模拟电子技术基础期末考试试题与答案
模拟电子技术基础-必考试题及答案
载，测量到正弦电压信号峰—峰值 1V，则 Av(
)AI(
)Ap(
)；
3.一电压放大电路输出端接 1kΩ负载电阻时，输出电压为 1V，负载电阻断开时，输出电压上升到 1.1V。则
该放大电路的输出电阻 R。为（
）；
4.某放大电路输入信号为 10pA 时，输出为 500 mV，它的增益是（ ），属于（ ）放大电路；
Rf
V o
其中反馈系数 基本放大增益
FG = I f = - 1
V0
Rf
A = V0
=
AV 0Vi
Rf R0 Rf
Vi
Vi
由 AV0 得 A =
AR0 =
A
1
，
1 AFG FG
根据求极值的方法，得：AR0 = -RF = 50GΩ
当 A 时，
Rf =
Rf
1 AFG
Rf 0
= AV0 RF R0 Rf
5.方波电压信号加在一个电阻 R 两端，试用公式 P =
计算方波信号的傅里叶展开式中直流分量
的功率（
）；
二．选择题：
1．在电压放大电路的高频截止频率点，电压增益比中频区增益下降 3dB，这时在相同输入电压条件下，与
中频区比较，输出电压下降为（
）；
A．1
B．10
C．1．414
D．0．707
2．当负载电阻 RL = 1kΩ时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少 20%，该放大电路的输出电
R
二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压 uo 的波形。 +
2. 46dB 40dB 43dB
3. R。=100Ω
4. AR = 5107 ，互阻
模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空1分，共20分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式Ic Ib才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究。
9、理想运放的两个输入端虚短是指。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。
二、单项选择题（共10题，每题2 分，共20分；将正确选项的标号填在答题纸上）1、稳压二极管的反向电流小于Izmin时，稳压二极管。
A：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。
A：饱和状态B：截止状态C：放大状态D：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
关于这两只三极管，正确的说法是。
图1(a) 图1(b) 图2A：（b）图中电流为5.1mA的电极为发射极。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模拟电子技术基础试卷及答案（期末）
模拟电⼦技术基础试卷及答案（期末）第1章直流电路习题解答1.1 在图1.1所⽰电路中，（1）选d 为参考点，求a V 、b V 和c V ；（2）选c 为参考点，求a V 、b V 和d V 。
图1.1 习题1.1电路图解（1）当选d 为参考点时， V 3ada ==u V V 112cd bc bdb =-=+==u u u V ；V 1cdc -==u V （2）当选c 为参考点时， 4V 13dc ad a =+=+=u u V V 2bc b ==u V ；V 1dcd ==u V 1.2 求图1.2中各元件的功率，并指出每个元件起电源作⽤还是负载作⽤。
图1.2 习题1.2电路图解 W 5.45.131=?=P （吸收）； W 5.15.032=?=P （吸收） W 15353-=?-=P （产⽣）； W 5154=?=P （吸收）； W 4225=?=P （吸收）元件1、2、4和5起负载作⽤，元件3起电源作⽤。
1.3 求图1.3中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.3 习题1.3电路图解 A2=I ； V13335=+-=I I U 电流源功率：W 2621-=?-=U P （产⽣），即电流源产⽣功率6W 2。
电压源功率：W 632-=?-=I P （产⽣），即电压源产⽣功率W 6。
1.4 求图1.4电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.4 习题1.4电路图解 A 1231=-=I A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 构成的闭合⾯求得：A 1223=+=I I 1.5 试求图1.5所⽰电路的ab U。
图1.5 习题1.5电路图解 V 8.13966518ab-=?+++?-=U1.6求图1.6所⽰电路的a 点电位和b 点电位。
图1.6 习题1.6电路图解 V 4126b=?-=V V 13b a =+-=V V 1.7 求图1.7中的I 及SU。
图1.7 习题1.7电路图解 A7152)32(232=?+-?+-=IV 221021425)32(22S =+-=?+-?+=I U 1.8 试求图1.8中的I 、XI、U 及XU。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为，经过电容滤波后为，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。
3．差分放大电路，若两个输入信号uI1 uI2，则输出电压，uOu I1=100μV，u I2=80μV则差模输入电压uId μV；共模输入电压uIcV。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。
5．若三级放大电路中Au1 Au2 30 dB，Au3 20 dB，则其总电压增益为dB，折合为4倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQPDC=效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。
7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为V。
二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应（ D ）。
A．减小C，减小Ri B. 减小C，增大RiC. 增大C，减小 RiD. 增大C，增大 Ri 5.如图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。
模拟电子技术基础试题及答案
1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；【】A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当i则输出电压的幅值将；【】A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。
【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。
【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。
【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。
【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
【】A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
【】A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
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《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空 1 分 共 40 分）
1 、PN 结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止），所以 PN 结具有（ 单向 ）
导电性。 2 、漂移电流是（ 温度 ）电流，它由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温
度 ）有关，而与外加电压（无关 ）。 3 、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ 0 ），等效成一条直线；当其
反偏时，结电阻为（ 无穷 ），等效成断开； 4 、三极管是（ 电流 ）控制元件，场效应管是（ 电压 ）控制元件。 5 、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏 ），集电结（ 反偏 ）。
6 、当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic（ 变小 ），发射结压降（ 不变 ）。
7 、三极管放大电路共有三种组态分别是 （ 共基 ）、（ 共射 ）、（ 共集 ）
放大电路。 8 、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ 电压并联）负反馈，为了稳定
交流输出电流采用（ 串联 ）负反馈。 9 、负反馈放大电路和放大倍数 AF= （ 1/ （1/A+F ） ），对于深度负反馈放大电路
的放大倍数 AF= （ 1/F ）。 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（ 1+AF ）BW ，其中 BW=（ ），
（ ）称为反馈深度。 11 、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模 ）
信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（ 差模 ）信号。 12 、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的 （ 交越 ）失真，而采用（ 甲乙 ）
类互补功率放大器。 13 、OCL 电路是（ ）电源互补功率放大电路； OTL 电路是（ ）电源互补功率放大电路。
14 、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ ），输入电阻（ ），输出电阻
（ ）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15 、差分放大电路能够抑制 （ ）漂移，也称（ ）漂移，所以它广泛应用于 （ ）
电路中。 16 、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（ ），未被调制的高频信
号是运载信息的工具，称为（ ）。
1 17 、模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0= （ ），电路符号是（ ）。
二、选择题（每空 2 分 共 30 分） 1 、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压
必须（ ），它的稳压值 Uz 才有导通电流，否则处于（ ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2 、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 2V 、6V 、2.7V ，则三个
电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（ C、B、E） C、（E、C、B） D 、（NPN ） E、（PNP ） 3 、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ ）。 A、 U0 高 B、P0 大 C、功率大 D 、Ri 大 E、波形不失真 4 、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ），此时应该（ ）偏置
电阻。 A 、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5 、差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A 、稳定 Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6 、共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A 、压串负 B、流串负 C、压并负 7 、差分放大电路 RE 上的直流电流 IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ （ ）倍。 A 、1 B、2 C、3 8 、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ ）负反馈。 A 、电压 B、电流 C、串联 9 、分析运放的两个依据是（ ）、（ ）。 A 、U- ≈U+ B、I- ≈I+ ≈0 C、U0=Ui D 、 Au=1 三、分析计算题 1 、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：①二极管导通还是截止？② UA0= ？（ 4 分） 解：
2 2、已知电力如图示： Vcc=12V ，RB=300K Ω，RE=RL=2K Ω， Rs=500 Ω， UBEQ ≈0，C1=C2=30uF ，rbe=1.5K ，β=100 ，Us=10sinwt mV 求：① ICQ ② UCEQ ③ Au （取小数点后 2 位） ④ Ri ⑤ R0（ 10 分） 解：
3、具有电流源的差分电路如图所示， 已知 UBEQ=0.7V ，β=100 ，rbb=200 Ω，试求：（1 ）V1 、V2 静态工作点 ICQ、 UCQ ；（2 ）差模电压放大倍数 Aud ；（3 ）差模输入电阻 Rid 和输出电阻 RO；（ 6 分）
4、电路如图所示，设 UCES=0 试回答下列问题：（6 分） （ 1） ui=0 时，流过 RL 的电流有多大？
3 （ 2）若 V3 、V4 中有一个接反，会出现什么后果？ （ 3）为保证输出波形不失真，输入信号 ui 的最大幅度为多少？管耗为多少？
5、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？如果能振荡，求出 F0；（4 分）
试题一答案 一、填空（每空 1 分 共 40 分）
1 、导通 截止 单向 2 、反向 少数 温度 无关
3 、零 无穷大 4 4 、电流 电压 5 、正偏 反偏 6 、增加 减小 7 、共射极 共集电极 共基极 8 、直流 电流 9 、A/1+AF 1/F 10 、1+AF fH –fL 1+AF 11 、共模 差模 12 、交越 甲乙 13 、双 单 14 、小于近似等于 1 大 小
15 、零点 温度 集成 16 、调幅 载波信号 17 、KUxUy 二、选择题（每空 2 分 共 30 分） 1 、 B C F 2 、 C D 3 、 B C E 4 、 B E 5 、C 6 、A 7 、 B 8 、 A 9 、 A B 三、分析与计算题（共 30 分） 4 分 1、1 ）二极管 V 截止 2 ） UA0=-4V 10 分 2 、1）ICQ=2.4mA UCEQ=7.2V 2）AU=0.99 3 ）Ri=122k 4) Ro=20 Ω 6 分 3、1 ）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V 6 分 4 、 1）ui=0 时， RL 电流为零 2 ） V3 、V4 有一个反接电路不能工 作 3 ） Uim=12V 4)Pcl=[Vcc 2 (4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W 4 分 5、 1）能振荡 2） fo=280KHZ
《模拟电子技术》模拟试题二一、填空题（每空 1 分 共 32 分） 1 、P 型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。
5 2 、PN 结正偏时（ ），反偏时（ ），所以 PN 结具有（ ）导电性。
3 、反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。
4 、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。 5 、当温度升高时，三极管的等电极电流 I（ ），发射结压降 UBE（ ）。
6 、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ ），集电结（ ）。 7 、三极管放大电路共有三种组态（ ）、（ ）、（ ）放大电路。 8 、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ ）负反馈，为了减小输出电
阻采用（ ）负反馈。 9 、负反馈放大电路和放大倍数 Af= （ ），对于深度负反馈 Af= （ ）。
10 、共模信号是大小（ ），极性（ ）的两个信号。
11 、乙类互补功放存在（ ）失真，可以利用（ ）类互补功放来克服。
12 、用低频信号去改变高频信号的频率称为（ ），低频信号称为（ ）信号，
高频信号称高频（ ）。 13 、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（ ），fa= （ ）fβ。 14 、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ ）网络。
15 、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（ ）。
二、选择题（每空 2 分 共 30 分） 1 、三端集成稳压器 CW7812 的输出电压是（ ）。 A 、12V B、 5V C、9V 2 、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是 2V 、 6V、 2.7V ，则三 个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A 、（B、 C、 E） B、（C、B、E） C、（E、C、 B） D、（PNP ） E、（NPN ） 3 、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真，下半周失真时为 （ ）失真。 A 、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 4 、差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A 、稳定 Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 5 、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标， 它反映放大电路 （ ）能力。
A 、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 6 、LM386 是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ ）之间变化。 A 、0~20 B、20~200 C、200~1000
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