电子技术基础离线作业 (答案)

浙江大学远程教育学院

《电子技术基础》课程作业

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————————————————————————————— 模拟电子技术基础部分

题1 在图1电路中,设V t v i ωsin 12=,试分析二极管的导电情况(假定D 均为理想二极管)。

图1

题2电路如图2所示,分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管D的导通压降V D=0.7 V,并求出D导通时电流I D的大小。

(1)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R1= 2 kΩ,R2= 3 kΩ;

(2)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R1=R2= 3 kΩ;

(3)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R1= 3 kΩ,R2= 2 kΩ。

图2

v、题3图3(a)所示电路中,D1、D2为硅管,导通压降V D均为0.7 V,图3(b)为输入A

B v 的波形,试画出O v 的波形。

题4 图3电路中,输入端A v 、B v 如按下述各种方法连接时确定相应的输出O v = ?。

(1)A v 接+2V ,B v 接+5V ;

(2)A v 接+2V ,B v 接-2V ;

(3)A v 悬空,B v 接+5V ;

(4)A v 经3K 电阻接地,B v 悬空。

题3

题5 图5所示电路中,设()V t v I ωsin 103+=,稳压管1Z D 和2Z D 的稳定电压分别为V V Z 51=、V V Z 72=,正向降压为0.7 V 。试画出Z i 和O v 的波形(要求时间坐标对齐)。

题5

题6 图6所示电路中,稳压管2CW16具有下列特性:稳定电压9 V ,耗散功率允许值250 mW ,稳压管电流小于1 mA 时不能稳压,且动态电阻不大于20Ω。试按电路中的参数计算:

(1)当Ω=k R L 1时,电流R I 、Z I 、L I 的大小;

(2)当电源电压I V 变化20±%时,计算O V 的变化量。

题6

题7 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号,但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为:甲管V V X 9=,V V Y 6=,V V Z 7.6=;乙管V V X 9-=,V V Y 6-=,V V Z 2.6-=。试分析三个电极中,哪个是发射极、基极和集电极?它们分别是NPN 型还是PNP 型,是锗管还是硅管?

解: 甲管为NPN 型硅管,其中X 为C 极,Y 为E 极,Z 为B 极;

乙管为PNP 型锗管,其中X 为C 极,Y 为E 极,Z 为B 极。

题8 从图8所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型和电路中所处的工作状态。注:图中的型号3AX31C 等表示的意义为:第1个数字3表示三极管,第2个字母A 、D 、C 等分别表示管子的材料为锗、硅、硅材料,第3个字母G 、K 、X 、D 分别表示高频管、开关管、低频管、大功率管等,后面的数字和字母通常表示序号。

(1)是锗管还是硅管?

(2)是NPN 型还是PNP 型?

(3)是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种?或是已经损坏?(指出哪个结已坏,是烧断还是短路?)[提示:注意在放大区,硅管V V V V E B BE 7.0≈-=,锗管V V BE 3.0≈,且V V V V E C CE 7.0>-=;而处于饱和区时,V V CE 7.0≤。]

题8

题10 图10所示电路中,设晶体管的50=β,V V BE 7.0=。

(1)试估算开关S 分别接通A 、B 、C 时的B I 、C I 、CE V ,并说明管子处于什么工作状态。

(2)当开关S 置于B 时,若用内阻为10 k Ω的直流电压表分别测量BE V 和CE V ,能否测得实际的数值?试画出测量时的等效电路,并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比,是偏大还是偏小?

(3)在开关置于A 时,为使管子工作在饱和状态(设临界饱和时的V V CE 7.0=),c R 的值不应小于多少?

题10

题11 图11(a )~(c )所示均为基本放大电路,设各三极管的50=β,V V BE 7.0=。

(1)计算各电路的静态工作点;

(2)画出交流通路,说明各种放大电路的组态。

解:

图(a ):I BQ ≈18.5μA ,I CQ ≈0.93mA ,V CEQ ≈8.2V ;

图(b )电路:

mA 65.3=β=BQ CQ I I

[]

V 65.5)23(24-=+--=CQ CEQ I V

图(C )电路:

V CEQ=15-(R c+R e)I CQ=9.5 V

(2) 交流通路如下图所示。图(a )、图(b )为CE 组态,图(c )为CB 组态。

题12 双极型晶体管组成的基本放大电路如图题12(a )、(b )、(c )所示。设各BJT 的

Ω=200'bb r ,50=β,V V BE 7.0=。

(1)计算各电路的静态工作点;

(2)画出各电路的微变等效电路,指出它们的电路组态;

(3)求电压放大倍数v A 、输入电阻i R 和输出电阻o R ;

(4)当逐步加大输入信号时,求放大电路(a )将首先出现哪一种失真(截止失真或饱

和失真),其最大不失真输出电压幅度为多少?

图12

解:对图(a )电路:

(1) 求静态工作点

A 733

5117.012)1(7.012μ≈⨯+-=β++-=e s BQ R R I mA 65.3=β=BQ CQ I I

[]

V 65.5)23(24-=+--=CQ CEQ I V

(2) CE 组态,微变等效电路为:

(3) 动态指标计算

Ω=+=β++=k 56.0073

.026200)1('EQ T bb be I V r r 17956

.0250-=⨯-=-=be c

v r R A β 64)179(56

.0156.0-=-+=+=v i s i vs A R R R A R i=r be=0.56 k Ω

R o=R c=2 k Ω

(4) 当截止失真时,V om1=I CQ ×R c=7.3 V

当饱和失真时,V om2=|V CEQ |-|V CES |=5.65-0.7≈5.0 V

所以,首先出现饱和失真。V om=5.0V

图(b )电路:

(1) 求静态工作点

A 181515.47.07.1)1(//7.01521211μ=⨯+-=β++-+⨯

=e b b b b b BQ R R R R R R I I CQ=βI BQ=0.9 mA

V CEQ=15-(R c+R e)I CQ=9.5 V

(2) CB 组态,微变等效电路为:

(3) 动态指标计算

Ω=+=β++=k 64.1018

.026200)1('EQ T bb be I V r r

7.7764

.1)1.5//1.5(50)//(=⨯=--==be b L c b i o v r I R R I V V A β Ω==+== 3151

64.1//11//βbe e i i i r R I V R R o ≈R c=5.1 k Ω

图(c )电路:

(1) 求静态工作点

A 5.403

512007.015)1(7.015μ=⨯+-=β++-=e b BQ R R I I CQ=β×I BQ=2 mA

V CEQ=1.5-I CQ ×R e=15-2×3=9 V

(2) CC 组态,微变等效电路为:

(3) 动态指标计算

Ω=+=β++=k 85.004

.026200)1('EQ T bb be I V r r 99.05.15185.05.151)//()1()//()1(=⨯+⨯=+++==

L c b be b L c b i o v R R I r I R R I V V A ββ [][]Ω=⨯+=++==k 8.555.15185.0//200)//)(1(//L e be b i

i i R R r R I V R β Ω=+=++==∞== 5451

200//285.0//31////0

''βb s be e R V o o o R R r R I V R L s 96.099.08

.5528.55=⨯+=+=

v i s i vs A R R R A

题13 在图13所示的两级放大电路中,若已知T 1管的1β、1be r 和T 2管的2β、2be r ,且电

容C 1、C 2、C e 在交流通路中均可忽略。

(1)分别指出T 1、T 2组成的放大电路的组态;

(2)画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向);

(3)求出该电路在中频区的电压放大倍数i

o v V V A =

、输入电阻i R 和输出电阻o R 的表达式。

图13

解:(1) T 1管组成共射(CE )组态,T 2管组成共集(CC )组态。

(2) 整个放大电路的微变等效电路如图所示。

(3) 第一级的电压放大倍数为: )//(1

22111be i i o v r R R -V V A β== R i2是第二级放大电路的输入电阻,R i2 = r be2+(1+β2)(R 4//R L)。

第二级放大电路为射极跟随器,所以 12≈v A 所以, )]}//)(β1(//[{1

4222121be L be v v v r R R r R -A A A ++=

⋅=β R i= R i1 =R 1∥r be1

题14 在图14所示的差动放大电路中,设T 1、T 2管特性对称,β1=β2=100,V BE =0.7V ,且r bb ′=200Ω,其余参数如图中所示。

(1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ ,若将R c1短路,其它参数不变,则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化?

A=?;

(2) 计算差模输入电阻R id。当从单端(c2)输出时的差模电压放大倍数

d

2

A和共模抑制比K CMR;

(3) 当两输入端加入共模信号时,求共模电压放大倍数

2c

(4) 当v I1=105 mV,v I2=95 mV时,问v C2相对于静态值变化了多少?e点电位v E变化了多少?

图14

题15在图15所示电路中,设各晶体管均为硅管,β= 100,r bb′=200 Ω。

(1) 为使电路在静态时输出直流电位V OQ=0,R c2应选多大?

A;

(2) 求电路的差模电压放大倍数

vd

(3) 若负电源(-12V)端改接公共地,分析各管工作状态及V O的静态值。

图15

题16在图16中,设集成运放为理想器件,求下列情况下v O与v S的的关系式:(1)若S1和S3闭合,S2断开,v O=?

(2)若S1和S2闭合,S3断开,v O=?

(3)若S2闭合,S1和S3断开,v O=?

(4)若S1、S2、S3都闭合,v O=?

图16

题17用集成运放和普通电压表可组成性能良好的欧姆表,电路如图17所示。设A为理想运放,虚线方框表示电压表,满量程为2V,R M是它的等效电阻,被测电阻R x跨接在A、B 之间。

(1)试证明R x与V O成正比;

(2)计算当要求R x的测量范围为0~10kΩ时,R1应选多大阻值?

图17

题18图18(a)为加法器电路,R11=R12=R2=R。

图18

(1)试求运算关系式:

v O= f(v I1,v I2);

(2)若v I1、v I2分别为三角波和方波,其波形如图题2.4.11(b)所示,试画出输出电压波形并注明其电压变化范围。

(3)

题19由四个电压跟随器组成的电路如图19所示,试写出其输出电压的表达式:

v O= f (v I1,v I2,v I3)。

图19

题20试写出图20加法器对v I1、v I2、v I3的运算结果:v O= f (v I1、v I2、v I3)。

《数字电子技术A》离线作业答案

数字电子技术A第1次作业 一、单项选择题(只有一个选项正确,共9道小题) 1. ()是仓储的基本任务,是仓储产生的根本原因。 (A) 流通调控 (B) 存储 (C) 质量管理 (D) 数量管理 正确答案:D 2. 在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是 (A) 译码器 (B) 编码器 (C) 全加器 (D) 寄存器 正确答案:D 3. (A) (B) (C) (D) 正确答案:C 4. 逻辑函数F1、F2、F3的卡诺图如图1-2所示,他们之间的逻辑关系是。 (A) F3=F1?F2 (B) F3=F1+F (C) F2=F1?F3 (D) F2=F1+F3

正确答案:B 5. 八选一数据选择器74151组成的电路如图1-3所示,则输出函数为() (A) (B) (C) (D) 正确答案:C 6. 某逻辑门的输入端A、B和输出端F的波形图1-7所示,F与A、B的逻辑关系是: (A) 与非 (B) 同或 (C) 异或 (D) 或 正确答案:B 7. 十进制数3.625的二进制数和8421BCD码分别为() (A) 11.11 和11.001 (B) 11.101 和0011.011000100101 (C) 11.01 和11.011000100101 (D) 11.101 和11.101 正确答案:B 8. 下列几种说法中错误的是() (A) 任何逻辑函数都可以用卡诺图表示

(B) 逻辑函数的卡诺图是唯一的。 (C) 同一个卡诺图化简结果可能不是唯一的 (D) 卡诺图中1的个数和0的个数相同。 正确答案:D 9. 和TTL电路相比,CMOS电路最突出的优点在于() (A) 可靠性高 (B) 抗干扰能力强 (C) 速度快 (D) 功耗低 二、主观题(共25道小题) 10. 如图3所示,为检测水箱的液位,在A、B、C、三个地方安置了三个水位检测元件,当水面低于检测元件时,检测元件输出低电平,水面高于检测元件时,检测元件输出高电平。试用与非门设计一个水位状态显示电路,要求:当水面在A、B之间的正常状态时,仅绿灯G亮;水面在B、C 间或A以上的异常状态时,仅黄Y灯亮;水面在C以下的危险状态时,仅红灯R亮。 参考答案: 11.

数字电子技术离线作业

模拟题一 一、单项选择 1、数字信号是 (b) 。 (a) 时间和幅值上连续变化的信号 (b) 时间和幅值上离散的信号 (c) 时间上连续、幅值上离散变化的信号 (c) 时间上离散、幅值上连续变化的信号 2、处理 (d) 的电子电路是数字电路。 (a) 交流电压信号 (b) 直流信号 (c) 模拟信号 (d) 数字信号 3、 数字电路中,晶体管的工作于 (d) 状态。 (a) 放大 (b) 饱和 (c) 截止 (d) 开关 4、 在设计过程中,逻辑函数化简的目的是 (b) 。 (a) 获得最简与或表达式 (b) 用最少的逻辑器件完成设计 (c) 用最少的集电门完成设计 (d) 获得最少的与项 5、10- 4线优先编码器允许同时输入 (d) 路编码信号。 (a) 1 (b) 9 (c) 10 (d) 多 6、 要使JK 触发器的输出Q 从1变成0,它的输入信号JK 应为 (b) 。 (a) 00 (b) 01 (c) 10 (d) 无法确定 7、 TTL 集成单稳态电路的暂稳态时间t W 为___(a)___。 (a) X X 0.7R C (b) X X R C (c) X X 1.1R C (d) X X 2.2R C 8、n 位环形移位寄存器的有效状态数是 (a) 。 (a) n (b) 2n (c) 4n (d) 2n 9、以下可编程逻辑器件中,集成密度最高的是 (d) 。 (a) PAL (b) GAL (c)HDPLD (d) FPGA 10、 若双积分A/D 转换器第一次积分时间T 1取20mS 的整倍数,它便具有 (b) 的优点。 (a) 较高转换精度 (b) 极强抗50Hz 干扰 (c) 较快的转换速度 (d) 较高分辨率 二. 填空题(请在空格中填上合适的词语,将题中的论述补充完整) 1、人们习惯的数制是 十进制 ,在数字电路中常用的数制是 二进制 。 2、在晶体三极管c 、b 极间并接 肖特基二极管 ,可提高晶体三极管开关速度。 3、 基本译码电路除了完成译码功能外,还能实现 逻辑函数发生 和 DMUX 功能。 4、用74LS138译码器实现多输出逻辑函数,需要增加若干个 与非门 。 5、触发器按逻辑功能可分为 RS 触发器 、 JK 触发器 、 T 触发器 、 D 触发器 4种最常用的触发器。 6、TTL 与非门构成的微分单稳电路中,若出现WI W t t 时,可采用_微分电路_电路解决。 7、 4个触发器构成的行波计数器,其最大计数长度为 16 。 8、按照数据写入的方式,ROM 可分为 掩脱ROM 、 PROM 、 EPROM 、和 E2PROM 等四类。 9、一10位ADC 的最小分辨电压为8mV ,采用四舍五入的量化方法,若输入电压为5.337V ,则输出数字量为 (1010011011)2 。 10、8位并行比较型A/D 转换器内比较器数量应为 255 。

电子技术基础知识练习题与答案

电子技术基础知识练习题与答案 电子技术基础知识练习题与答案 电子技术是根据电子学的原理,运用电子元器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学,包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。下面跟着小编来看看电子技术基础知识练习题与答案吧!希望对你有所帮助。 一、基础知识。 1.按照调制方式分类,光调制可以分为:强度调制、相位调制、波长调制、频率调制、偏振调制。 2.半导体激光器发光是由能带之间的电子空穴对复合产生的。 3.激励过程是使半导体中的载流子过程从平衡态激发到非平衡态。 4.固体激光器是以固体为工作物质的激光器,也就是以掺杂的离子型绝缘晶体和玻璃为工作物质。 5.光纤传感器中常用的光电探测器:光电二极管、光电倍增管、光敏电阻。 6.红外探测器的响应波长范围参数指探测器电压响应率与入射的红外波长之间的关系。 7.光子探测原理是指利用半导体在入射光的照射下产生光子效应。 8.利用温差电势制成的红外探测器称为热电偶。 9.红外辐射在大气中传播时由于大气中水分子、蒸汽等吸收和散射使辐射在传播过程中衰减。 10.当红外辐射照在热敏电阻上时,使温度上升,内部粒子无规则运动加剧,自由电子数随温度而上升,所以电阻会减小。 11.辐射出射度:辐射体单位面积向半空间发出的辐射通量。 12.光电磁是利用光生伏特效应将光能变成电能。 13.任何物质只要温度高于0K就会向外辐射能量。 14.红外无损检测是通过测量热流或热量来检测。 15.内光电探测器可分为光电导、光伏特、光电磁三种探测器。 16.红外探测器的性能参数:电压响应率、噪声等效功率、时间常

数。 17.光束扫描根据其应用的目的可分为模拟扫描和数字扫描。模拟扫描用于显示,数字扫描用于光存储。 18.固体摄像器件主要有:CCD、CMOS、CID。 19.声光相互作用分为:拉曼—纳斯衍射和布喇格衍射。 20.磁光效应:外加磁场作用引起材料光学各向异性的现象。 https://www.360docs.net/doc/9e19143210.html,D的基本功能:电荷存储、电荷转移。按结构分为线阵CCD和面阵CCD。 22.液晶分为溶致液晶和热致液晶两大类。 23.光辐射照射在半导体表面,材料中电子和空穴由原来的不导电状态转化为导电状态,这种现象称为光电导。 24.光束调制按其调制的性质可分为调幅、调频、调相及强度调制等。 25.实现脉冲编码调制,必须进行的三个过程:抽样、量化和编码。 26.光电二极管是指以光导模式工作的结型光伏型探测器。常见的光电二极管有硅光电二极管、雪崩光电二极管(APD)、PIN光电二极管、肖特基势垒光电二极管。 27.光热探测器由热敏元件、热链回路和大容量的散热器组成。常见光热探测器有热敏电阻、热释电探测器、热点偶。 https://www.360docs.net/doc/9e19143210.html,D基本工作过程包括信号电荷的产生、存储、传输和检测。 29.等离子是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体态物质,它是出去固态、液态、气态以外的第四态。 30.TN—LCD指扭曲向列型液晶显示。 STN—LCD指超扭曲向列型液晶显示。 二、问答题。 1、一个完整的无限连续的电磁波谱有哪几部分组成? 答:宇宙射线、γ射线、X射线、紫外光、可见光、红外光、毫米波、无线电波、声频电磁波。其中紫外线包括:极远紫外、远紫外、近紫外。(10nm-390nm)可见光:紫蓝绿黄橙红。(390nm-

(完整版)电子技术基础习题答案(于宝明)

第一章习题 1。1 如需将PN结二极管处于正向偏置,应如何确定外接电压的极性? 答:如需将PN结二极管处于正向偏置,外接电压的极性应该是P区端接高电位,N区端接低电位。 1。2 PN结二极管的单向导电性是在什么外部条件下才能显示出来? 答:在外部施加了正、反相电压且出现正相导通、反相截止时才能显示出来。 1。3 PN结两端存在内建电位差,若将PN结短路,问有无电流流过? 答:二极管短路时没有电流。原因是PN结两端虽有电位差,但是在半导体和金属电极接触处,也有”接触电位差”,后者抵消了PN结两端的电位差。金属一半导体结和PN结不同:(1)没有单向导电性,(2)接触电位差和外加电压的极性及幅值无关。这种接触叫做"欧姆接触"。从另一种角度分析,如果有电流,金属导线就会发热,二极管就要冷却。作为一个热平衡的整体,要产生这种现象是不可能的.所以,二极管短路时I=0。 1。4 比较硅、锗两种二极管的性能。在工程实践中,为什么硅二极管应用得较普遍? 答:锗有32 、硅有14 个电子,最外围都有四个价电子。电子数量、层数越多,受热激发的后价电子脱离共价健束缚的可能性就越大,所以,硅半导体更稳定。 1.5 当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时,稳压管稳压电路的输出电压能否保持稳定?若能稳定,这种稳定是否是绝对的? 答:当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时,稳压管稳压电路的输出电压能保持基本稳定,但是由于其反相击穿特性曲线并非完全垂直下降,所以这种稳定不是绝对的。 1.6 光电子器件为什么在电子技术中得到越来越广泛的应用?试列举一二例。 答:因为可以利用可见或不可见光进行信号指示、遥控、遥测。减少了导线的连接和一些干扰,带来了方便,比如电视机等家电的遥控器、指示灯等都是应用实例. 1。7 如何用万用表的“Ω”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极?(提示:模拟型万用表的黑笔接表内直流电源的正端,而红笔接负端) 答:如果二极管的内阻较小,模拟型万用表的黑笔接的是P端,而红笔接的是N端。否则,如果二极管的内阻较大,则模拟型万用表的黑笔接的是N端,而红笔接的是P端。 1.8 在用万用表R×10, R×100, R×1k 三个欧姆档测量某二极管的正向电阻时,共测得三个数值:4k、85Ω、680Ω。试判断它们各是哪一档测出的。 答:用万用表测出的二极管电阻值是它的直流电阻。由于二极管是非线性元件,它的电压和电流不成正比,所以通过管子的电流也不同,测出的直流电阻也不同。当用低阻档测量时,由于万用表的内阻小,通过二极管 的电流大,管子工作在较高工作点处, 所以直流电阻(V D1/I D1)小。当用高阻档测量时,万用表内阻大,通过二极管的电流小,管子工作在较低工作点处,所以直流电阻(V D2/I D2)大。因此,4k对应于R×1k;85Ω对应于R×10;680Ω对应于R×100。 1.9 有A、B两个小功率二极管,它们的反向饱和电流分别为0.5A和0。01A;在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA。你认为哪一个管子的综合性能较好? 答:因为二极管正、反相电阻差越大越好,而20/0。0005=40000;8/0。00001=800000;后者反差大于前者。所以8mA管子的综合性能较好。 1.10 为什么说在使用二极管时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压?

电子技术基础_习题集(含答案)

《电子技术基础》课程习题集 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V,U E=0.5V,U C=3V,该三极管处在()状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是()。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中()。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流I B=10μA时,I C=1mA;而I B=20μA时,I C=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在()。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V,U E=2.1V,U C=3.6V,则该管处于()状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是()。 A.发射结正偏,集电结正偏 B.发射结反偏,集电结正偏 C.发射结正偏,集电结反偏 D.发射结反偏,集电结反偏 13.下列关于半导体的说法正确的是()。 A.P型半导体带正电,N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的

电子技术基础习题带答案

理论测验 一、单项选择题: 1.不属于对助焊剂的要求的是 C A、常温下必须稳定,熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫 2.松香酒精溶液的松香和酒精的比例为 B A、1:3 B、3:1 C、任何比例均可 3.烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是 A A、合金头 B、纯铜头 4.焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是 A A、 20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式 5.150W外热式电烙铁采用的握法是 B A、正握法 B、反握法 C、握笔法

6.印刷电路板的装焊顺序正确的是 C A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大; B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大; D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; 7.在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是 A A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1.焊点出现弯曲的尖角是由于 AB A、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2.焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是 A A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 3.75W外热式电烙铁 B

(完整版)电子技术基础习题答案

第1章检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN 结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(对) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错) 4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(PN结反向偏置时,其内外电场方向一致)(错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错)

电子技术基础习题答案

三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件是(C)。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是( C)。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。 A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。 A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。 A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。 9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C、集电极最大允许耗散功率P CM; D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。 A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。 A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。 A、截止失真; B、饱和失真; C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件是(B)。 A、电阻R B; B、电阻R E; C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题是(A)。

数字电子技术基础 离线大作业

数字电子技术基础 题目如下: 第一组: 一、( 本 题25分 ) 逻 辑 电 路 如 图 所 示 ,试:(1) 写 出 F 的 逻 辑 式 并 化 简 为 最 简 与 或 表 达 式, (2) 说 出 其 逻 辑 功 能。 解: 二、( 本 题20分 ) 某逻辑符号如图1所示,其输入波形如图2所示,(1) 写出逻辑式;(2) 画出输出F 的波形。 解: B

三、( 本题25分) 逻辑状态表如下所示,其输入变量为A,B,C ,输出为S,试(1)写出S的逻辑式,(2)说明其功能。 解: 四、( 本题30 分) 逻辑电路如图所示,若各触发器的初始状态为“1”,已知C脉冲波形,试答:(1)试画出输出Q0,Q1及Q2的波形,(2)说明它属何种类型计数器(计数器的类型是指几进制,同步还是异步,加法还是减法)。 解:

第二组: 计算题 一、(本题30分) 逻辑电路如图所示,试答:1、写出逻辑式并化简为最简与或表达式;2、画出化简后的逻辑电路图。 解:1. 2. 二、(本题10分) 某逻辑符号如图1所示,其输入波形如图2所示,(1)画出输出F的波形;(2) 列出其状态表并写出逻辑式。

解: 三、(本题20分) 已知全加器的状态表如下,试答:1、分析说明能否用全加器构成一个3位表决器(少数服从多数);2、 其功能是当输入量的多数为“1” 时, 输出为“1”, 否则为“0”。对照下表说明,哪几个变量是输入(三位的表决意见),哪个变量是输出(表决结果)? 解: A B C A B C t 图1 图2 F

四、(本题40分) 逻辑电路图及A,B,K 和C脉冲的波形如图所示,试回答以下问题:1、前、后级分别是什么逻辑电路?2、写出J端的逻辑式;3、设Q的初始状态为“0”,什么时刻(从t1~t5中选择)Q开始出现“1”态(高电平);4、对应画出J 和Q的波形。 解: 第三组: 计算题 一、(本题20分) 逻辑电路如图所示,写出逻辑式并化简成最简与或表达式,画出逻辑电路图。

2022年春季天津大学网络教育《模拟电子技术基础》离线大作业

模拟电子技术基础 要求: 一、独立完成,下面已将五组题目列出,请按照学院平台揖足的做题组数作答, 每人 只答一组题目,多答无效,总分值100分; 平台查看做题组数操作:学生登录学院平台一系统登录f学生登录f课程考试f离线考核f离线考核课程查看f做题组数,显示的数字为此次离线考核所应做哪一组题的标识;例如:“做题组数”标为1,代表学生应作答“第一组”试题; 二、答题步骤: 1.使用A4纸打印学院指定答题纸(答题纸请详见附件);.在答题纸上使用黑年本笔按题目要求手写作答;答题纸上全部信息要求手写,包括学号、姓名等基本信息和答题内容,请写明题型、题号;答题页数不要超过2页; 三、提交方式:请将作答完成后的整页答题纸以图片形式依次粘贴在一个Word 义档 中上传(只粘贴局部内容的图片不给分),图片请保持正向、清晰; 1.完成的作业应另存为保存类型是“Word97-2003”提交; 2.上传文件命名为“中心-学号-姓名-科目.doc” ; 3.文件容量大小:不得超过20MB。 提示:未按要求作答题目的作业及雷同作业,成绩以0分记! 题目如下: 第一组: 计算题一、(此题25分) 图示放大电路中,三极管的力=50, t/BE=0.6 V输入中频信号 = 3sinot mVo试问:⑴当乃4时,三极管的发射结是否处于反向偏置?为什么?(2)假设电阻时开路,4和4各是多少?⑶ 计算电路的静态工作点。

+ 15V I I 10KC 1OKQ 14.3KQ- 15V

二、(此题15分)Ui(t)= 7Sinu)tV , Ucc=± 12V , t/z=4.5V。试画出以下电路的转移特性和输出电压波形图。 [> CD L ~ +A-T—UO Ui+Dz 77 三、(此题30分)电路如下图,晶体管的rbc = 2kC,"be = 0.7V,^75,"Bi = 270 k Q, 自2 = 100 k Q, %=1.5kQ, Ki = 15OQ, 7^2 = lkQo 要求: ⑴求静态工作点;⑵画出微变等效电路; 求电路的输入电阻、电压放大倍数。 四、(此题30分)电路如下图,要求 (I)写出输出电压%与输入电压由1,%2之间运算关系式。 ⑵假设q=R、, R v 2 = R2 ‘ R& = R、,写出为与% i, u l 2的关系式。

2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第一篇 第2章习题

第一篇 第2章 题1.2.1 已知一锗二极管的伏安特性如图题1.2.1(a )所示。 (1)若将其按正向接法直接与1.5 V 电池相连,估计会出现什么问题? (2)若将其按反向接法直接与30 V 电压源相接,又会出现什么问题? (3)电路如图(b ),当Ω===300,6.0R V V v S S 时,在(a )中标出工作点,求出?=D V 和?=D I 并计算二极管的直流电阻?=D R (4)当Ω==150,9.0R V V S 时,在(a )中标出工作点,求出?=D V 和?=D I 并计算二极管的直流电阻?=D R 图题1.2.1 答:(1)正向过流而烧毁;(2)反向过压击穿损坏;(3)Ω≈k R D 3;(4)Ω≈k R D 1.0 图题1.2.2 题1.2.3 电路如图题1.2.3所示,分析在下述条件下二极管的通断情况(建议使用戴维南等效电路法)。二极管D 采用大信号模型,其导通压降V V D 7.0=,V V V CC CC 621==,求出D 导通时电流D I 的大小。 (1)Ω=k R 21,Ω=k R 32; (2)Ω==k R R 321;

(3)Ω=k R 31,Ω=k R 22。 图题1.2.3 答:(1)mA I D 42.0=;(2)mA I D 0=;(3)mA I D 0= 题1.2.5 图题1.2.5所示为桥式整流电路,设二极管为理想器件,变压器的原、副边绕组匝数比1121==N N n ,变压器损耗不计,t t V v m πω100sin 2220sin 11==。试回答下列 问题: (1)画出2v 和O v 的波形; (2)求负载L R 上的直流电压O V 和直流电流O I ; (3)求二极管的平均电流D I 和最大反向电压RM V 。 答:(1)是单相桥式全波整流电路 (2) 负载上直流电压V O ≈0.9×V2=0.9×20V =18V ,直流电流I O ≈18mA ; (3) I D =I O /2≈9mA ,V RM ≈28.2V 。 图题1.2.5

北京理工大学2021年9月《数字电子技术》基础作业考核试题及答案参考14

北京理工大学2021年9月《数字电子技术》基础作业考核试题及答案参考 1. 判断一个电路是否可能产生险象的方法有代数法和卡诺图法。( ) A.错误 B.正确 参考答案:B 2. 以下电路中常用于总线应用的有( )。 A.TSL门 B.OC门 C.漏极开路门 D.CMOS与非门 参考答案:A 3. TTL电路在正逻辑系统中,以下各种输入中( )相当于输入逻辑“1”。 A.悬空 B.通过电阻2.7kΩ接电源 C.通过电阻2.7kΩ接地 D.通过电阻510Ω接地 参考答案:ABC 4. 利用三态门可以实现数据的双向传输。( ) A.错误 B.正确 参考答案:B 5. 当逻辑函数有n个变量时,共有( )个变量取值组合。 A.n B.2n C.n的平方 D.2的n次方 参考答案:D

6. 一个十进制计数器,可以作为十分频器使用。( ) A、错误 B、正确 参考答案:B 7. 对于8线—3线优先编码器,下面说法不正确的是( )。 A.有3根输入线,8根输出线 B.有8根输入线,3根输出线 C.有8根输入线,8根输出线 D.有3根输入线,3根输出线 参考答案:ACD 8. 若两个函数具有相同的真值表,则两个逻辑函数必然相等。( ) A.错误 B.正确 参考答案:B 9. 用或非门构成的基本RS触发器的所谓“状态不定”是指在RS两端同时加信号( )。 A.R=0,S=0 B.R=0,S=1 C.R=1,S=0 D.R=1,S=1 参考答案:D 10. 下列电路中不是时序电路的是( ) A.计数器 B.触发器 C.寄存器 D.译码器 参考答案:D

11. TTL与非门的多余脚悬空等效于( )。 A.1 B.0 C.Vcc D.Vee 参考答案:A 12. 在补码表示法中,正数的表示同原码和反码的表示是一样的。( ) A.错误 B.正确 参考答案:B 13. 一个JK触发器的稳态个数和它可存储位二进制数分别是( ) A、1 B、2 C、3 D、4 参考答案:AB 14. 下面定理正确的是( )。 A.0+0=0 B.1+0=1 C.0∧1=0 D.1∧1=1 参考答案:ABCD 15. 以下说法中,( )是正确的 A.一个逻辑函数全部最小项之和恒等于1 B.一个逻辑函数全部最大项之和恒等于0 C.一个逻辑函数全部最小项之积恒等于1 D.一个逻辑函数全部最大项之积恒等于1

天大2020年10月秋《数字电子技术基础》离线考核试题

数字电子技术基础 要求: 一、独立完成,下面已将五组题目列出,请按照学院平台指定.. 的做题组数作答,每人只答一组题目........,多答无效.... ,满分100分; 平台查看做题组数操作:学生登录学院平台→系统登录→学生登录→课程考试→离线考核→离线考核课程查看→做题组数,显示的数字为此次离线考核所应做哪一组题的标识; 例如:“做题组数”标为1,代表学生应作答“第一组”试题; 二、答题步骤: 1. 使用A4纸打印学院指定答题纸(答题纸请详见附件); 2. 在答题纸上使用黑色水笔....按题目要求手写..作答;答题纸上全部信息要求手写,包括学号、姓名等基本信息和答题内容,请写明题型、题号;答题页数不要超过2页; 三、提交方式:请将作答完成后的整页答题纸以图片形式依次粘贴在一个.......Word .... 文档中... 上传(只粘贴部分内容的图片不给分),图片请保持正向、清晰; 1. 完成的作业应另存为保存类型是“.........Word97......-.2003....”.提交; 2. 上传文件命名为“中心-学号-姓名-科目.doc ”; 3. 文件容量大小:不得超过20MB 。 提示:未按要求作答题目的作业及雷同作业,成绩以....................0.分记.. ! 题目如下: 第一组: 一、 ( 本题20分 ) 逻 辑 电 路 如 图 所 示,试答:(1)写 出 逻 辑 式,(2) 列 出 真 值 表。 二、(本题20分) 化简下列逻辑式: C B A D A B A D C AB C D B A F - - - - - ++++= A

2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第二篇 第1章习题(word文档良心出品)

第二篇 第1章习题 题2.1.1 在图题2.1.1所示的差分放大电路中,设T 1、T 2管特性对称,已知β=60,r be =2 k Ω,其余参数如图中所示。 (1) 计算T 1、T 2管的静态集电极电流I CQ 和集电极电压V CQ ; (2) 求差模电压放大倍数vd A ; (3) 计算差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。 图题 2.1.1 答:(1)因恒流供电,所以,V V mA I CQ CQ 5,1=≈;(2). 75-=vd A ;(3) 8=i R k Ω,10=O R k Ω; 题2.1.2 在图题2.1.2所示的差分放大电路中,设T 1、T 2管特性对称,β1=β2=100,V BE =0.7V ,且r bb ′=200Ω,其余参数如图中所示。 (1) 计算T 1、T 2管的静态电流I C1Q 、I C2Q 和静态电压V CE1Q 、V CE2Q ; (2) 计算差模电压放大倍数i o vd V V A = ; (3) 若v I =20sin ωt m V ,写出v O 的波形表达式。 图题 2.1.2 答:这是一个单入/单出差分放大电路。 (1)静态计算和双入/双出相同,输入静态为零时:因为V E =-0。7后可求得:

V V V V V V mA I I OQ Q CE Q CE Q C Q C 58.2,28.3,7.12,57.02121====; (2)1.52. =vd A ;(3))sin 04.158.2(t v o ω+=V 。 题2.1.3 在图题2.1.3所示的差分放大电路中,设T 1、T 2管特性对称,β1=β2=100,V BE =0.7V ,且r bb ′=200Ω,其余参数如图中所示。 (1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ 。若将R c1短路,其它参数不变,则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化? (2) 计算差模输入电阻R id 。当从单端(c 2)输出时的差模电压放大倍数2vd A &=?; (3) 当两输入端加入共模信号时,求共模电压放大倍数2 vc A &和共模抑制比K CMR ; (4) 当v I1=105 mV ,v I2=95 mV 时,则T 2管集电极电压v C2是多少?e 点电压v E 是多少? 图题 2.1.3 答:(1) 求静态工作点: mA 56.010 2101/107 122)1/(1=⨯+-=+β+-=e b BE EE CQ R R V V I V 7.07.010100 56 .01-≈-⨯- =--=BE b BQ E V R I V V 1.77.01056.012=+⨯-=--=E c CQ CC CEQ V R I V V 若将R c1短路,则 mA 56.021==Q C Q C I I (不变) V 7.127.0121=+=-=E CC Q CE V V V V 1.77.01056.0122=+⨯-=--=E c CQ CC Q CE V R I V V (不变)

东大19秋模拟电子技术基础A赵丽红离线作业参考答案

东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础 试 卷(作业考核 线下) A 卷(共 5 页) 注:请您单面打印,使用黑色或蓝色笔,手写完成作业。杜绝打印,抄袭作业。 一、(10分) 单项选择题。(选一个正确答案填入括号里,每空1分) ⒈ N 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。 答( D ) A 、电子 B 、空穴 C 、三价元素 D 、五价元素 2.其它条件不变,若放大器输入端电阻减小应引入 答( D ) A 、电压负反馈 B 、电流负反馈 C 、串联负反馈 D 、并联负反馈 3.正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 答( B ) A 、 B 、 C 、 4.在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压,输出波形如图1所示,说明电 路 中 出 现 的 是 答( C ) A 、饱和 B 、截止 C 、交越 5.在放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入 答( A ) A 、直流负反馈 B 、交流负反馈 C 、交流正反馈 D 、直流正反馈 6.当PN 结加正向电压时,其空间电荷区 答( B ) 1-=F A &&1=F A &&1|1|>>+F A &&0

A 、变宽 B 、变窄 C 、基本不变 7.对于基本共射放大电路的特点,其错误的结论是 答( A ) A 、输出电压与输入电压相位相同 B 、输入电阻,输出电阻适中 C 、电压放大倍数大于1 D 、电流放大倍数大于1 8.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ,则这只三极管属于 A 、硅PNP 型 B 、硅NPN 型 C 、锗PNP 型 D 、锗NPN 型 答( B ) 9.场效应管与双极型晶体管相比,具有 答( A ) A 、更大的输入电阻 B 、更小的输入电阻 C 、相同的输入电阻 10.二极管电路如图2所示,设二极管均为理想的,则电压U o 为 答( B ) A 、-10V B 、-5V C 、0V D 、+5V 图2 o

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