薄膜晶体管-调研报告解析
薄膜晶体管
非晶硅TFT-LCD显示系统与控制 模块
控制模块
系统结构
控制模块
摘要 说明时序控制模块和LCD系统中其它子模块之间的关系，对时序控制模块所要解决的时序问题进行分析。在 分析问题的基础上提出一种适用于中、小尺寸液晶显示系统时序控制模块的实现结构。对时序控制模块进行功能 验证，给出FPGA逻辑功能验证结果，证明设计可行。 LCD技术已成为平板显示的主流技术，其中，中、小尺寸液晶产品成为开发的主流。中、小型LCD的应用将 更加广泛。 应用于中、小尺寸液晶显示的主要技术有： 1、STN-LCD(Super Twisted Nematic，超扭转向列式液晶)； 2、(Thin Film Transistor，薄膜晶体管液晶显示器)； 3、LTPS(Low TemperaturePoly Silicon，低温多晶硅)等三种。而其中技术最为成熟的是TFT-LCD。 由于TFT电流较低，无法直接在TFT上设计线路，因此，为了使TFT-LCD工作，需要外建IC控制电路。大多数 有关TFT-LCD控制IC的。
技术特点
TFT技术是二十世纪九十年代发展起来的，采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术，是液 晶（LC）、无机和有机薄膜电致发光（EL和OEL）平板显示器的基础。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上（当 然也可以在晶片上）通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制作大规模半导体集 成电路（LSIC）。采用非单晶基板可以大幅度地降低成本，是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本方 向的延伸。在大面积玻璃或塑料基板上制造控制像元（LC或OLED）开关性能的TFT比在硅片上制造大规模IC的技 术难度更大。对生产环境的要求（净化度为100级），对原材料纯度的要求（电子特气的纯度为99.%），对生产 设备和生产技术的要求都超过半导体大规模集成，是现代大生产的顶尖技术。其主要特点有：
有机薄膜晶体管的研究进展
有 机薄 膜 晶体 管 的研 究 进展
雷 小 丽
（ 西安 邮电学院 理 学院， 陕西 西安 ７０２） １ １ １
摘要 ： 介绍有机 薄膜 晶体管（ ｒａｉＴ ｉＦｌ ｒ ｓ ｔ ｓ Ｏ Ｆ ｓ的结构 、 Ｏ ｇｎ ｈ ｉ Ｔ ａ ｉｏ ， Ｔ Ｔ ） ｃ ｎ ｍ ｎｓｒ 制备 工艺及 其应 用， 评述该领域 的研
涂、 自组装 、 真空 蒸镀 、 墨打 印等［ ； 喷 ２ 同时 ， 使 用 所
的有机半 导 体材料 来 源广泛 ， 类繁 多 ， 种 可通 过修 饰 材 料结构 来 改 善 Ｏ Ｔｓ的 器 件 性 能 。除 此 之 外 ， ＴＦ
到 了 １５ｃ ２Ｖｓ是 当时报 到 的最高 的场 效应 迁 移 ． ｒ ／ ， ｎ 率， 器件 的 开关 比达 到 了 １。 ｉ ｔａｏ ｏ ｌｓ等 ０ 。Ｄｍｉ ｋ ｐ ｕｏ ｒ
喷 墨打 印 技 术 在 有 机 半 导 体 器 件 当 中 的应 用 ， ． Ｆ
Ｇａｎｅ 等 人［利用 喷墨 打 印 技术 制 备 了全 塑 有 机 ｒｉｒ ２ ］ 薄 膜 晶体 管 。 １９ ９５年 ， ｏ ａａａｕ Ｄ ｄｂｌｐ ｒ等人 ［ 在 Ｓｉ ］ ｃ — ｅｃ 期 刊上 报 道 了他 们 制 备 的双 层 结 构 的双 极 型 ｎｅ ＯＴ Ｔ 器件 ， 出场 诱 导二 维 载 流 子传 输 的机 理 ， Ｆ ｓ 指 开拓 了双极 型 Ｏ Ｔ 器件 新 的研 究 领 域 。该类 双 ＴＦ ｓ
加工 等优 点 ， 器件 的基 础 研 究 和 应用 开发 发 展 十分 迅 速ｎ 。ｏＴＦ ｓ主要 应 用 在 液 晶或 ＯＬ Ｄ ］ Ｔ Ｅ ｓ显 示
双 层并 五苯 的薄膜 ， ＴＦ 器件 的场 效应迁 移率 达 Ｏ Ｔｓ
中国薄膜晶体管液晶显示器件行业市场环境分析
中国薄膜晶体管液晶显示器件行业市场环境分析1. 概述薄膜晶体管液晶显示器件（TFT-LCD）是一种广泛应用于电子产品中的显示技术。
随着电子产品市场的快速发展，TFT-LCD显示器件市场也迅速增长。
本文将对TFT-LCD显示器件市场的环境进行分析，重点关注其市场规模、增长趋势、竞争格局和发展机遇。
2. 市场规模根据市场调研数据，TFT-LCD显示器件市场在过去几年内保持了稳定增长。
2019年，全球TFT-LCD显示器件市场规模达到了X亿美元，预计到2025年将达到XX亿美元。
这一增长主要受到消费电子产品需求的推动，例如智能手机、平板电脑和电视等产品的普及。
3. 增长趋势TFT-LCD显示器件市场的增长趋势主要受以下几个方面的影响：3.1 技术进步随着科技的不断进步，TFT-LCD显示器件的分辨率、对比度和色彩表现等方面有了显著提升。
高分辨率和更生动的色彩显示成为了消费者的追求，推动了TFT-LCD显示器件市场的增长。
3.2 新兴应用市场除了传统的电子产品市场，TFT-LCD显示器件还在汽车、医疗、工业控制等领域得到了广泛应用。
对于汽车来说，TFT-LCD显示器件可以用于仪表盘显示和娱乐系统；在医疗领域，可以用于手术室的显示器以及患者监护系统。
3.3 互联网智能化趋势随着互联网的智能化趋势，智能家居、智能穿戴设备和智能办公设备等产品的普及也带动了TFT-LCD显示器件的需求。
人们对于信息展示的需求不断增加，推动了TFT-LCD显示器件市场的增长。
4. 竞争格局TFT-LCD显示器件市场具有激烈竞争的特点。
主要竞争者包括三星、LG、京东方、夏普等跨国公司。
这些大型企业拥有雄厚的技术实力和生产能力，通过不断创新和不断降低成本来提升竞争力。
此外，中国也有一些本土企业进入了TFT-LCD显示器件市场，例如华星光电、BOE等。
这些企业利用国内市场需求的增长和成本优势，逐渐崛起成为TFT-LCD显示器件市场的竞争者。
2024年薄膜晶体管液晶显示器件市场分析现状
2024年薄膜晶体管液晶显示器件市场分析现状引言薄膜晶体管液晶显示器件（TFT-LCD）是当今电子产品中最常用的显示技术之一。
它们广泛应用于各种设备，如智能手机、电视机、计算机显示器等。
本文将对薄膜晶体管液晶显示器件市场的现状进行分析。
薄膜晶体管液晶显示器件的优势TFT-LCD具有以下优势：1.高分辨率：TFT-LCD显示器件具有较高的像素密度，能够呈现出清晰细腻的图像和字体。
2.良好的色彩表现：TFT-LCD显示器件能够提供广色域和真实的色彩表现，使图像更加生动。
3.高对比度：TFT-LCD显示器件能够提供较高的对比度，显示出明亮的白色和深黑的黑色，使图像更加鲜明。
4.快速响应速度：TFT-LCD显示器件具有较快的响应速度，能够呈现动态图像时不会出现模糊和拖影。
薄膜晶体管液晶显示器件市场规模TFT-LCD显示器件市场规模庞大且不断增长。
根据市场研究公司的数据，2019年全球TFT-LCD显示器件市场规模达到了XXX亿美元，预计未来几年将保持稳定增长。
薄膜晶体管液晶显示器件市场应用领域TFT-LCD显示器件广泛应用于以下领域：1. 智能手机智能手机是全球最主要的TFT-LCD显示器件应用领域之一。
随着智能手机的普及和功能的不断增强，对于显示器的要求也越来越高。
TFT-LCD显示器件能够提供较高的分辨率、良好的色彩表现和快速的响应速度，适合于智能手机应用。
2. 电视机电视机是TFT-LCD显示器件的另一个重要应用领域。
随着高清电视和超高清电视的普及，对于显示器的要求也在不断提高。
TFT-LCD显示器件能够提供高分辨率、良好的色彩表现和高对比度，适合于电视机应用。
3. 计算机显示器计算机显示器是TFT-LCD显示器件的传统应用领域之一，但随着笔记本电脑和平板电脑的普及，计算机显示器市场规模有所下降。
尽管如此，TFT-LCD显示器件仍然是许多消费者选择的主要显示技术之一。
4. 汽车显示屏随着汽车智能化的发展，汽车显示屏市场迅速增长。
2024年薄膜晶体管液晶显示器件市场规模分析
2024年薄膜晶体管液晶显示器件市场规模分析摘要本文分析了薄膜晶体管液晶显示器件市场的规模，并探讨了市场的发展趋势。
通过对市场规模的分析，可以为企业决策提供参考，同时也为投资者提供了对该行业的了解。
引言薄膜晶体管液晶显示器件是一种应用广泛的显示技术，逐渐取代了传统的显像管技术。
本文将对薄膜晶体管液晶显示器件市场规模进行分析，包括市场规模的增长趋势、市场竞争情况等方面。
市场规模分析薄膜晶体管液晶显示器件市场的规模主要由以下几个因素决定：1. 市场需求薄膜晶体管液晶显示器件市场的规模与市场需求紧密相关。
随着人们对高清画质和大屏幕显示的需求增加，薄膜晶体管液晶显示器件的市场规模也在不断增加。
2. 技术进步薄膜晶体管液晶显示器件市场的规模还与技术进步相关。
随着技术的不断革新，薄膜晶体管液晶显示器件的性能不断提高，产品越来越受到消费者的青睐，市场规模也在扩大。
3. 市场竞争薄膜晶体管液晶显示器件市场是一个竞争激烈的市场，市场上有许多厂商提供各种不同的产品。
市场竞争的激烈程度也会影响市场规模的变化。
市场发展趋势薄膜晶体管液晶显示器件市场的发展趋势主要体现在以下几个方面：1. 高清化随着科技的发展，薄膜晶体管液晶显示器件的分辨率不断提高，高清画质成为市场的趋势之一。
消费者对高清画质的需求不断增加，这也推动了市场的发展。
2. 大屏化随着消费者对大屏幕显示的需求增加，市场上出现了越来越多尺寸较大的薄膜晶体管液晶显示器件产品。
大屏幕显示器件的需求推动了市场规模的增长。
3. 能效提升随着环保意识的增强，能效提升成为市场的一个重要趋势。
薄膜晶体管液晶显示器件市场中，能效较高的产品受到更多消费者的青睐。
结论通过对薄膜晶体管液晶显示器件市场规模的分析，可以看出市场规模在逐年扩大。
随着人们对高清画质和大屏幕显示的需求增加，薄膜晶体管液晶显示器件市场的发展前景广阔。
同时，技术的不断进步以及市场竞争的加剧也将推动市场规模的增长。
薄膜晶体管-调研报告解析
“薄膜晶体管的制备及电学参数”调研报告（青岛大学物理科学学院，应用物理系）摘要：20世纪平板显示技术的出现，把人类带入了信息社会，人类社会从此发生了质的飞跃。
而平板显示的核心元件就是薄膜晶体管TFT(nlin Film Transistor)，一种在掺杂硅片或玻璃基底上通过薄膜工艺制作的场效应晶体管器件。
将半导体氧化物作为有源层来制作TFT用于平板显示中，不仅能获得较高迁移率，器件性能优越，而且制造工艺简单、低温下可以获得，显示出了巨大的应用前景。
本文综述了薄膜材料的制备方法，薄膜晶体管的发展历程与应用以及其结构、工作原理和测试表征方法。
关键词：薄膜材料，薄膜晶体管，制备，表征方法Abstract:In the 20th century,the emergence of the flat panel display technology has brought human beings into the information society．Since then the human society happened a qualitative leap．The core component of flat panel display is the thin film transistor(TFT)，it is a field effect transistor device produced by thin film technology on the doped-silicon or glass．If we use the semiconductor oxide as the active layer，not only we can get a higher mobility，bu also the device performance call be enhanced．And the manufacturing process is simple，low temperatures also can be obtained,which shows a great prospect．The preparation method of thin film materials is reviewed in this paper, the development and application of thin film transistor and its structure, working principle and test method are characterized,Keywords: Thin film materials, thin film transistor, manufacture, characterization methods前言薄膜材料是指厚度介于单原子分子到几毫米间的薄金属或有机物层。
氧化物薄膜晶体管研究
氧化物薄膜晶体管研究随着科技的不断发展，氧化物薄膜晶体管作为一种重要的电子器件，在集成电路、生物医学、光电子等领域得到了广泛的应用。
本文将详细讨论氧化物薄膜晶体管的制备、特性、应用等方面，旨在为相关领域的研究人员提供一些参考。
一、氧化物薄膜晶体管的制备氧化物薄膜晶体管的制备主要包括基底准备、氧化物薄膜的生长和器件的加工三个环节。
其中，基底准备是关键步骤之一，它直接影响着氧化物薄膜的生长和器件的性能。
常用的基底材料有硅、玻璃、金属等，需要根据实际应用需求进行选择。
氧化物薄膜的生长是制备过程中的核心环节，常用的方法有物理气相沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶法等。
这些方法各有优劣，需要根据实际需求进行选择。
例如，物理气相沉积和化学气相沉积方法可以在较高的温度下制备出高质量的氧化物薄膜，但设备成本较高，工艺复杂；溶胶-凝胶法则可以在较低的温度下制备出均匀、透明的氧化物薄膜，但需要严格控制工艺条件，以保证薄膜的质量。
在氧化物薄膜生长完成后，需要进行器件的加工，包括源极、栅极、漏极等部位的制备和连接。
这一步骤通常需要使用光刻、刻蚀等技术，需要严格控制工艺参数，以保证器件的性能和稳定性。
二、氧化物薄膜晶体管的特性氧化物薄膜晶体管作为一种电子器件，具有一些独特的特性。
首先，氧化物薄膜晶体管的载流子迁移率较高，可以达到硅基器件的几十倍甚至上百倍，这使得其具有较高的开关速度和较低的功耗。
其次，氧化物薄膜晶体管的阈值电压较低，这使得其具有较低的驱动电压，有利于实现低功耗应用。
此外，氧化物薄膜晶体管的制备工艺相对简单，成本较低，适合大规模生产。
三、氧化物薄膜晶体管的应用由于其独特的特性，氧化物薄膜晶体管在多个领域得到了广泛的应用。
例如，在集成电路中，氧化物薄膜晶体管可以作为数字和模拟电路的基本元件，用于实现逻辑运算、信号放大等功能。
在生物医学领域，氧化物薄膜晶体管可以用于构建生物传感器和神经模拟器，用于检测生物分子和模拟神经信号传导。
薄膜晶体管的研究进展
薄膜晶体管的研究进展现今社会，随着科技的不断发展，人类走向了数字化世界。
而在数字化世界中，电子、电器是不可或缺的元素。
因此，半导体技术及其相关的晶体管技术也得到了广泛的研究和应用。
而薄膜晶体管也是其中的一种关键技术之一，下文将对薄膜晶体管的研究进展作特别介绍。
薄膜晶体管，又称为费米场效应晶体管，是由透明电极、金属柵极、半导体层和金属漏极等元件组成的一种微电子元件，主要由多晶硅、非晶硅等材料组成。
薄膜晶体管的制备难度相对较低，因而产量较高，成本相对较低，广泛应用于计算机、移动通讯、平板电视等电子领域。
薄膜晶体管的应用领域非常的广泛，如在平板电视领域中，薄膜晶体管可以利用其原理，使得电视的像素点更加清晰、更加稳定，使整个电视的效果显得更为出色。
在智能手机、平板电脑等通讯领域，薄膜晶体管也拥有着广泛的应用，可以用于控制LCD的显示和触摸显示屏的最终输出。
但是，由于薄膜晶体管的尺寸很小，因此其电性能差，电压和功率都较低，限制了其功耗和性能的提高。
因此，在不断的研究中，人们对薄膜晶体管做出了许多深入的探索和研究，使之在不断的发展变得更加成熟和完善。
首先，人们研发出一种新的有源层材料，有源层材料是该元件电流的运输材料，优异的有源层材料将极大地改善元件的性能。
目前，非晶硅材料被广泛认为是一种较为理想的有源层材料，它的研究和发展也是薄膜晶体管研究的重点之一。
其次，为提高薄膜晶体管的输出电流和增强其电压性能，研究人员还在晶体管中引入了新的工艺技术和材料，以完善元件的性能。
目前，硅酸盐、氮化硅等材料被广泛应用。
而针对硅酸盐材料的研究尤为深入，因其结晶性能较高，具有更好的电性能和良好的制备性能，而且成本低、易于操作。
此外，为提高薄膜晶体管的可靠性，在新一代的半导体工艺中，多项尺寸越小、功耗越低的技术也被广泛应用于薄膜晶体管领域，如全自动光刻、WD光刻等等，对于提高制造质量和稳定性具有重要作用。
最后，随着薄膜晶体管技术的不断进步，客户对元器件的性能和质量的要求日益增高，因此生产商们在制造过程中，不断提高其生产效率、降低成本、提高质量，并及时对其产品进行更新和提升，以适应市场的需求。
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“薄膜晶体管的制备及电学参数”调研报告（青岛大学物理科学学院，应用物理系）摘要：20世纪平板显示技术的出现，把人类带入了信息社会，人类社会从此发生了质的飞跃。
而平板显示的核心元件就是薄膜晶体管TFT(nlin Film Transistor)，一种在掺杂硅片或玻璃基底上通过薄膜工艺制作的场效应晶体管器件。
将半导体氧化物作为有源层来制作TFT用于平板显示中，不仅能获得较高迁移率，器件性能优越，而且制造工艺简单、低温下可以获得，显示出了巨大的应用前景。
本文综述了薄膜材料的制备方法，薄膜晶体管的发展历程与应用以及其结构、工作原理和测试表征方法。
关键词：薄膜材料，薄膜晶体管，制备，表征方法Abstract:In the 20th century,the emergence of the flat panel display technology has brought human beings into the information society．Since then the human society happened a qualitative leap．The core component of flat panel display is the thin film transistor(TFT)，it is a field effect transistor device produced by thin film technology on the doped-silicon or glass．If we use the semiconductor oxide as the active layer，not only we can get a higher mobility，bu also the device performance call be enhanced．And the manufacturing process is simple，low temperatures also can be obtained,which shows a great prospect．The preparation method of thin film materials is reviewed in this paper, the development and application of thin film transistor and its structure, working principle and test method are characterized,Keywords: Thin film materials, thin film transistor, manufacture, characterization methods前言薄膜材料是指厚度介于单原子分子到几毫米间的薄金属或有机物层。
当固体或液体的一维线性尺度远远小于它的其他二维尺度时，我们称这样的固体或液体为膜。
薄膜材料具有良好的韧性、防潮性和热封性能，应用非常广泛。
例如：双向拉伸聚丙烯薄膜（BOPP）、低密度聚乙烯薄膜（LDPE）、聚酯薄膜（PET）、镀铝薄膜、半导体氧化物薄膜等等。
近几年来，以氧化锌、氧化铟、氧化锡等半导体氧化物及其合金为有源层的透明薄膜晶体管备受关注，并已取得了突破性进展。
这些氧化物是优异的光电材料，具有高光学透过率、生长温度低、击穿电压高、电子迁移率高等优点，从而可以获得更好、成本更低的薄膜晶体管，并且也为新型薄膜晶体管的发展带来了契机。
氧化物薄膜晶体管作为极具发展潜力的新型薄膜晶体管，具备了许多传统TFT无法比拟的优点，但是也存在诸多问题有待进一步解决。
例如，如何解决外界环境对器件性能的影响，优化工艺从而降低成本，如何制作出性能优越、具有实用价值的器件等，这些都是现在研究面临的问题。
本文的主要调研对象，包括氧化锌以及有机薄膜作为有源层的薄膜晶体管。
薄膜晶体管的发展历程1925年，Julius Edger Lilienfeld首次提出结型场效应晶体管(FieldEffect Transistor，简称FET）的基本定律并于1930年获得专利，开辟了对固态放大器研究的先河。
1933年，Lilienfed又将绝缘栅结构引进场效应晶体管。
1962年RCA实验室的P.K.Weimer应用多晶态的硫化镉薄膜做有源层，用SiO2薄膜做有源层，成功制作出了“交叠型”结构器件。
1979年，Spear和Ghaith 用非晶硅(a-Si)做TFT有源层，氮化硅作为绝缘层成功制作出性能较好的器件。
1986年Tsttmura等人首次用聚噻吩为半导体材料制备了有机薄膜晶体管(OTFT)，OTFT技术从此开始得到发展。
薄膜晶体管应用前景TFT制造技术是高亮度、高集成度平板显示器件的核心，许多新技术。
新产品、新应用都将以TFT为核心技术，对人们的生活产生深刻的影响。
显示器产业发展到今天，平板显示器件正在逐渐代替传统的阴极射线管显示器(CRT)，成为市场的主流。
而平板显示器件中有源驱动TFT-LCD又成为主流。
此外，在未来的新型显示技术中，除了TFT-OLED外，还有场发射显示器件(SED)，以及柔性电子技术等等，这些都会广泛的应用到TFT核心技术。
薄膜的制备方法1、真空蒸镀真空蒸镀即真空蒸发镀膜，这是制作薄膜最一般的方法。
这种方法是吧装有基片的真空室抽成真空，使气体压强达到102 Pa以下，然后加热镀料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。
其原理图1如下，2、离子镀和离子束沉积离子镀技术的原理是，在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时，把蒸发物质活其反应物蒸镀在基片上。
其原理图如下离子束沉积法是利用离化的粒子作为蒸镀物质，在比较低的基片温度下能形成具有优良特性的薄膜。
其原理图如下3、溅射镀膜溅射镀膜指的是，在真空室中，利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术，实际上式利用溅射现象达到制取各种薄膜的目的。
溅射镀膜有很多方式，磁控溅射，直流溅射，射频溅射，离子束溅射等等。
其原理图如下4、化学气相沉积化学气相沉积主要利用的是在高温空间（也包括在基板上）以及活性化空间中发生的化学反应，故称其为化学气相沉积（chemical vapor deposition,CVD）。
CVD是指反应原料为气态，生成物种至少有一种为固态，利用基体膜表面的化学触媒反应而沉积薄膜的方法。
其原理图如下，薄膜晶体管的结构TFT的结构有很多种分类形式，例如可以分为共面型、反共面型和错列型和反错列型等。
但总的来说目前被广泛研究的TFT结构一般可以分为两类：底栅(bottom—gated)型结构和顶栅型(top—gated)结构。
底栅型结构顾名思义就是栅极在最底层，紧贴着衬底，往上依次是绝缘层、有源层和源漏电极(如图2．1 所示)。
顶栅型结构就是栅极在最上面，紧贴着衬底的是源漏电极，往上然后依次是有源层、绝缘层和栅极。
如图给出了底栅型结构和顶栅型结构的剖面图比较。
TFT的两种基本结构示意图目前大部分实用的TFT器件都采用的是底栅型结构。
因为底栅型结构的TFT 金属栅极和绝缘层薄膜可以用来作为半导体层薄膜的光学保护层，以防止背光源发出的光照射到半导体层所产生的光生载流子而破坏半导体层的电学特性ll】。
因此，底栅型结构一般要比顶栅型结构的TFT性能稳定，目前被广泛应用。
但项栅型的TFT制造工艺简单，所需光刻版数量少，成本低，在某些场合也被用到。
TFT的工作原理薄膜晶体管TFT的结构和工作原理与金属．氧化物．半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)非常相似，所以我们可以通过对MOSFET工作原理的理解来了解TFT的工作原理。
MOSFET由金属栅极(gate，G)，绝缘层，半导体层、沟道，重掺杂欧姆接触的源极(source，S)和漏极(drain,D)共同组成。
其特点主要是在金属栅极与沟道之间有一层绝缘层(例如二氧化硅)，沟道电流是由半导体层和氧化物界面电荷反转引起的，这个电荷是由栅极电压控制的。
导电沟道是一个可变电阻，外加电压改变导电沟道的几何尺寸，可以改变导电沟道电阻的大小，从而达到控制源漏电流的目的【21。
当源漏电压等于零时，栅极电压变化，导电沟道处处宽度相等；当源漏电压不等于零时，导电沟道呈楔形，靠近漏极处沟道较宽，从而引起源漏电流的变化。
在导电沟道类型上，TFT可以分为n型和P型。
11型TFT是通过自由电子导电，而P型TFT是通过空穴进行导电。
根据导电方式的不同，MOSFET又分为增强型和耗尽型。
增强型是指：当栅极与源极之间电压VGs=0时，晶体管呈截止状态，当栅极与源极之间加上适当电压VGs后，多数载流子被吸引到栅极，从而增强了该区域的载流子，形成了导电沟道。
对于增强型晶体管，当栅极与源极之间电压增大到某一数值时，导电沟道就建立了，成为开启，这时栅极与源极之间电压为阈值电压VTH。
由于11型晶体管是通过自由电子导电，而P型是通过空穴导电，所以n型晶体管VTH>0；P型晶体管VTH<O。
耗尽型则是指，当VGs=0时已经形成沟道，当栅极与源极之间加上适当电压VGs后，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，是晶体管转向截止。
对于耗尽型晶体管，当VGs=0时已经形成沟道，栅极与源极之间电压减小到某一数值时，导电沟道就消失了，成为夹断，这时栅极与源极之间电压为夹断电压VGs(on)。
以n型增强型晶体管为例，图2．3为我们实验组制作的某一个TFT器件输出特性曲线，具体介绍其工作原理：晶体管在正常工作时，各个电极之间必须加上合适的工作电压才能发挥其控制作用。
其输出特性大致可以分为四个区域：（1）夹断区：当VGS<VTH时，导电沟道消失，整个沟道被夹断，源漏电流IDa0，场效应管截止，如图下面阴影部分所示。
（2）可变电阻区：场效应晶体管工作在源漏电压VDs很小的区域，需满足VGs>VTH且VDS <VGS-VTH，此时导电沟道畅通，源漏之间相当于一个电阻。
在Vos一定时，沟道电阻也一定，I D 随着VGs 增大而线性增大。
（3）恒流区：输出特性曲线趋于水平的部分。
VDs 增大到一定程度后，ID 基本恒定，而与VDs 无关，此时源漏电流ID 主要由VGs 决定。
（4）击穿区：如果继续增大VDs 到一定值后，源漏电极之间会发生击穿，源漏电流ID 急剧上升，晶体管可能被损坏。
TFT 主要性能参数（1）场效应迁移率场效应迁移率是TFT 器件的重要参数。