MOS管驱动电阻怎么选择
关于MOSFET驱动电阻值的计算
关于MOSFET驱动电阻值的计算MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，用于控制电流和电压。
在使用MOSFET时，为了保证其正常工作，需要通过驱动电路来控制其开关过程。
其中驱动电阻的选择对于MOSFET的性能和稳定性具有重要影响。
驱动电阻的作用是提供足够的电流来充放电MOSFET的栅极电容。
当MOSFET的栅极电压发生变化时，栅极电容需要从高电平充电到低电平或从低电平放电到高电平。
驱动电阻决定了栅极电压变化的速度和能量损耗。
过大的驱动电阻会导致栅极电压变化缓慢，影响开关速度和效率。
过小的驱动电阻则会导致大电流流过驱动电路，增加功耗和发热。
驱动电阻的计算涉及多个参数，包括MOSFET的栅极电容（Cgs）和栅极电压变化（ΔVgs）。
栅极电容是指MOSFET的栅极与源极之间的电容，通常在MOSFET的数据手册中可以找到。
栅极电压变化是指栅极电压从高电平变为低电平或从低电平变为高电平的差值。
首先，需要计算充放电时间。
充电时间可以通过以下公式计算：tcharge = 2.2 * Rg * Cgs其中tcharge为充电时间，Rg为驱动电阻的阻值，Cgs为栅极电容。
接下来，需要计算放电时间。
放电时间可以通过以下公式计算：tdischarge = 2.2 * Rg * Cgs * ln(Vgs_high/Vgs_low)其中tdischarge为放电时间，Vgs_high为栅极电压的高电平，Vgs_low为栅极电压的低电平，ln为自然对数。
总的开关时间可以通过以下公式计算：ts = tcharge + tdischarge其中ts为总的开关时间。
根据以上计算，可以根据所需的开关速度和栅极电容的数值来选择合适的驱动电阻。
通常情况下，驱动电阻的阻值应该在几百欧姆到几千欧姆之间。
除了开关速度，还需要考虑功耗和发热问题。
驱动电阻过小会导致大电流流过驱动电路，增加功耗和发热。
因此，在选择驱动电阻时，需要综合考虑开关速度、功耗和发热等因素。
mos管g极电阻选择
MOS 管 G 极电阻选择的影响因素在电源电路中，MOS 管 G 极串联电阻是一种常见的电路元件，它的作用是限制 G 极电流和抑制振荡。
本文将介绍 MOS 管 G 极电阻的选择方法及其影响因素。
下面是本店铺为大家精心编写的3篇《MOS 管 G 极电阻选择的影响因素》，供大家借鉴与参考，希望对大家有所帮助。
《MOS 管 G 极电阻选择的影响因素》篇1在电源电路中，MOS 管 G 极串联电阻是一种常见的电路元件。
它的作用是限制 G 极电流和抑制振荡。
本文将介绍 MOS 管 G 极电阻的选择方法及其影响因素。
首先，我们需要了解 MOS 管 G 极电阻的作用。
在开关电源中，MOS 管 G 极电流较大，由于寄生电容的存在，MOS 管开启或关闭时瞬间电流较大。
为了避免损毁 MOS 管的驱动芯片，需要在 G 极串联一个电阻来限制瞬间电流。
这个电阻与 Ciss 形成一个 RC 充放电电路，可以减小瞬间电流值。
此外，串联电阻还可以抑制振荡。
MOS 管接入电路时，会有引线产生的寄生电感的存在，与寄生电容一起，形成 LC 振荡电路。
对于开关方波波形，是有很多频率成分存在的，那么很可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路。
串联一个电阻，可以减小振荡电路的 Q 值，使振荡快速衰减，不至于引起电路故障。
接下来，我们来讨论 MOS 管 G 极电阻的选择方法。
电阻值需要根据 MOS 管的规格来选择。
一般来说，电阻值越大，限制瞬间电流的效果越好，但也会增加开关损耗。
因此，在选择电阻值时需要权衡利弊。
同时，电阻的功率也需要考虑。
如果电阻的功率太小，可能会被瞬间电流烧毁。
此外，串联电阻也会增加 MOS 管的导通电阻，影响电路的效率。
因此，在选择电阻时需要综合考虑以上因素。
最后，我们来介绍一下影响 MOS 管 G 极电阻选择的因素。
首先，MOS 管的规格是选择电阻值的重要因素。
不同规格的 MOS 管，其寄生电容和瞬间电流也不同，因此需要选择不同的电阻值。
mos管栅极电阻选取方法
mos管栅极电阻选取方法
MOS管栅极电阻是设计中的一个重要参数，正确选择适合的电阻值可以有效地影响MOS管的工作性能。
以下是几种常用的选取方法，用以满足不同的设计需求。
1. 极点电阻法
极点电阻法是通过固定池电极电流为一个固定值，来计算出栅极电阻的方法。
通过应用电压源，测量输出电流的变化，以得到栅极电阻的值。
这种方法适用于需要设计固定尺寸的栅极电阻的场合。
2. DC工作点法
DC工作点法是指在直流条件下，通过测量栅极电流并将其带入恒流源，从而得出栅极电阻的值。
这种方法适用于需要设计具有稳定工作点的场合。
3. 小信号法
小信号法是通过测量输入电压、输出电流与栅极电阻之间的变化，从而得出栅极电阻的值。
在设计高频电路或需要分析放大器参数时，这种方法非常有用。
小信号法可以通过输入-输出特性曲线来计算栅极电阻。
4. 双仿射法
双仿射法是通过测量不同电压点处的输出电流来获得栅极电阻的值。
然后，将这些电阻值画在折线图上并连接在一起，通过图线的斜率来计算栅极电阻。
这种方法适用于需要在大范围内选择栅极电阻的场合。
综上所述，选择适合的MOS管栅极电阻选取方法取决于设计所需的栅极电阻特性以及应用的具体要求。
根据不同的设计需求，可以灵活地选择合适的方法来确保MOS管的正常工作并获得所需的性能。
mos栅极驱动电阻
mos栅极驱动电阻【实用版】目录1.MOS 栅极驱动电阻的概述2.MOS 栅极驱动电阻的作用3.MOS 栅极驱动电阻的选型4.MOS 栅极驱动电阻的测试与应用正文一、MOS 栅极驱动电阻的概述MOS（金属 - 氧化物 - 半导体）栅极驱动电阻，是一种电子元器件，主要应用于场效应晶体管（FET）的栅极驱动电路中。
它的作用是限制栅极电流，从而控制 FET 的开启与关闭。
在实际应用中，MOS 栅极驱动电阻对 FET 性能的稳定性和可靠性具有重要意义。
二、MOS 栅极驱动电阻的作用1.控制栅极电流：MOS 栅极驱动电阻的主要作用是限制栅极电流，防止过大的栅极电流损坏 FET。
通过调整电阻值，可以实现对 FET 的精确控制。
2.提高信号传输质量：MOS 栅极驱动电阻可以降低信号传输过程中的噪声和干扰，从而提高信号的质量和传输可靠性。
3.增强抗干扰能力：MOS 栅极驱动电阻能有效抵抗外部干扰，保护FET 免受干扰影响，从而保证电路的稳定性。
三、MOS 栅极驱动电阻的选型在选择 MOS 栅极驱动电阻时，需要考虑以下几个因素：1.电阻值：根据 FET 的规格和电路设计要求，选择合适的电阻值。
电阻值过小，会导致栅极电流过大，损坏 FET；电阻值过大，会降低信号传输速度，影响电路性能。
2.功率：根据电路的工作电压和电流，选择具有足够功率承受能力的MOS 栅极驱动电阻。
3.稳定性：选购具有良好稳定性的 MOS 栅极驱动电阻，可以保证电路的长期稳定运行。
4.封装形式：根据电路板的空间和安装要求，选择合适的封装形式。
四、MOS 栅极驱动电阻的测试与应用MOS 栅极驱动电阻的测试主要包括电阻值、功率和稳定性等方面的检测。
在应用过程中，需要注意以下几点：1.正确安装：根据电路图和封装尺寸，正确安装 MOS 栅极驱动电阻，确保引脚连接可靠。
2.焊接质量：焊接 MOS 栅极驱动电阻时，确保焊接质量良好，避免虚焊和短路等问题。
3.电路调试：在电路调试过程中，关注 MOS 栅极驱动电阻的工作状态，及时发现并解决问题。
mos管偏置电路电阻取值
MOS管偏置电路电阻取值介绍MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的电子器件，广泛应用于集成电路和模拟电路中。
在MOS管的使用过程中，为了使其工作在合适的工作点，需要对其进行偏置，其中电阻的取值对于偏置电路的性能起着重要的影响。
本文将详细探讨MOS管偏置电路电阻取值的相关问题。
电阻的作用在MOS管的偏置电路中，电阻起到了重要的作用。
它可以限制电流的流动，控制MOS管的工作状态，使其在合适的工作区域内工作。
同时，电阻还可以提供稳定的工作点，使得MOS管的性能更加可靠。
电阻取值的影响因素MOS管偏置电路电阻的取值需要考虑多个因素，主要包括以下几点：1. MOS管的参数MOS管的特性参数对电阻取值有一定的要求。
首先，需要了解MOS管的漏极电流和阈值电压等参数，这些参数可以通过器件手册或者实际测试获得。
其次，需要确定MOS管工作的合适区域，如放大区、饱和区或截止区等。
根据不同的工作区域，电阻的取值也会有所不同。
2. 偏置电流的要求偏置电流是MOS管偏置电路中一个重要的指标，它决定了MOS管的工作状态。
在确定偏置电流的要求后，可以根据欧姆定律计算出电阻的取值范围。
3. 电源电压电源电压是MOS管偏置电路中的另一个重要参数。
它决定了电阻的工作范围。
在选择电阻取值时，需要根据电源电压确定电阻的额定功率，以避免电阻过载。
4. 温度变化温度的变化对电阻的取值也有一定的影响。
在高温环境下，电阻的阻值会发生变化，因此需要选择适合的温度系数的电阻。
同时，为了保证电阻的稳定性，还可以考虑使用温度补偿电阻。
电阻取值的选择方法在确定了上述影响因素后，可以根据以下方法选择合适的电阻取值：1. 根据偏置电流计算根据欧姆定律，可以通过偏置电流和电源电压计算出电阻的取值范围。
根据实际需求，选择最接近计算值的标准电阻或串联/并联多个电阻以得到所需阻值。
2. 根据MOS管参数选择根据MOS管的特性参数，如漏极电流和阈值电压等，可以确定MOS管的工作区域。
mos管偏置电路电阻取值
mos管偏置电路电阻取值（原创实用版）目录1.MOS 管偏置电路的概念2.MOS 管偏置电路中电阻的作用3.MOS 管偏置电路电阻取值的选择4.实际应用中的注意事项正文一、MOS 管偏置电路的概念MOS 管（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于集成电路中的半导体器件。
在 MOS 管的工作过程中，为了使其性能达到最佳状态，需要对其进行偏置。
MOS 管偏置电路就是为 MOS 管提供合适的电压和电流的电路，以保证其在工作状态下具有最佳的导通特性。
二、MOS 管偏置电路中电阻的作用在 MOS 管偏置电路中，电阻是一个重要的元件，其主要作用有以下几点：1.限制电流：通过电阻可以限制流经 MOS 管的电流，避免过大的电流损坏 MOS 管。
2.分压：在 MOS 管的源极和漏极之间串联电阻，可以产生一个分压，使得 MOS 管的栅极电压保持在一个合适的范围，从而保证 MOS 管的正常工作。
3.限幅：在 MOS 管的输入端并联电阻，可以限制输入信号的幅度，避免过大的信号幅度损坏 MOS 管。
三、MOS 管偏置电路电阻取值的选择在 MOS 管偏置电路中，电阻的取值会影响到 MOS 管的工作性能。
选择合适的电阻值，需要考虑以下几点：1.保证 MOS 管正常工作：电阻的取值应使得 MOS 管的栅极电压保持在合适的范围内，以保证其正常工作。
2.考虑电源电压波动：电阻的取值应考虑到电源电压的波动，以保证在不同电源电压下，MOS 管仍能正常工作。
3.考虑负载电流：电阻的取值应根据 MOS 管的负载电流进行选择，以保证在负载电流变化时，MOS 管的栅极电压仍能保持稳定。
四、实际应用中的注意事项在实际应用中，设计 MOS 管偏置电路时，需要注意以下几点：1.电阻的选择应根据实际电路参数进行，以保证电路的稳定性和可靠性。
2.在选择电阻时，应考虑电阻的功率、稳定性、噪声等因素，以保证电路的性能。
3.电阻的布局和焊接也应注意，以避免电阻产生的噪声对电路性能的影响。
关于MOSFET驱动电阻值的计算
关于MOSFET驱动电阻值的计算MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常见的电子器件，广泛应用于电路设计中。
MOSFET驱动电阻是用来限制电流流动的元件，起到保护MOSFET的作用。
在设计电路时，正确计算MOSFET驱动电阻的值非常重要，因为过大或过小的电阻值都可能会导致电路性能降低甚至损坏电子器件。
本文将详细介绍MOSFET驱动电阻值的计算方法。
首先，需要了解MOSFET的工作原理和特性。
MOSFET由四个区域组成：衬底（Substrate）、栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。
通过在栅极施加电压，可以控制栅极和源极之间的电阻。
其中，漏极和源极之间的电压差称为漏极-源极（Drain-Source）电压(Vds)，栅极和源极之间的电压差称为栅极-源极（Gate-Source）电压(Vgs)。
MOSFET的工作模式分为三种：截止区（Off）、线性区（Linear）和饱和区（Saturation）。
在截止区，MOSFET处于关闭状态，没有漏极-源极电流流过；在线性区，当Vgs大于阈值电压（也称为开启电压）时，MOSFET开始导电，并且漏极-源极电流随Vds线性变化；在饱和区，当Vds达到饱和电压时，MOSFET会保持饱和状态，并且漏极-源极电流基本不再变化。
正确选择MOSFET驱动电阻的值，可以确保MOSFET在正确的工作区域，并提高其响应速度和电路性能。
以下是计算MOSFET驱动电阻值的一般步骤：1.确定MOSFET的工作区域：根据具体的电路设计要求和MOSFET的特性参数，确定MOSFET的工作区域是截止区、线性区还是饱和区。
2. 计算栅极驱动电压（Vgs）：根据MOSFET的工作区域和需要的工作电流（Ids），确定栅极驱动电压。
在饱和区，通常使用饱和电压的一半作为栅极驱动电压。
3.选择驱动电流（Ig）：根据MOSFET的数据手册和设计要求，选择适合的栅极驱动电流。
mos管驱动电阻
mos管驱动电阻MOS管驱动电阻是电子电路中的一个重要组成部分。
它主要起到限制MOS管导通电流的作用。
在实际的电路设计中，MOS管驱动电阻的选择和设计非常重要，它直接影响到电路的工作性能和稳定性。
下面我们将从几个方面来分步骤阐述MOS管驱动电阻的相关知识。
一、MOS管的基本原理在电子电路中，MOS管是一种基本的电子器件，它是由金属-氧化物-半导体三层结构组成的。
MOS管有两个输入端和一个输出端。
当MOS管的输入电压达到一定值时，输出端才会开始导通。
MOS管具有输入电阻高、输入电容小、体积小等优点。
二、MOS管驱动电路的工作原理MOS管驱动电路是指将电信号传输到MOS管的门极的电路，它用于控制MOS管的导通和截止。
MOS管驱动电路主要包括普通共集极放大电路和场效应管共源极放大电路两种。
这两种电路都需要一个驱动电阻来控制MOS管的导通电流。
三、MOS管驱动电阻的选择在选择MOS管驱动电阻时，需要考虑一下几个因素：电阻值、功率、温度系数和精度。
通常情况下，MOS管驱动电阻的阻值应该是MOS 管的门极电阻的10倍左右。
要根据MOS管的型号和电路的工作电压来选择合适的驱动电阻。
此外，在选择驱动电阻时，还要考虑功率和温度系数等因素。
四、MOS管驱动电阻的计算MOS管驱动电阻的计算方法有两种：经验公式法和计算机模拟法。
经验公式法是指根据一定的经验公式来计算电阻值。
而计算机模拟法则是指使用电路模拟软件进行模拟分析，并得出最优的电阻值。
五、MOS管驱动电阻的安装MOS管驱动电阻的安装应注意以下几个方面：电阻的封装应符合规范，焊接质量要好，安装位置应该避免受到过热和潮湿的影响，并且要远离高能电磁场干扰。
总之，MOS管驱动电阻是电子电路中的一个重要组成部分，它对电路的工作性能和稳定性有着重要的影响。
在电路设计和组装过程中，应根据MOS管的特性和工作环境选择合适的驱动电阻，并注意驱动电阻的安装和连接。
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MOS管驱动电阻怎么选择,给定频率,MOS管的Qg和上升沿怎么计算用多大电阻
首先得知道输入电容大小和驱动电压大小,等效为电阻和电容串联电路,求出电容充电电压表
达式,得出电阻和电容电压关系图
MOS管的开关时间要考虑的是Qg的,而不是有Ciss,Coss决定,看下面的Data.一个MOS可能
有很大的
输入电容,但是并不代表其导通需要的电荷量Qg就大,
Ciss(输入电容)和Qg是有一定的关系,但是还要考虑MOS的跨导y.
MOSFET栅极驱动的优化设计
1 概述
MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求
驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡
点，即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包含两部分内容：一是最优的驱动电流、
电压的波形；二是最优的驱动电压、电流的大小。在进行驱动电路优化设计之前，必须先清
楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、
跨接电容、等效电容等参数
对驱动的影响。 2 MOS管的模型
MOS管的等效电路模型及寄生参数如图1所示。图1中各部分的物理意义为：
（1）LG和LG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。
（2）C1代表从栅极到源端N+间的电容，它的值是由结构所固定的。 （3）C2+C4代表
从栅极到源极P区间的电容。C2是电介质电容，共值是固定的。而C4是由源极到漏极的耗
尽区的大小决定，并随栅极电压的大小而改变。当栅极电压从0升到开启电压UGS（th）时，
C4使整个栅源电容增加10%～15%。 （4）C3+C5是由一个固定大小的电介质电容和一个
可变电容构成，当漏极电
压改变极性时，其可变电容值变得相当大。 （5）C6是随漏极电压变换的漏源电容。
MOS管输入电容（Ciss）、跨接电容（Crss）、输出电容（Coss）和栅源电容、
栅漏电容、漏源电容间的关系如下：
3 MOS管的开通过程
开关管的开关模式电路如图2所示，二极管可是外接的或MOS管固有的。开关管在开通
时的二极管电压、电流波形如图3所示。在图3的阶段1开关管关断，开关电流为零，此时
二极管电流和电感电流相等；在阶段2开关导通，开关电流上升，同时二极管电流下降。开
关电流上升的斜率和二极管电流下降的斜率的绝对值相同，符号相反；在阶段3开关电流继
续上升，二极管电流继续下降，并且二极管电流符号改变，由正转到负；在阶段4，二极管
从负的反向最大电流IRRM开始减小，它们斜率的绝对值相等；在阶段5开关管完全开通，
二极管的反向恢
复完成，开关管电流等于电感电流。
图4是存储电荷高或低的两种二极管电流、电压波形。从图中可以看出存储电荷少时，反向
电压的斜率大，并且会产生有害的振动。而前置电流低则存储电荷少，即在空载或轻载时是
最坏条件。所以进行优化驱动电路设计时应着重考虑前置电流低的情况，即空载或轻载的情
况，应使这时二极管产生的振动在可接受
范围内。
4 栅极电荷QG和驱动效果的关系
栅极电荷QG是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，它可以表示为驱动电流值与开
通时间之积或栅极电容值与栅极电压之积。现在大部分MOS管的栅
极电荷QG值从几十纳库仑到一、两百纳库仑。
栅极电荷QG包含了两个部分：栅极到源极电荷QGS；栅极到漏极电荷QGD—即“Miller”
电荷。QGS是使栅极电压从0升到门限值（约3V）所需电荷；QGD是漏极电压下降时克服
“Miller”效应所需电荷，这存在于UGS曲线比较平坦的第二段（如图5所示），此时栅极
电压不变、栅极电荷积聚而漏极电压急聚下降，也就是在这时候需要驱动尖峰电流限制，这
由芯睡内部完成或外接电阻完成。实际的QG还可以略大，以减小等效RON，但是太大也无
益，所以10V到12V的驱动电压是比较合理的。这还包含一个重要的事实：需要一个高的
尖峰电流以减小MOS
管损耗和转换时间。
重要是的对于IC来说，MOS管的平均电容负荷并不是MOS管的输入电容Ciss,而是等效输入
电容Ceff(Ceff=QG/UGS)，即整个0
漏极电流在QG波形的QGD阶段出现，该段漏极电压依然很高，MOS管的损耗该段最大，
并随UDS的减小而减小。QGD的大部分用来减小UDS从关断电压到UGS(th)
产生的“Miller”效应。QG波形第三段的等效负载电容是：
5 优化栅极驱动设计
在大多数的开关功率应用电路中，当栅极被驱动，开关导通时漏极电流上升的速度是漏极
电压下降速度的几倍，这将造成功率损耗增加。为了解决问题可以增加栅极驱动电流，但增
加栅极驱动上升斜率又将带来过冲、振荡、EMI等问题。优化栅极驱动设计，正是在互相矛
盾的要求中寻求一个平衡点，而这个平衡点就是开关导通时漏极电流上升的速度和漏极电压
下降速度相等这样一种波形，理想
的驱动波形如图6所示。
图6的UGS波形包括了这样几部分：UGS第一段是快速上升到门限电压；UGS第二段是
比较缓的上升速度以减慢漏极电流的上升速度，但此时的UGS也必须满足所需的漏极电流
值；UGS第四段快速上升使漏极电压快速下降；UGS第五段是充电到最后的值。当然，要得
到完全一样的驱动波形是很困难的，但是可以得到一个大概的驱动电流波形，其上升时间等
于理想的漏极电压下降时间或漏极电流上升的时间，并且具有足够的尖峰值来充电开关期间
的较大等效电容。该栅极尖峰电
流IP的计算是：电荷必须完全满足开关时期的寄生电容所需。
6 应用实例
在笔者设计的48V50A电路中采用双晶体管正激式变换电路，其开关管采用
IXFH24N50，其参数为：
根据如前所述，驱动电压、电流的理想波形不应该是一条直线，而应该是如
图6所示的波形。实验波形见图7。
7 结论
本文详细介绍了MOS管的电路模型、开关过程、输入输出电容、等效电容、电荷存储等
对MOS管驱动波形的影响，及根据这些参数对驱动波形的影响进行的
驱动波形的优化设计实例，取得了较好的实际效果。
影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).
该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板
的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3055这块PWM
控制芯片内); r6 @0 k" S/ l3 }4 u, r/ W
厂家给出的Tr,Tf值,是在栅极驱动内阻小到可以忽略的情况下测出的,实际应用中就不一样了,
特别是栅极驱动集成在PWM芯片中的电路,从PWM到MOSFET栅极的布线的宽度,长度,都
会深刻影响MOSFET的性能.如果PWM的输出内阻本来就不低,加上MOS管的Qg又大,那么
不论其Tr,Tf如何优秀,都可能会大大增加上升
和下降的时间
偶认为,BUCK同步变换器中,高侧MOS管的Qg比RDS等其他参数更重要,另外,栅极驱动内阻
与Qg的配合也很重要,一定 程度上就是由它的充电时间决定高侧
MOSFET的开关速度和损耗
看从哪个角度出发。电荷泻放慢，说明时间常数大。时间常数是Ciss与Rgs的乘积。栅源极
绝缘电阻大，说明制造工艺控制较好，材料、芯片和管壳封装的表面杂质少，漏电少。时间
常数大，栅源极等效输入电容也大。栅源极等效输入电容，与管芯尺寸成正比并与管芯设计
有关。通常，管芯尺寸大，Ron(导通电阻)小、跨导（增益）大。栅源极等效电容大，会增
加开关时间、降低开关性能、降低工作速度、增加功率损耗。Ciss与电荷注入率成正比，可
能还与外加电压有关并具有非线性等。以上，均是在相同条件下的对比。从应用角度出发，
同等价格，多数设计希望选用3个等效电容（包括Ciss）小的器件。Ciss=Cgd+Cgs，
充放电时间上也有先后，先是Cgs充满，然后是Cgd.。