准定向ZnO纳米棒阵列的溶液生长制备及光学性质研究
ZnO纳米棒阵列生长机理及光催化 性能研究
Material Sciences 材料科学, 2018, 8(5), 482-489Published Online May 2018 in Hans. /journal/mshttps:///10.12677/ms.2018.85054Growth Mechanism andPhotocatalytic Performance ofZnO Nanorod ArraysChunwei Liu, Yang Wan, Shenghai Zhuo, Sha Luo*College of Material Science and Engineering, Northeast Forestry University, Harbin HeilongjiangReceived: Apr. 22nd, 2018; accepted: May 9th, 2018; published: May 16th, 2018AbstractWell-defined ordered ZnO nanorod arrays were successfully prepared on activated carbon fibers by combining sol-gel with a hydrothermal method. The growth mechanism was proposed by SEM, XRD and N2 physisorption. Concentration of zinc acetate had a regulatory effect on the morphology of ZnO nanorods. ZnO films provided the nucleus for oriented growth of nanorods, promoting its preferential growth along the c-axis direction of activated carbon fibers. The photocatalytic tests showed the catalytic performance of ZnO nanorod arrays/activated carbon fibers was influenced obviously by zinc acetate. When the Zn(CH3COO)2 concentration was 0.15 mol∙L−1, its removal effi-ciency of methylene blue reached 90% during 120 min. After five regeneration cycles, its photo-catalytic efficiency remained 82%.KeywordsZinc Oxide, Nanorod Array, Activated Carbon Fiber, Growth Mechanism, PhotocatalysisZnO纳米棒阵列生长机理及光催化性能研究刘春闱，万阳，卓盛海，罗沙*东北林业大学材料科学与工程学院，黑龙江哈尔滨收稿日期：2018年4月22日；录用日期：2018年5月9日；发布日期：2018年5月16日*通讯作者。
低温生长一维Eu掺杂ZnO纳米线阵列光阳极的可控制备及光电性能研究
低温生长一维Eu掺杂ZnO纳米线阵列光阳极的可控制备及光电性能研究氧化锌（ZnO）是一种宽禁带半导体材料,六方纤锌矿单晶结构。
其激子束缚能高,化学性质稳定,具有良好的光电性能和力电性能。
而纳米效应改善了一维ZnO纳米材料的电学、光学性能,表现出载流子迁移率大,电阻率小,电子传输效率高,光俘获能力强等优异的光电性能,使其作为光阳极材料,在太阳能电池领域显示出极其广泛的应用前景。
但由于受到ZnO禁带宽度限制,使其光电性能受到影响。
掺杂是提高太阳能电池光阳极光电性能的主要途径。
本论文研究目的是将稀土铕（Eu）掺入一维ZnO纳米线阵列,以使光阳极获得更高的光电子传输速率及效率,提高其光俘获能力,以提高太阳能电池的光电转换效率。
由于Eu和Zn在离子半径、电离能等物理化学性质存在较大差异,常规反应条件下很难使Eu均匀地掺杂到ZnO晶格中。
为克服这种障碍,本论文采用聚乙烯亚胺（PEI）和六次甲基四胺（HMTA）两种表面活性剂联合辅助下,以水热反应法成功实现了Eu掺杂一维ZnO纳米线阵列,进一步以其作为光阳极制备染料敏化太阳能电池（DSC）。
此外,利用Mannich反应理论,对ZnO纳米线掺杂生长机理进行了研究。
另一方面,采用电化学法,对高分子聚合物聚苯胺（PANI）微米棒与ZnO纳米线阵列进行复合,获得异质结构并对其电化学性能进行了测试。
主要研究内容和结果如下:（1）在HMTA辅助下,采用水热反应法在FTO导电玻璃表面合成了一维ZnO纳米线阵列。
利用场发射扫描电子显微镜（SEM）、X-射线粉末衍射（XRD）、紫外-可见光谱（UV-vis）、光致发光谱（PL）等手段,对产物的形貌、结构、结晶性、光电性能进行了表征。
结果表明,ZnO纳米线整齐有序地垂直生长在FTO上,纳米线呈六边形纤锌矿单晶结构。
在ZnO纳米线阵列的生长反应过程中,ZnO籽晶层退火的温度不同,得到的ZnO纳米线的微观形貌各有差异,以退火温度380℃得到的纳米线晶形结构最为理想,因此反应以退火温度380℃为宜。
ZnO多枝纳米棒水热法生长及其光学性质
E m ail : xulei@ ncw u. edu . cn
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武汉大学 学报( 学版 )
第 52 卷
方状、 直径 100 nm. 但图 1( b) 开始出现分枝状 ZnO
2
2. 1
实验结果和讨论
纳米结构 ZnO 样品的 SEM 和 XRD 表征 图 1 显示了不同生长时间的一组样品的 SEM
样品中氧空位缺陷越多绿峰越不同生长时间的zno纳米结构的pi曲线分别表示生长时间为1234h的样品的pinmnm3530251510050035nmnm不同生长时间的zno纳米结构的pi高斯拟合谱图图中ad分别为生长时间1234h的pi高斯拟合谱图
第 52 卷 第 3 期 2006 年 6 月
武汉大学 学报( 理学版 ) J. W uhan U niv. ( N at. Sci. Ed. )
, 这种方法不需要任何模板和
收稿日期 : 2005 12 19 通讯联系人 E mail: jcl i@ acc l ab. w hu . edu. cn 基金项目 : 国家自然科学基金资助项目 ( 10575078) 作者简介 : 许 磊 ( 1978 ) , 男 , 硕士生 , 现为华北水利水电学院讲师 , 从事功能半导体纳米材料研究 .
图 3 不同生长时间的 ZnO 纳米结构的 PL 谱
曲线 ∀ ~ #分别表示生长时间为 1, 2, 3, 4 h 的样品的 PL 谱
棒) 氧间隙缺陷数量与氧空位缺陷数量的比值明显 低于样品 ( a) , 而且趋于稳定值 . 比较图 4( a) 与图 4 ( b~ d) 的拟合谱强度 , 不难发现, 图 4( b~ d) 的绿峰 强度的增加多于黄峰强度的增加. 说明分叉样品中 的氧空位缺陷相对增多 . 这表明 Z nO 纳米棒的分裂 可能与结构中缺陷的种类和数量及其引起的应力有 关. 多枝 Z nO 纳米棒更详细的生长机制有待于进一 步研究.
定向生长的一维ZnO微纳米棒阵列的液相合成与表征-物理化学专业毕业论文.pdf
定向生长的一维ZnO微纳米棒阵列的液相合成与表征-物理化学专业毕业论文.pdf因素，它直接影响着后期1．D ZnO微／纳米棒阵列生长的取向性、均匀性和纳米棒粒径的大小。
(3)表面活性剂对1．D ZnO微／纳米棒阵列的影响采用陈化法制备ZnO纳米晶种，在1．D ZnO微／纳米棒阵列生长的最优条件的基础上，添加不同的离子型表面活性剂制备1．D ZnO微／纳米棒阵列，研究生长液中的添加剂对1．D ZnO微／纳米棒阵列的影响。
实验结果表明，当溶液中添加阳离子表面活性剂CTAB且浓度较低时，产品沿C轴的的取向性和均匀性均有所提高，阵列中纳米棒的粒径减小。
当添加阴离子表面活性剂SDS和SDBS时，均能使产品的粒径明显减小：但由于二者的结构不同，随浓度增加，SDS能使阵列的取向性增强，而SDBS则导致ZnO纳米棒沿基底的垂直定向性明显降低。
关键词：ZnO，纳米棒阵列，制备，晶种，表面活性剂AbstractDue to its excellent optical properties and electron transportation ability, one-dimensional(1-D)ZnO nanomaterials have shown great potential in the field of electronicsane-devices and optoelectronic narlo-devices．Especially,1-D ZnO nanowire／rodarrays grownreceived on substrates can be used in short wave lasers and Graetzel solar battery,which hasconsiderable attention among many researchers．At present,highly aligned ZnODane-arrays are usually synthesized through vapor-phase processes or solutionthe products synthesized by vapor-phase processes have high processes．Despitepurity,prefectcrystallization and controllable sizes，the reaction conditions involve in expensive apparatus，higher temperature and complicated procedures，SO it is very hard to prepare ZnO nano．arrays in large scale，which constrains its applications in many nanodevices．Compared with vapor-phase process，the solution method is more advantageous in perpendicularly orientated growth of ZnO nano·arrays，owing to its simple process，low temperature and non．pollution，which makes it an effective method for preparing large-scale ZnO nanowire／rodarrays．In this paper，we report a simple solution route to grow well-aligned c-oriented 1-D ZnO micro／nanorod arrays on ITO glass．Firstly,we prepare ZnO nanoparticle seeds on ITO glass using Zn(N03)2 and(CH2)6N4 a s raw materials．Then，we synthesized well．defined 1．D ZnO micro／nanorod arrays on the above substrates in strong basic solution,using Zn(N03)2and NaOH as growth resources．It is proved to be a mild andprofit method with low temperature(85"C)and short reaction time(1 h)，which provides an experimental ground for the industrialized of production．The main contents of the thesis are summarized as followed：(1)Preparation of 1-D ZnO micro／nanorod arrays1-D ZnO micro／nanorod arrays were synthesized on ZnO．seed．coated substrates in Zn(N03)2／Zn(Ac)2一NaOH solution．In order to find the optimum way to prepare 1-D ZnO arrays，the effects of different experimental conditions were also investigated．Results show that thekind of salts，the original zinc concentration，the molar ratio of zinc tobase，thethem，the original zinc reaction temperature and time，all have functions on theproduct．Amongconcentration and the reaction time are the key factors to obtain well．defined 1-D ZnOarrays·(2)The influences of ZnO seeds preparation conditions on 1-D ZnO micro／nanorod arraysOn the basis of the optimum conditions to grow 1一D ZnO micro／nanorod arrays，the influences of ZnO seeds on the products Wb"Te studied by preparing them in Zn(N03h and(CH2)6N4 system．Both direct aging method and immerse-coating method were carded out to fabricate ZnO seeds；and the optimum way was established．Results show that the density and sizes of the ZnO seeds on substrate are the key factors to determine the growth of 1-D ZnOmicro／nanorod arrays．(3)The roles of surfactant in the fabrication of l·D ZnO micro／nanorod arraysUsing the direct aging method to prepare ZnO seeds，the influences of different ionic surfactants on the 1-D ZnO micro／nanorod arrays were studied．The experiments indicate that the cation suffactant CTAB with low concentration Can promote the c-axis orientation and the uniformity of the product．Anionic surfactants SDS and SDBS can reduce the size of ZnO nanorodsenhance the orientation of the arrays，while SDBS markedly significantly；SDS candecrease the orientated growth along c-axis．This is due to the difference in the spacial structures of SDS and SDBS．Key words：ZnO，nanorod arrays，preparation，crystal seeds，surfactantIV学位论文原创性声明本人所提交的学位论文《定向生长的一维ZnO微／纳米棒阵列的液相合成与表征》，是在导师的指导下，独立进行研究工作所取得的原创性成果。
ZnO纳米棒阵列膜的制备及其光电化学性能研究
列。用 Ｘ 射线衍射仪（ＸＲＤ）、场 发 射 扫 描 电 子 显 微 镜
（ＦＥＳＥＭ）、透射电子显 微 镜 （ＴＥＭ）对 样 品 进 行 表 征。
研究 结 果 表 明 所 制 备 的 ＺｎＯ 纳 米 棒 为 六 方 纤 锌 矿 相
单晶结构，沿ｃ轴择优取向生长，平均直径约为 ４０ｎｍ，
长度约为 ９００ｎｍ；ＺｎＯ 纳 米 棒 阵 列 生 长 致 密，取 向 性
１４７８
２０１１ 年 第 ８ 期 （４２）卷
ＺｎＯ 纳米棒阵列膜的制备及其光电化学性能研究 ＊
王 海 锋１，王 树 林２，蹇 敦 亮２，陈 海 燕１，丁 浩 冉１
（１ 上海理工大学 能源与动力工程学院，上海 ２０００９３；２ 上海理工大学 材料科学与工程学院，上海 ２０００９３）
摘 要： 采 用 化 学 溶 液 沉 积 法，在 ＺｎＯ 纳 米 颗 粒 膜 修饰 的 ＦＴＯ 导 电 玻 璃 基 底 上，制 备 了 ＺｎＯ 纳 米 棒 阵
阳极组装成染料 敏 化 太 阳 能 电 池 （ＤＳＳＣ）的Ｉ－Ｖ 特 性 曲线。由填充因子：
关键词： ＺｎＯ 纳米棒阵列；化学溶液沉积；曙红 Ｙ；染
料敏化太阳能电池
中 图 分 类 号 ： Ｏ４７２
文 献 标 识 码 ：Ａ
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》范文
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》篇一一、引言随着纳米科技的快速发展，纳米材料因其独特的物理和化学性质在众多领域中展现出巨大的应用潜力。
其中，氧化锌（ZnO）纳米线因其高比表面积、良好的电子传输性能和优异的化学稳定性，在传感器、光电器件、生物医学等领域有着广泛的应用。
本文将重点研究ZnO纳米线阵列的可控制备技术及其在气敏性方面的应用。
二、ZnO纳米线阵列的可控制备1. 材料选择与制备方法ZnO纳米线阵列的制备主要采用化学气相沉积法。
首先，选择适当的锌源和氧源，如锌粉和氧气，然后通过高温反应生成ZnO纳米线。
通过控制反应温度、压力、反应时间等参数，可实现ZnO纳米线阵列的可控制备。
2. 制备过程中的关键因素在制备ZnO纳米线阵列的过程中，关键因素包括反应温度、反应时间和反应物的浓度。
反应温度过高或过低都会影响ZnO纳米线的生长质量和产率。
反应时间过短可能导致纳米线生长不完整，而过长则可能导致纳米线过粗，影响其性能。
反应物的浓度则直接影响到纳米线的密度和尺寸。
三、气敏性研究1. 气敏性原理ZnO纳米线具有优异的气敏性能，能够对外界气体浓度进行快速响应。
当气体分子吸附在ZnO纳米线表面时，会引起其电阻发生变化，从而实现对气体浓度的检测。
2. 实验设计与实施为了研究ZnO纳米线阵列的气敏性能，我们设计了不同浓度的气体实验。
首先，将制备好的ZnO纳米线阵列置于不同浓度的目标气体中，然后测量其电阻变化。
通过对比不同浓度气体下的电阻变化情况，评估ZnO纳米线阵列的气敏性能。
3. 结果与讨论实验结果表明，ZnO纳米线阵列对不同气体具有不同的响应特性。
在低浓度下，其对某些气体的响应更为敏感。
此外，通过改变反应条件，可以调整ZnO纳米线的尺寸和密度，从而优化其气敏性能。
同时，我们还发现ZnO纳米线阵列的气敏性能与其表面缺陷密切相关，适当增加表面缺陷可以提高其气敏性能。
四、结论与展望本文研究了ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性能。
CdS纳米晶敏化ZnO阵列的制备及其性能研究
CdS纳米晶敏化ZnO阵列的制备及其性能研究摘要：无机纳米半导体材料制备方法简单廉价,且由于其特殊的尺寸效应及其较大的消光系数,成为一种可取代有机染料分子的光敏材料。
本论文中,我们分别制备了CdS,敏化ZnO纳米棒阵列薄膜电极,并研究了复合电极的光电化学性能。
关键词：ZnO纳米棒阵列，染料敏化，ZnO致密膜，核壳结构1.引言染料敏化纳米晶太阳能电池(简称:DSSCs电池)从1991年被提出以来,就一直受到人们的广泛关注。
目前,DSSC电池的转换效率己经超过了10%,由于它的高转换效率,近些年引起了科学家们的极大兴趣。
然而,DSSC也存在很多难以解决的问题:1.染料性质不稳定,在高温及光照下易分解;2.染料在电解液中易脱落;3.染料价格昂贵,难以制得。
基于DSSCs的这些问题,研究人员提出了无机半导体敏化太阳能电池的概念,它与DSSCs太阳能电池的工作原理相同,只是采用无机半导体做吸光材料,避免了染料不稳定，制备复杂等缺点,成为目前太阳能电池的研究热点。
在敏化电池中,采用合适的n型材料对电池的性能起着至关重要的作用。
一维ZnO纳米棒阵列由于它良好的光电化学性质常被用于太阳能电池中,ZnO纳米棒阵列为光生电子传递到导电基底提供了一条直接的路径,且其具有较大的表面积,增加太阳光的捕获,从而提高转换效率"制备ZnO阵列的方法有很多种,如有机金属化学气相沉积法、热蒸发法、电化学沉积法、溶液沉淀法以及模板生长法等,这些方法所需要的条件都非常严格,甚至还需要选用催化剂来合成纳米棒。
相比于这些方法,水热法合成ZnO纳米棒阵列所需要的试剂便宜,所需的温度较低,是一种很好的制备ZnO阵列的办法。
CdS是一种重要II一IV族无机半导体材料。
纳米CdS具有独特的光电性能及显著的量子尺寸效应,因而在生物探针、太阳能电池、光催化及其他光电子元器件等方面有着广泛的用途。
CdS的带隙为2.4eV,在可见光区具有优良的光学吸收性能,因此被广泛的应用于薄膜太阳能电池及敏化太阳能电池的研究"将CdS制成薄膜的方法很多,如物理气相沉积(PVD)、金属有机物气相沉积(MOCVD)、封闭空间升华一凝华法(Css)、化学水浴法(CBD)、丝网印刷法(SP)、化学气相输运法(CVTG)和电沉积法(ED).其中化学浴应用最广泛的,具有可控性好、均匀性好、成本低等特点。
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》范文
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》篇一一、引言随着纳米科技的快速发展，纳米材料因其独特的物理和化学性质在众多领域展现出巨大的应用潜力。
其中，氧化锌（ZnO）纳米线因其高比表面积、优异的电子传输性能和良好的化学稳定性，在传感器、光电器件、能源存储等领域得到了广泛的研究。
本文将重点探讨ZnO纳米线阵列的可控制备方法，以及其气敏性质的研究进展。
二、ZnO纳米线阵列的可控制备2.1 制备方法ZnO纳米线阵列的制备方法主要有化学气相沉积法、水热法、溶胶-凝胶法等。
本文采用化学气相沉积法（CVD）进行ZnO纳米线阵列的制备。
该方法通过在衬底上加热ZnO源材料，使其在高温下与气相中的氧气发生反应，生成ZnO纳米线。
2.2 制备过程控制在CVD法中，制备过程控制对ZnO纳米线阵列的形态和性能具有重要影响。
通过控制反应温度、源材料浓度、气体流量等参数，可以实现对ZnO纳米线直径、长度、密度等方面的控制。
此外，还需考虑实验环境中的杂质和污染对纳米线性能的影响。
2.3 制备结果分析通过扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）等手段，对制备的ZnO纳米线阵列进行形貌和结构分析。
SEM可以观察纳米线的表面形态和排列情况，XRD则可以分析纳米线的晶体结构和相纯度。
此外，还需对制备过程中产生的副产物和杂质进行分析，以确保纳米线的纯度和性能。
三、ZnO纳米线阵列的气敏性研究3.1 气敏性原理ZnO纳米线具有较高的比表面积和良好的电子传输性能，使其对气体分子具有较高的敏感度。
当气体分子与ZnO纳米线表面发生相互作用时，会引起纳米线电阻的变化，从而实现对气体的检测。
这种基于电阻变化的气敏性原理在气体传感器中具有广泛的应用。
3.2 气敏性实验为了研究ZnO纳米线阵列的气敏性质，我们进行了系列实验。
首先，将制备好的ZnO纳米线阵列置于不同浓度的目标气体中，观察其电阻变化。
其次，通过改变气体种类和浓度，分析纳米线对不同气体的敏感度和响应速度。
水热法生长ZnO纳米棒阵列的研究
水热法生长ZnO纳米棒阵列的研究XIA Shiqin;LI Teng;LIU Xinru;WANG Jing;ZHANG Zhengguo【摘要】通过控制不同的水热生长时间,在以F掺杂的SnO2导电玻璃基底上,制备了系列一维有序的ZnO纳米棒阵列.使用X射线衍射、场发射扫描电镜、紫外可见吸收光谱等表征手段对以上ZnO纳米棒阵列进行了分析,系统研究了水热生长时间对ZnO纳米棒阵列晶体结构、微观形貌、光吸收性能的影响.结果表明,水热生长时间对ZnO纳米棒的长度、直径和光学带隙有着重要影响,且随着生长时间从60 min增加到80 min和100 min,ZnO纳米棒阵列的直接带隙分别计算为3.29 eV、3.24 eV和3.19 eV.【期刊名称】《石油化工应用》【年(卷),期】2019(038)001【总页数】5页(P107-111)【关键词】氧化锌;纳米棒阵列;水热法;带隙【作者】XIA Shiqin;LI Teng;LIU Xinru;WANG Jing;ZHANG Zhengguo【作者单位】【正文语种】中文【中图分类】TB383.1ZnO 作为一种来源广泛、价格低廉的宽带隙半导体材料，在气敏传感器、新型太阳能电池、光催化等领域应用广泛 [1，2]。
在室温下，ZnO 禁带宽度一般为3.20eV～3.37 eV，激子束缚能可达到60 meV[3]。
近年来，关于纳米ZnO 材料的研究越来越多，这表明ZnO优异的光学和电学性能不断受到多个研究领域学者的重视。
ZnO 纳米棒阵列作为一种一维有序的纳米结构，在光吸收和电子传输方面具有独到的优势，非常适合应用于太阳能电池等光伏器件。
无序的纳米颗粒材料和有序的一维纳米棒阵列在光吸收和电子传输方面的特点（见图1），纳米棒阵列既可以增加入射光在吸收层中的折射，起到增强光吸收的效果，还能保证电子的有序传输，即可大大减少电子和空穴的复合几率[4]。
目前制备ZnO 纳米棒的方法较多，如电化学沉积法（ECD）、化学气相沉积法（CVD）、物理气相沉积法（PVD）、模板法、超声喷雾热分解法、分子束外延法、溶胶-凝胶法、水热法等[5-7]。
简单溶液法制备氧化锌纳米棒及光学性质
简单溶液法制备氧化锌纳米棒及光学性质吕玉珍;郭林;李成榕;汪佛池【期刊名称】《发光学报》【年(卷),期】2009(030)004【摘要】以水合醋酸锌(ZnAc2·2H2O)和水合肼(N2H4·H2O)为反应物,在未使用任何表面活性剂的简单反应体系中制得了ZnO纳米棒.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和室温荧光光谱对产物的晶体结构、形貌和发光性质进行了表征和分析.测试结果表明,所得产物为六方纤锌矿结构ZnO 纳米棒,平均直径为120 nm,产物结晶完整,尺寸均匀.这种简单溶液法制备的ZnO纳米棒在386 nm处具有一个尖锐的紫外发光峰,发射光谱的半峰全宽仅为18 nm,在可见光区有一个较弱的宽频发光带.在该反应体系中通过调控混合溶剂的配比,不使用任何表面活性剂的条件下,为ZnO一维纳米棒的形核和生长提供了微型反应空间.【总页数】4页(P495-498)【作者】吕玉珍;郭林;李成榕;汪佛池【作者单位】华北电力大学,北京市高电压与电磁兼容重点实验室,北京,102206;北京航空航天大学,化学与环境学院,北京,100083;华北电力大学,电站设备状态监测与控制教育部重点实验室,北京,102206;北京航空航天大学,化学与环境学院,北京,100083;华北电力大学,北京市高电压与电磁兼容重点实验室,北京,102206;华北电力大学,北京市高电压与电磁兼容重点实验室,北京,102206【正文语种】中文【中图分类】O482.31【相关文献】1.电场辅助溶液法制备氧化锌纳米棒阵列及其形貌研究 [J], 李静雷;郑凯波;李娟;孙大林;陈国荣2.溶液法制备爪状氧化锌纳米棒阵列及其发光性质研究 [J], 胡灵卫;理记涛3.氧化锌纳米棒的溶液法制备及其性能研究 [J], 石明吉;夏凯;王慧平;赵芍芍;杜发洋4.溶液法制备的ZnO微米棒的结构与光学性质 [J], 石明吉;陈兰莉5.ZnO材料的化学溶液法制备及其微结构和光学性质研究 [J], 石明吉;胡冬梅;李壮辉;李双因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
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生长法制备 Ｚ Ｏ纳米棒 ， ｎ 运用 ｘ射 线衍射 （ Ｒ 、 Ｘ Ｄ） 扫描 电子显微镜 （ Ｅ 和室温光致发 光谱 （ Ｌ） 究 了Ｚ Ｏ Ｓ Ｍ） Ｐ 研 ｎ
样 品的结构 、 形貌和光 学性质． 结果表 明先驱 Ｚ Ｏ颗 粒薄膜可 以控 制生长 准定向的 Ｚ Ｏ纳米棒． ｆａｔ ｎ（ Ｄ） ｆ ｌ ｍｉ ｉ ｃ ｎ ｉｇｅｅｔ ｎｍｉ ｏｃｐ Ｓ Ｍ） ｅｅｉ ｅｔ ａ ｙＸ ｒ ｉｒｃｉ ＸＲ ， ｅ ｅ ｓ ｏ ｓａ ｎｎ ｌ ｒ ｃ ｓｏ ｙ（ Ｅ ｎ ｉ ｅ ａ ｏ ｉｄ ｓｎ ｃｏ ｒ ａ ｄｐ ｏ ｌｍ ｎ ｓｅ ｃ ｅｔ Ｐ ）ａ ｏ ｍｐｒｔｒ．Ｔ ｅｒｓｌ ｄｃｔ ｔａ ｔｅＺ Ｏ ｆｍ ｎ ｈ ｔ ｕ ｉｅｃｎ ｅｓ ｃ ａ（ Ｌ ｔｏ ｍ ｔ ｅａ ｅ ｈ ｕｔ ｉ ｉ ｅ ｈｔ ｈ ｎ ｌ ｓ ０ ｐ ｒ ｒ ｅ ｕ ｅ ｓｎ ａ ｉ ａ ｓ
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信阳师范学院学报 ： 然科学版 自
第２卷 １
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Ｊｕ ｎ ｌｏ ｎ ａ ｇＮｏｍａ ｉｅｓｔ ｏ ｒａ ｆＸｉｙ ｎ ｒ ｌ Ｕｎｖ ｒｉ ｙ
Ｎａｕ ａ ｃｅ ｃ ｉ ｏ １ ２ ． ｒ ２ ０ ｔ ｒ ｌＳ ｉｎ ｅＥｄｔ ｎ Ｖｏ ． １ Ｎｏ ２ Ａｐ ． ０ ８ ｉ
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试 结果表 明， 溶液法制备的 Ｚ Ｏ样品具有微 弱 的紫外发光峰 和 宽又强 的可见发射 波 带， ｎ 可见峰 与样 品的本征
缺 陷相 关．
关键词 ： 氧化锌 ； 纳米棒 ； 溶胶凝胶法 ； 液生长 ； 溶 光学性质 中图分 类号 ：４ ２ ３ ０ ８ ． ０ ７ ． ； ７２ １ 文献标识码 ： Ａ 文章编号 ：０ ３０ ７ （０ ８ ０ ￣２ ３０ １０ －９２ ２ ０ ）２ ５ － ４ ．
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第 ２期
２０ ０ ８年 ４月
应 用技 术研 究 ・
准定向Ｚ０ ｎ 纳米棒阵列的溶液生长制备及光学性质研究
许 磊ｈ ， 张天杰 廖 蕾 李金钗 蔡 洪涛 ， ， ，
（ ．华北水利水 电学 院 物理 系 ， １ 河南 郑州 ４ ０ １ ； ５０ １ ２ ．武汉 大学 物理科学 与技术学院 ， 湖北 武汉 ４０ ７ ） ３ ０ ２ 摘 要： 通过溶胶． 凝胶法制备 Ｚ Ｏ薄膜 ， ｎ 使其 充当控 制 Ｚ Ｏ 纳米线 （ ） ｎ 棒 生长的先驱 物种 子 ， 再采 用溶液
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