电力电子技术试卷及答案-第二章
【精品】电力电子技术课后习题答案(第2—5章)
第2章整流电路2.2图2-8为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁化问题吗?试说明:晶闸管承受的最大反向电压为22U2;当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化问题。
因为单相全波可控整流电路变压器二次侧绕组中，在正负半周上下绕组中的电流方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不存在直流磁化的问题。
以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。
①以晶闸管VT2为例。
当VT1导通时，晶闸管VT2通过VT1与2个变压器二次绕组并联，所以VT2承受的最大电压为22U2。
②当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角 相同时，对于电阻负载：(O~α)期间无晶闸管导通，输出电压为0；(α~π)期间,单相全波电路中VT1导通，单相全控桥电路中VTl 、VT4导通，输出电压均与电源电压U 2相等；(π~απ+)期间均无晶闸管导通，输出电压为0；(απ+~2π)期间，单相全波电路中VT2导通，单相全控桥电路中VT2、VT3导通，输出电压等于－U 2。
对于电感负载：(α~απ+)期间，单相全波电路中VTl 导通，单相全控桥电路中VTl 、VT4导通，输出电压均与电源电压U2相等；(απ+~2απ+)期间，单相全波电路中VT2导通，单相全控桥电路中VT2、VT3导通，输出波形等于-U2。
可见，两者的输出电压相同，加到同样的负载上时，则输出电流也相同。
2.3.单相桥式全控整流电路，U 2=100V ，负载中R=20Ω，L 值极大，当α=︒30时，要求：①作出U d 、I d 、和I 2的波形；②求整流输出平均电压U d 、电流I d ，变压器二次电流有效值I 2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解：①Ud 、Id、和I2的波形如下图：②输出平均电压Ud、电流I d 、变压器二次电流有效值I2分别为：Ud=0.9U2cosα=0.9×100×cos︒30＝77.97（V）Id＝Ud/R=77.97/2=38.99(A)I2=Id=38.99(A)③晶闸管承受的最大反向电压为：2U2=1002=141.4(V)-考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为：U=(2~3)×141.4=283~424(V)N具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
电力电子技术 徐德鸿版 习题解答
+
1 × U d D(1 −
2
fL
D)
= 15A
（3）增加 L 可以使 ΔI 下降
I VTm = 110%I 0 = 11A
1 ΔI = 11 −10 = 1A 2 L=500μH
1 × U d D(1 − D) = 1A
2
fL
2、Boost 电路如图 2.17 所示，设输入电压为 100V，电感 L 是 1000μH，电 容 C无穷大，输出接 10Ω 的电阻，电路工作频率 50kHz,MOSFET 的导通占 空比为0.5，求：（1）输出直流电压 Uo，输出直流电流 Io；
（2）电感电流平均值 IL； （3）MOSFET 阻断时的电压。
解：（1）U o
=
Ud 1− D
=
200V
I o= U o / R = 20A
（2） I L
=
I in
=
Io 1− D
=
40A
（3）U VTm = U o = 200V
1
3、设有两组蓄电池，A 组电压为 100V，B 组电压为 200V，用 Buck 电路和 Boost 电路组合设计一种电路，以完成既能由 A 组蓄电池向 B 组蓄电池充电，又能由 B 组蓄电池向 A 组蓄电池充电的功能。
解：（1）占空比范围
Uo < D < Uo
U dmax
U dmin
得：
0.25 < D < 0.5
（2）电感电流临界连续时，有
I omin
=
1 2
ΔI
L
=
5 10
=
0.2A
开关关断期间，有
L = U o (1 − D)T = U o (1 − D)T
电力电子技术_复习题答案
电⼒电⼦技术_复习题答案第⼆章：1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过⼤，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过⼤，会导致晶闸管_损坏__。
2.⽬前常⽤的具有⾃关断能⼒的电⼒电⼦元件有电⼒晶体管、可关断晶闸管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管⼏种。
简述晶闸管的正向伏安特性？答: 晶闸管的伏安特性正向特性当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很⼩的正向漏电流流过。
如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增⼤，器件开通。
随着门极电流幅值的增⼤，正向转折电压降低，晶闸管本⾝的压降很⼩，在1V左右。
如果门极电流为零，并且阳极电流降⾄接近于零的某⼀数值IH以下，则晶闸管⼜回到正向阻断状态，IH称为维持电流。
3.使晶闸管导通的条件是什么?答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
4.在如下器件：电⼒⼆极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电⼒晶体管（GTR）、电⼒场效应管（电⼒MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于半控型器件的是 SCR 。
5.晶闸管的擎住电流I L答：晶闸管刚从断态转⼊通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最⼩电流。
6.晶闸管通态平均电流I T(AV)答：晶闸管在环境温度为40 C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最⼤⼯频正弦半波电流的平均值。
标称其额定电流的参数。
7.晶闸管的控制⾓α（移相⾓）答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲⽌的电⾓度,⽤a表⽰,也称触发⾓或控制⾓。
8.常⽤电⼒电⼦器件有哪些？答：不可控器件：电⼒⼆极管。
半控型器件：晶闸管。
全控型器件：绝缘栅双极晶体管IGBT，电⼒场效应晶体管（电⼒MOSFET），门极可关断晶闸管（GTO），电⼒晶体管。
《电力电子技术》课后答案
第二章 电力电子器件2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：u AK >0且u GK >0。
3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
4. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I π4π4π25π4a)b)c)图1-43图1-43 晶闸管导电波形解：a)I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I mI 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2mI π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22m I π2143+≈0.6741I m c)I d3=π21⎰20)(πωt d I m =41 I mI 3 =⎰22)(21πωπt d I m =21 I m5. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A ，由上题计算结果知a) I m1≈4767.0I≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48b)I m2≈6741.0I ≈232.90,I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314,I d3=41 I m3=78.56. GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？答：GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P 1N 1P 2和N 1P 2N 2构成两个晶体管V 1、V 2,分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶闸管的分析可得，1α+2α=1是器件临界导通的条件。
电力电子技术题库
电力电子技术题库 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】南通大学电气工程学院电力电子技术题库第二章电力电子器件一、填空题1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。
若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。
（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。
）2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。
3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。
所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。
二、判断题1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
（√）2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（×）3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。
（×）4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。
（√）5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。
（×）6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。
（×）7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。
（√）8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
（×）9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
（×）10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。
（√）三、选择题1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。
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南通大学电气工程学院电力电子技术题库第二章电力电子器件一、填空题1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。
若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。
（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。
）2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。
3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。
所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。
二、判断题1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
（√）2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（×）3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。
（×）4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。
（√）5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。
（×）6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。
（×）7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。
（√）8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
（×）9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
（×）10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。
（√）三、选择题1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。
A、普通晶闸管B、整流二极管C、逆导晶闸管D、大功率晶体管E、绝缘栅场效应晶体管F、达林顿复合管G、双向晶闸管H、肖特基二极管I、可关断晶闸管J、绝缘栅极双极型晶体管K、MOS 控制晶闸管L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。
第二章答案
2-11 U d=1.17U2cosα,α=30°时,U2=217.1VI2=U2R�13+√34π∙cos2α=250.4AS2=3U2I2≈163.1K∙VA；定额:U FM=√2U2=532V,I T(AV)=I21.57=159.5A.α=0°时，U2=188VI2=U2R�13+√34π∙cos2α=234.6AS2=3U2I2≈132.3K∙VA定额：U FM=√6U2=460.5V,I T(AV)=I21.57=149.4A.2-12 U d=1.17U2cosα=64.35V(1) I d=U d−E R=2.29AI d(有效)=I d=2.29A;(2)I a=1√3I d(有效)=1.32A；(3)波形图参考赵莉华老师编写的《电力电子技术》P732-15 ωL≫R(1) U d=2.34U2cosα,U d=0~220V,不考虑控制裕量即α=0°，解得U2=94V,。
(2) I d=U d R=2204=55A流过晶闸管电流有效值I VT：考虑2倍裕量，晶闸管的额定电流，额定电压为：I VT=�13I d=31.74A,I T(AV)=2×I VT1.57=40.45A,U FM=2√6U2=460V(3)变压器二次电流有效值：I2=�23I d=44.90A(4)变压器二次侧容量：S2=3U2I2=12.66K∙VA2-21 联立U d=1.17U2cosα−3X B I d2π, I d=U d−E R;解得：U d=94.63V, I d=44.63A. cosα−cos(α+γ)=2X B√6U2I d,γ=11.23°2-22(1) U d=2.34U2cosα=257.4V;I d=U d−E R=57.4A;(2) 联立U d=2.34U2cosα−3X B I dπ, I d=U d−E R；解得：U d=244.2V, I d=44.2A.cosα−cos(α+γ)=2X B√6U2I d,γ=3.3°2-24 i =�0 0<ωωωω<π3,π<ωωωω<4ππ/3 10sin ωt π3<ωωωω<ππ,4π3<ωωωω<2ππ (1) a 3=1π∫icos3ωtd(ωt)2π0,b 3=1π∫isin3ωtd(ωt)2π0 (2) a 5=1π∫icos5ωtd(ωt)2π0,b 3=1π∫isin5ωtd(ωt)2π0 (3) a 7=1π∫icos7ωtd(ωt)2π0,b 3=1π∫isin7ωtd(ωt)2π0 (4) 将(1)式分别带入(2),(3),(4)式，分别求出：a 3=154π , b 3=−15√34π; a 5=154π , b 5=5√34π; a 7=−158π , b 7=5√38π; c n =�n 2+n 2(n=1,2,3⋯),带入以上数据得C 3=2.39,C 5=1.38,C 7=0.69;I n =c n /√2;带入已知数据得：I 3=1.69A,I 5=0.98A,I 7=0.49A. 2-27 U d =0.9U 2cos (π−β)−∆U d ,∆U d =2X B I d /π,I d =(U d −E)/R ； α=π−β,cos α−cos (α+γ)=√2I d X B /U 2. 通过上式求解：(1) 如果选择E=-99V ，则结果为：U d =-49.91V,I d =49.09A,γ=7.5°.(2) 如果选择E=99V ，则结果为：U d =-31.91V,I d =-130.91A,γ=−17.8°. 2-28 U d =2.34U 2cos (π−β)−∆U d ,∆U d =3X B I d /π,I d =(U d −E)/R ； α=π−β,cos α−cos (α+γ)=2I d X B /√6U 2.P =|E M I d |−I d 2R (1) 如果选择E=-400V ，则结果为：U d =-290.3V,I d =109.7A,γ=8.9°,P=31.9KW(2) 如果选择E=400V ，则结果为：U d =-105.7V,I d =-505.7A,γ=−35.1°,P=-53.5KW. 备注：由于个人计算习惯不同，得出的结果稍有偏差，重点注意计算方法。
电力电子技术试卷及答案
电力电子技术试卷及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子器件按控制方式可分为__________。
A. 晶闸管B. 功率晶体管C. 半控型器件D. 全控型器件答案：D2. 下面哪个不是电力电子变换装置的基本类型？A. 交流-直流变换B. 交流-交流变换C. 直流-交流变换D. 直流-直流变换答案：B3. 以下哪种电力电子器件属于全控型器件？A. 晶闸管B. GTOC. GTRD. IGBT答案：D4. 下面哪个不是电力电子技术的应用领域？A. 电力系统B. 交通运输C. 工业生产D. 家用电器答案：D5. 以下哪种电力电子变换器可以实现有源功率因数校正？A. 降压斩波器B. 升压斩波器C. 交错斩波器D. 无源功率因数校正器答案：B二、填空题（每题2分，共20分）6. 电力电子技术是利用__________来实现电能的高效转换与控制的技术。
答案：电力电子器件7. 电力电子器件按导电方式分为__________和__________两大类。
答案：双极型、单极型8. 电力电子变换装置的基本类型包括__________、__________、__________和__________。
答案：AC-DC变换、AC-AC变换、DC-AC变换、DC-DC变换9. 电力电子技术在电力系统中的应用主要包括__________、__________和__________。
答案：高压直流输电、柔性交流输电、电力系统保护10. IGBT是__________的缩写，它是一种__________型电力电子器件。
答案：绝缘栅双极型晶体管，全控型三、判断题（每题2分，共20分）11. 电力电子技术可以提高电力系统的稳定性和可靠性。
（）答案：正确12. 电力电子器件的开关频率比传统电力电子器件高。
（）答案：正确13. 电力电子技术在交通运输领域的应用可以提高能源利用率。
（）答案：正确14. 晶闸管属于半控型电力电子器件。
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电力电子技术试题(第二章)一、填空题1、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。
1、同步、时刻。
2、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
2、正弦波、锯齿波。
3、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。
3、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
4、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。
4、关断过电压。
5、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
5、硒堆、压敏电阻。
6、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。
6、快速熔断器。
7、晶闸管整流装置的功率因数定义为侧与之比。
7、交流、有功功率、视在功率8、晶闸管装置的容量愈大，则高次谐波，对电网的影响。
8、愈大，愈大。
9、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有补偿，最常用的方法是在负载侧。
9、无功功率；并联电容。
二、判断题对的用√表示、错的用×表示（每小题1分、共10分）1、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。
（√）2、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。
（×）3、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。
（×）4、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。
（×）5、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。
（√）6、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。
（×）7、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（√）8、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。
（×）9、在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。
（×）10、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
（√）11、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。
（√）12、采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性较差。
（√）13、正弦波移相触发电路不会受电网电压的影响。
（×）14、对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。
（√）15、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线方式来实现的（√）16、晶闸管装置的容量愈大，对电网的影响就愈小。
（×）三、单项选择题把正确答案的番号填在括号内（每小题1分，共10分）1、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（B）。
A 三相的大，B 单相的大，C一样大。
2、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（B）。
A 三极管，B 续流二极管，C 保险丝。
3、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。
A 电阻性，B 电感性，C 反电动势。
4、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性（C）。
A 一样，B 要硬一些，C 要软一些。
5、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（A）负载。
A 大电流，B 高电压，C 电动机。
6、晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。
A 愈大，B 愈小，C 不变7、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C）。
A 分流，B 降压，C 过电压保护，D 过电流保护。
8、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C）。
A 分流，B 降压，C 过电压保护，D 过电流保护。
9、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。
A 关断过电压，B 交流侧操作过电压，C 交流侧浪涌。
10、晶闸管变流装置的功率因数比较（B）。
A 高，B 低，C 好。
11、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，变流器输出电流是（B）的。
A 连续，B 断续，C 不变。
12、脉冲变压器传递的是（C）电压。
A 直流，B 正弦波，C 脉冲波。
13、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。
A 有效值B 最大赛值C 平均值14、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（A）晶闸管。
A 一只，B 二只，C 三只，D 四只。
15、三相全控桥整流装置中一共用了（B）晶闸管。
A 三只，B 六只，C 九只。
16、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。
A 一个，B 两个，C 三个，D 四个。
17、若可控整流电路的功率大于4kW，宜采用（C）整流电路。
A 单相半波可控B 单相全波可控C 三相可控18、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（B）。
A 三相的大，B 单相的大，C一样大。
四、问答题（每小题6分，共计24分）1、对晶闸管的触发电路有哪些要求？答：为了让晶闸管变流器准确无误地工作要求触发电路送出的触发信号应有足够大的电压和功率；门极正向偏压愈小愈好；触发脉冲的前沿要陡、宽度应满足要求；要能满足主电路移相范围的要求；触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压取得同步。
2、正确使用晶闸管应该注意哪些事项？答：由于晶闸管的过电流、过电压承受能力比一般电机电器产品要小的多，使用中除了要采取必要的过电流、过电压等保护措施外，在选择晶闸管额定电压、电流时还应留有足够的安全余量。
另外，使用中的晶闸管时还应严格遵守规定要求。
此外，还要定期对设备进行维护，如清除灰尘、拧紧接触螺钉等。
严禁用兆欧表检查晶闸管的绝缘情况。
3、晶闸管整流电路中的脉冲变压器有什么作用？答：在晶闸管的触发电路采用脉冲变压器输出，可降低脉冲电压，增大输出的触发电流，还可以使触发电路与主电路在电气上隔离，既安全又可防止干扰，而且还可以通过脉冲变压器多个二次绕组进行脉冲分配，达到同时触发多个晶闸管的目地。
4、一般在电路中采用哪些措施来防止晶闸管产生误触发？答：为了防止晶闸管误导通，①晶闸管门极回路的导线应采用金属屏蔽线，而且金属屏蔽层应接“地”；②控制电路的走线应远离主电路，同时尽可能避开会产生干扰的器件；③触发电路的电源应采用静电屏蔽变压器。
同步变压器也应采用有静电屏蔽的，必要时在同步电压输入端加阻容滤波移相环节，以消除电网高频干扰；④应选用触发电流稍大的晶闸管；⑤在晶闸管的门极与阴极之间并接0.01μF～0.1μF的小电容，可以有效地吸收高频干扰；⑥采用触发电流大的晶闸管。
6、晶闸管的过电流保护常用哪几种保护方式？其中哪一种保护通常是用来作为“最后一道保护”用？答：晶闸管的过电流保护常用快速熔断器保护；过电流继电器保护；限流与脉冲移相保护和直流快速开关过电流保护等措施进行。
其中快速熔断器过电流保护通常是用来作为“最后一道保护”用的。
7、对晶闸管的触发电路有哪些要求？8、晶闸管整流装置对电网的不良影响有哪些？用什么办法可以抑制或减小这些影响？计算题（每小题10分，共计20分）1、已知三相半波可控整流电路大电感负载，电感内阻为2Ω，变压器二次相电压220V，试求当α= 60°时，不接续流二极管与接续流二极管两种情况时的负载两端电压平均值、流过每只晶闸管电流的有效值，并选择晶闸管的型号（电流电压安全余量为2）解：2、直流电动机由三相半波可控整流电路供电，整流变压器二次相电压为110V，每相绕组漏抗、绕组电阻折算到二次侧分别为100μH与0.02Ω，直流侧负载额定电流为15A。
求换相压降ΔU d、整流变压器等效内阻R i以及α=60°时的换相重叠角γ，并列出α=60°时的负载特性方程。
（P81）解：3、单相全控桥式整流电路带大电感负载时，若已知U2=220V。
负载电阻R d=10Ω，求α=60°时，电源供给的有功功率、视在功率以及功率因数为多少？（P=980.1W,S=2.178V A,cosφ=0.45）（P160）解：4、 单相交流调压电路，其中U 2为工频交流电，L=5.516mH ，R=1Ω，求：⑴控制角的移相范围；⑵负载电流最大有效值。
解：ω=2πf=2×3.14×50=314φ=arctg RLω =arctg 110516.53143-⨯⨯=P183第4题11、一台220V 、10kW 的电炉，采用晶闸管单相交流调压，现使其工作在5kW ，试求电路的控制角α的范围、工作电流及电源侧功率因数。
（P183第5题）12、采用双相晶闸管的交流调压器接三相电阻负载，如电源线电压为220V ，负载功率为10kW ，试计算流过双相晶闸管的最大电流，如使用反并联联接的普通晶闸管代替，则流过普通晶闸管的最大有效电流为多少。
（P184第9题）解：线电压为220V ，则相电压应为：3220= 127 V 流过双相晶闸管的最大电流为：310k÷ 127 = 26.24 A识、作图题 （10分）4、读出下列图形符号的名称并标出管脚符号。
5、画出下列半导体器件的图形符号并标明管脚代号。
①普通晶闸管；②单结晶体管；③逆导晶闸管；④可关断晶闸管；⑤功率晶体管；⑥功率场效应晶体管；⑦绝缘门极晶体管；⑧双向二极管；⑨双向晶闸管；⑩程控单结晶体管。
9、画一个具有完整保护措施，能正常工作的单相全控桥式晶闸管可控整流带大电感负载的主电路。