SS32肖特基二极管原厂DCY品牌推荐
APM2309A(DPM2309A)场效应管原厂DCY品牌推荐
BVDSS VGS ID IDM PD
Junction 結溫
TJ
Storage Temperature 儲存溫度
Tstg
Max 最大值
-60 +20 -1.6 -6
1000
150 -55to+150
Unit 單位
V V A A
mW
℃ ℃
VSD——-1.2Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -60V)
IDSS
—
—
-10
Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+20V, VDS=0V)
IGSS
—
Static Drain-Source On-State Resistance
t(off)
—
5.2
—
Unit 單位
V V V uA nA
mΩ mΩ
pF pF ns ns
Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%
DPM2309A / APM2309A
■DIMENSION 外形封裝尺寸 單位(UNIT)：mm
静态漏源導通電阻(ID= -1.8A,VGS= -10V)
RDS(ON)
—
—
+100
200
250
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID= -1.4A,VGS= -4.5V) RDS(ON)
—
240
300
Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS= -25V,f=1MHz)
dcdc肖特基参数选择
dcdc肖特基参数选择DC/DC升压转换器通常使用肖特基二极管作为有源整流器，以提高转换效率和减小开关损耗。
在选择肖特基二极管的参数时，需要考虑一系列因素，如额定电压、工作频率、反向恢复时间等。
以下是对肖特基二极管参数选择的详细讨论：1. 额定电压（VRRM）：肖特基二极管的额定电压应考虑到工作电压的峰值，一般选择比工作电压稍高的额定电压。
这是为了确保安全裕度，避免电压过高超过二极管的额定电压而损坏。
2. 工作频率：工作频率对肖特基二极管的选择也有一定影响。
肖特基二极管具有较快的开关速度和反向恢复时间，适合高频应用。
因此，在高频应用中，需要选择具有较短反向恢复时间的肖特基二极管。
3. 反向恢复时间（trr）：反向恢复时间是指二极管从导通状态转变为关断状态所需的时间。
较短的反向恢复时间意味着二极管能够更快地恢复被关闭时的状态，有利于减小反向恢复电流和功耗。
在高频应用中，需要选择具有较短反向恢复时间的肖特基二极管。
4. 正向压降（VF）：正向压降表示二极管正向导通时的压降，对转换效率有一定影响。
较低的正向压降有利于减小转换过程中的功耗。
因此，在选择肖特基二极管时，需要考虑较低的正向压降。
5. 电流容量：电流容量表示肖特基二极管能够承受的最大电流。
在选择肖特基二极管时，需要根据具体应用需求选择合适的电流容量，以确保二极管能够正常工作。
综上所述，选择肖特基二极管的参数可以根据应用的具体需求而定。
一般来说，需要考虑额定电压、工作频率、反向恢复时间、正向压降和电流容量等因素。
选择合适的肖特基二极管参数可以提高转换效率，减小功耗，从而实现更高性能的DC/DC升压转换器设计。
肖特基二极管应用选择
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。
介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。
对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。
最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。
本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
贴片肖特基二极管常见型号
贴片肖特基二极管常见型号
贴片肖特基二极管是一种常用的小型的二极管，它们在电子行业中的应用非常
普遍，它们的封装形式相对于普通的二极管更加紧凑，可以节省空间。
下面我们来看看贴片肖特基二极管一些常见型号。
首先，BJT系列贴片肖特基二极管，它们紧凑型的设计具有象芯片一样的封装，使其具有良好的耐热性及耐腐蚀性，具有较高的耐电压能力，经常用于控制电源。
常见型号有BC547、BC548和BC549，它们具有良好的导通性和抗干扰能力。
其次，PNP系列贴片肖特基二极管，它具有高可靠性和良好的稳定性，可以用
于模拟信号处理和放大，它们的信号噪声及纹波电压也比较低。
常见型号是2SB54、2SB55、2SB56，它们可以用于模拟视频信号的输入和处理，同时可以兼容CMOS芯片。
最后，NMOSFET系列贴片肖特基二极管，它具有良好的高压和热稳定性，经常
用于高速电路中。
常见型号有IRF 4905、IRF5305和IRF 5705，它们可以用于频
繁转换的输出电路和高速电路中，同时还具有良好的功率效率。
总之，贴片肖特基二极管具有高效性、稳定性及耐热性等特点，有其独特的优势。
不同类型的贴片肖特基二极管都用在各种电子设备中，发挥着不可替代的作用。
常用肖特基二极管参数
常用肖特基二极管参数型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.140 0.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 40.32BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.5010MQ060N IR SMA 0.7790 0.6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9610BQ015 IR SMB 1.0015 0.34SS12 GS DO214 1.0020 0.50MBRS130LT3 ON - 1.0030 0.3910BQ040 IR SMB 1.0040 0.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55SS14 GS DO214 1.0040 0.5MBRS140T3 ON - 1.0040 0.10BQ060 IR SMB 1.0060 0.57SS16 GS DO214 1.0060 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.7040 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 450.4530BQ015 IR SMC 3.0015 0.3530BQ040 IR SMC 3.0040 0.5130BQ060 IR SMC 3.0060 0.5830BQ100 IR SMC 3.00100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.0040 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 400.45MBRS360T3 ON - 3.0060 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.3040 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAKpr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.50 1N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00 MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.00 11DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.0040 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.0020 3.00SS34 GS DO214 3.0040 0.5031DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.0040 0.5750SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.5035 0.84MBR745 GS TO220 7.5045 0.84MBR745 IR TO220 7.5045 0.8480SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.0080 0.728TQ100 TO220 8.00 100 0.7280SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 3 5 0.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 6001.7095SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.0045 0.57MBR1035 GS TO220 10.0035 0.84MBR1045 ON TO220 10.0045 0.84STPS1045F ON ISO220 10.00 450.64MBR2060CT ON TO220 10.00 600.85MBR1060 ON TO220 10.0060 0.95PBYR10100 PS TO220 10.00 10 0 0.7010TQ040 IR TO220 10.0040 0.57MBR1045 IR TO220 10.0045 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 15 0 0.7340L15CTS IR D2pak 10.00150 0.4185CNQ015A IR D61 80.0015 0.32150K40A IR D08 150.00400 1.3312CTQ040 IR TO220 12.00 450.73MBR1545CT IR TO220pr 15.00 45 0.72MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.7516CTQ080 IR TO220pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 1000.7218TQ045 ON TO220 18.0045 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 12003.00MBR1645 IR TO220AC 16.00 450.6319CTQ015 IR TO220 19.00 150.3620CTQ045 IR TO220pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.0045 0.57MBR2045CT IR TO220pr 20.00 45 0.84MBR2090CT IR TO220pr 20.00 90 0.80MBR20100CT IR TO220pr 20.00 100 0.80MBR20100CT-1IR TO262 20.00 1000.80MBR2080CT IR TO220AB 20.00 800.85MBR2545CT IR TO220AB 30.00 450.82MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220pr 30.00 30 0.4932CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 300.4930CPQ060 IR TO220pr 30.00 60 0.6230CPQ080 IR TO247AC 30.00 800.8630CPQ100 IR TO247pr 30.00 100 0.8630CPQ150 IR TO247pr 30.00 150 1.0040CPQ040 IR TO247pr 40.00 40 0.4940CPQ045 IR TO247pr 40.00 45 0.4940CPQ050 IR TO247AA 40.00 500.5340CPQ100 IR TO247pr 40.00 100 0.7740L15CT IR TO220AB 40.00 150.5347CTQ020 IR TO220 40.00 200.3448CTQ060 IR TO220 40.00 600.5840L15CW IR TO247 40.0015 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 300.3840CTQ045 IR TO220 40.00 450.6840L45CW IR TO247 40.0045 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 600.68MBR4045WT IR TO247 40.00 450.59MBR4060WT IR TO247 40.00 600.7743CTQ100 IR TO220 40.00 10 0 0.9852CPQ030 IR TO247 50.0030 0.38MBR6045WT IR TO247pr 60.00 450.73STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 450.8465PQ015 IR TO247 65.0015 0.5072CPQ030 IR TO247AC 70.00 300.5185CNQ015 IR D61 80.0015 0.3283CNQ100 IR D61 80.00100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.0020 0.3282CNQ030A IR D61 80.0030 0.3782CNQ045A IR D61 80.0045 0.4783CNQ100A IR D61 80.00100 0.67120NQ045 IR HALFPAK 120.00 450.52125NQ015 IR D67 120.0015 0.33122NQ030 IR D67 120.0030 0.41STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 450.95182NQ030 IR D67 180.0030 0.41200CNQ040 IR TO244AB 200.00 400.54200CNQ045 IR TO244AB 200.00 450.54200CNQ030 IR TO244AB 200.00 300.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 450.91203CMQ080 IR TO244 200.00 8 0 1.03240NQ045 IR HALFPAK 240.00 450.55301CNQ045 IR TO244 300.00 4 5 0.59403CNQ100 IR TO244AB 400.00 1000.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 300.41（注：素材和资料部分来自网络，供参考。
AO4435(DT4435)场效应管MOS原厂DCY品牌推荐
-30
V
11.0
15.0
mΩ
16.0
22.0
-1
-1.4
-3
V
-1
uA
± 100
nA
21
S
Total Gate Charge 栅极总电荷 Gate-Source Charge 栅-源极电荷 Gate-Drain Charge 栅-漏极电荷 Turn-On Delay Time 导通延迟时间 Turn-On Rise Time 导通上升时间 Turn-Off Delay Time 关断延迟时间 Turn-Off Fall Time 关断下降时间 Input Capacitance 输入电容 Output Capacitance 输出电容 Reverse Transfer Capacitance 反向传输电容 Source-Drain Diode 源漏二极管参数
0.49
1.35
1.75
0.375 REF. 45°
1.27 TYP.
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted) 25 oC 极限参数和热特性
Parameter 极限参数
Symbol 符号
TA = 25oC TA = 75oC
Operating Junction and Storage Temperature Range 使用及储存温度
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) 结环热阻
ID IDM
PD
TJ, Tstg RθJA
肖特基二极管作用及型号
肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
一、肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B →A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极（阻档层）金属材料是钼。
二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表（原创版）目录1.肖特基二极管的概念与特点2.肖特基二极管的参数表及其含义3.肖特基二极管的应用领域4.肖特基二极管的发展前景正文一、肖特基二极管的概念与特点肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种金属与半导体接触的电子器件。
它具有很高的工作速度、较低的正向电压和较大的反向电流。
肖特基二极管的这些特性使其在电子设备中具有广泛的应用。
二、肖特基二极管的参数表及其含义肖特基二极管的参数表包括以下几个主要参数：1.最大重复峰值反向电压（VRRM）：表示肖特基二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。
2.最大直流闭锁电压（VDC）：表示肖特基二极管在最大直流电压下能够正常工作的电压值。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。
3.最大正向平均整流电流（I(AV)）：表示肖特基二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为 10.0A。
4.最大瞬时正向电压（VF）：表示肖特基二极管在最大正向电流下能够承受的瞬时正向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。
5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流（IR）：表示肖特基二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 在最大直流阻断电压 TA25 下为0.1mA，在最大直流阻断电压 TA125 下为 20.0mA。
6.工作温度和存储温度范围（TJ,TSTG）：表示肖特基二极管能够正常工作的温度范围。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的工作温度和存储温度范围为 -65to 175。
三、肖特基二极管的应用领域肖特基二极管广泛应用于各种电子设备中，如电源开关、稳压器、充电器、电视机、收音机等。
其高速开关特性使得肖特基二极管在高频应用领域具有优势。
常用肖特基二极管参数
常用肖特基二极管参数型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.140 0.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 40.32BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.5010MQ060N IR SMA 0.7790 0.6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9610BQ015 IR SMB 1.0015 0.34SS12 GS DO214 1.0020 0.50MBRS130LT3 ON - 1.0030 0.3910BQ040 IR SMB 1.0040 0.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55SS14 GS DO214 1.0040 0.5MBRS140T3 ON - 1.0040 0.10BQ060 IR SMB 1.0060 0.57SS16 GS DO214 1.0060 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.7040 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 450.4530BQ015 IR SMC 3.0015 0.3530BQ040 IR SMC 3.0040 0.5130BQ060 IR SMC 3.0060 0.5830BQ100 IR SMC 3.00100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 4 0 0.84MBRS340T3 ON - 3.0040 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 400.45MBRS360T3 ON - 3.0060 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAKpr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.50 1N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00 MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.00 11DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.55 11DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.0040 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.0020 3.00SS34 GS DO214 3.0040 0.5031DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.0040 0.5750SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84MBR745 IR TO220 7.50 45 0.8480SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.0080 0.728TQ100 TO220 8.00 100 0.7280SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 3 5 0.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 6001.7095SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.0045 0.57MBR1035 GS TO220 10.0035 0.84MBR1045 ON TO220 10.00STPS1045F ON ISO220 10.00 450.64MBR2060CT ON TO220 10.00 600.85MBR1060 ON TO220 10.0060 0.95PBYR10100 PS TO220 10.00 10 0 0.7010TQ040 IR TO220 10.0040 0.57MBR1045 IR TO220 10.0045 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 15 0 0.7340L15CTS IR D2pak 10.0085CNQ015A IR D61 80.0015 0.32150K40A IR D08 150.00400 1.3312CTQ040 IR TO220 12.00 450.73MBR1545CT IR TO220pr 15.00 45 0.72MBR1660 GS TO220 16.0060 0.7516CTQ080 IR TO220pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 1000.7218TQ045 ON TO220 18.0045 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 12003.00MBR1645 IR TO220AC 16.00 450.6319CTQ015 IR TO220 19.00 150.3620CTQ045 IR TO220pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.0045 0.57MBR2045CT IR TO220pr 20.00 45 0.84MBR2090CT IR TO220pr 20.00 90 0.80MBR20100CT IR TO220pr 20.00 100 0.80MBR20100CT-1IR TO262 20.00 1000.80MBR2080CT IR TO220AB 20.00 800.85MBR2545CT IR TO220AB 30.00 450.82MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220pr 30.00 30 0.4932CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 300.4930CPQ060 IR TO220pr 30.00 60 0.6230CPQ080 IR TO247AC 30.00 800.8630CPQ100 IR TO247pr 30.00 100 0.8630CPQ150 IR TO247pr 30.00 150 1.0040CPQ040 IR TO247pr 40.00 40 0.4940CPQ045 IR TO247pr 40.00 45 0.4940CPQ050 IR TO247AA 40.00 500.5340CPQ100 IR TO247pr 40.00 100 0.7740L15CT IR TO220AB 40.00 150.5347CTQ020 IR TO220 40.00 200.3448CTQ060 IR TO220 40.00 600.5840L15CW IR TO247 40.0015 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 300.3840CTQ045 IR TO220 40.00 450.6840L45CW IR TO247 40.0045 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 600.68MBR4045WT IR TO247 40.00 450.59MBR4060WT IR TO247 40.00 600.7743CTQ100 IR TO220 40.00 10 0 0.9852CPQ030 IR TO247 50.0030 0.38MBR6045WT IR TO247pr 60.00 450.73STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 450.8465PQ015 IR TO247 65.0015 0.5072CPQ030 IR TO247AC 70.00 300.5185CNQ015 IR D61 80.0015 0.3283CNQ100 IR D61 80.00100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.0020 0.3282CNQ030A IR D61 80.0030 0.3782CNQ045A IR D61 80.0045 0.4783CNQ100A IR D61 80.00100 0.67120NQ045 IR HALFPAK 120.00 450.52125NQ015 IR D67 120.0015 0.33122NQ030 IR D67 120.0030 0.41STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 450.95182NQ030 IR D67 180.0030 0.41200CNQ040 IR TO244AB 200.00 400.54200CNQ045 IR TO244AB 200.00 450.54200CNQ030 IR TO244AB 200.00 300.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 450.91203CMQ080 IR TO244 200.00 8 0 1.03240NQ045 IR HALFPAK 240.00 450.55301CNQ045 IR TO244 300.00 4 5 0.59403CNQ100 IR TO244AB 400.00 1000.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 300.41。
常用二三极管品牌
常用二三极管品牌一、引言二三极管是电子元器件中常见的一种，广泛应用于电子电路中的开关、放大和稳压等功能。
在市场上，有许多不同品牌的二三极管可供选择。
本文将介绍几个常用的二三极管品牌，包括其特点、性能参数和适用领域等方面的内容。
二、二三极管品牌一：ABC电子ABC电子是一家知名的电子元器件制造商，其二三极管产品系列广泛应用于各个领域。
该品牌的二三极管具有以下特点：1. 高可靠性：ABC电子的二三极管经过严格的质量控制，具有稳定可靠的性能，可满足各种工作环境的要求。
2. 多样化选择：ABC电子提供多种不同封装和功率等级的二三极管，以满足不同应用的需求。
3. 良好的性价比：ABC电子的二三极管价格合理，性能优越，具有良好的性价比。
三、二三极管品牌二：XYZ半导体XYZ半导体是全球领先的半导体制造商，其二三极管产品在市场上享有很高的声誉。
以下是XYZ半导体二三极管的特点：1. 高性能：XYZ半导体的二三极管具有低漏电流、高频响应和低噪声等优点，适用于高性能电子设备。
2. 多种封装：XYZ半导体提供多种封装形式的二三极管，包括SOT-23、TO-92等，以适应不同的应用场景。
3. 先进工艺：XYZ半导体采用先进的制造工艺，保证产品的质量和可靠性。
四、二三极管品牌三：DEF电子DEF电子是一家专注于二三极管研发和制造的公司，其产品在市场上备受好评。
DEF电子的二三极管具有以下特点：1. 低功耗：DEF电子的二三极管具有低功耗的特点，适用于需要节能的电子设备。
2. 高温工作：DEF电子的二三极管能够在高温环境下稳定工作，适用于特殊工况下的应用。
3. 小尺寸：DEF电子的二三极管封装小巧，适合于紧凑型电子设备的应用。
五、二三极管品牌四：LMN半导体LMN半导体是一家专业生产高性能二三极管的公司，其产品在电子行业中广泛应用。
以下是LMN半导体二三极管的特点：1. 高频响应：LMN半导体的二三极管具有高频响应特性，适用于高频信号处理和放大。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
SS32 ...... SS310
表面安装肖特基二极管
反向电压 20 ---100 V
正向电流 3.0 A
极限值和温度特性
TA = 25℃ 除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Reverse Voltage 20 to 100 V
Forward Current 3.0 A
SMA DO-214AC
.110(2.79)
.086(2.18)
.067(1.70)
.051(1.29)
.180(4.57)
.160(4.06)
.012(0.305)
.006(0.152)
.209(5.31)
.185(4.70)
.059(1.50)
.035(0.89)
Unit：inch（mm）
.091(2.31)
.067(1.70)
.008(0.203)
.004(0.102)
·正向压降低。Low Forward Voltage Drop
·大电流承受能力。High Current Capability
·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:
250
℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度。
250℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
·引线可承受5 磅 (2.3kg) 拉力。 5 lbs. (2.3kg) tension
机械数据 Mechanical Data
·端子: 镀锡轴向引线 Terminals: Plated axial leads
·极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end
·安装位置: 任意 Mounting Position: Any
特征 Features
SS323.01000.57520140.550.8560VV℃AVAmA℃//WpF单位UnitVVR(RMS)最大正向平均整流电流 最大峰值反向电压最大反向有效值电压 -50 --- +150 VRRMIFM最大正向电压降 @IF =3.0AVF正向峰值浪涌电流 8.3mS单一正弦半波IFSM最大反向漏电流IR典型热阻工作温度和存储温度RθJATj, TSTG典型结电容 VR = 4.0V f = 1.0MHzCj@TA = 25℃Maximum repetitive peak reverse voltageMaximum RMS voltage最大直流阻断电压Maximum DC blocking voltageMaximum average forward rectified currentMaximum forward voltagePeak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave Maximum reverse currentTypical thermal resistanceOperating junction and storage temperature rangeType junction capacitance符号SymbolsVDC20SS33SS34SS35SS36SS38SS310
30
213040284050355060426080568010070
100
0.7
WWW.DCY-CHINA.NET
正
向
电
流
I
F
(
A
)
正向特性曲线（典型值）正向电压 VF(V)环境温度 Ta(°C)通过电流的周期峰值正向浪涌电流 IFSM(A)平均正向电流 IF(AV) (A)浪涌特性曲线（最大值）TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICFORWARD CURRENT DERATING CURVEIF Instantaneous Forward Current (A)VF Instantaneous Forward Voltage (V)Tamb, ambient temperature (°C)IF(A) Average Forward Rectified Current (A)MAXIMUM NON REPETITIVEPEAK FORWARD SURGE CURRENTNumber of Cycles at 60 Hz.IFSM Peak Forward Surge Current (A)正向电流降额曲线
0.01
0.1
1
10
50
00.61.21.6
0255075100125150175
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1246102040100
80
60
40
20
0
100
峰值反向电压百分比(%)
TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
Percent Of Peak Reverse Voltage,%
I
R
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
R
e
v
e
r
s
e
C
u
r
r
e
n
t
(
µ
A
)
反向特性曲线(典型值)
反
向
电
流
I
R
(
μ
A
)
0.001
0.01
0.1
10
801400TJ=125°CTJ=25°C204060100120
1.00.20.81.40.4
SS32 ...... SS310
特性曲线 Characteristic Curves
TJ=75°C
1
20
SS32-SS34
SS35-SS36
SS38-SS310
WWW.DCY-CHINA.NET