集成电路版图基础知识练习

一、填空

1.ls (填写参数)命令用于显示隐藏文件。（-a）

2.进入当前目录的父目录的命令为 (%cd ..)

3.查看当前工作目录的命令为：（%pwd）

4.目录/home/www/uuu已建立，当前工作目录为/home/www，采用绝对路径

进入/home/www/uuu的命令为：（%cd /home/www/uuu）

5.假设对letter文件有操作权限，命令%chmod a+rw letter会产生什么结

果：（对所有的用户增加读写权限。）

6.显示当前时间的命令为：（%date）

7.打开系统管理窗口的命令为：（%admintool）

8.与IP地址为的主机建立FTP连接的命令为：（%ftp

or %ftp %open ）

9.建立FTP连接后，接收单个文件的命令为：（%get）

10.建立FTP连接后，发送多个文件的命令为：（%mput）

11.有一种称为 2P5M CMOS单井工艺, 它的特征线宽为______，互连层共有

_____层，其电路类型为_______。 7 CMOS

12.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序：

a.生成多晶硅

b.确定井的位置和大小

c.定义扩散区，生成源漏区

d.确定有源区的位置和大小

e.确定过孔位置

正确的顺序为：___ _________________。bdace

13.集成电路中的电阻主要有__________, ____________, _____________三

种。井电阻，扩散电阻，多晶电阻

14.为方便版图绘制，通常将Contact独立做成一个单元，并以实例的方式调

用。若该Contact单元称为P型Contact，由4个层次构成，则该四个层次分别为：_________，_________, _________, ___________. active, P+ diffusion, contact, metal.

15.CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为

___________________________________。报证PN结反偏，使MOS器件能够正常工

作。

16.版图验证主要包括三方面：________，__________，__________; 完成该

功能的Cadence工具主要有（列举出两个）：_________，_________。DRC, LVS, ERC, Diva, Dracula

17.造成版图不匹配的因数主要来自两个方面：一是制造工艺引起的，另一个

是__________;后者又可以进一步细分为两个方面：_______________，

_____________。片上环境波动，温度波动，电压波动。

18.DRC包括几种常见的类型，如最大面积（Maximum Dimension），最小延伸

（Minimum Extension），此外还有_________，_________，_________。最小间距，最小宽度，最小包围（Minimum Enclosure）。

19.减少天线效应的三种方法有：____________，____________，__________。

插入二极管，插入缓冲器，Jumper (或者，通过不同的金属层绕线)。

20.由于EDA工具的不统一，出现了各种不同的文件格式，如LEF, DEF等，

业界公认的Tape out 的文件格式为 _______，它不可以通过文本编辑器查看，因为它是______（文件类型）。GDSII ， 流文件。

21. 根据的冯.诺依曼的“101页报告”，计算机的五大部件是：输入装置、

_________、_________、_________、输出装置。逻辑部件、运算部件、存储器

22. 流水线中可能存在三种冲突，它们是：_________、_________、_________，

从而造成流水线停顿，使流水线无法达到最高性能。资源冲突、数据冲突、控制冲突

23. 写出JK 触发器的特性方程：__________________。（ ）

24. 随着1000M 网卡等高速设备的出现，传统的PCI 总线无法满足PC 系统的

数据传输需求，INTEL 于2001年提出了第三代局部总线技术_________。3GIO 或 PCIExpress

25. AMBA 是为了设计高性能的嵌入式微控制器系统而推出的片上通信标准，

它包括ASB 、_________、_________等三套总线。AHB 、APB

26. SoC 的设计基于IP Core 的复用，IP Core 包括三种：_________、_________、

_________。 软核、固核、硬核

27. RISC CPU 的三大特点是：_________、_________、_________。ALU 的数

据源自Register 、只用LD/ST 指令可以访问MEMORY 、指令定长

28. ARM 处理器包含两种指令集：_________、_________。Arm 指令、thumb

指令

29. MCS80C51是CISC CPU ，属于哈佛结构，arm 属于_________CPU 。RISC

30. Arm7TDMI 中，T 代表_________、D 代表_________、M 代表_________、I

代表_________。Thumbm 、debug 、multiplier 、ise

31. 固体分为 晶体 和 非晶体 两大类。

32. 半导体材料中锗和硅属于 金刚石 结构，砷化镓属于 闪锌矿 结构。

33. 施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电

子，使半导体成为电子导电的n 型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的p 型半导体。

34. 晶体中电子的能量状态是量子化的。电子在各状态上的分布遵守费米分布

规律。

35. 电子在热运动时不断受到晶格振动和杂质的散射作用，因而不断地改变运

动方向。半导体中的主要散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射。

36. pn 结有电容效应，分为势垒电容和扩散电容。

37. 在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB 结 正向偏置，CB 结反向偏置。

38. CMOS 的英文全称是 Complementary Metal Oxide Semiconductor 。

39. MOS 场效应晶体管分为四种基本类型：N 沟增强型、N 沟耗尽型、P 沟增强

型、P 沟耗尽型。

40. 衬底偏置电压会影响MOS 器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS

器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为体效应。

41. 用Cadence 软件设计集成电路版图的输出数据的格式是（GDSII 格式）。

42. 在nwell 上画pmos 器件时需要在nwell 上加（n+接触孔），并用金属线

把这个（n+接触孔）与nwell 内的（最高）电位相连接。

43. 在P 型衬底上画nmos 器件时需要在P 型衬底上加（p+接触孔），并用金属

n

n n Q K Q J Q +=+1