场发射显示器阴极结构的发展
一种类三明治结构的复合阴极材料、场发射阴极及其制备方法和应用
一种类三明治结构的复合阴极材料、场发射阴极及其制备方法
和应用
一种类三明治结构的复合阴极材料是一种由多个层次组成的复合结构，其中包含了场发射阴极。
该复合阴极材料的制备方法包括以下步骤：
1. 准备基底材料：选择一个适当的材料作为基底，例如金属或半导体材料。
2. 制备场发射阴极：在基底上制备场发射阴极，可以使用电沉积、溅射、化学气相沉积等技术，将材料沉积到基底上，并形成具有高场发射性能的阴极。
3. 制备复合结构：在场发射阴极上面层层堆积其他材料，形成类三明治结构。
这些材料可以是金属、半导体、绝缘体等，可以通过离子沉积、溅射、化学气相沉积等方法进行堆积。
4. 优化结构：根据需要，可以进行表面处理、热处理等步骤，以优化复合阴极材料的性能。
这种类三明治结构的复合阴极材料具有以下应用：
1. 场发射器件：该复合阴极材料的场发射性能优秀，可以用于制备场发射器件，如冷阴极射线管、场发射显示器等。
2. 界面材料：复合阴极材料中的不同层次可以用于调控界面性质，可以应用于光电子器件、电子器件、传感器等领域。
3. 高功率电子器件：该复合阴极材料能够承受高功率和高电流密度环境，可用于制备高功率电子器件，如微波器件、脉冲电子器件等。
总之，这种类三明治结构的复合阴极材料具有较好的场发射性能和多层次的结构，适用于多个领域的应用。
阴极发光原理
阴极发光原理阴极发光是一种通过电子束激发物质发光的现象，它是许多电子器件和显示技术的基础原理之一。
阴极发光技术已经在许多领域得到广泛应用，如液晶显示器、发光二极管、场发射显示器等。
本文将介绍阴极发光的原理及其在各种应用中的作用。
阴极发光的原理基于电子激发物质发光的基本过程。
当电子束轰击物质表面时，会激发物质内部的原子或分子，使其跃迁到高能级。
当这些原子或分子回到低能级时，会释放出能量，产生光子，从而产生发光现象。
这种发光过程可以通过不同的材料和激发方式来实现，从而产生不同颜色和亮度的光。
在阴极发光器件中，通常采用的材料包括磷光体、有机发光材料、钙钛矿材料等。
这些材料在受到电子束激发后，可以产生不同颜色的发光。
而电子束的激发方式可以通过热阴极、冷阴极、场发射等方式来实现。
不同的激发方式和材料组合可以产生不同特性的发光效果，从而满足不同应用的需求。
在液晶显示器中，阴极发光被用来作为背光源，通过调节发光亮度和颜色来实现显示效果。
而在发光二极管中，阴极发光材料被直接激发来产生发光，从而实现高亮度、高对比度的显示效果。
在场发射显示器中，阴极发光被用来产生像素级的发光效果，从而实现高分辨率的显示。
除了显示技术，阴极发光还被广泛应用于照明、指示灯、广告等领域。
其高亮度、低功耗、长寿命等特点使其成为一种理想的光源。
而随着材料和工艺的不断进步，阴极发光技术将会在更多领域得到应用，为人们的生活带来更多便利和乐趣。
总的来说，阴极发光技术是一种基于电子激发物质发光的原理，通过不同材料和激发方式实现不同颜色和亮度的发光效果。
它在显示技术、照明、指示灯等领域都有着重要的应用价值，为人们的生活和工作带来了诸多便利。
随着技术的不断进步，阴极发光技术将会在更多领域展现其优越性能，为人类社会的发展做出更大的贡献。
《阴极射线管》课件
阴极射线管的发展历程
1
192 2 年
2
阴极射线管被首次应用于电视领域，开创了
电子显像的时代。
3
1 897年
卡尔·弗朗茨发现了阴极射线，为阴极射线 管的研究奠定了基础。
1 947年
发展出了彩色阴极射线管，进一步完善了图 像显示的质量。
《阴极射线管》PPT课件
本课程目标旨在深入了解阴极射线管，从定义、工作原理、结构和部件、应 用领域、发展历程以及优缺点等多个方面全面介绍。
阴极射线管的定义
阴极射线管指的是利用电子束通过真空管来产生或控制电子束的一种装置。 它是电子显像领域中重要的一部分。
阴极射线管的工作原理
阴极射线管通过加热阴极，使其释放出电子，然后通过一系列的磁场和电场 控制，将电子加速进入屏幕，从而形成可见的图像。
阴极射线管的优缺点
1 优点
高亮度、高对比度、响应速度快
2 缺点
体积庞大、能耗高、色彩还原有限
总结和展望
阴极射线管在现代科技中有着广泛的应用，但它的发展还远未结束。未来，我们可以期待更小巧、更高分辨率的显 示技术的出现。
极射线管的结构和部件
电子枪
电子枪包括阴极、阳极和聚焦极等部件，用于产生 和控制电子束。
荧光屏
荧光屏是用来显示电子束所产生的图像，由荧光物 质涂覆在玻璃表面上。
磁偏转系统
磁偏转系统使用磁场将电子束导引至屏幕的正确位 置。
控制电路
控制电路用于控制电子束的强度、聚焦和偏转等参 数。
阴极射线管的应用领域
阴极射线管
阴极射线管（Cathode ray tube，CRT），因为最广为人知的用途是用于构造显示系统，所以俗称显像管，它是利用阴极电子枪发射电子，在阳极高压的作用下，射向萤光屏，使萤光粉发光，同时电子束在偏转磁场的作用下，作上下左右的移动来达到扫描的目的。
早期的CRT 技术仅能显示光线的强弱，展现黑白画面。
而彩色CRT 具有红、绿色和蓝色三支电子枪，三支电子枪同时发射电子打在屏幕玻璃上磷化物上来显示颜色。
阴极射线管是由克鲁克斯首创，所以又被称为克鲁克斯管。
由于它笨重、耗电，所以在部分领域正在被轻巧、省电的液晶显示器取代。
液晶（Liquid Crystal，简称LC）是相态的一种，因为具有特殊的理化与光电特性，20世纪中叶开始被广泛应用在轻薄型的显示技术上。
人们熟悉的物质状态（又称相）为气、液、固，较为生疏的是等离子和液晶。
液晶相要具有特殊形状分子组合始会产生，它们可以流动，又拥有结晶的光学性质。
液晶的定义，现在以放宽而囊括了在某一温度范围可以是现液晶相，在较低温度为正常结晶之物质。
而液晶的组成物质是一种有机化合物，也就是以碳为中心所构成的化合物。
同时具有两种物质的液晶，是以分子间力量组合的，它们的特殊光学性质，又对电磁场敏感，极有实用价值。
液晶的历史在1850年，普鲁士医生鲁道夫·菲尔绍（Rudolf Virchow）等人发现神经纤维的萃取物中含有一种不寻常的物质。
1877年，德国物理学家奥托·雷曼（Otto Lehmann）运用偏光显微镜首次观察到了液晶化的现象，但他对此现象的成因并不了解。
奥地利布拉格德国大学的植物生理学家斐德烈·莱尼泽在1883年3月14日（Friedrich Reinitzer）借由在植物内加热安息香酸胆固醇酯（Cholesteryl Benzoate）研究胆固醇，观察到胆固醇苯甲酸酯在热熔时的异常表现。
该物质在145.5℃时熔化，产生了带有光彩的混浊物，温度升到178.5℃后，光彩消失，液体透明。
电脑显示技术发展史从CRT到OLED
电脑显示技术发展史从CRT到OLED电脑显示技术自问世以来，经历了多次革新和突破，从最初的CRT 到如今的OLED，每一次技术演进都给用户带来了全新的视觉体验。
本文将带您回顾电脑显示技术的发展历程，从CRT到OLED，见证技术的蜕变和进步。
1. CRT（阴极射线管）时代CRT是电脑显示技术的先驱，其在20世纪50年代问世后迅速流行起来。
CRT通过激发荧光物质来产生图像，具有较高的亮度和对比度，但体积笨重、耗电量大、辐射强等缺点也日益暴露出来。
尽管如此，CRT作为电脑显示器主流技术一直延续到21世纪初，直至液晶显示器的兴起。
2. 液晶显示器的兴起20世纪90年代，液晶显示技术开始崭露头角，并逐渐取代了CRT成为电脑显示器的主流。
液晶显示器具有薄、轻、省电的特点，同时也提高了显示效果和清晰度，极大改善了使用体验。
液晶显示器在电脑领域取得了巨大成功，成为各类显示设备的主流选择。
3. LED背光技术的应用随着LED技术的不断发展，LED背光技术逐渐被引入到液晶显示器中，形成LED显示器。
LED显示器相比传统的冷阴极荧光灯（CCFL）背光技术，在显示效果、色彩还原度、节能等方面表现更优秀，逐渐成为市场新宠。
4. OLED技术的革新OLED（有机发光二极管）技术作为近年来的一场革命性突破，为电脑显示技术带来了全新的发展机遇。
OLED显示器不需要背光源，具有自发光特性，可以实现更薄、更轻、更柔韧的显示设备，同时拥有更高的色彩还原度和对比度，呈现出更加绚丽生动的画面效果。
OLED技术被誉为未来显示技术的发展方向，正逐渐取代传统的液晶显示技。
5. 未来展望随着科技的不断进步和创新，电脑显示技术将迎来更多的革新和突破，OLED技术只是众多可能性中的一个。
随着更高分辨率、更广色域、更快的刷新率等需求的不断提升，未来的电脑显示技术将会朝着更加智能、人性化的方向发展，给用户带来更加震撼的视觉体验。
结语：从CRT到OLED，电脑显示技术的发展史是一部不断迭代、不断超越的奋斗史。
显示器的发展历程
显示器的发展历程显示器是人们日常生活中不可或缺的一部分，它起到了连接人与计算机、电视等设备的重要作用。
经过多年的发展和演变，显示器已经取得了巨大的进步。
下面就让我们一起来回顾一下显示器的发展历程。
20世纪50年代，显示器是通过电子束在荧光屏上绘制图像的。
这种显示器被称为阴极射线管（CRT）显示器。
CRT显示器体积庞大、重量沉重，并且耗电量大，但是在当时它是唯一的可用显示器技术。
CRT显示器的分辨率和色彩还有待提高，在显示效果上有一定的局限性。
到了1970年代，随着半导体技术的发展，液晶显示器开始出现。
液晶显示器不同于CRT显示器，它是将液晶物质夹在两片玻璃板之间，在液晶分子的控制下实现图像显示。
液晶显示器具有很多优点，包括体积小、重量轻、能耗低、图像稳定等。
然而，早期的液晶显示器成本高昂，因此在市场上的应用受到了限制。
2000年左右，随着显示技术的不断发展，彩色液晶显示器开始普及。
这一时期，液晶显示器的分辨率和色彩显示得到了显著提高，其显示效果达到了可以与CRT显示器相媲美的水平。
液晶显示器的价格也得到了大幅下降，逐渐成为了主流的显示器技术。
随着移动互联网的大力推广和智能手机的普及，触摸屏显示技术开始应用于智能手机、平板电脑等移动设备中。
触摸屏显示技术通过在屏幕表面加入触控传感器，使用户可以通过触摸直接操作屏幕。
触摸屏显示技术的出现极大地改变了人机交互方式，使得操作更加便捷和直观。
近年来，随着高清显示技术的进一步发展和普及，4K、8K等超高清显示技术逐渐应用于电视、显示器等大屏幕设备中。
超高清显示技术增加了屏幕的像素密度，使得图像显示更加清晰、细腻。
同时，HDR（高动态范围）技术的引入，还可以提升图像的亮度和对比度，使得图像更加逼真。
未来，显示器的发展方向将更加多元化和智能化。
虚拟现实（VR）和增强现实（AR）技术将进一步应用于显示器中，使用户可以沉浸式地体验虚拟世界或与现实世界进行互动。
同时，可卷曲、可折叠的显示技术也将逐渐成熟并应用到各种可穿戴设备、可定制设备中。
场发射显示器中双层基板结构的数值分析
维普资讯
第４ 期
顾
伟 ， ： 发射 显示 器 中 双 层 基 板 结 构 的 数 值 分 析 等 场
目前 的 Ｆ Ｄ按 阳极 电 压 可 分 为 高压 型 和低 Ｅ 压 型 两 大 类 。高 压 型 具 有 较 高 的荧 光 粉 发 光 效 率， 而低压 型 具 有 较 简单 的 电 子 柬 会 聚 结 构 ¨。
摘
要 ：分 析 了 场 发 射 显 示 器 （ Ｅ ） 玻 璃 基 板 在 大 气 压 力 下 的 形 变 和 应 力 与 玻 璃 基 板 厚 Ｆ Ｄ中
ห้องสมุดไป่ตู้
度 的关 系 ， 到 基 板 形 变 和应 力 随 着 其 厚 度 的 减 少 而 急 剧 增 大 。通 过 研 究 玻 璃 基 板 表 面粗 糙 得
图 １ Ｆ Ｄ结 构 示 意 图 Ｅ
Ｆｉ ． Ｓ ｒ ｃ ｕ ｅ ｏ ｇ １ ｔｕ ｔ ｒ ｆＦＥＤ ａ ｅ ｐ ｎｌ
收 稿 日期 ：２ ０ — ４ ２ ； 订 日期 ：２ ０ — ５ ２ ０ ６０ — ２ 修 ０ ６０ — ４
基金 项 目 ：国 家 “ ７ ” 划 资 助项 目（ ｏ ２ ０ Ｃ ３ ４ ０ ， ．０ ３ ３ ４ ０ ）教 育 部 博 士 点 基 金 项 目 （ ．２０ ０ ８０ ３ ９３计 Ｎ ． ０ ３ Ｂ １ ７ ２ Ｎｏ ２ ０ＣＢ １ ７６ ｝ Ｎｏ ０ ３ ２ ６０ ）
文 章 编 号 ： ０ ７２ ８ （ Ｏ ６ Ｏ — ３ ０ ０ １ ０ — ７ Ｏ ２ Ｏ ） ４ ０ ３ —６
场发射显 示器 中双层基板 结构 的数值分析
顾 伟 ，雷 威 ，张 晓 兵
（ 南 大 学 电 子工 程 系 ， 苏 南京 东 江 ２ ０ ９ ， － ｉ ｗｉｄ ｎ ＠ ｓｕ ｅ ｕ ｃ ） １０ ６ Ｅ ｍａｌ ｎ ｗｉｇ ｅ． ｄ ．ｎ ：
光电子发光与显示技术 第一章 阴极射线管显示PPT课件
❖ 在技术创新方面，这一时期的CRT电视品种已彻底告别黑白电视进入彩色世 界，并由模拟向数字化迈进，显示器由球面转向平面，以至于大屏幕等离子、 背投、立体、高清晰度等彩电技术大量涌现，创新的步伐越走越快。
▪ 荧光粉层完成显像管内的光电转换功能，黑白显像管要求在电子 轰击下荧光粉发白光，一般采用颜色互补的两种荧光粉混合起来 发白光。如将发蓝光的ZnS[Ag]与发黄光的ZnS、CdS[Ag]以55： 45的比例混合制得P4荧光粉，或直接采用单一白色荧光粉。荧光 粉的另一个重要参数是余辉时间，余辉时间定义为亮度减少到 1/10时所用的时间，余辉时间长于0.1秒的叫长余辉荧光粉，介于 0.1~0.001秒的称为中余辉荧光粉，短于0.001秒的称为短余辉荧 光粉。余辉太长运动画面会有拖影，余辉太短平均亮度降低，电 视采用中余辉荧光粉，示波器等则采用长余辉荧光粉。
一束发散角不大的带电粒子束，当它们在磁场B的方向上具有大致相同的速度分量时， 它们有相同的螺距。经过一个周期它们将重新会聚在另一点，这种发散粒子束会聚到一 点的现象与透镜将光束聚焦现象十分相似，因此叫磁聚焦。
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3.静电偏转
偏转角度在30度和53度两种
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4.磁偏转
飞出聚焦系统的电子束立即进入偏转区，在偏转磁场作用下发生偏转
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对穿过其间的电子束产生水平方向的作用力F，在屏幕上产生左右偏转。为得到比较 均匀的磁场，通过计算，线圈匝按余弦规律分布。因行输出管的输出功率较大，需 要较大的电流流过行偏转线圈，在偏转线圈外部套有铁氧体磁环，使磁力线通过磁 环形成闭合回路，可使内部磁场强度提高，磁环同时起屏蔽作用。为减小漏磁场线 匝形状做成马鞍形
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场发射显示器阴极结构的发展Development of Cathode Structure of Field Emission DisplayWUHuai-yul, Al Yan-ping2, ZHAOFu-bao2, WANGHai-jun3(1. Broadcast Television Network Media Co. Ltd・ of Shaanxi Luochuan branch, Luochuan Shaanxi 727400, China; 2. Broadcast Television Network Media Co. Ltd. of Shaanxi Ansai branch, Ansai Shaanxi 717400, China; 3・ Xi'an Innovation College Yan，an University, Xi5 an Shaanxi 710100, China):Field Emission Display (FED), with the advantages of both traditional cathode-ray tube (CRT) and Liquid CrystalDisplay (LCD), has a great development potential and is expected to becomethe mainstream of display device in the digitaltelevision age・ The principle of electron field emission was discussed in detail, from F~N formula, FED cathode materials and the cathode strueture design principles are discussed, and finally development of FED cathode structure was expounded・Keywords: field emission display (FED); Fowler-Nordheim formula; cathode structure引言数字电视时代的显示器件应该具有高亮度、高对比度、全彩色、宽频带、平板化、低功耗、长寿命、无辐射以及低价格等优点，由于阴极射线管工作电压高、功耗大、有X射线辐射、体积大、笨重，不符合显示器件向高清晰度、高分辨率、平板化、节能化、数字化、集成化等方向发展的要求，故其应用越来越少。
目前，虽然液晶显示器和等离子显示器（PDP）是平板显示器（FPD）市场的主流显示器，但由于它们都存在着一些固有缺陷，所以算不上数字电视时代的理想显示器。
当前市场上的FPD技术各具特色及优势，在具体的应用领域都存在着与其相应的应用空间和发展潜力，而被认为有可能是未来主流显示器的场发射显示器（FED）集中了众多显示器的优点，其潜在的性能优势使之有望成为下一代显示器的主导［1］。
本文论述了场发射原理以及FED阴极结构的设计依据和发展。
1场发射原理场致发射与热电子发射不同，它并不需要提供给体内电子以额外的能量，它的基本原理是电子隧道效应，即依靠强的外加电场来压抑物体的表面势垒，使表面势垒的高度降低，宽度变窄，这样发射体内的大量电子由于隧道效应穿透表面势垒逸出，形成场致电子发射。
场致电子发射是一种很有效的电子发射方式，发射电流密度很高，发射时间没有迟滞性［2］,且功耗低。
利用场致发射原理制成的阴极是冷阴极，可以作为FED的电子源。
场致发射时，随外加电场的增强，发射体表面势垒的高度越来越低，宽度越来越窄，从发射表面逸出的电子越来越多，使场发射电流也越来越大。
1928年,R. H. Fowler和L. W. Nordheim应用量子理论，提出了电子绝对零度下从清洁金属表面发射进入真空的理论，即在金属和真空界面上加一电场使金属的能带结构弯曲导致电子穿过金属势垒，并推出了场发射电流密度的公式，称F-N公式，可以简写为：J=AE2exp(-B/E)式中,J是绝对零度时的场致发射电流密度;E是金属表面的电场强度；A、B为与发射体表面功函数有关的常数：A=l. 54X 10-6 © -lexp(9. 89 © -1/2)B=6. 87X 107 © 3/2; ( ©是金属表面功函数)R. H. Fowler和L. W. Nordheim在推导该式时作了以下理想化的假定：理想金属表面；忽略原子尺度；金属内电子服从费米分布；表面功函数均匀分布；表面势垒由镜像力产生。
在实验应用中该式必须加以修正，但该式对于场发射的研究仍有指导意义［3］。
虽然上式是在"0K下得到的，但事实上只要金属表面的功函数不是非常低或外加电场不是很高，则该公式使用的绝对温度范围可以扩展到几百摄氏度。
对上述公式进行对数处理，得到：In(J/E2)和1/E之间呈线性关系，用上式作图，被称作F-N关系曲线，用作检验场发射的判据，所有的测量点都在一条直线上。
从F-N公式中可以看出，场发射电流密度大小与外加电场场强和发射体的功函数有密切关系。
因此利用场致发射时，应尽量选择低功函数的材料作发射体，并设计恰当的阴极结构，才能满足器件工作的要求。
2场发射显示器的阴极结构2. 1场发射显示器的器件原理图FED的器件原理图如图1所示,直流电源或脉冲直流电源在两块相互平行的极板之间可形成直流电场，冷阴极材料和荧光材料分别涂覆于阴、阳极板上，并分别通过金属电极和透明电极与电源连接。
电子在冷阴极材料的表面逸出并加速，轰击阳极上的荧光粉使之发光。
2. 2FED阴极结构FED阴极结构分为Spindt型和平面薄膜型。
Spindt型根据阴极材料的不同又分为金属Mo-Spindt型、Si-Spindt型与其它类型;平面薄膜型分为金刚石薄膜型、类金刚石薄膜型、纳米金刚石涂层型、SED 型、纳米碳管型等，具体分类如图2所示。
Spindt型是最早的传统型结构，根据阴极场发射阵列结构可分为二极管型与三极管型［4］。
二极管型是只有阴、阳两级，当给阳极加上一定的电压时，阴极就会发射出电子，并在阳极电压的加速下，轰击到阳极荧光粉而发光。
二极管型结构一般阴阳极间距较大，故所需的电压较大，而图3所示为三极管型结构，相比二极管型而言，结构中多了一个栅极，因此最终所需的电压稍低于二极管型结构，其结构是在阴极三角锥型发射体与阳极间加入栅极，当在栅极加上一定的电压大于三角锥型阴极产生电子的阈值电压后，电子将发射出，同时在阳极电压的加速后，轰击到阳极涂覆的荧光粉使其发光。
FED采用Spindt型阴极结构，是基于薄膜技术与半导体加工方法，采用高熔点金属作发射体，在性能方面达到了较高的水平，色纯、亮度及寿命等性能接近CRT但由于涉及到精密光刻、刻蚀和薄膜沉积技术，导致制作成本很高，且很难实现大屏幕。
由于FED中阳极结构、支撑和封接等方面改进的余地很小，所以要想在Spindt型上有大的突破，必须要用新的发射体材料和结构，同时要避免制作过程中的精密光刻和刻蚀技术。
该工艺中，三角锥型阴极产生电子的阈值电压与栅极开口径有关，有关资料表明，栅极开口径在1卩m以下时，阈值电压在50V以下。
可以采用0.5卩m 以下的栅极开口径来降低驱动电路的成本，该方法的缺点是工艺复杂，成本较高。
SED型是一种成熟的平面薄膜型FED,即表面传导电子发射显Z5器(surface-conduction electron- emitter display, SED) 型，是日本佳能(Canon)公司于1996年推出的新型结构。
其结构如图4所示[5],阴极是由厚度为10nm左右的PdO膜形成的玻璃基板，在中心部分有10nm左右的狭缝，这个狭缝的成型主要是利用了施加高电压时产生极细裂缝的现象。
当给该薄膜施加10V左右的电压时,在一侧PdO膜上的电子将向另外一侧PdO膜运动，此时给阳极加上高电压时，则一部分跳出来的电子将改变方向到阳极，激发阳极上的荧光粉而发光。
阳极电压一般比较高，约为6kV左右。
SED 功耗比彩色LCD大，但是比彩色PDP小,亮度比彩色PDP大。
由于SED 显示器不需要发射电子束，从而使厚度可以做得相当薄，甚至比LCD 和PDP都要薄。
SED最主要的特点就是对比度较高，这是由它的发光原理决定的。
目前公布的对比度为& 600:1,灰度为10位,SED不存在反应时间的问题，几乎看不到拖尾和轮廓模糊的现象。
SED只需要增加微型电子发射器的数量就完全可以实现大屏幕，因此被誉为未来很有前景的平板显示器之一。
但该结构电子离散角大，分辨率低。
BSD型，即弹道电子发射(ballistic-electronsurface-emitting device, BSD)型，结构如图5所示，是松下电工推出的。
BSD发射电子冷阴极不用Spindt型的微尖结构，而是采用下电极上低温多晶硅发射电子。
电子的发射机制是利用施加于金属薄膜间的电位所产生的电场来加速电子，成为弹道电子进入纳米硅中，穿过氧化膜隧道，从表面层放出电子，故称BSD型［6］。
其优点是：(1) 工作电压在20V左右；⑵功耗为PDP的1/3;⑶亮度大于20, 000cd/m2; (4)对比度500:1; (5)制作工艺简单；(6)真空度要求低，仅为lPa;(7)性能稳定，寿命长。
CNT型，即纳米碳管型(carbon nanotube, CNT型)，结构如图6所示，主要就是利用了CNTs优异的发射电子特性制成了阴极。
将整齐排列生长的CNTS或者利用丝网印刷工艺将CNTS整齐排列，构成场发射阴极，然后制备成三极管型结构［7］。
当给栅极加上大于CNTs发射电子的阈值电压时，纳米碳管由于显著的尖端效应就会放出电子，放出的电子在阳极电压下，加速轰击到涂有荧光粉的阳极，产生发光。
但是大面积、均匀的CNTs阴极制造技术还需要进一步研究［8］ o3结论随着功函数更低的发射体材料的研发，以及制备工艺技术的不断改进，目前的制备工艺大多转向快速简单的成膜办法，如丝网印刷、旋涂法、电泳沉积法等。
由于采用了物理化学性质良好、易发射电子的材料，加上简单有效的制备工艺，场发射显示器在应用推广方面都有着良好的前景，有可能成为下一代数字电视时代的主流显示终端[9] o。