正激电路的几种磁芯复位方法

摘要：本文分析了正激电路的基本结构，并用不同的方法对正激电路拓补结构进行分类和比较，讨论了软开关技术在正激电路中的应用和发展前景，最后，通过比较，得出正激电路拓补结构的研究方向。

在各种间接直流变流电路中，正激DC/DC变换器具有电路拓补结构简单，输入输出电气隔离，电压升、降范围宽，易于多路输出等优点，因此被广泛应用于中小功率电源变换场合，尤其在供电电源要求低电压大电流的通讯和计算机系统中，正激电路更能显示其优势。但是在开关关断期间，高频变压器必须磁芯复位，以防变压器铁心饱和，因此必须采用专门的磁复位电路。正是由于磁复位技术的多样性，以及软开关技术的发展，导致正激电路拓补结构的多样性。随着电力电子技术的发展，各种新的正激电路拓补结构不断出现，不同的拓补结构已有二十余种。本文详细阐述了正激电路拓补结构的分类，结构比较，和应用场合，并且分析了软开关技术在正激电路中的应用。

典型的单开关正激电路如图1所示。

电路的简单工作过程为：开关管S开通后，变压器原边电压上正下负，根据同名端，负边电压也为上正下负，因此二极管D1导通，D2截止，电感电流逐渐增长;S关断后，二极管D2导通，D1截止，电感电流通过D2续流。变压器的励磁电流通过磁复位电路降为零，防止磁芯饱和。

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图1 正激电路的原理图

3. 各种拓补结构的分类及比较

正激电路拓补结构多种多样，大致可以这样分类：根据驱动管子个数，可分为单管正激，双管正激;根据磁芯复位技术的不同，可分为辅助磁通绕组复位，LCD缓冲网络复位，RCD箝位复位，有源箝位复位;根据拓补结构的形式不同，可分为单个变换器和串、并组合变换器。

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图2 双管正激电路原理图

单管正激在S关断后，开关管承受的电压高于电源电压，双管正激由于有两个开关管，每个开关管承受的关断电压只有单管的一半，因此电压应力大大减小。双管正激电路有很多有点：主管的电压应力小，电路简单，控制方便，电路的动态性能好，可靠性高，不存在桥臂直通，拓宽了电路的功率等级。但是与单管正激相比双管正激因为有两个管子，需要两套驱动装置，因此它的这些有点是以电路复杂性为代价的。

3.2 磁芯复位电路

目前，正激电路磁芯复位技术主要有：辅助磁通绕组复位，LCD箝位复位，RCD箝位复位，有源箝位复位。

辅助磁通绕组复位是一种传统的磁芯复位方法，电路原理图如图3所示，它增加了一个附加线圈，在开关管关断的时候，磁化能量通过辅助磁通绕组回馈到电源，磁化能量无损。但是变压器需要增加一附加线圈，绕制难度加大，同时体积也增大，而且，开关关断后，变压器的漏感将导致大的关断尖峰电压，需要附加抑止尖峰电压电路。占空比不能超过0.5，不适合大功率输出场合。

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图3 辅助磁通绕组复位电路

RCD箝位复位电路原理图如图4所示。开关管关断后，磁化能量一部分转移到开关管并联电容Cs中，一部分消耗在箝位电阻R上。与辅助磁通绕组复位相比，RCD箝位复位电路结构简单，开关管关断电压箝位在Uc+Uin，不会出现尖峰电压，且占空比可以大于0.5，输入电压范围可以很宽。它的缺点是大部分磁化能量消耗在箝位电阻R中，因此适合于廉价、效率要求不太高的功率变换场合。

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图4 RCD箝位复位电路

LCD缓冲网络复位电路原理图如图5所示。开关管关断后，磁化能量存储在箝位电容Cc中，开关管关断电压箝位在2Uin，Lc中能量无损地回馈到电源。LCD箝位复位电路结构简单，开关管关断电压箝位固定，避免了尖峰电压;而且不存在耗能元件，属于无损复位，提高了电路变换效率;而且电路地可靠性高，通过选取适合地箝位电路元件值，可以保证电路工作在较宽地负载范围内，且箝位电容Cc的电压值、电感Lc的电流峰值不改变。占空比最大为0.5，输入电压范围受限，因此适合于中等功率高效变换场合。

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图5 LCD缓冲网络复位电路

目前正激变换器也趋向于使用软开关技术，但是开关器件的开通和关断并没有完全实现软开关，主开关和辅助开关没有同时实现软开关，或者其零电压开通和关断很大程度上依赖于电路参数和负载特性。

6. 预期的研究方向

目前，正激电路拓补结构的研究比较成熟，各种电路拓补结构似乎也很完备，因此它的一个发展方向就是顺应集成电路的发展，向少元件、少损耗、少EMI、小型化、轻型化的方向发展;另外，研制满足微电子系统的低电压、大电流要求的变换器，以及运用组合变换方式，研制满足高电压、大电流应用场合的高效、高可靠性变换器也是一个发展方向。