一个点,此处有一个晶体管。绿色区域代表掺杂硅。现在的 晶圆会有几千亿个这样的区域来容纳晶体管。
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成都电子机械高等专科学校 电气与电子工程系 第 1 页 共 43 页 毕业论文
专 业 班 次 姓 名 指导老师 成都电子机械高等专科学校 成都电子机械高等专科学校 电气与电子工程系
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第一章 芯片封装工艺概述............................................. 4 1.1 芯片封装技术 .............................................. 4 1.1.1 概念.................................................. 4 1.1.2 芯片封装所实现的功能.................................. 4 1.1.4 芯片封装形式的分类.................................... 5 1.2 封装工艺流程 .............................................. 9 1.2.1 芯片切割.............................................. 10 1.2.2 芯片贴装.............................................. 10 1.2.3芯片互连 .............................................. 12 1.2.4 成型技术.............................................. 13 1.2.5 去飞边毛刺........................................... 13 1.2.6 上焊锡.............................................. 14 1.2.7 切筋成型............................................ 14 1.2.8 打码................................................ 15 1.2.9元器件的装配 .......................................... 15 1.3 微电子封装技术的发展趋势 ................................. 16 第二章 因特尔公司的封装及测试工艺................................ 17 2.1 因特尔公司的封装及测试工艺流程 ........................... 17 2.2 站点介绍 ................................................. 18 2.2.1 Submark Lasermark 打码.............................. 18 2.2.3 CAM 芯片贴装..................................... 18 2.2.4 DEFLUX 去助焊剂.................................... 19 2.2.5 EPOXY环氧树脂的注塑 ................................. 20 2.2.6 芯片测试.............................................. 21 第四章 CTL物料转换 .............................................. 24 4.1 CTL站点工艺目的,加工技术................................. 24 4.2 CTL站点设备结构介绍........................................ 25 4.2.1 卸载机Uoloader/装载机Loader结构 ..................... 27 4.2.2 分拣机ACS结构........................................ 33 4.3 人机工程学 ................................................ 37 4.4 设备维护PM................................................ 38 第四章 结论..................................................... 41 致谢............................................................... 42 参考文献........................................................... 43 成都电子机械高等专科学校 电气与电子工程系 第 3 页 共 43 页 英特尔芯片的封装和测试工艺
摘要: 芯片封装是芯片生产过程中的一个重要步骤,目的在于保护芯片不受 或少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路 具有稳定,正常的功能。 英特尔成都产品有限公司正是这样一家芯片封装公司,本论文介绍了 芯片的一般封装测试工艺流程和因特尔的芯片封装测试工艺流程,工艺目 的和加工技术。 本论文重点介绍了CTL站点工艺目的,设备结构。
关键字: 芯片 英特尔 封装 测试
Abstract: The Chip Package is one of the most important step of chip making,aiming at protect the chip from environment impact and offer a good workplace so that the chip can stably normally work. Intel ChengDu Product Limited company serve chip package And test.This article details the ordinary technics process of Chip package and technics process,machining technology of Chip package in Intel ChengDu Ltd. This article focus on the machining technology and machine structure of CTL Station.
Key words: chip Intel package assembly test 成都电子机械高等专科学校 电气与电子工程系
第 4 页 共 43 页 第一章 芯片封装工艺概述
1.1 芯片封装技术 1.1.1 概念 集成电路芯片封装是指利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素 在框架或基板上布置,粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。此概念为狭义的封装。 在更广的意义上的“封装”是指封装工程,将封装体与基板连接固定,装 配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。将基板技术,芯 片封装体,分立器件等全部要素,按电子设备整机要求进行连接和装备,实现电 子的,物理的功能,使之转变为使用于整机或系统的形式,成为整机装置或设备 的工程称为电子封装工程。 集成电路封装的目的,在于保护芯片不受或少受外界环境的影响,并为之提 供一个良好的工作条件,以便集成电路具有稳定的,正常的功能。封装为芯片提 供了一种保护,人们平时所看到得电子设备如计算机,家用电器,通信设备等中 的集成电路芯片都是封装好的,没有封装的集成电路芯片一般是不能够直接使用 的。
1.1.2 芯片封装所实现的功能 1.传递电能,主要是指电源电压的分配和导通。电子封装首先要能接通 源,使芯片与电路导通电流。其次,微电子封装的不同部位所需的电压有所不同,要能将不同部位的电压分配恰当,以减少电压的不必要损耗,这在多层布线基板上尤为重要,同时,还要考虑接地线的分配问题。 成都电子机械高等专科学校 电气与电子工程系 第 5 页 共 43 页 2,传递电路信号,主要是将电信号的延迟尽可能减少,在布线时应尽可能使信号线与芯片的互连路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。对于高频信号,还应考虑信号间的串扰,以进行合理的信号分配布线和接地线分配
3,提供散热途径,主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作如何将聚集的热量散出的问题。不同的封装结构和材料具有不同的散热效果。对于功耗大的芯片或部件封装,还应考虑附加热沉或使用强制风冷、水冷方式,以保证系统在使用温度要求的范围内能正常工作
4,结构保护与支持,主要是指芯片封装可为芯片和其他连接部件提供牢固可靠的机械支撑,并能适应各种工作环境和条件下的变化。半导体元器件和电路的许多参数(如击穿电压、反向电流、电流放大系数、噪声等),以及元器件的稳定性、可靠性都直接与半导体表面的状态密切相关。半导体元器件以及电路制造过程中的许多工艺措施也是针对半导体表面问题的。半导体芯片在制造出来后,在没有将其封装之前,始终都处于周围环境的威胁当中。在使用中,有的环境条件极为恶劣,必须将芯片严加密封和包封。所以,芯片封装对芯片的环境保护作用显得极为重要。
1.1.4 芯片封装形式的分类 一、DIP双列直插式封装 DIP(DualIn-line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚,需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心,以免损坏引脚。 DIP封装具有以下特点: 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。