电子技术基础作业题
电子技术基础 作业题8
有答案 仅供参考
一、填空题：（每空0.5分，共20分）
1、两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。电路中不允许两个输入端同时为 为低电平 ，否则将出现逻辑混乱。
2、通常把一个CP 脉冲引起触发器多次翻转的现象称为 空翻 ，有这种现象的触发器是 钟控RS 触发器，此类触发器的工作属于 电平 触发方式。
3、为有效地抑制“空翻”，人们研制出了 边沿 触发方式的 主从型JK 触发器和 维持阻塞D 触发器。
4、JK 触发器的特征方程是：n n
1n KQ Q J Q +=+。 （错） 5、D 触发器的输出总是跟随其输入的变化而变化。 （对） 6、CP=0时，由于JK 触发器的导引门被封锁而触发器状态不变。 （错） 7、主从型JK 触发器的从触发器开启时刻在CP 下降沿到来时。 （对） 8、触发器和逻辑门一样，输出取决于输入现态。 （错） 9、维持阻塞D 触发器状态变化在CP 下降沿到来时。 （错） 10、凡采用电位触发方式的触发器，都存在“空翻”现象。 （错） 三、选择题（每小题2分，共20分）
1、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是（ C ）。
A 、基本RS 触发器
B 、钟控RS 触发器
C 、
D 触发器 D 、JK 触发器
2、由与非门组成的基本RS 触发器不允许输入的变量组合R S ⋅为（ A ）。
A 、00
B 、01
C 、10
D 、11 3、钟控RS 触发器的特征方程是（ D ）。 A 、n 1n Q R Q +=+ B 、n 1n Q S Q +=+ C 、n 1n Q S R Q +=+ D 、n n R S Q +=+1 4、仅具有保持和翻转功能的触发器是（ B ）。
A 、JK 触发器
B 、T 触发器
C 、
D 触发器 D 、T ˊ触发器
）
抑制“空翻”的最有效方法就是选用边沿触发方式的触发器。
3、触发器有哪几种常见的电路结构形式？它们各有什么样的动作特点？
答：触发器常见的电路结构形式有两个与非门或两个或非门构成的基本RS 触发器、由基本RS 触发器和导引门构成的钟控RS 触发器、主从型JK 触发器以及维护阻塞D 触发器等。基本RS 触发器的输出随着输入的变化而变化，电平触发；钟控RS 触发器是在CP=1期间输出随输入的变化而变化；主从型JK 触发器在时钟脉冲下降沿到来时触发；维持阻塞D 触发器是在时钟脉冲上升沿到来时刻触发。
4、试分别写出钟控RS 触发器、JK 触发器和D 触发器的特征方程。
答：钟控RS SR=0（约束条件）；
JK
D触发器的特征方程：Q n +1= D n。
5、你能否推出由两个或非门组成的基本RS触发器的功能？写出其真值表。
答：由两个或非门组成的基本RS触发器如图
所示，其功能与钟控RS触发器相同，所不同点是
或非门构成的基本RS触发器是电平触发方式，没
有时钟脉冲控制。
功能真值表也与钟控RS触发器完全相同。
解：（a（b（c
（d（e（f
Q
1
（d）
图6-19检测题6.5.2逻辑图
Q
（e）
Q
（f）
3、图6-20所示为维持阻塞D 触发器构成的电路，试画出在CP 脉冲下Q 0和Q 1的波形。（9分）
图6-20 检测题6.5.3逻辑图
电子技术基础练习题
《电子技术基础》练习题 一、选择题 1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向一致时，该电流（） A、一定为正值 B、一定为负值 C、不能肯定是正值或负值 2、以下三种电压和电流的参考方向的选取，（）是关联的参考方向。 3、图中，电阻R为（） A、0Ω B、5Ω C、5-Ω 4、应用叠加定理计算线性电路时，（）不可以叠加 A、电压 B、功率 C、电流 5 、在电感元件的交流电路中，已知u t =ω，则（） A、 U I j L ? ? = ωB、 U I j L ? ? = ωC、I j L U ?? =ω 6、RL串联电路的时间常数为（）。 A、R L B、 L R C、RL +_ 10V
7、在杂质半导体中多子的数量与（ ）有关 A 、掺杂浓度 B 、温度 8、稳压二极管起稳压作用时，是工作在其伏安特性的（ ）区。 A 、反向饱和区 B 、正向导通区 C 、反向击穿区 9、对某电路中一个NPN 型硅管测试，测得 BE U 0>，BC U 0>，CE U 0>，则此管 工作在（ ） A 、放大区 B 、饱和区 C 、截止区 10、在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为3.2V ，3V ，15V ，则该管为（ ）。 A 、NPN 型硅管 B 、PNP 型锗管 C 、NPN 型锗管 11、若将一个TTL 与非门（设输入端为A 、B ）当作反相器使用，则A 、B 端应如何连接（ ） (A)A 、B 两端并联使用 (B) A 或B 中有一个接低电平0 (C)不能实现 12、与A B C ++相等的为（ ） A 、 A B C ?? B 、 A B C ?? C 、 A B C ++ 13、测得某逻辑门输入A 、B 和输出F 的波形如图所示，则F(A ，B)的表达式是（ ） A 、F=AB B 、F=A+B C 、B A F ⊕= D 、B A F =
电子技术基础试题及答案套
电子技术基础试题(八) 一、填空题(每题3分，共30分) 1、PN结具有单向导电特性性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。 5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流 I BQ，以减少交越失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。 10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。 二、选择题(每题3分，共30分) 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A)。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C)。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低 6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B)。 A.8V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：( A )。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8．逻辑函数式E F+E F+EF，化简后答案是：( C)。 A.EF B.F E+E F C.E+F 9．基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态：( B)。 A.恢复原状态 B.保持现状态 C.出现新状态 10．八位二进制数能表示十进制数的最大值是：( A)。
电子技术基础 寒假作业(含答案)
1610电子技术基础 寒假作业 负反馈放大电路与基本运算电路 一、单选题 1. 需要一个阻抗变换电路，要求输入电阻大，输出电阻小，应选用（ A ）负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 2. 为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。 A. 直流 B. 交流电流 C. 交流串联 D. 交流并联 3. 理想集成运放具有以下特点：（ B ）。 A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞ B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0 C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞ D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =0 4. 引入（ C ）反馈，可稳定电路的增益。 A. 电压 B. 电流 C. 负 D. 正 5. 为了减小放大电路的输出电阻，应引入（ C ）负反馈。 A. 直流 B. 交流电流 C. 交流电压 D. 交流并联 6. 深度负反馈的条件是指（ B ）。 A. 1+AF<<1 B. 1+AF>>1 C. 1+AF<<0 D. 1+AF>>0 7. 对于放大电路，所谓开环是指（ B ） 。 A. 无信号源 B. 无反馈通路 C. 无电源 D. 无负载 8. 为了稳定静态工作点，应引入（ A ）负反馈。 A. 直流 B. 交流 C. 串联 D. 并联 9. 为了稳定放大倍数，应引入 （ B ）负反馈。 A. 直流 B. 交流 C. 串联 D. 并联 10. 集成运放存在失调电压和失调电流，所以在小信号高精度直流放大电路中必须进行（ D ）。 A. 虚地 B. 虚短 C. 虚断 D. 调零 11. （ D ）运算电路可实现函数Y ＝aX 1＋bX 2＋c X 3，a 、b 和c 均小于零。 A. 同相比例 B. 反向比例 C. 同相求和 D. 反向求和 12. 要求输入电阻大，输出电压稳定，应选用（ A ）负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 二、填空题 1.电压负反馈能稳定输出 ，电流负反馈能稳定输出 。电压；电流 2.将 信号的一部分或全部通过某种电路 端的过程称为反馈。输出；回送到输入 3.为提高放大电路的输入电阻，应引入交流 反馈，为提高放大电路的输出电阻，应引入交流 反馈。串联；电流 4.负反馈对输入电阻的影响取决于 输入端的反馈类型，串联负反馈能够 提高 输入电阻，并联负反馈能够降低输入电阻。 5.负反馈对输出电阻的影响取决于 端的反馈类型，电压负反馈能够 输出电阻，电流负反馈能够 输出电阻。 6.负反馈虽然使放大器的增益下降，但能 增益的稳定性， 通频带， 非线性失真， 放大器的输入、输出电阻。 7. 负反馈放大电路中，若反馈信号取样于输出电压，则引入的是 反馈，若反馈信号取样于输出电流，则引入的是 反馈；若反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则引入的是 反馈，若反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则引入的是 反馈。 8. 根据反馈信号在输出端的取样方式不同，可分为 反馈 和 反馈 ，根据反馈信号和输入信号在输入端的比较方式不同，可分为 反馈 和 反馈 。 9、从反馈的角度来看，反相比例运算放大器是 负反馈放大器，同相比例运算放大器是_________负反馈放大器。 5. 输出，降低，增大 6. 提高，展宽，减少，改变 7.电压，电流，串联，并联 8.电压，电流，串联，并联 9.电压并联。电压串联 三、计算分析题 1.图示电路中运放为理想器件，试求输出电压U O 的值，并估算平衡电阻R P 的阻值。 ¥+-+ 2V R 12k Ω 1k Ω 2k Ω R 2R 3R P R F 5k Ω U O +－
电子技术基础作业题
电子技术基础 作业题8 有答案 仅供参考 一、填空题：（每空0.5分，共20分） 1、两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。电路中不允许两个输入端同时为 为低电平 ，否则将出现逻辑混乱。 2、通常把一个CP 脉冲引起触发器多次翻转的现象称为 空翻 ，有这种现象的触发器是 钟控RS 触发器，此类触发器的工作属于 电平 触发方式。 3、为有效地抑制“空翻”，人们研制出了 边沿 触发方式的 主从型JK 触发器和 维持阻塞D 触发器。 4、JK 触发器的特征方程是：n n 1n KQ Q J Q +=+。 （错） 5、D 触发器的输出总是跟随其输入的变化而变化。 （对） 6、CP=0时，由于JK 触发器的导引门被封锁而触发器状态不变。 （错） 7、主从型JK 触发器的从触发器开启时刻在CP 下降沿到来时。 （对） 8、触发器和逻辑门一样，输出取决于输入现态。 （错） 9、维持阻塞D 触发器状态变化在CP 下降沿到来时。 （错） 10、凡采用电位触发方式的触发器，都存在“空翻”现象。 （错） 三、选择题（每小题2分，共20分） 1、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是（ C ）。
A 、基本RS 触发器 B 、钟控RS 触发器 C 、 D 触发器 D 、JK 触发器 2、由与非门组成的基本RS 触发器不允许输入的变量组合R S ⋅为（ A ）。 A 、00 B 、01 C 、10 D 、11 3、钟控RS 触发器的特征方程是（ D ）。 A 、n 1n Q R Q +=+ B 、n 1n Q S Q +=+ C 、n 1n Q S R Q +=+ D 、n n R S Q +=+1 4、仅具有保持和翻转功能的触发器是（ B ）。 A 、JK 触发器 B 、T 触发器 C 、 D 触发器 D 、T ˊ触发器 ） 抑制“空翻”的最有效方法就是选用边沿触发方式的触发器。 3、触发器有哪几种常见的电路结构形式？它们各有什么样的动作特点？ 答：触发器常见的电路结构形式有两个与非门或两个或非门构成的基本RS 触发器、由基本RS 触发器和导引门构成的钟控RS 触发器、主从型JK 触发器以及维护阻塞D 触发器等。基本RS 触发器的输出随着输入的变化而变化，电平触发；钟控RS 触发器是在CP=1期间输出随输入的变化而变化；主从型JK 触发器在时钟脉冲下降沿到来时触发；维持阻塞D 触发器是在时钟脉冲上升沿到来时刻触发。 4、试分别写出钟控RS 触发器、JK 触发器和D 触发器的特征方程。 答：钟控RS SR=0（约束条件）；
(完整版)电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有 习题 【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿
《电子技术基础》练习题库
《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.
(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试卷 一、填空题（ 20 分） 1、电路和电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有特性。 3、放大电路的分析方法有和小信号模型分析法。 4、BJT 的主要参数是。 5、带宽和是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为 电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为和两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否 存在反馈网络，即。 10 、负反馈放大电路有四种类型：、、以及 放大电路。
11、放大电路的实质都是电路。 12、放大电路可分为四种类型：、、和。 二、判断题（ 1—5 题每题 2 分，6—15 题每题 1 分，共 20 分） 1、图示中R2 引人电压并联负反 图题 1 2、图示中R e1 电流串联正反馈
图题 2 3、图示电路不能振荡 图题 3 4、图示电路不能振荡
图题 4 5、图示电路中 T 1为共基极组态， T 2 为共集电极组态 图题 5 6、PN 结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT 有 NPN 和 PNP 两种类型。
9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS 器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输 入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（ 1 题 12 分，2 题 13 分，3 题 15 分，共 40 分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0=-7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为 280k Ω，求各支路电阻。 2、某反馈放大电路的方框图如图所示，试推导其闭环增益x o/x i的表达式。
(完整版)电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）
电子技术基础(上习题)(附答案)
电子技术根底 一、 填空 第一章 直流电路分析根底 1.电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三局部组成。 2.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。 3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。 4.电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。 5.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。 6.数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。 7.模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。 8.电路中的元件分为有源元件和无源元件，其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。 9.在电路中起鼓励作用的是独立电源，包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。 10.电路中有两种电源，其中起鼓励作用的是独立电源，不起鼓励作用的是 受控 电源。 11. 一般来说，电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。 12.求出的功率如果大于0，表示该元件吸收功率 ；如果功率小于0，表示该元件 发出功率 。 13.一般来说，电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。 14.对于一个二端元件，在关联参考方向的时，该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ；与此相反，在非关联参考方向的时，其功率计算公式习惯表示为 P= -UI 。 15.根据是否提供鼓励，电源分为 独立 和 受控 两种。 第二章 一阶过渡电路 1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法，三要素分别指 初始值f (0) 、 稳态值f (∞) 和 时间常数τ 。 2.RC 过渡电路中的时间常数的表达式为 τ=RC ；RL 过渡电路中的时间常数的表达式为τ=l R 。 3.根据是否有信号输入，一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。 4.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示，也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。 第三章 正弦交流电 1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。 2.某交流正弦电流的瞬时表达式为 ()3143i t t π⎛⎫ =+ ⎪⎝ ⎭ ，那么该正弦交流电流的最大值为 5√2 A ，频率为 50Hz ，初相位为 π 3 。 3.在交流电路的功率计算中，Q 表示 无功功率 ，单位是 var(乏) ；它与S 和P 的关系可以表示为Q= S=√S 2−P 2。 4.某交流正弦电压的瞬时表达式为 ()3142u t t π⎛⎫ =+ ⎪⎝ ⎭ ，那么该电压的有效值为 10 ，频率为 50Hz ，
电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案
电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案一．填空题：(共59题) 1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。 2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。 3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。 4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。 5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。 6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。 7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。 [此处图片未下载成功] 8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0 9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。 10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。 11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。 12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。
13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。 14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。 15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。 16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。 17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。 18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。 19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。 20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。 21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。 22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。 23.将交流电变换成直流的过程叫整流。 24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。 25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍. 26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。 27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。
电子技术基础_习题集(含答案)
《电子技术基础》课程习题集 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是（）。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏 13.下列关于半导体的说法正确的是（）。 A.P型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的
大连理工大学2021年9月《模拟电子技术》基础作业考核试题及答案参考3
大连理工大学2021年9月《模拟电子技术》基础作业考核试题及答案参考 1. 就PN结的结电容大小进行比较，正向偏置时比反向偏置时的结电容( )﹔就PN结的结电容对性能影响，正向偏置时比反向偏置时的影响( )。 A.多 B.少 C.大 D.小 参考答案：CD 2. LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在( )变化 A.0-20 B.20-200 C.200-1000 参考答案：B 3. 由NPN管组成的基本共射电路，输入正弦信号，输出电压出现上削顶(顶部削平)失真，这种失真是( )。 A.饱和失真 B.截止失真 C.频率失真 D.放大失真 参考答案：B 4. 一个三级放大电路，测得第一级的电压放大倍数为1，第二级的电压放大倍数 为100，第三级的电压放大倍数为10，则总的电压放大倍数为( )。 A.110 B.111 C.1000 D.不能确定 参考答案：C 5. 若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用电容滤波稳压管稳压电路。( )
A.错误 B.正确 参考答案：A 6. 要提高放大器的带载能力，提高输入电阻，应引入( )负反馈 A.电压并联 B.电流并联 C.电压串联 D.电流串联 参考答案：C 7. 正弦波振荡器的振荡频率由( )而定。 A.基本放大器 B.反馈网络 C.选频网络 参考答案：C 8. 甲类放大电路的效率最高可以达到78.5%。( ) A.正确 B.错误 参考答案：B 9. 凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。( ) A.错误 B.正确 参考答案：A 10. 差分放大电路的差模放大倍数愈大愈好，而共模放大倍数愈小愈好。( ) A.错误 B.正确 参考答案：B
电子技术基础作业题10
电子技术基础作业题10 ■ —■ r- ” ” ■ ■ ■ —~；- 网络收集仅供参考没有讲过的内容可以不做。 一、填空题：（每空0.5分，共33分） 1时序逻辑电路按各位触发器接受 _时钟脉冲控制_信号的不同，可分为_同_步时序逻辑电路和_异_步时序逻辑电路两大类。在 _异_步时序逻辑电路中，各位触发器无统一的 _时钟脉冲控制—信号，输出状态的变化通常不是 _同一时刻—发生的。 2、根据已知的_逻辑电路_，找出电路的—输入一和其现态及_输出一之间的关系，最后总 结出电路逻辑_功能一的一系列步骤，称为时序逻辑电路的_分析一。 3、当时序逻辑电路的触发器位数为n,电路状态按_二进制一数的自然态序循环，经历的独立状态为2n个，这时，我们称此类电路为 _二进制一计数器。—二进制一计数器除了按一同步_、_异步_分类外，按计数的_加减一规律还可分为_加_计数器、—减计数器和_可逆一计数器。 4、在_十进制一计数器中，要表示一位十进制数时，至少要用_四_位触发器才能实现。十进制计数电路中最常采用的是_8421_ BCD代码来表示一位十进制数。 5、时序逻辑电路中仅有存储记忆电路而没有逻辑门电路时，构成的电路类型通常称为莫尔—型时序逻辑电路；如果电路中不但除了有存储记忆电路的输入端子，还有逻辑门电路的输入时，构成的电路类型称为—米莱一型时序逻辑电路。 6、分析时序逻辑电路时，首先要根据已知逻辑的电路图分别写出相应的_驱动一方程、输出一方程和—次态一方程，若所分析电路属于 _异_步时序逻辑电路，则还要写出各位触发器的—时钟脉冲_方程。 7、时序逻辑电路中某计数器中的_无效一码，若在开机时出现，不用人工或其它设备的干预，计数器能够很快自行进入—有效循环体_，使—无效—码不再出现的能力称为—自启动—能力。 8、在_分频_、_控制_、_测量一等电路中，计数器应用得非常广泛。构成一个六进制计数器最少要采用_三_位触发器，这时构成的电路有_6_个有效状态，_2_个无效状态。 9、寄存器可分为或码_寄存器和_移位一寄存器，集成74LS194属于—双向一移位寄存器。 用四位移位寄存器构成环行计数器时，有效状态共有_4_个；若构成扭环计数器时，其有效 状态是_8_个。 10、_寄存一器是可用来存放数码、运算结果或指令的电路，通常由具有存储功能的多位触发一器组合起来构成。一位一触发一器可以存储1个二进制代码，存放n个二进制代码的_寄存一器，需用门位_触发一器来构成。 11、74LS194是典型的四位_TTL_型集成双向移位寄存器芯片，具有—左移和右移_、并行输入、_保持数据_和_清除数据一等功能。 12、555定时器可以构成施密特触发器，施密特触发器具有_回差一特性，主要用于脉冲 波形的—整形_和_变换_；555定时器还可以用作多谐振荡器和 _单_稳态触发器。_单_稳态触发器只有一个—暂稳一态、一个_稳_态，当外加触发信号作用时，_单稳一态触发器能够从_稳态翻转到_暂稳一态，经过一段时间又能自动返回到_稳_态，
电子技术基础习题答案
三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。 A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM； B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C、集电极最大允许耗散功率P CM； D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。 A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。 A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。 A、截止失真； B、饱和失真； C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。 A、电阻R B； B、电阻R E； C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题是（A）。
电子技术基础习题带答案
理论测验 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是 C A、常温下必须稳定,熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为 B A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是 A A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是 A A、 20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式 5．150W外热式电烙铁采用的握法是 B A、正握法 B、反握法 C、握笔法
6．印刷电路板的装焊顺序正确的是 C A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大; B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大; D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; 7．在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是 A A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于 AB A、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是 A A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁 B